JPH0472774A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH0472774A JPH0472774A JP2185977A JP18597790A JPH0472774A JP H0472774 A JPH0472774 A JP H0472774A JP 2185977 A JP2185977 A JP 2185977A JP 18597790 A JP18597790 A JP 18597790A JP H0472774 A JPH0472774 A JP H0472774A
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- JP
- Japan
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- type
- zn3p2
- film
- solar cell
- junction
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池に関し、特に薄膜太陽電池に関する。
従来、太陽電池材料としてＳｌが一般的に用いられてい
るが、さらに変換効率を上げるためにＧ ａ Ａ ｓや
ＣｄＳ、ＣｄＴｅなども材料として用いられている。し
かし、最近は■−ｖ族化合物の研究が進み、低コスト、
高効率の太陽電池材料として、Ｚｎ５Ｐ＊が取り上げら
れている。現在までにＺｎｓ Ｐｘ系太陽電池として報
告されているものは、Ｍｇとのショットキー型太陽電池
、ｎ型膜 ｎ Ｏ／ ｐ型Ｚｎ５Ｐ＊ヘテロ接合木陽電
池、ｎ型ＣｄＳ／ｐ型Ｚｎｓ Ｐｉヘテロ接合太陽電池
。
るが、さらに変換効率を上げるためにＧ ａ Ａ ｓや
ＣｄＳ、ＣｄＴｅなども材料として用いられている。し
かし、最近は■−ｖ族化合物の研究が進み、低コスト、
高効率の太陽電池材料として、Ｚｎ５Ｐ＊が取り上げら
れている。現在までにＺｎｓ Ｐｘ系太陽電池として報
告されているものは、Ｍｇとのショットキー型太陽電池
、ｎ型膜 ｎ Ｏ／ ｐ型Ｚｎ５Ｐ＊ヘテロ接合木陽電
池、ｎ型ＣｄＳ／ｐ型Ｚｎｓ Ｐｉヘテロ接合太陽電池
。
ｎ型ＩＴＯ／Ｐ型Ｚｎｓ Ｐ２へテロ接合太陽電池、以
上の４タイプである。
上の４タイプである。
前述した従来の太陽電池材料であるＧａＡｓは資源が少
ないため、材料費が高くなるという欠点がある。ＣｄＳ
、ＣｄＴｅについては、製造時にカドミウムによる公害
が問題になっている。
ないため、材料費が高くなるという欠点がある。ＣｄＳ
、ＣｄＴｅについては、製造時にカドミウムによる公害
が問題になっている。
第３図は変換効率と光学的エネルギーギャップの関係を
示した図である（鼻孔出版、［太陽光発電Ｊ参照）、こ
れよりＺｎｊＰ、は光学的エネルギーギャップが１．５
１ ［ｅｖｌであるため、高い変換効率を得ることが可
能である。また、Ｚｎ、Ｐ２の構成元素であるＺｎ、Ｐ
共に資源埋蔵量が豊富であるため、材料費を低く抑える
ことが可能である。しかしながら、現在までにＺｎ１Ｐ
ｔ系太陽電池の中で最も高い変換効率をもつＭｇとのシ
ョットキー型ｚｎ３Ｐ２太陽電池の場合、その変換効率
が６％しか得られていない。
示した図である（鼻孔出版、［太陽光発電Ｊ参照）、こ
れよりＺｎｊＰ、は光学的エネルギーギャップが１．５
１ ［ｅｖｌであるため、高い変換効率を得ることが可
能である。また、Ｚｎ、Ｐ２の構成元素であるＺｎ、Ｐ
共に資源埋蔵量が豊富であるため、材料費を低く抑える
ことが可能である。しかしながら、現在までにＺｎ１Ｐ
ｔ系太陽電池の中で最も高い変換効率をもつＭｇとのシ
ョットキー型ｚｎ３Ｐ２太陽電池の場合、その変換効率
が６％しか得られていない。
本発明の目的は交換効率を向上させた太陽電池を提供す
ることにする。
ることにする。
前記目的を達成するため、本発明に係る太陽電池におい
ては、対をなすＺｎ５Ｐｚ膜を有する太陽電池であって
、 ｚｎｓｐ＊ｍの対は、太陽電池の電極間に積層形成され
たもので、ｐ型膜とｎ型膜とからなりｐ−ｎ接合したも
のである。
ては、対をなすＺｎ５Ｐｚ膜を有する太陽電池であって
、 ｚｎｓｐ＊ｍの対は、太陽電池の電極間に積層形成され
たもので、ｐ型膜とｎ型膜とからなりｐ−ｎ接合したも
のである。
本発明の太陽電池は、Ｚｎｓ Ｐ２薄膜のｐ−ｎ接合を
有したものである。一般にρ−ｎ接合の太陽！池は、シ
ョットキー型の太陽電池よりも高い変換効率を得ること
が可能であり、本発明によれば、Ｍｇとのショットキー
型太陽電池より高い変換効率を得ることが可能となる。
有したものである。一般にρ−ｎ接合の太陽！池は、シ
ョットキー型の太陽電池よりも高い変換効率を得ること
が可能であり、本発明によれば、Ｍｇとのショットキー
型太陽電池より高い変換効率を得ることが可能となる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
図において、本発明に係る太陽電池は、ガラス基板１の
金属電極２と金属型ｆ！５との間に、ｐｎ接合した薄膜
のＰ型Ｚｎ３Ｐ２膜３及びｎ型Ｚｎ５Ｐ２膜４を積層形
成したものである。
金属電極２と金属型ｆ！５との間に、ｐｎ接合した薄膜
のＰ型Ｚｎ３Ｐ２膜３及びｎ型Ｚｎ５Ｐ２膜４を積層形
成したものである。
第２図に本発明の太陽電池の作製手順を示す。
薄膜の作製は真空蒸着法で行う、まず、金属を極２を付
着したガラス基板１上にρ型Ｚｎ３Ｐ２膜３を作製する
。Ｚｎ５Ｐ２は自己補償効果によりＰ型を示すので、Ｚ
ｎ５Ｐ２は粉末を単元とし蒸着する０作製条件は、基板
温度が２００〜２５０℃、蒸発源温度が７００〜７５０
℃、雰囲気圧はｔ ｘ ｉｏ−’以下、基板−蒸発源間
距離は１０ｃｓ＋とする０次にｎ型Ｚｎｓ Ｐｔ膜４を
作製する。ｎ型Ｚｎｓ Ｐ、膜４を作製するためには、
ＡＱやＳｎをドープ材料に用い、Ｚｎ１ＰｚとＡｎある
いはＳｎの二元蒸着により、Ｐ型Ｚｎ３Ｐ２膜３上にｎ
型Ｚｎ５Ｐ ２ ［１４を蒸着する。
着したガラス基板１上にρ型Ｚｎ３Ｐ２膜３を作製する
。Ｚｎ５Ｐ２は自己補償効果によりＰ型を示すので、Ｚ
ｎ５Ｐ２は粉末を単元とし蒸着する０作製条件は、基板
温度が２００〜２５０℃、蒸発源温度が７００〜７５０
℃、雰囲気圧はｔ ｘ ｉｏ−’以下、基板−蒸発源間
距離は１０ｃｓ＋とする０次にｎ型Ｚｎｓ Ｐｔ膜４を
作製する。ｎ型Ｚｎｓ Ｐ、膜４を作製するためには、
ＡＱやＳｎをドープ材料に用い、Ｚｎ１ＰｚとＡｎある
いはＳｎの二元蒸着により、Ｐ型Ｚｎ３Ｐ２膜３上にｎ
型Ｚｎ５Ｐ ２ ［１４を蒸着する。
作製条件はρ型ｚｎｓ Ｐ２ＦＩＡ３の場合と同じで、
ＡＱ、Ｓｎの蒸発源温度は９００〜１０００℃とする。
ＡＱ、Ｓｎの蒸発源温度は９００〜１０００℃とする。
このようにして、ｐ−ｎ接合を作製した後、さらに金属
電極５を蒸着する。
電極５を蒸着する。
以上説明したように本発明はＺｎｓ Ｐ２薄膜のｐ−ｎ
接合を有しており、このｐｎ接合の太陽電池はショット
キー型の太陽電池より高い変換効率を得ることができる
ので、従来のＭｇとのショットキー型太陽電池より高い
変換効率を得ることができるという効果を有する。
接合を有しており、このｐｎ接合の太陽電池はショット
キー型の太陽電池より高い変換効率を得ることができる
ので、従来のＭｇとのショットキー型太陽電池より高い
変換効率を得ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図に示した太陽電池の製造工程を示す図、第３図は変換
効率と光学的エネルギーギャップとの関係を示した図で
ある。 １・・・ガラス基板 ２．５・・・金属電極３−
ｐ型Ｚｎｓ Ｐ２ Ｊｌ ４−ｎ型Ｚｎｓ Ｐ２膜／
：力゛ラスキ４処 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 ・ら
）＼−・−ゞ 第 図
図に示した太陽電池の製造工程を示す図、第３図は変換
効率と光学的エネルギーギャップとの関係を示した図で
ある。 １・・・ガラス基板 ２．５・・・金属電極３−
ｐ型Ｚｎｓ Ｐ２ Ｊｌ ４−ｎ型Ｚｎｓ Ｐ２膜／
：力゛ラスキ４処 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 ・ら
）＼−・−ゞ 第 図
Claims (1)
- （１）対をなすＺｎ＿３Ｐ＿２膜を有する太陽電池であ
って、 Ｚｎ＿３Ｐ＿２膜の対は、太陽電池の電極間に積層形成
されたもので、ｐ型膜とｎ型膜とからなりｐ−ｎ接合し
たものであることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185977A JPH0472774A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185977A JPH0472774A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472774A true JPH0472774A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16180193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185977A Pending JPH0472774A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472774A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8507307B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-08-13 | Dow Global Technologies Llc | Group IIB/VA semiconductors suitable for use in photovoltaic devices |
| JP2015506595A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-03-02 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | プニクチド吸収体膜とエミッタ膜との間の伝導帯オフセットを低下させた光起電力デバイスの製造方法 |
| JP2015512143A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-04-23 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 金属化／アニーリング／除去技術により改善されたプニクチド半導体膜を組み込んだ光起電力デバイスの製造方法 |
| CN105229797A (zh) * | 2012-10-09 | 2016-01-06 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置 |
| JP2016054237A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | 国立大学法人名古屋大学 | 太陽電池 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2185977A patent/JPH0472774A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8507307B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-08-13 | Dow Global Technologies Llc | Group IIB/VA semiconductors suitable for use in photovoltaic devices |
| JP2015506595A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-03-02 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | プニクチド吸収体膜とエミッタ膜との間の伝導帯オフセットを低下させた光起電力デバイスの製造方法 |
| JP2015512143A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-04-23 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 金属化／アニーリング／除去技術により改善されたプニクチド半導体膜を組み込んだ光起電力デバイスの製造方法 |
| CN105229797A (zh) * | 2012-10-09 | 2016-01-06 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置 |
| JP2016054237A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | 国立大学法人名古屋大学 | 太陽電池 |
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