JPH04750U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH04750U JPH04750U JP4010990U JP4010990U JPH04750U JP H04750 U JPH04750 U JP H04750U JP 4010990 U JP4010990 U JP 4010990U JP 4010990 U JP4010990 U JP 4010990U JP H04750 U JPH04750 U JP H04750U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- conductive
- pass filter
- insulating film
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第1図は本考案の実施例を示す構成図、第2図
は本考案の実施例の装置の電気回路構成図である
。 符合の説明、1……加工対象物、2……薄い絶
縁膜、3……導電性物質、4……ヒータ、6……
反射板。
は本考案の実施例の装置の電気回路構成図である
。 符合の説明、1……加工対象物、2……薄い絶
縁膜、3……導電性物質、4……ヒータ、6……
反射板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空装置で用いるサセプタにおいて、薄い
絶縁膜、導電性物体、絶縁物で被われたヒータが
順次積み重なつた構造とし、中間の導電性物体は
キヤパシタンスを介してRF電源に継がつており
、かつ、ローパスフイルターを介して加工、対象
物の裏面との間にDと電位を印加できる構造を有
するサセプタ。 (2) 上記の薄い絶縁膜がAl2O3,AlN,
SiO2,Si3N4であり、導電性物体が高融
点金属、導電性セラミツクであることを特徴とす
る請求項(1)記載のサセプタ。 (3) 上記ヒータを被つている絶縁物が熱線を透
過しやすい万英等であることを特徴とする請求項
(1)記載のサセプタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4010990U JPH04750U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4010990U JPH04750U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04750U true JPH04750U (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=31549612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4010990U Pending JPH04750U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04750U (ja) |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP4010990U patent/JPH04750U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU547824B2 (en) | Hotplate | |
JPH04750U (ja) | ||
JPS6039785Y2 (ja) | 焦電形温度検出素子 | |
JPS5972641U (ja) | 圧縮機の過負荷保護装置 | |
JPS58138515U (ja) | 誘導加熱容器 | |
JPS6096832U (ja) | 静電チヤツク | |
JPH03128668U (ja) | ||
JPH01135835U (ja) | ||
JPH0281038U (ja) | ||
JPS61173147U (ja) | ||
JPS622770Y2 (ja) | ||
JPS5876745U (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS6010291U (ja) | 面状発熱体 | |
JPS5330274A (en) | Semiconductor device | |
JPS5883424U (ja) | 通電加熱方式ホツトプレス装置 | |
JPS617889U (ja) | 発熱体 | |
JPH01675A (ja) | 酸化物超電導線の接続方法 | |
Tokuyama | Application of laser annealing to silicon device fabrication | |
JPS6257398U (ja) | ||
JPS54121794A (en) | Hightemperature operation sensor | |
JPH02137062U (ja) | ||
JPS6067139U (ja) | 電界装置 | |
JPS5530882A (en) | Semiconductor device | |
JPH0313744U (ja) | ||
JPS60172295U (ja) | 高周波加熱調理器 |