JPH0476886A - Memory - Google Patents
MemoryInfo
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- JPH0476886A JPH0476886A JP2191318A JP19131890A JPH0476886A JP H0476886 A JPH0476886 A JP H0476886A JP 2191318 A JP2191318 A JP 2191318A JP 19131890 A JP19131890 A JP 19131890A JP H0476886 A JPH0476886 A JP H0476886A
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- refresh
- memory
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- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
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Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はメモリに関し、特にリフレッシュ動作が必要な
メモリであるD RA M (Dynamic RAM
)に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to memory, and in particular to DRAM (Dynamic RAM), which is a memory that requires a refresh operation.
) regarding.
従来技術
従来のDRAMはアドレスデコーダと、バッファと、メ
モリセルアレイと、RAS、CAS及びWRITEクロ
ックを発生する回路とを有している。このため、リフレ
ッシュを行うためには、外部回路にてリフレッシュ用に
RAS、CAS信号の特別なタイミングを作成する必要
かあった。Prior Art A conventional DRAM includes an address decoder, a buffer, a memory cell array, and a circuit for generating RAS, CAS, and WRITE clocks. Therefore, in order to perform refresh, it is necessary to create special timing for the RAS and CAS signals for refresh in an external circuit.
つまり、従来のDRAMは第3図に示されているように
データを記憶保持するメモリセル3の他、外部からのR
A S (Row Address 5trove)及
びCA S (Column Address 5tr
ove )に応答してリフレッシュ開始信号14を送出
するRAS−CAS発生回路1と、リフレッシュ開始信
号14に応してメモリセルコントロール信号15をメモ
リセル3に送出し、リフレッシュを実行するりフレッシ
ニアドレスカウンタ2とを含んで構成されている。In other words, in the conventional DRAM, in addition to the memory cell 3 that stores and holds data as shown in FIG.
A S (Row Address 5 trove) and CA S (Column Address 5 tr)
The RAS-CAS generating circuit 1 sends out a refresh start signal 14 in response to the refresh start signal 14, and the memory cell control signal 15 is sent out to the memory cell 3 in response to the refresh start signal 14 to perform refresh or refresh. The counter 2 is configured to include a counter 2.
ところが、メモリセル3におけるデータ保持能力に応し
て一定の周期でリフレッシュを行う必要がある。そこで
、第4図に示されているように、一定周期でタイムアウ
ト信号16を送出するリフレッシュタイマ4と、タイム
アウト信号16の発生毎にリフレッシュ要求信号17を
送出するリフレッシュ要求回路5とを設けることが一般
的てある。However, it is necessary to refresh at a constant cycle depending on the data retention capacity of the memory cell 3. Therefore, as shown in FIG. 4, it is possible to provide a refresh timer 4 that sends out a timeout signal 16 at regular intervals, and a refresh request circuit 5 that sends out a refresh request signal 17 every time the timeout signal 16 occurs. It's common.
さらに、リフレッシュ要求信号17を受取ってCPU6
に対してハスホールド要求20を送出し、CPU6から
のパスホールト許可19を受取ってリフレッシュ許可信
号13を送出するハス制御回路9と、リフレッシュ要求
回路5からの信号21に応答してリフレッシュタイミン
グ信号22を送出するリフレッシュタイミング発生回路
10と、CPU6からのコントロール信号18及びリフ
レッシュタイミング発生回路10からのリフレッシュタ
イミング信号22に応してRASII及びCAS12を
メモリ8に送出するRAS−CAS制御回路7とを設け
る必要がある。Furthermore, upon receiving the refresh request signal 17, the CPU 6
A hash control circuit 9 sends a hash hold request 20 to the CPU 6, receives a pass hold permission 19 from the CPU 6, and sends out a refresh permission signal 13, and a hash control circuit 9 sends a refresh timing signal 22 in response to a signal 21 from the refresh request circuit 5. It is necessary to provide a refresh timing generation circuit 10 for sending the data, and a RAS-CAS control circuit 7 for sending the RAS II and CAS 12 to the memory 8 in response to the control signal 18 from the CPU 6 and the refresh timing signal 22 from the refresh timing generation circuit 10. There is.
かかる構成の外部回路を必要とする従来のDRAMは、
リフレッシュ制御を行う外部回路とのインタフェースを
、RAS、CAS及びアドレス信号のタイミングにより
実現していたのである。そのため、小規模な装置におい
てもDRAMの外部回路として、リフレッシュ間隔を測
定するためのリフレッシュタイマと、リフレッシュ要求
回路と、リフレッシュタイミング発生回路と、RAS
−CAS制御回路と、ハス制御回路とを設けなければな
らなかった。よって、実装スペースの増大、更には高コ
スト化を招くという欠点があった。Conventional DRAMs that require an external circuit with such a configuration are
The interface with an external circuit that performs refresh control was realized by the timing of RAS, CAS, and address signals. Therefore, even in small-scale devices, external circuits for DRAM include a refresh timer for measuring refresh intervals, a refresh request circuit, a refresh timing generation circuit, and an RAS.
- It was necessary to provide a CAS control circuit and a HAS control circuit. Therefore, there is a drawback that the mounting space increases and furthermore, the cost increases.
発明の目的
本発明は上述した従来の欠点を解決するためになされた
ものであり、その目的はリフレッシュ制御のための外部
回路についての実装スペースを削減し、更には低コスト
化を図ることかできるメモリを提供することである。Purpose of the Invention The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to reduce the mounting space for an external circuit for refresh control and further reduce costs. It is to provide memory.
発明の構成
本発明によるメモリは、所定データを記憶保持するメモ
リセルと、所定周期毎にリフレッシュ要求を上位装置へ
送出するリフレッシュ要求手段と、前記リフレッシュ要
求に基づいて前記上位装置から送られてくるリフレッシ
ュ許可に応答して前記メモリセルのリフレッシュを行う
リフレッシュ手段とが1チップ内に封入されてなること
を特徴とする。Structure of the Invention A memory according to the present invention includes a memory cell that stores and holds predetermined data, a refresh request means that sends a refresh request to a host device at predetermined intervals, and a refresh request unit that sends a refresh request from the host device based on the refresh request. The present invention is characterized in that a refresh means for refreshing the memory cells in response to refresh permission is enclosed within one chip.
実施例 次に、本発明について図面を参照して説明する。Example Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明によるメモリの一実施例の内部構成を示
すブロック図であり、第3図及び第4図と同等部分は同
一符号により示されている。FIG. 1 is a block diagram showing the internal structure of an embodiment of a memory according to the present invention, and parts equivalent to those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals.
図において、本発明の一実施例によるメモリ8は、リフ
レッシュタイマ4を内蔵しており、これからタイムアウ
ト信号16が一定周期で発生するとリフレッシュ要求回
路5は外部に対し、リフレッシュ要求信号(REFRE
SHRQ) 17を発生させる。In the figure, a memory 8 according to an embodiment of the present invention has a built-in refresh timer 4, and when a timeout signal 16 is generated at regular intervals, a refresh request circuit 5 sends a refresh request signal (REFRE) to the outside.
SHRQ) 17 is generated.
外部からリフレッシュ許可信号(REFRESHAK)
13が入力されると、RAS−CAS発生回路1はリフ
レッシュ開始信号14をリフレッシュアドレスカウンタ
2に供給してリフレッシュの起動をかけ、メモリセルコ
ントロール信号15によりメモリセル3のリフレッシュ
を実行する。External refresh enable signal (REFRESHAK)
13, the RAS-CAS generating circuit 1 supplies a refresh start signal 14 to the refresh address counter 2 to activate refresh, and refreshes the memory cell 3 using the memory cell control signal 15.
リフレッシュタイマ4及びリフレッシュ要求回路5はリ
フレッシュ許可信号13によりリセットされ、次のリフ
レッシュのタイムアウト信号16を待つ状態となる。The refresh timer 4 and the refresh request circuit 5 are reset by the refresh permission signal 13 and enter a state of waiting for the next refresh timeout signal 16.
第2図は本実施例のメモリ8を用いた外部回路のブロッ
ク図である。図示されているようにRASll及びCA
S 12の信号線とりフレッシュ要求信号17及びリフ
レッシュ許可信号13の信号線とを分離させ、別々のピ
ンとしたことにより、リフレッシュ制御のために必要と
する外部回路はバス制御回路9のみで充分となる。その
ため、RAS−CAS制例回路7と合わせて簡易な回路
構成が実現できるのである。FIG. 2 is a block diagram of an external circuit using the memory 8 of this embodiment. RASll and CA as shown
By separating the S12 signal line from the refresh request signal 17 and refresh permission signal 13 signal lines and making them separate pins, the bus control circuit 9 is the only external circuit required for refresh control. . Therefore, a simple circuit configuration can be realized in combination with the RAS-CAS regulation circuit 7.
発明の詳細
な説明したように本発明は、リフレッシュ制御の外部と
のインタフェースを変更することにより、メモリ制御の
ための外部回路が簡易化でき、省実装スペース化、部品
点数減少による低コスト化が図れるという効果がある。As described in detail, the present invention simplifies the external circuit for memory control by changing the refresh control interface with the outside, thereby reducing costs by saving mounting space and reducing the number of parts. It has the effect of being able to
第1図は本発明の実施例によるメモリの内部構成を示す
ブロック図、第2図は第1図のメモリと外部回路との接
続状態を示すブロック図、第3図は従来のメモリの内部
構成を示すブロック図、第4図は第3図のメモリと外部
回路との接続状態を示すブロック図である。
主要部分の符号の説明
1・・・・・・RAS−CAS発生回路2・・・・・・
リフレッシュアドレスカウンタ3・・・・・・メモリセ
ル
4・−・・・・リフレッシュタイマ
5・・・・・リフレッシュ要求回路
出願人 日本電気株式会社(外1名)FIG. 1 is a block diagram showing the internal configuration of a memory according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a connection state between the memory in FIG. 1 and an external circuit, and FIG. 3 is an internal configuration of a conventional memory. FIG. 4 is a block diagram showing the connection state between the memory in FIG. 3 and an external circuit. Explanation of symbols of main parts 1...RAS-CAS generation circuit 2...
Refresh address counter 3...Memory cell 4...Refresh timer 5...Refresh request circuit Applicant: NEC Corporation (1 other person)
Claims (1)
期毎にリフレッシュ要求を上位装置へ送出するリフレッ
シュ要求手段と、前記リフレッシュ要求に基づいて前記
上位装置から送られてくるリフレッシュ許可に応答して
前記メモリセルのリフレッシュを行うリフレッシュ手段
とが1チップ内に封入されてなることを特徴とするメモ
リ。(1) A memory cell that stores and holds predetermined data, a refresh request unit that sends a refresh request to a host device at predetermined intervals, and a refresh request unit that responds to a refresh permission sent from the host device based on the refresh request. A memory characterized in that a refresh means for refreshing the memory cells is enclosed within one chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2191318A JPH0476886A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2191318A JPH0476886A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0476886A true JPH0476886A (en) | 1992-03-11 |
Family
ID=16272563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2191318A Pending JPH0476886A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0476886A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6301189B1 (en) | 1999-06-28 | 2001-10-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Apparatus for generating write control signals applicable to double data rate SDRAM |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP2191318A patent/JPH0476886A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6301189B1 (en) | 1999-06-28 | 2001-10-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Apparatus for generating write control signals applicable to double data rate SDRAM |
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