JPH0477965B2 - - Google Patents
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- JPH0477965B2 JPH0477965B2 JP24513784A JP24513784A JPH0477965B2 JP H0477965 B2 JPH0477965 B2 JP H0477965B2 JP 24513784 A JP24513784 A JP 24513784A JP 24513784 A JP24513784 A JP 24513784A JP H0477965 B2 JPH0477965 B2 JP H0477965B2
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- head
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はオーデイオ・テープレコーダ等のデイ
ジタル信号による磁気記録および再生用のマルチ
トラツク薄膜磁気ヘツドに関するものである。
ジタル信号による磁気記録および再生用のマルチ
トラツク薄膜磁気ヘツドに関するものである。
従来の技術
従来のリング型ヘツドに対して半導体分野にお
ける微細パターン技術を利用した薄膜磁気ヘツド
の開発が進んでいる。薄膜磁気ヘツドの場合は微
細パターンによるマルチトラツク化が可能で高密
度記録に適しており、近年デイジタル信号の記
録、再生用として注目されている。
ける微細パターン技術を利用した薄膜磁気ヘツド
の開発が進んでいる。薄膜磁気ヘツドの場合は微
細パターンによるマルチトラツク化が可能で高密
度記録に適しており、近年デイジタル信号の記
録、再生用として注目されている。
以下、従来の薄膜磁気ヘツドについて、第１２
図を参照しながら説明する。（例えば、特公昭57
−16409号公報） 第１２図ａは従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図、
第１２図ｂは、記録再生パターン図である。
図を参照しながら説明する。（例えば、特公昭57
−16409号公報） 第１２図ａは従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図、
第１２図ｂは、記録再生パターン図である。
第１２図において、１はマルチトラツク薄膜磁
気ヘツド、２は記録もしくは再生ヘツドの有効ト
ラツク部で、各トラツクは同一平面上に形成さ
れ、テープ摺動面上では一直線上に並んでいる。
気ヘツド、２は記録もしくは再生ヘツドの有効ト
ラツク部で、各トラツクは同一平面上に形成さ
れ、テープ摺動面上では一直線上に並んでいる。
３はマルチトラツク薄膜磁気ヘツド１の記録パ
ターン、４は再生パターンである。
ターン、４は再生パターンである。
T1はトラツク間距離で、80μｍ、T2は記録幅
で、65μｍ、T3は隣接トラツクによるクロストー
クやテープの位置ずれによるノイズの発生を防止
するため、一定の距離が設けられるガードバンド
で、その長さは30μｍ、T4は再生幅で、50μｍで
ある。
で、65μｍ、T3は隣接トラツクによるクロストー
クやテープの位置ずれによるノイズの発生を防止
するため、一定の距離が設けられるガードバンド
で、その長さは30μｍ、T4は再生幅で、50μｍで
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成では、１トラツ
ク当り80μｍ使用可能であるのに対し、実際には
約６割の50μｍしか使用されておらず、この結果
出力レベルも全幅でトラツクを使つた時より約
4dB低い状態となる。
ク当り80μｍ使用可能であるのに対し、実際には
約６割の50μｍしか使用されておらず、この結果
出力レベルも全幅でトラツクを使つた時より約
4dB低い状態となる。
このように従来の直線配列のヘツドではクロス
トークやテープ走行時の位置ズレによるノイズ発
生防止のためのガードバンドを必要とし、それに
より出力が低下するという問題点を有していた。
トークやテープ走行時の位置ズレによるノイズ発
生防止のためのガードバンドを必要とし、それに
より出力が低下するという問題点を有していた。
又、ヘツドの構成においても従来の磁気抵抗効
果型の再生ヘツドでは、磁気抵抗効果素子（以下
MR素子という）にバイアス磁界を加えて異方性
の方向を傾け最適動作点にもつてゆく必要があ
り、そのためバイアス線を形成しなければならな
いという問題点を有していた。
果型の再生ヘツドでは、磁気抵抗効果素子（以下
MR素子という）にバイアス磁界を加えて異方性
の方向を傾け最適動作点にもつてゆく必要があ
り、そのためバイアス線を形成しなければならな
いという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、隣
接するトラツク間に角度（アジマス角）をもたせ
アジマス記録、再生することによつて隣接トラツ
クとのクロストークおよびテープ走行時のテープ
位置ずれによるノイズの発生を防ぐとともに、各
トラツクを与えられたトラツク幅を全幅で活用
し、これにより出力の大幅な向上をはかることを
目的とする。
接するトラツク間に角度（アジマス角）をもたせ
アジマス記録、再生することによつて隣接トラツ
クとのクロストークおよびテープ走行時のテープ
位置ずれによるノイズの発生を防ぐとともに、各
トラツクを与えられたトラツク幅を全幅で活用
し、これにより出力の大幅な向上をはかることを
目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、ヘツド先端部の隣接するトラツクが
同一平面になく、ひとつおきのトラツクが平行平
面をなし、各トラツク形成面のなす角が20°以上
60°未満であるマルチトラツク薄膜磁気ヘツドで、
その製造方法において全トラツク幅にまたがるス
トライプ状の磁気抵抗素子およびフラツクスガイ
ドを形成し、その上に隣接するトラツクのリード
線を一本のリード線で形成した後、各トラツク間
を切断および研磨によつて分割することによつて
各トラツクを構成する。
同一平面になく、ひとつおきのトラツクが平行平
面をなし、各トラツク形成面のなす角が20°以上
60°未満であるマルチトラツク薄膜磁気ヘツドで、
その製造方法において全トラツク幅にまたがるス
トライプ状の磁気抵抗素子およびフラツクスガイ
ドを形成し、その上に隣接するトラツクのリード
線を一本のリード線で形成した後、各トラツク間
を切断および研磨によつて分割することによつて
各トラツクを構成する。
作 用
本発明は上記した構成により、トラツク間に角
度をもたせアジマス記録、再生することになり、
隣接トラツクとのクロストークおよびテープ走行
時のテープ位置ずれによるノイズの発生を防ぎ、
トラツク幅を全幅で活用し出力の大幅な向上がは
かれ、なおかつ、磁気抵抗素子が自然に異方性を
有するためバイアス磁界が不要となる。
度をもたせアジマス記録、再生することになり、
隣接トラツクとのクロストークおよびテープ走行
時のテープ位置ずれによるノイズの発生を防ぎ、
トラツク幅を全幅で活用し出力の大幅な向上がは
かれ、なおかつ、磁気抵抗素子が自然に異方性を
有するためバイアス磁界が不要となる。
実施例
以下本発明の一実施例について第１図乃至第１
１図を用いて説明する。
１図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるマルチトラ
ツク薄膜磁気ヘツドの内の再生ヘツドの基板の斜
視図、第２図ａはその上面図、第２図ｂはその側
面図である。
ツク薄膜磁気ヘツドの内の再生ヘツドの基板の斜
視図、第２図ａはその上面図、第２図ｂはその側
面図である。
第１図、第２図において、５はAl2O3を焼結し
て形成された基板で、基板５のヘツド先端部には
断面が鋸歯状のトラツク部６を有しており、かつ
隣接するトラツク６ａ，６ｂが同一平面になく、
ひとつおきのトラツク６ａ又は６ｂ平行平面をな
している。そして各トラツクの幅Ｔは92μｍ、そ
の水平距離は80μｍ、トラツク配列方向に対して
各トラツク形成面をなす角、すなわちアジマス角
θは30°である。
て形成された基板で、基板５のヘツド先端部には
断面が鋸歯状のトラツク部６を有しており、かつ
隣接するトラツク６ａ，６ｂが同一平面になく、
ひとつおきのトラツク６ａ又は６ｂ平行平面をな
している。そして各トラツクの幅Ｔは92μｍ、そ
の水平距離は80μｍ、トラツク配列方向に対して
各トラツク形成面をなす角、すなわちアジマス角
θは30°である。
次に、上記基板５を用いてマルチトラツク薄膜
磁気ヘツドの製造工程について、第３図〜第１０
図を用いて説明する。尚、第３図〜第１０図は第
２図のヘツド先端部を拡大したものである。
磁気ヘツドの製造工程について、第３図〜第１０
図を用いて説明する。尚、第３図〜第１０図は第
２図のヘツド先端部を拡大したものである。
第３図において、７は非磁性のステンレスから
なるメタルマスク、８はパーマロイを蒸着して磁
気抵抗効果素子（以下MR素子という）を形成す
るためのスリツトである。
なるメタルマスク、８はパーマロイを蒸着して磁
気抵抗効果素子（以下MR素子という）を形成す
るためのスリツトである。
ここで、まず基板５上にメタルマスクを用い
て、Ni（81重量％）−Fe（19重量％）のパーマロイ
をＸ方向の磁界を印加しながら蒸着し、第４図に
示すように、膜厚0.05μｍのMR素子９を形成す
る。
て、Ni（81重量％）−Fe（19重量％）のパーマロイ
をＸ方向の磁界を印加しながら蒸着し、第４図に
示すように、膜厚0.05μｍのMR素子９を形成す
る。
次に、MR素子９を形成した基板５上に、メタ
ルマスク７でAu／Crのリード線１０を第５図に
示すように形成し、さらにマスクスパツタで第６
図に示すように厚さ0.3μｍのSiO2の絶縁層１１を
ギヤツプとして形成する。
ルマスク７でAu／Crのリード線１０を第５図に
示すように形成し、さらにマスクスパツタで第６
図に示すように厚さ0.3μｍのSiO2の絶縁層１１を
ギヤツプとして形成する。
さらに、フラツクスガイド１２として、Ni−
Znフエライトをマスクスパツタで第７図に示す
ように形成し、各トラツクの接合部分である鋸歯
状部の上端を研磨、下端をダイシングで切断し、
研磨部１３と切断部１４を第８図ａ，ｂのように
形成する。尚、第８図ｂは第８図ａの側面図であ
る。
Znフエライトをマスクスパツタで第７図に示す
ように形成し、各トラツクの接合部分である鋸歯
状部の上端を研磨、下端をダイシングで切断し、
研磨部１３と切断部１４を第８図ａ，ｂのように
形成する。尚、第８図ｂは第８図ａの側面図であ
る。
これにより、各トラツクは切断層15μｍで分離
される。尚、分離幅としてはできるだけ狭い方が
出力の点で有利で15μｍ以下が望ましい。
される。尚、分離幅としてはできるだけ狭い方が
出力の点で有利で15μｍ以下が望ましい。
次に、保護層１５としてSiO2をスパツタで第９
図に示すように基板５５上端近傍まで形成し、そ
の上に保護基板１６として焼結して作製したMn
−Znフエライトを樹脂で接着している。この保
護基板１６の材料もセラミツク焼結体が適してい
る。この際、あらかじめMR素子９と先端までの
距離を読み取つておき、Mn−Znフエライトを接
着後、所定のMR素子の幅になるまで先端をラツ
ピングした。次にハウジングを行い、フレキワイ
ヤを接続した。このようにして形成された再生ヘ
ツドを第１０図に示す。本ヘツドの磁束の流れは
テープ、MR素子、Ni−Znフエライト膜をへて
テープに戻るようになつている。
図に示すように基板５５上端近傍まで形成し、そ
の上に保護基板１６として焼結して作製したMn
−Znフエライトを樹脂で接着している。この保
護基板１６の材料もセラミツク焼結体が適してい
る。この際、あらかじめMR素子９と先端までの
距離を読み取つておき、Mn−Znフエライトを接
着後、所定のMR素子の幅になるまで先端をラツ
ピングした。次にハウジングを行い、フレキワイ
ヤを接続した。このようにして形成された再生ヘ
ツドを第１０図に示す。本ヘツドの磁束の流れは
テープ、MR素子、Ni−Znフエライト膜をへて
テープに戻るようになつている。
記録ヘツドも同様にメタルマスク７を使用し、
コイル部はアルミニウムで２層２ターン、ヨーク
としてはNi−Feパーマロイを使用して作製され
る。
コイル部はアルミニウムで２層２ターン、ヨーク
としてはNi−Feパーマロイを使用して作製され
る。
本発明の記録、再生ヘツドを使用した場合は同
一トラツク間距離、同一ヘツド構成の従来の平面
ヘツドを用いた場合に比べ同一周波数で約4dBの
向上が認められ、又Ｓ／Ｎ比も約3dB向上され
た。
一トラツク間距離、同一ヘツド構成の従来の平面
ヘツドを用いた場合に比べ同一周波数で約4dBの
向上が認められ、又Ｓ／Ｎ比も約3dB向上され
た。
又、アジマス角と形状異方性の大きさである一
軸異方性定数Kuとの関係を示す特性図を第１１
図に示す。
軸異方性定数Kuとの関係を示す特性図を第１１
図に示す。
第１１図に示すように、本実施例ではアジマス
角20°以上60°未満でバイアス磁界が不要な程度の
大きさ異方性の発言が認められる。
角20°以上60°未満でバイアス磁界が不要な程度の
大きさ異方性の発言が認められる。
これは自己陰影効果によつて入射方向に対し
90°方向で鎖状に連がり斜めに傾いた柱状構造を
とつているためである。このことにより、アジマ
ス角としては20°以上60°未満が適している。
90°方向で鎖状に連がり斜めに傾いた柱状構造を
とつているためである。このことにより、アジマ
ス角としては20°以上60°未満が適している。
発明の効果
本発明は、ヘツドで隣接するトラツクが同一平
面になく、ひとつおきのトラツクが平行平面をな
しているので、隣接トラツクでのクロストークお
よびテープ走行時の位置ズレによるノイズを低下
させることができる。そのため各トラツク幅全体
を有効に使用できその結果、出力を大幅に向上す
ることができる。
面になく、ひとつおきのトラツクが平行平面をな
しているので、隣接トラツクでのクロストークお
よびテープ走行時の位置ズレによるノイズを低下
させることができる。そのため各トラツク幅全体
を有効に使用できその結果、出力を大幅に向上す
ることができる。
再生ヘツドの構造面では各トラツク面が傾斜し
ているためMR素子に自然に形状異方性が生じ、
バイアス磁界をかける必要がなく、構造的に簡単
にできる長所がある。
ているためMR素子に自然に形状異方性が生じ、
バイアス磁界をかける必要がなく、構造的に簡単
にできる長所がある。
又、MR素子およびフラツクスガイドは一旦全
トラツクにまたがる一本のストライプ状に形成
し、その後の工程で各トラツクごとに分離する工
程をとったために横方向の精度を必要としなくな
る。同様にAu／Crのリード線においても、後工
程で各トラツクに分離するため横方向の精度を要
しない。なお、本発明は面内記録だけでなく垂直
記録方式においても有効である。
トラツクにまたがる一本のストライプ状に形成
し、その後の工程で各トラツクごとに分離する工
程をとったために横方向の精度を必要としなくな
る。同様にAu／Crのリード線においても、後工
程で各トラツクに分離するため横方向の精度を要
しない。なお、本発明は面内記録だけでなく垂直
記録方式においても有効である。
第１図は本発明の一実施例におけるマルチトラ
ツク薄膜磁気ヘツドの基板の斜視図、第２図ａは
同上面図、第２図ｂは同側面図、第３図乃至第７
図及び第９図は同製造工程を示す基板の一部切欠
き上面図、第８図ａは同上面図、第８図ｂは同側
面図、第１０図は同斜視図、第１１図はアジマス
角と一軸異方性定数との関係を示す特性図、第１
２図ａは従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第１２
図ｂは記録再生パターン図である。 ５……基板、６……トラツク部、６ａ，６ｂ…
…トラツク、９……磁気抵抗効果素子、１０……
リード線、１１……絶縁層、１２……フラツクス
ガイド、１３……研磨部、１４……切断部、１５
……保護層、１６……保護基板。
ツク薄膜磁気ヘツドの基板の斜視図、第２図ａは
同上面図、第２図ｂは同側面図、第３図乃至第７
図及び第９図は同製造工程を示す基板の一部切欠
き上面図、第８図ａは同上面図、第８図ｂは同側
面図、第１０図は同斜視図、第１１図はアジマス
角と一軸異方性定数との関係を示す特性図、第１
２図ａは従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第１２
図ｂは記録再生パターン図である。 ５……基板、６……トラツク部、６ａ，６ｂ…
…トラツク、９……磁気抵抗効果素子、１０……
リード線、１１……絶縁層、１２……フラツクス
ガイド、１３……研磨部、１４……切断部、１５
……保護層、１６……保護基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ヘツド先端部の隣接するトラツクが同一平面
になく、ひとつおきのトラツクが平行平面をな
し、そのトラツク配列方向に対して各トラツク形
成面のなす角が20°以上60°未満であり、各トラツ
ク間の分離幅が15μｍ以下であることを特徴とす
るマルチトラツク薄膜磁気ヘツド。 ２ 隣接するトラツクが同一平面になく、ひとつ
おきのトラツクが平行平面をなす基板上に全トラ
ツクにまたがるストライプ状の磁気抵抗素子およ
びフラツクスガイドを形成し、その上に隣接する
トラツクのリード線を一本のリード線で形成した
後、各トラツク間を切断および研磨によつて分割
するマルチトラツク薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24513784A JPS61123009A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | マルチトラツク薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24513784A JPS61123009A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | マルチトラツク薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123009A JPS61123009A (ja) | 1986-06-10 |
| JPH0477965B2 true JPH0477965B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=17129178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24513784A Granted JPS61123009A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | マルチトラツク薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61123009A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440100B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2004-09-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 리어 포커스식 소형 줌렌즈 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24513784A patent/JPS61123009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123009A (ja) | 1986-06-10 |
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