JPH04750U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH04750U
JPH04750U JP4010990U JP4010990U JPH04750U JP H04750 U JPH04750 U JP H04750U JP 4010990 U JP4010990 U JP 4010990U JP 4010990 U JP4010990 U JP 4010990U JP H04750 U JPH04750 U JP H04750U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
conductive
pass filter
insulating film
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4010990U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP4010990U priority Critical patent/JPH04750U/ja
Publication of JPH04750U publication Critical patent/JPH04750U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す構成図、第2図
は本考案の実施例の装置の電気回路構成図である
。 符合の説明、1……加工対象物、2……薄い絶
縁膜、3……導電性物質、4……ヒータ、6……
反射板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空装置で用いるサセプタにおいて、薄い
    絶縁膜、導電性物体、絶縁物で被われたヒータが
    順次積み重なつた構造とし、中間の導電性物体は
    キヤパシタンスを介してRF電源に継がつており
    、かつ、ローパスフイルターを介して加工、対象
    物の裏面との間にDと電位を印加できる構造を有
    するサセプタ。 (2) 上記の薄い絶縁膜がAl,AlN,
    SiO,Siであり、導電性物体が高融
    点金属、導電性セラミツクであることを特徴とす
    る請求項(1)記載のサセプタ。 (3) 上記ヒータを被つている絶縁物が熱線を透
    過しやすい万英等であることを特徴とする請求項
    (1)記載のサセプタ。
JP4010990U 1990-04-13 1990-04-13 Pending JPH04750U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4010990U JPH04750U (ja) 1990-04-13 1990-04-13

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4010990U JPH04750U (ja) 1990-04-13 1990-04-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04750U true JPH04750U (ja) 1992-01-07

Family

ID=31549612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4010990U Pending JPH04750U (ja) 1990-04-13 1990-04-13

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04750U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU547824B2 (en) Hotplate
JPH04750U (ja)
JPS6039785Y2 (ja) 焦電形温度検出素子
JPS5972641U (ja) 圧縮機の過負荷保護装置
JPS58138515U (ja) 誘導加熱容器
JPS6096832U (ja) 静電チヤツク
JPH03128668U (ja)
JPH01135835U (ja)
JPH0281038U (ja)
JPS61173147U (ja)
JPS622770Y2 (ja)
JPS5876745U (ja) サ−マルヘツド
JPS6010291U (ja) 面状発熱体
JPS5330274A (en) Semiconductor device
JPS5883424U (ja) 通電加熱方式ホツトプレス装置
JPS617889U (ja) 発熱体
JPH01675A (ja) 酸化物超電導線の接続方法
Tokuyama Application of laser annealing to silicon device fabrication
JPS6257398U (ja)
JPS54121794A (en) Hightemperature operation sensor
JPH02137062U (ja)
JPS6067139U (ja) 電界装置
JPS5530882A (en) Semiconductor device
JPH0313744U (ja)
JPS60172295U (ja) 高周波加熱調理器