JPH0477743A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPH0477743A
JPH0477743A JP2192273A JP19227390A JPH0477743A JP H0477743 A JPH0477743 A JP H0477743A JP 2192273 A JP2192273 A JP 2192273A JP 19227390 A JP19227390 A JP 19227390A JP H0477743 A JPH0477743 A JP H0477743A
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JP
Japan
Prior art keywords
optical system
aperture
reticle
projection
numerical apertures
Prior art date
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Pending
Application number
JP2192273A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ishii
弘之 石井
Shunzo Imai
今井 俊三
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2192273A priority Critical patent/JPH0477743A/ja
Publication of JPH0477743A publication Critical patent/JPH0477743A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は投影露光装置に関し、特に、半導体デバイスや
撮像エレメント等を製造する為に使用される投影露光装
置に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体デバイスを製造する為に、縮小投影型の露
光装置が使用されてきた。この装置は、照明光学系から
の光で原板であるレチクルを照明し、縮小投影レンズ系
によりレチクルに描かれた微細な回路パターンの像を被
露光基板である半導体ウェハー上に投影するものである
この装置には、互いに最小線巾が異なるパターンが描か
れた各種レチクルが使用されるが、従来、この装置では
、照明光学系や投影光学系の開口数(NA)が双方共固
定されていた為、レチクルの種類に係わらず常に最良の
条件下で投影露光を行なうことは困難であった。
〔発明の概要〕
本発明の目的は、レチクルなどの原板の種類に係わらず
、常に最良或いは好ましい条件下で投影露光を行なえる
投影露光装置を提供することにある。
この目的を達成する為に、本投影露光装置は、照明光学
系からの光で原板を照明し、投影光学系により該原板の
微細パターンの像を被露光基板上に投影する装置におい
て、この照明光学系と投影光学系の開口数(NA)が可
変となるよう構成している。
このように構成することにより、装置のσ値(照明光学
系の開口数/投影光学系の開口数)、投影光学系の開口
数を変化させて、それらの値を調整できるので、原板の
種類(パターンの最小線1ゴの違い)に応じて、これら
の値を調整し、投影露光時の条件を最良或いは好ましい
ものに設定できる。
〔実施例〕
第1図乃至第5図を参照して、本発明の一実施例を説明
する。
第1図は本実施例に係る投影露光装置の全体構成を示す
概略図であり、第2図及び第3図は、本装置の照明光学
系に設置された開口径可変の絞り機構を示す説明図であ
り、第4図及び第5図は、本装置の投影光学系に設置さ
れた開口径可変の絞り機構を示す説明図である。
第1図において、1は超高圧水銀灯等より成る光源、2
は楕円鏡、3は折り曲げミラー、4は多数個のバーレン
ズの集合体より成るオプティカルインチグレーター、5
は第1絞り機構、6は機構5を駆動する第1駆動系、7
は第1コンデンサーレンズ、8は4枚の可動遮光板で所
定形状の開口を定めるマスキングブレード、9.10は
レンズ、11は折り曲げミラー、12はlノチクル(原
板)、13はレチクル12を載置するレチクルステージ
、14は投影光学系、14aは光学系14を構成する縮
小投影レンズ系の最もレチクルステージ13側のレンズ
、14bは同様に縮小投影レンズ系の最もウェハーステ
ージ側のレンズ、15は第2絞り機構、16は機構15
を駆動する第2駆動系、17はレジストが塗布された半
導体ウェハー、18はウェハー17を載置する可動ウェ
ハーステージ、19は装置本体を支持するマウント、2
0は第1(信号)ケーブル、2Iはコンピューター、2
2は第2(信号)ケーブル、23は第3(信号)ケーブ
ル、24はキーホード、25はキー(プッシュホクン)
、90は第2コンデンサーレンズ、lOlは照明光学系
を示す。
光源1は、楕円鏡2の第1焦点近傍に設けられ、オプテ
ィカルインチグレーター4は、その光入射面が楕円鏡2
の第2焦点位置とほぼ一致するように設けられている。
従って、光源1から射出した光は、楕円鏡2て反射−集
光され、更に折り曲げミラー3て反射されて光路を折り
曲げられ、オプティカルインチグレーター4の光入射面
上に集光し、そこに光源1の像を形成する。オプティカ
ルインチグレーター4を成すバーレンズの集合体は、そ
こに入射した光を各バーレンズ毎に分割し、各バーレン
ズを通過した多数個の光束がオプティカルインチグレー
ター4から射出する。この多数個の光束は、第1絞り機
構5の開口部を通過し、第1コンデンサーレンズ7に入
射する。第1コンデンサーレンズ7は、この多数個の光
束をマスキングブレード8に向け、その光入射面上で互
いに重ね合わせる。
ここで、第1絞り機構5は、オプティカルインチグレー
ター4の光射出面の直後に配置してあり、駆動系6によ
り機構5の開口部の径を変化させることにより、照明光
学系101のレチクルステージ13側の開口数(NAI
)が変更せしめられる。
マスキングブレード8の矩形開口部を通過した光束は、
レンズ9、折り曲げミラー11、レンズ10を介して、
レチクル12を照明する。レンズ9とレンズ10とを備
える第2コンデンサーレンズ90は、マスキングブレー
ド8の開口部の像をレチクル12上に形成し、この像に
より、レチクル12上の照明範囲を規制している。
また、オプティカルインチグレーター4と第1コンデン
サーレンズ7の作用により、マスキングブレード8の矩
形開口部上での照度分布を均一にし、そして、レチクル
12上の回路パターン上での照度分布を均一にしている
レチクル2上の回路パターンを通過した光は、投影光学
系14に入射し、投影光学系14が、この光を第2絞り
機構15の開口部を介してウェハー17上に向けて、こ
の回路パターンの縮小像をウェハー17上に投影する。
これにより、ウェハー17上のレジスト(感光層)が、
この回路パターンの縮小像に応じ露光される。ここで、
駆動系16により第2絞り機構15の開口部の径を変化
させることにより、投影光学系14(縮小投影レンズ系
)のレチクルステージ13側の開口数(NA 2 )及
びウェハーステージ18側の開口数(NA2′)を変更
せしめる。尚、第2絞り機構15は縮小投影レンズ系の
所定のレンズの間に配置されている。
駆動系6はケーブル20を介してコンピューター21と
接続され、一方、駆動系16はケーブル22を介してコ
ンピューター21と接続されており、コンピューター2
1からの指令(信号)が、各ケーブル20.22の信号
線を介して各駆動系6.16に入力され、この指令(信
号)に基づいて、駆動系6.16が各絞り機構5.15
の開口部の径を調整する。また、キーボード24とコン
ピューター21がケーブル23と接続されており、オペ
レーターがキーボード24のキー25により、レチクル
12の種類(レチクル番号や線巾の値)に関する信号を
ケーブル23の信号線を介してコンピューター21に入
力し、この信号に応じて、コンピューター21が、絞り
機構5.15の各開口部の径φD+、φDPを決定し、
指令(信号)を駆動系15.16に発する。
ウェハーステージ18は、そのウェハーチャック上にウ
ェハー17を吸着−保持し、投影光学系14の光軸方向
及び光軸と直交する平面に沿った方向へウェハー17を
移動させることができる。
また、マスキングブレード8を構成する4枚の遮光板は
、不図示の駆動系により動かされ、これによってレチク
ル12上での照明範囲も変更できるようにしている。
第1絞り機構5及び駆動系6の構成は、第2図及び第3
図に示す通りである。
図中、501〜505は電気駆動系、502はモーター
501は絞り機構5の開口径φD1を検知する為のセン
サー(ポテンショメータ又はエンコーダー)、604.
606はケーブル20の信号線、603はモーター60
2を駆動する為の駆動回路、605は駆動回路603と
モーター602とを連結する信号線、502はモーター
602との回転軸に取り付けられ、これと連動する歯車
、501は歯車502とかみ合う、センサー501の回
転軸と連結された歯車、503〜509は絞り機構5の
構成部品、を示している。絞り機構5は、両端に係合ピ
ン507.509を持った複数枚の絞り羽根508と、
一方の係合ピン507を固定する為の部材506と、他
方の係合ピン509の複数個を同時に同量だけ移動せし
める為の長溝505aを設けた部材505と、を備える
部材505は、外周がギヤーになっており、モーター6
02に連結する歯車502と互いにかみ合っている。又
、部材506は不図示の筐体に固定されている。部材5
06には、歯車502とギヤー505を互いにかみ合わ
せる為の開口部503があり、係合部材504はギヤー
505が部材506内で回転自在で、しかも飛び出さな
い様にする為のものである。
第2絞り機構15及び駆動系16の構成は、第4図及び
第5図に示す通りである。
図中1601〜1606は電気駆動系、1602はモー
ター、1601は絞り機構16の開口径のφDpを検知
する為のセンサー(ポテンショメーター又はエンコーダ
ー)、1604.1606はケーブル20の信号線、1
603はモーター1602を駆動する為の駆動回路、1
605は駆動回路1603とモーター1602を連結す
る信号線、1502はモーター1602の回転軸に取り
付けられ、これと連動する歯車、1501はこの歯車1
602とかみ合う、センサー1501の回転軸と連結さ
れた歯車1503〜1509は絞り機構15の構成部品
、を示している。絞り機構15は、両端に係合ピン15
07.1509を持った複数枚の絞り羽根1508と、
一方の係合ピン1507を固定する為の部材1506と
、他方の係合ピン1509の複数個を同時に同量だけ移
動せしめる為の長溝1505aを設けた部材1505と
を備える。
部材1505は、外周がギヤーになっており、モーター
1502に連結する歯車1502と互いにかみ合ってい
る。又、部材1506は不図示の筐体に固定されている
。部材1506には歯車1502とギヤー1505を互
いにかみ合わせる為の開口部1503があり、係合部材
1504はギヤー1505が部材1506内に回転自在
で、しかも飛び出さない様にする為のものである。
第1図乃至第5図において、コンピューター21からの
指令(信号)が、ケーブル20.22を介して駆動回路
603.1603に入力されると、駆動回路603.1
603がその指令に基づきモーター602.1602を
回転せしめ、歯車502.1502とギヤー505.1
505を回転させる。絞り機構5.15の部材505.
1506は、照明光学系101、投影光学系14(鏡筒
)の筐体に固定されているので、ギヤー505.150
5が回転すると、係合ピン509.1509がギヤー5
05の長溝505a、 1505aに沿って移動する。
この長溝505a、1505aは、ギヤー505.15
05が反時計回りに回転すると、絞り羽根508.15
08が係合ピン507.1507を回転中心として回転
して内側方向に動く様に、放射状に作られている。従っ
て、モーター602.1602を回転させると、絞り機
構5.15の開口径が変化することになる。
この開口径の変化量は、逐一、ギヤー501.1501
を介してセンサー601.1601にギヤー501.1
501の回転量として伝えられるので、絞り機構5.1
5の開口径を、センサー601.1601て常に検出て
きる。センサー601.1601は、この間口径を示す
信号を各々出力し、ケーブル20を介して、この信号を
コンピューター21へ入力する。コンピューター21は
、この信号に基づいて、絞り機構5.15の各開口径φ
D+、φDpが予め決定した値になっているかどうか判
別し、もし、この値と一致していれば、駆動回路603
.1603へ、モーター502.1502の駆動を停止
させる信号を入力する。逆に、もし、各開口径φD1 
 φDpが予め決定した値からずれていれば、駆動回路
603.1603へ、モター502.501を所定量回
転させる信号を入力し、このずれを補正する。
本実施例の投影露光装置では、以上述べた通り、オペレ
ーターのキーホード入力により、絞り機構5.15の開
口径φD1、φDPを自由に選択できる。
特に、コンピューター21により開口径の決定と開口径
の調整が制御される為、正確且つ高速に、照明光学系1
01と投影光学系14の開口数(NA 、、NA2)を
変更できる。また、レチクル12のパターンの最小線巾
に合わせて、この開口数(NANA2)を変更したい場
合、オペレーターが、キーボード24てレチクル12に
関する情報を入力するだけで済み、開口数(NA + 
、NA 2 ’)の再設定が容易である。従って、簡単
に、常に最良の条件下で、レチクル12の回路パターン
を、ウェハー17上に投影露光することができる。
オペレーターが入力する情報は、設定したい開口数(N
A、、NA、2)の値や、投影光学系14の開口数(N
A2)の値を示すものでも良(、例えばNA2の値を示
す情報がキーボード24を介して入力されると、コンピ
ューター21は、この情報から照明光学系101の開口
数(NAI)を決定する。
以上の説明では、絞り機構5.15の双方の開口径φD
1  φDpを変更する例を示したが、一方の開口径の
みを変更する場合も当然ある。
また、照明光学系101の開口数(NA、、)を変更す
る為の機構として、絞り機構5の代りに、コンデンサー
レンズ7を使用することができる。これはコンデンサー
レンズ7を構成する複数個のレンズのうちのいくつかを
光軸方向へ動(ように設けて、コンデンサーレンズ7を
ズームレンズとすることである。このようにコンデンサ
ーレンズ7により開口数(N、A + )を変更すれば
、光源工からレチクル12へ向かう光の量が、開口数(
NA、)を変更しても殆ど変化しない。従って、装置の
スループットも低下しない。
また、照明光学系101の開口数(NA、I)や投影光
学系の開口数(NA2)を変更する絞り機構として、円
板の円周に沿って相異なる径の開口を複数個設け、この
円板を回転可能に支持した、所謂ターレット式の機構や
、長方形の板の長手方向に沿って相異なる径の開口を複
数個並べ、この板を長手方向に可動となるよう支持した
機構等が使用できる。
また、本発明は、様々な形態の装置に適用できる。例え
ば、光源としてKrFエキツマレーサー等のレーサーを
使用する投影露光装置や、投影光学系としてミラーアセ
ンブリより成るものを使用する投影露光装置や、投影光
学系としてミラーとレンズのアセンブリより成るものを
使用する投影露光装置に適用できる。
〔発明の効果〕
以上、本発明では、照明光学系と投影光学系の双方の開
口数を可変にしたので、原板の微細パターンの線巾に応
じて自由自在にこれらの開口数を変更−調整できる。従
って、原板の種類に係わらず、常に最良或いは好ましい
条件下で投影露光が行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す為の投影露光装置の全
体構成を示す概略図。 第2図及び第3図は第1図に示す装置の照明光学系の絞
り機構を示す説明図。 第4図及び第5図は第1図に示す装置の投影光学系の絞
り機構を示す説明図。 5.15・・・絞り機構 6.16・・・駆動系 12・・・レチクル 14・・・投影光学系 17・・・ウェハー 21・・・コンピューター 24・・・キーボード 】01・・・照明光学系

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 照明光学系からの光で原板を照明し、投影光学系により
    該原板の微細パターンの像を被露光基板上に投影する装
    置において、前記照明光学系と前記投影影光学系の開口
    数(NA)を可変にしたことを特徴とする投影露光装置
JP2192273A 1990-07-19 1990-07-19 投影露光装置 Pending JPH0477743A (ja)

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JP2192273A JPH0477743A (ja) 1990-07-19 1990-07-19 投影露光装置

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JP2192273A JPH0477743A (ja) 1990-07-19 1990-07-19 投影露光装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897116A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Nec Corp 露光装置
EP1102103A2 (de) * 1999-11-20 2001-05-23 Carl Zeiss Optische Abbildungsvorrichtung, inbesondere Objektiv, mit wenigstens einer Systemblende

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897116A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Nec Corp 露光装置
EP1102103A2 (de) * 1999-11-20 2001-05-23 Carl Zeiss Optische Abbildungsvorrichtung, inbesondere Objektiv, mit wenigstens einer Systemblende
EP1102103B1 (de) * 1999-11-20 2009-08-26 Carl Zeiss SMT AG Optische Abbildungsvorrichtung, inbesondere Objektiv, mit wenigstens einer Systemblende

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