JPH04761A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光電変換装置に関し、より詳細には、光感度
を改善した光電変換装置に関する。

［従来の技術］ 従来、光電変換装置としては、例えば、特開昭６０−１
２７５９号公報等によって技術開示されたＢＡＳＩＳ型
の光電変換装置等が知られている。ＢＡＳ　Ｉ　Ｓ型の
光電変換装置とは、ベースを浮遊状態にして光電変換に
より得られた電荷をここに蓄積した後に、この蓄積電荷
を読み出すタイプの光電変換装置をいう。このため、従
来のＢＡＳ　Ｉ　Ｓ型の光電変換装置は、ベース領域で
、光によるキャリアの励起を行なっていた。

第１０図は、このような従来のＢＡＳＩＳ型の光電変換
装置の主要部（光電変換部）の１例を示す概略図であり
、第１０図（ａ）は平面図、第１０図（ｂ）は断面図で
ある６以下、第１０図に示した充電変換装置について説
明する。

１は、半導体基板であり、リン（Ｐｈ）、アンチモン（
ｓｂ）、ヒ素（Ａｓ）等の不純物をトープしてｎ型とさ
れるか、あるいは、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａ℃
）等の不純物をトープしてｐ型とされている。

２は、ｎ４埋め込み領域である。

３は、不純物濃度の低いｎ−領域であり、ｎ埋め込み領
￥ｘ、２上にエピタキシャル技術等て形成される。

５は、受光部およびＢＰＴのベース領域としてのｐ＋領
領域あり、ｎ−領域３上に、不純物拡散、イオン注入、
エピタキシャル技術等を用し）で形成され、ポロン（Ｂ
）等の不純物をドープされてなる。

６は、ＢＰＴのエミッタとしてのｎ＋領領域ある。

７は、ＭｏＳトランジスタのドレインとしてのｎ′）領
域である。

１０１は、ＭＯＳトランジスタのゲートとなる電極であ
り、多結晶シリコン、金属によって形成される。

１０２は、ＢＰＴのエミッタ電極であり、多結晶シリコ
ン、単結晶シリコン、高融点金属等によって形成される
。

１０３は電極配線であり、金属等によって形成される。

１１０．１３０は、電極、配線、素子間を分離するため
の絶縁膜である。

１２０は、保護膜およびＭｏＳトランジスタのゲート膜
としての酸化膜である。

２００は、水平素子分離領域であり、多結晶シリコン等
により形成される。

このような、光電変換装置においては、従来より、装置
の微細化の検討が行なわれていた。

［発明が解決しようとしている課題］ しかし、上述のような従来の充電変換装置においては、
微細化が進んだ場合に、ベース・コレクタ間容量が太き
（なるため、十分な光感度を得ることができないという
ｎ題を有していた。

一般に、ＢＰＴをセンサセルとした光電変換装置の感度
Ｓ６は近似的に次式であられせる。

ｓ、　−ｉｐｏＡｉｏｔｉ　　　　　　　　・−・（１
）ｌ１ｌｅ ここで、１ｐは単位面積当りの光誘起電流、Ａ８は開口
面積、ｔ、は蓄積時間、Ｃｂｅはベース・コレクタ間容
量である。

（１）式から解るように、単位面積当りになおしたベー
ス・コレクタ間容量（Ｃｂｃ／Ａ−）が犬きくなると光
感度は低下する。

微細化が進むとベース・コレクタ間容量Ｃｂｅ／　Ａ　
＊が大きくなるのは、本発明者の検討によれば、以下の
理由による。

上記従来の光電変換装置では、光電変換装置の微細化が
進む程、単位セルの開口面積にしめる光電変換領域の受
光面の面積に対する周辺の長さの割合は大きくなってい
た。開口面の真下はｐ４ｎ接合で接合容量は小さいが、
一方、開口面の周辺は当該光電変換領域と水平素子分離
領域２００の下に形成されているチャネルストップ領域
（ｎ０領域）との間でｐ＋　ｎ＊接合が形成されている
ため、単位面積当りになおしたベース・コレクタ間容量
Ｃｂ、／Ａ、の値が大きくなってしまう。これが、微細
化された光電変換装置においてベース・コレクタ間容量
Ｃｂｃ／Ａ、を増大させ、センサの感度を低下させる原
因である。通常、このｐ　＋　ｎ　″接合によるキャパ
シタンスは、Ｃｂｅの半分程度にもなっていた。

本発明は、以上説明したような従来技術の課題に鑑みて
試されたものであり、微細化しても十分な光感度を得る
ことが可能な充電変換装置を提供することを目的とする
。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、第１導電型を有する第１半導体領域と；第２
導電型を有する、制御電極領域としての第２半導体領域
と：第１導電型を有する、蓄積電荷を出力するための第
３半導体領域と；前記第２半導体領域と電気的に接して
設けられた、第２導電型を有する、電荷蓄積領域として
の第４半導体領域と；を少なくとも有し、且つ、前記第
２半導体領域の不純物濃度が前記第４半導体領域の不純
物濃度よりも大きいことを特徴とする特上記特徴におい
ては、少なくとも前記第２半導体領域および前記第３半
導体領域が自己整合的に形成されることが望ましい。

上記特徴においては、前記第４半導体領域の拡散深さが
、前記第２半導体領域の拡散深さよりも深いことが望ま
しい。

［作用］ 本発明は、ベース領域と光電変換領域とを別々に形成す
ることにより、単位面積当りになおしたペース・コレク
タ間容量Ｃ，，／Ａ、を低下させ、これにより光電変換
装置の光感度を向上させるものである。すなわち、本発
明においては、ベース領域と光電変換領域とを別々に形
成することにより当該光電変換領域を不純物濃度の低い
半導体により形成することが可能となるため、当該光電
変換領域とチャネルストップ領域との間の接合をｐ−ｎ
“接合とすることができ、これにより、当該接合による
キャパシタンスを小さくすることができる。従って、本
発明によれば、単位面積当りになおしたベース・コレク
タ間容量ｃ　ｂｅ／　Ａ　、を低下させることができ、
ひいては、光感度を向上させることができるのである。

また、以下の理由により、本発明によれば上記（１）式
における単位面積当りの光誘起電流ｉ。

を大きくすることも可能であり、この点からも、光電変
換装置の光感度の向上を図ることが可能である。

第２図（ａ）は通常の光電変換装置の受光面下の層構造
を拡大して示した概略的断面図であり、第２図（ｂ）は
第２図（ａ）の深さ方向におけるポテンシャル図である
。第２図（ａ）において、Ｗは空乏層全体の幅、Ｘｐは
ｐ−領域における空乏層幅、Ｘ、はｎ−領域における空
乏層幅、Ｘ。

はｐ−領域の深さである。また、第２図（ｂ）において
、Ｗは空乏層幅、Ｘｄはｐ−領域の中性領域を示し、Ｘ
ｄ＝Ｘｒ　　Ｘ、である。

空乏層（空乏層幅Ｗ内）中で光を吸収した場合には、生
成された電子と正孔は、ドリフトよりすみやかに移動す
るため再結合はおこりにくく、従って、非常に優れた光
感度を得ることができる。しかし、中性領域（第２図中
、Ｘ、で示された部分）で光吸収がおこる場合には、生
成された電子は拡散により移動するために、正孔と再結
合をおこし、光に対する感度が低くなる。すなわち、光
感度の面からは、受光部表面の中性領域は少ない方が良
い。

しかし、表面が空乏化すると、半導体と絶縁層の界面で
光の入射にかかわりなくキャリアが生成されてノイズと
なるため、表面付近は中性領域である方がよい。

一方、中性領域の幅が広すぎると、低波長光に対する感
度が低下する。例えば、光電変換領域を形成する材料が
Ｓｉである場合には、青色（λ＝０．４５μｍ）、緑色
（λ＝０．５３μｍ）、赤色（λ＝０．６５μｍ）にお
ける吸収係数は、それぞれ青色〜２　Ｘ　１０’　ｃ　
ｍ−’、緑色〜７．５Ｘ１０３ｃｍ−’、赤色〜３Ｘ１
０’ｃｍ−’であり、半値幅を０．０５μｍとすると、
光の吸収が行なわれる深さは、青色〜１μｍ、緑色〜２
μｍ、赤色〜５μｍとなる。故に半導体表面における中
性領域の厚ざＸｄの影響を青色が最も受けることとなり
、感度がおちる。

一般に、光電変換装置の分光感度は、近似的に、次式で
表わされる。

［Ａ／Ｗ］　　・・・　（２） ここで、λは入射光の波長、αは入射光の吸収係数（ｃ
ｍ−’）　、Ｘ４は不感領域（中性領域）、Ｗは高感度
領域（空乏層幅）、Ｔは半導体中に入射する光量の割合
（透過率）である。

上式（２）かられかるように、光電変換装置の分光感度
はＸａの厚さに敏感に影響されるため、優れた分光感度
を得るためには、Ｘ、は薄い方がよい。また感度には波
長依存があり、青色は赤色に比べ、感度が低くなる。な
お、・分光感度を相対的に補正するためにＷを小さくし
て最適化することも可能である。

このように、ｐ−領域の中性領域の幅Ｘｄの設定（すな
わち、空乏層幅Ｗの設定）は、優れた特性を有する光電
変換装置を得る上で非常に重要である。

ここで、空乏層幅Ｗは、次のような関係式で示される。

なお、ＮＡはｐ−領域の不純物密度、Ｎｏはｎ領域の不
純物密度、ε８は話電率、ＶＲは逆バイアス電圧であり
、 である（ｎ＋　は真正キャリア密度）。

また、中性領域の幅Ｘｄは、 Ｏ ×、−・Ｗ　　　　　　　　　　　　　　・・・　（５
）ＮＡ＋Ｎ。

で示される。

これらの式から明らかなように、ｐ−領域の中性領域の
幅Ｘ、の設定（すなわち、空乏層幅Ｗの設定）は、ｐ−
領域およびｎ−領域の不純物密度の設定により行なうこ
とができる。

本発明によれば、ベース領域と光電変換領域とを別々に
形成したので、光電変換領域の不純物濃度を、ベース領
域の不純物濃度の最適値に束縛されずに、自由に定める
ことができるので、光電変換領域中の中性領域の幅を任
意に設定することが可能である。すなわち、本発明によ
ｔば上記（１）式における光話起電流ｉ、を犬きくする
ことも可能であり、この点からも、充電変換装置の光感
度の向上に有効である。

［実施例コ 以下、本発明の実施例について、図面を用いて詳細に説
明する。

（実施例１） 第１図（ａ）および（ｂ）は、本実施例に係わる光電変
換装置の主要部（光電変換部）を示す概略的構成図であ
り、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は、第１図（
ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。図において、
第９図と同じ符号を付したものは、それぞれ同じものを
示す。また、４は、光電変換領域としてのｐ−領域であ
り、ｎ−領域３上に不純物拡散、イオン注入、エピタキ
シャル技術等を用いて形成され、ボロン（Ｂ）等の不純
物がトープされている。さらに、５は、ベース領域とし
てのｐ″″″領域り、充電変換領域４と同様、ｎ−領域
３上に不純物拡散、イオン注入、エピタキシャル技術等
を用いて形成され、ボロン（Ｂ）等の不純物がトープさ
れている。なお、エミッタ電極１０２は多結晶シリコン
により形成した。

次に、第１図に示した本実施例の光電変換装置の製造プ
ロセスについて、Ｎ３図（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明す
る。

■ｐ型あるいはｎ型基板１に、Ａｓ、Ｓｂ、Ｐ等をイオ
ン注入、不純物拡散等することにより、ｎ゛埋め込み領
域２（不純物濃度１×１０１５〜１０１９ｃ　ｍ−３）
を形成した。

■エピタキシャル技術等により、ｎ−領域３（不純物濃
度１　ｘ　１０　”〜１０　Ｉ７ｃ　ｍ−３）を作製し
た。

■コレクタの抵抗を減少させるためのｎ゛領域不純物濃
度Ｉ　Ｘ　１０　”〜１０２０ｃ　ｍ−’）を形成した
。

■イオン注入、熱拡散等により、チャネルストップを形
成した。

■素子分離領域２００を、選択酸化法、ＣＶＤ法等によ
り作成した。

■シリコン窒化［３００を堆積した後、パターニングを
行ない、窒化膜を選択的に残した。その後、窒化＠３０
０をイオン注入マスクとして、自己整合的にボロイをイ
オン注入し、ｐ−領域４を作成した（第３図（ａ））。

■シリコン窒化［３００をマスクとして選択酸化し、厚
い酸化（１０００〜４０００人）をし、絶縁層１１０を
作成した後、Ｓｊ、Ｎ４膜のみを除去した。

■レジスト・パターニングをし、エミッタ部をエツチン
グし、窓あけをした後、イオン注入、熱拡散法等により
、ＢＰＴのベースとなるｐ′″領域５を形成した（第３
図（ｂ））。

■全面にポリシリコンあるいは４１−結晶を堆積した後
、不純物拡散（熱拡散あるいは、イオン注人、ドープ膜
）をした後、ＭＯ３Ｔｒのゲート１０１、ＢＰＴのエミ
ッタ１０２をバターニングした。同時に熱処理を行ない
、エミッタ領域６を形成した（第３図（Ｃ））。

［株］絶縁物（Ｓｉ０２　、Ｓｉｓ　Ｎａ等）１３ｏを
堆積した後、コンタクトのバターニングをして金属（、
ｌ！、　１ｆ２−３ｉ、等）を全面堆積し、金属配線バ
ターニングをする。なお、その後、さらに絶縁物を堆積
し、配線の保護膜等を形成してもよい。

以上、本実施例の充電変換装置の製造プロセスについて
説明した。このように、本実施例では、ベース領域５の
面積をエミッタの下部のみに自己整合プロセスにより作
成した。自己整合プロセスを用いることにより、ベース
領域５の形成位置を精度よく決定することができるので
、エミッタ領域６の面積とほぼ同じの面積のみとするこ
とができた。また、光電変換領域とは別々に、ｐ領域の
濃度、深さの設計を行なうことができた。

第４図は、第１図（ｂ）におけるＢＰＴのエミッタの周
辺を拡大して示した概略的断面図である。

本実施例では、ＢＰＴのベース・エミッタを両方とも自
己整合型に作成したために、ベース領域５の周辺のコレ
クタ電流の流れＩＣ２に注意する必要がある。

ベース領域５の作成時にイオン注入を用いると、不純物
ドープの分布がマスクの縦方向の徐さより横方向の深さ
が浅くなる。一方、エミッタのｎ１領域６は熱拡散で１
０２から拡散するため、縦、横の拡散深さはほぼ等しく
なる。そのため、縦のベース幅ＷＢと横のベース幅Ｗ６
′がＷ、＞Ｗ１１′となってしまう。

ベース領域が階段的である場合には、コレクタ電流は、
近似的に、 であられされ、Ｎ、・Ｗらに逆比例する。なお、（６）
式において、Ｎ１１はベース濃度である。したがフて、
Ｎ、が一定であるとすると、ＷＢ〉Ｗ、゛の場合には、
横方向のｒｃが多く流れることになる。その場合、パタ
ーン寸法のバラツキを電流増巾率ｈＦＥのバラツキに反
映させてしまうため、センサセルのバラツキの原因にな
る。すなわち、縦方向のｈＦＥと横方向のｈ　ＦＥ’が
異なり、ｈ　ＰＥ＜　ｈ　ＦＥ’　になると周辺の影響
が大きくなるのである。このエミッタ周辺効果をおさえ
るためには周辺コレクタ電流をおさえておく必要があり
、ベース構造に工夫をしておく必要がある。少なくとも
、　ｈ　ｒｔ＞　ｈ　ＦＥ’　としなければならない。

■。を、ベースの不純物密度分布まで考慮に入れて近似
的に表わすと、 となり、ここで、ＮＢＷＢの代わりに用いられている、
１ｎｓ（ｘ）ｄｘで表わされるＷ、は、ベース領域の中
性領域の厚みを示す。また、ベース不純物が分布ｎ　、
　（ｘ）を有していて、その積分値が問題となる。通常
（ｎ２１（ｘ）ｄｘは、ガンメル数と呼ばれている。す
なわち、ＢＰＴの横方向のガンメル数は縦方向のガンメ
ル数より、小さくすればよい。本発明では横方向はＰ−
領域を作成して、横方向はｐ″ｐ−構造とし、横方向の
ガンメル数を小さくしている。

さらに、第４図のＡ−Ａ’　の線の概略の電位図を第５
図に示す。すなわち、コレクタ電流は電位の低い、ｎ−
領域を流れる。このため、ｐ−領域４をｐゝ領域５より
深くすることは、ＢＰＴを安定に動作（すなわち、ｈＰ
Ｅのバラツキを小さく）させるためには、非常に有効で
ある。

さらに、本実施例の光電変換装置は、エミッタ電極１０
２の周辺の寄性容量が、従来構造よりも小さくできる。

すなわち、従来センサでは電極１０２の周辺は薄いゲー
ト膜と同じであり、エミッタの寄性容量が大きいため、
エミッタ・ベース容量Ｃｂｅが実質的に大きかった。本
実施例によれば、このＣｂ、を低下させることができる
。

エミッタの容量は、エミッタ・ベース間のｎ′ｐ接合の
容量Ｃｂ＠ｊ　と、エミッタ電極１０２と酸化膜１２０
あるいは１１０を介したベースとの間の容］［Ｃｂ　＠
。との並列てあり、第９図（ａ）に下す如くである。

ＣｂｅＪは純粋に生じる容量であるが、Ｃ１，、。は寄
性容量である。Ｃｂａ。は酸化膜の厚みと面積によって
決まる。

すなわち、Ｃｂａ。＝εｏ、ｘＡ０／ｌｏｘできまる。

ここでε。８は酸化膜の話電率、ｔ　ｏｘは酸化膜厚み
、Ａｏは周辺面積である。

第４図で示す如く、近似的にエミッタの一辺の寸法をａ
、ポリシリコンの寸法すとし、ａに対して、ｂ”’ａ＋
２　（μｍ）として設計ルールを固定した場合、コンタ
クト面積はＡｊ　＝８２μｍ２周辺面積はＡ０＝　（ａ
＋２）　２．４ｚｍ２となり、Ａ　ｏ　／　Ａ　Ｊはａ
に対して第９図（ｂ）の如くなる。すなわち、寸法が微
細化するとＡ０／Ａ、は犬になるため、本発明の如く、
ｔ　ｏｘを大にして、Ｃｂａ。を小にして、Ｃｂａ＝Ｃ
ｂｅＪ　＋　Ｃｂｅ。を小にする。

これにより、エミッタ周辺の寄性容量を激減させること
ができた。

以上説明したように、本実施例の充電変換装置は、ｈ２
．のバラツキが少なく、光感度に優れた光電変換装置を
得ることができた。

（実施例２） 第６図は、本発明の他の実施例に係る光電変換装置を示
す概略的断面図である。本実施例に係る光電変換装置は
、エミッタ電極１０２が単結晶シリコンにより形成され
たことと、ニミッタ領域６がほとんどないこととが、上
記実施例１と異なる。

本実施例の充電変換装置では、単結晶シリコンにより形
成されたエミッタ電極がエミッタとして機能するので、
エミッタの周辺電流が少なくなり、ｈＦＥのバラツキを
少なくすることができる。

（実施例３） 第７図は、本発明の光電変換装置を用いたラインセンサ
を示す回路図である。このラインセンサにおいては、Ｓ
ｌ・・・　で示すセンサとＢＰＴ２として上記実施例１
で示した光電変換装置を用いた。また、他のトランジス
タとしては、はＭＯＳトランジスタを使用した。

センサトランジスタのエミッタ・ベース間容量をＣｂｅ
、ベース・コレクタ間容量をｃｂｏ、電流増巾率をｈｆ
ｅ５読み出し容量をＣｔとすると、Ｃ０に読み出された
エミッタ電圧ＶＥｒのバラツキ電圧は、近似的に次式と
なる。

ここで、ＦＰＮｎは本質的固定パターン雑音てあり、Ａ
は、 Ａ　−ｃｔ　／　（Ｃｂｃ、Ｆｌｆａ　）　　　　但し
、１　＞Ａである。

また、Ｃ，ｅ、Ｃｔのバラツキが小さい場合は、上式は
、 となる。本発明の光電変換装置では、センサの高感度化
を行なうために、Ｃｂｅの極小化を行なったので（１＋
　Ｃｂｅ／　Ｃｂｅ　）を小さくするために、Ｃｂｅの
極小化を行なうことも非常に重要であるが、先に説明し
たように、エミッタの寄性容量を減少させることにより
（１＋　Ｃｂｅ／　Ｃｂｅ）も小さく保つことができる
。

また、横方向電流をおさえることにより、ｈｆｅのバラ
ツキをおさえて、△ＶＥｒを小さくすることができる。

（実施例４） 第８図は、本発明の光電変換装置を用いたエリアセンサ
を示す回路図である。本実施例においても、上記実施例
３と同様に、センサのバラツキをおさえることに効果が
ある。

寄性容量を減らすことは、このエリアセンサにおいては
、異った意味で第７図のラインセンサより効果は大きい
。エリアセンサにおいては、各画素から出力を読み出す
場合の負荷容量はＣｔではなく、垂直線の数Ｎで決まる
。すなわち、負荷容量となるのは、ＮＣ＋、、と配線容
量である。

高精細対応のセンサの場合、従来は、Ｎの数が大きくな
ると負荷容量が一義的に決まってしまうので、センサの
駆動能力から行ってもエミッタ寸法（従来のセンサのＬ
ｌ）を小さくすることは難しかったのである。これに対
して、本発明の光電変換装置によれば、各画素の負荷容
量を減らすことが容易になった。

さらに、Ｃｂｃの低下により、感度も上げることができ
た。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明によれば、光電変換
装置の光感度を向上させ、且つ、電流増幅率ｈｆａのバ
ラツキを小さくすることができる。

また、本発明の光電変換装置を用いてラインセンサ、エ
リアセンサ等を作成した場合には、エミッタの寄性容量
を減少させ、Ｃｂｅを／ｈさくすることができるので、
１＋Ｃ６゜／Ｃｂｅを小さく保つことができ、従って、
ＦＰＮを小さく保つことができる。これにより、ライン
センサ等の光感度を向上させ、また、Ｓ／Ｎを改善する
ことができる。

さらに、本発明の光電変換装置を用いてエリアセンサ等
を作成した場合には、Ｃｂｅの低減は、エリアセンサの
負荷容量をへらすことになるので、ＢＰＴの駆動能力を
下げることが可能となり、従って、エミッタを小さく設
計することかできるので、高集積化に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および（ｂ）は、本実施例に係わる光電変
換装置の主要部（光電変換部）を示す概略的構成図であ
り、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は、第１図（
ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、 第２図（ａ）は、通常の光電変換装置の受光面下の層構
造を拡大して示した概略的断面図、第２図（ｂ）は、第
２図（ａ）の深さ方向におけるポテンシャル図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は、第１図に示した本実施例の充
電変換装置の製造プロセスについて説明するための概略
的断面図、 第４図は、第１図（ｂ）におけるＢＰＴのエミッタの周
辺を拡大して示した概略的断面図、第５図は、第４図の
Ａ−Ａ’　の線の電位を示す概略図、 第６図は、本発明の他の実施例に係る光電変換装置を示
す概略的断面図、 第７図は、本発明の光電変換装置を用いたラインセンサ
を示す回路図、 第８図は、本発明の光電変換装置を用いたエリアセンサ
を示す回路図、 第９図は、本発明の実施例１に係る光電変換装置の特性
を説明するための図であり、第９図（ａ）はエミッタ容
量の等価回路図、第９図（ｂ）はエミッタ寸法と、（周
辺面積Ａ０）／（コンタクト面積ＡＪ）との関係を示す
グラフ、 第１０図は、従来のＢＡＳＩＳ型の光電変換装置の主要
部（光電変換部）の１例を示す概略的断面図であり、第
１０図（ａ）は平面図、第１０図（ｂ）は断面図である
。 （符号の説明） １・・・半導体基板、２・・・ｎ゛埋め込み領域、３・
・・不純物濃度の低いｎ−領域、４・・・充電変換領域
、５・・・受光部およびＢＰＴのベース領域としてのｐ
“領域、５゛・・・ベース領域、６・・・ＢＰＴのエミ
ッタとしてのｎ“領域、７・・・ＭＯ３Ｉ−ランジスタ
のドレインとしての００領域、１０１・・・ＭＯＳトラ
ンジスタのゲートとなる電極、１０２・・・ＢＰＴのエ
ミッタ電極、１０３・・・電極配線、１１０．１３０・
・・電極、配線、素子間を分離するための絶縁膜、１２
０・・・保護膜およびＭｏＳトランジスタのゲートｓと
しての酸化膜、２００・・・水平素子分離領域。 第１ズ （ａ） （ｂ） ｋす イ１ 図 ＋０２ ＋０１ 第 図 （ａ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第９図 （ａ） 第 図 （ｂ） （ｂ） 一辺の長さ　ａ（μｍ） 手続補正書 平成　２年　４月２０日 １、事件の表示 平成１年特許願第３２４９８６号 ２、発明の名称 光電変換装置 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　　所　東京都大田区下丸子 ３丁目３０番２号 名　　称　（１００）キャノン株式会社代表者　山路敬
三 ４、代　理　人　〒１６０電話ｏ３　（３ｓ８１８８４
０手 続 補 正 １重り 平成３年８月２７日

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１導電型を有する第１半導体領域と；第２導電
   型を有する、制御電極領域としての第２半導体領域と；
   第１導電型を有する、蓄積電荷を出力するための第３半
   導体領域と；前記第２半導体領域と電気的に接して設け
   られた、第２導電型を有する、電荷蓄積領域としての第
   ４半導体領域と；を少なくとも有し、且つ、前記第２半
   導体領域の不純物濃度が前記第４半導体領域の不純物濃
   度よりも大きいことを特徴とする光電変換装置
2. （２）少なくとも前記第２半導体領域および前記第３半
   導体領域が自己整合的に形成されたことを特徴とする請
   求項１記載の光電変換装置
3. （３）前記第４半導体領域の拡散深さが、前記第２半導
   体領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする請求項１
   または２記載の光電変換装置