JPH0472615A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
ＳＯ５基板を用いた半導体装置の製造方法に関し、
シリコン膜を溶融再結晶化する際のアルミニウムの混入
を抑えてその結晶性を改善し、ＳＯ５基板に形成される
素子の特性を向上することを目的とし、
サファイア基板の上に形成した半導体層に、上と下から
別工程によってエネルギービームを照射することを含み
構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method for manufacturing a semiconductor device using an SO5 substrate, the invention involves suppressing the inclusion of aluminum when melting and recrystallizing a silicon film to improve its crystallinity, and forming the silicon film on the SO5 substrate. The method involves irradiating a semiconductor layer formed on a sapphire substrate with an energy beam in separate steps from above and below, with the aim of improving the characteristics of the device.
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、ＳＯ５基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。[Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device using an SO5 substrate.
高速、高密度、耐放射線用半導体装置に用いられるＳ
ＯＳ （ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｅｒ）基
板は、第３図（ａ）に示すように、サファイア基板３１
の上にシリコンＭ３２をエピタキシャル成長させた構造
を有している。S used in high-speed, high-density, radiation-resistant semiconductor devices
The OS (silicon on 5apphier) substrate is a sapphire substrate 31 as shown in FIG. 3(a).
It has a structure in which silicon M32 is epitaxially grown on it.
ところで、サファイア基板３１とシリコンＷＩ３２との
格子不整合に起因する高密度の結晶欠陥はキャリアの移
動度を低下させる原因となるため、第３図（ｂ）に示す
ように、シリコン膜３１の上層部にレーデを照射して溶
融再結晶化することによりその結晶性を改善する方法が
擢案されている（参考： Ｇ、Ｙａｒｏｎ、 Ｌ、Ｄ、
Ｈｅ５ｓ ａｎｄ Ａ、にｏＫｏｒｏｗｓｋｉＳｏｌｉ
ｄ−５ｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、、 ２３．８９
３ （１９８０）） 。By the way, a high density of crystal defects caused by lattice mismatch between the sapphire substrate 31 and the silicon WI 32 causes a decrease in carrier mobility, so as shown in FIG. 3(b), the upper layer of the silicon film 31 is A method has been proposed to improve the crystallinity of the crystal by melting and recrystallizing it by irradiating it with radar (Reference: G, Yaron, L, D,
He5s and A, ni oKorowskiSoli
d-5tate Electron,, 23.89
3 (1980)).
しかし、この方法によれば、シリコン８３２とサファイ
ア基板３１の界面近傍に残存する格子欠陥によってその
界面に生しるリーク電流を低減することはできない。However, according to this method, it is not possible to reduce leakage current generated at the interface between silicon 832 and sapphire substrate 31 due to lattice defects remaining in the vicinity of the interface.
このために、第３図（ｃ）に示すように、シリコン膜３
１とサファイア基板３２との界面に達する深さまでレー
ザ光を照射し、全てのシリコン膜３１を再結晶化する方
法も考えられる。この方法によれば、サファイア基板３
１上面近傍領域のシリコン膜３２の結晶を良くすること
ができ、結晶欠陥により界面に生しるリーク電流を低減
することになる。For this purpose, as shown in FIG. 3(c), a silicon film 3
Another conceivable method is to irradiate the laser beam to a depth that reaches the interface between the silicon film 1 and the sapphire substrate 32 to recrystallize all the silicon film 31. According to this method, the sapphire substrate 3
1, the crystallinity of the silicon film 32 in the vicinity of the upper surface can be improved, and leakage current generated at the interface due to crystal defects can be reduced.
しかし、シリコン膜３１の底部までレーザ光を照射する
場合には、照射深さの制御が難しく、サファイア基板３
１の上部にもレーザ光が当たってしまい、サファイアに
含まれるアルミニウムが分解してノリコンｆｆ３２中に
拡散することになる。However, when irradiating the laser beam to the bottom of the silicon film 31, it is difficult to control the irradiation depth, and the sapphire substrate 31
The upper part of the sapphire is also hit by the laser beam, and the aluminum contained in the sapphire is decomposed and diffused into the sapphire ff32.
このため、ｐ型の不純物となるアルミニウムが半導体膜
中に入り込むことになり、シリコン＃３２に形成するＭ
ＯＳトランジスタのリーク電流の発生の原因となったり
、或いは闇値電圧の調整が難しくなるといった問題があ
る。For this reason, aluminum, which becomes a p-type impurity, enters the semiconductor film, and the M
There are problems such as causing leakage current of the OS transistor or making it difficult to adjust the dark voltage.
本発明はこのような間Ｎに鑑みてなされたものであって
、半導体膜へのアルミニウムの混入を抑えてその結晶性
を改善し、ＳＯ８基板に形成される素子の特性を向上す
ることができる半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。The present invention was made in view of the above-mentioned N, and can suppress the incorporation of aluminum into a semiconductor film, improve its crystallinity, and improve the characteristics of an element formed on an SO8 substrate. The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
上記した課題は、第１２図に例示するように、サファイ
ア基板２．６の上に形成した半導体１ｌ１３．７の下層
部に、該サファイア基板２．６を通してエネルギービー
ムを照射し、該半導体１ＩＩ３．７の下層部を溶融再結
晶化する工程と、前記半導体膜３．７の表面より少なく
とも前記下層部に達するようエネルギービームを照射し
、該照射領域であるの前記半導体膜３．７の上層部を溶
融再結晶化する工程とを有することを′＃徴とする半導
体装置の製造方法、
又は、サファイア基板２．６の上に形成した半導体膜３
．７の上層部に、該半導体Ｈ３，７の表面よりエネルギ
ービームを照射して該上層部を溶融再結晶化する工程と
、前記サファイア基板２．６を通して、少なくとも前記
上層部に達するようエネルギービームを照射し、該照射
領域である前記半導体膜３．７の下層部を溶融再結晶化
する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法、
又は、前記半導体膜７を選択的に酸化することにより選
択酸化膜９を形成した後に、前記エネルギーと−ムを照
射することを特徴とする半導体装置の製造方法、
又は、前記半導体膜７の上に窒化膜１１が積層されてい
ることを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成
する。The above problem can be solved by irradiating an energy beam through the sapphire substrate 2.6 onto the lower layer of the semiconductor 1113.7 formed on the sapphire substrate 2.6, as illustrated in FIG. A step of melting and recrystallizing the lower layer part of the semiconductor film 3.7, and irradiating an energy beam from the surface of the semiconductor film 3.7 so as to reach at least the lower layer part of the semiconductor film 3.7, which is the irradiation area. or a semiconductor film 3 formed on a sapphire substrate 2.6.
．． A step of melting and recrystallizing the upper layer by irradiating the upper layer of the semiconductor H3, 7 with an energy beam from the surface of the semiconductor H3, 7, and irradiating the energy beam so as to reach at least the upper layer through the sapphire substrate 2.6. irradiation, and melting and recrystallizing the lower layer of the semiconductor film 3.7, which is the irradiation area; or selectively oxidizing the semiconductor film 7; A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the selective oxide film 9 is formed by irradiation with the energy and the nitride film 11, or a nitride film 11 is laminated on the semiconductor film 7. This is achieved by a method of manufacturing a semiconductor device.
本発明によれば、サファイア基板の上に成長した半導体
膜の上からエネルギービームを照射してその上層部を再
結晶化する工程と、その下からエネルギービームを照射
してその下層部を再結晶化する工程とを有している。According to the present invention, there are two steps: irradiating the semiconductor film grown on the sapphire substrate with an energy beam from above to recrystallize the upper layer, and irradiating the energy beam from below to recrystallize the lower layer. It has a process of converting it into
このため、半導体膜の下層部を溶融再結晶化する際にサ
ファイア基板から侵入したアルミニウムを、そａ上層部
までに拡散することを抑えることになり、その拡散量は
低減する。Therefore, when the lower layer of the semiconductor film is melted and recrystallized, aluminum that has entered from the sapphire substrate is prevented from diffusing to the upper layer, and the amount of aluminum that diffuses is reduced.
また、半導体層の上部を溶融再結晶化する場合に半導体
層の上に窒化膜を設けておけば、半導体層の溶融による
膜厚の変化を少なくすることになる。Furthermore, if a nitride film is provided on the semiconductor layer when the upper part of the semiconductor layer is melted and recrystallized, changes in film thickness due to melting of the semiconductor layer can be reduced.
さらに、半導体層を溶融再結晶化する場合に、素子骨Ｍ
Ｍ域等に予め選択酸化膜を形成すると、エネルギービー
ムの照射領域を狭くすることになり、再結晶処理時間は
その分だけ短くなる。Furthermore, when melting and recrystallizing the semiconductor layer, the element bone M
If a selective oxide film is formed in advance in the M region or the like, the area irradiated with the energy beam will be narrowed, and the recrystallization processing time will be shortened accordingly.
そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。Therefore, the details of the present invention will be explained below based on the drawings.
（ａ）本発明の第１実施例の説明
第１図は、本発明の一寞施例の工程を示す断面図であっ
て、図中符号１はＳＯ８基板で、このＳＯ３基板１は、
サファイア基板２の上に膜厚６００ｎ＋ｗのシリコン膜
３をエピタキシャル成長した構造を有している。(a) Description of the first embodiment of the present invention FIG. 1 is a cross-sectional view showing the steps of a first embodiment of the present invention, and the reference numeral 1 in the figure is an SO8 substrate, and this SO3 substrate 1 is
It has a structure in which a silicon film 3 having a thickness of 600n+w is epitaxially grown on a sapphire substrate 2.
この状態において（第１図（ａ））、まず、サファイア
基板２の裏から連続発振アルゴンレーザ光（ｃｗ−Ａｒ
レーザ光）を照射し、シリコン膜３の下面から１２０ｎ
■上方までの下層部４にその焦点を合わせてその下層部
４だけを溶融再結晶化し、その領域にある結晶欠陥を減
少させる（第１図（ｂ））。この場合のレーザ光の波長
は、例えば３５１ｎｍ又は３６４ｎｍにする。In this state (FIG. 1(a)), first, continuous wave argon laser light (cw-Ar) is emitted from the back of the sapphire substrate 2.
120 nm from the bottom surface of the silicon film 3.
(2) Focusing on the lower layer 4 up to the top, melting and recrystallizing only the lower layer 4 to reduce crystal defects in that region (FIG. 1(b)). The wavelength of the laser light in this case is, for example, 351 nm or 364 nm.
次に、ｃｗ−Ａｒレーザ光をシリコン膜３の上面から当
て（第１図（Ｃ））、その上面から５００ｎｓの深さの
領域までを溶融再結晶化し、その結晶の質を向上する（
第１図（ｄ））。この場合のレーザ光の波長は、例えば
４８８ｒｖ又は５１５ｎｎにする。Next, a cw-Ar laser beam is applied from the top surface of the silicon film 3 (FIG. 1 (C)) to melt and recrystallize a region at a depth of 500 ns from the top surface to improve the quality of the crystal (
Figure 1(d)). The wavelength of the laser beam in this case is, for example, 488rv or 515nn.
以上のような工程において、シリコン膜３の下層部４を
溶融再結晶化する場合には、サファイア基板２にレーザ
光が照射されて、サファイア基板２から分解したアルミ
ニウムがシリコンＭ３の下層部４に拡散することになり
、その下層部４においてアルミニウムは約１０”／ｃ−
ｄの不純物濃度となる。In the above process, when melting and recrystallizing the lower layer 4 of the silicon film 3, the sapphire substrate 2 is irradiated with laser light, and the aluminum decomposed from the sapphire substrate 2 is transferred to the lower layer 4 of the silicon M3. As a result, the aluminum in the lower layer 4 is approximately 10"/c-
The impurity concentration is d.
これに対して、シリコン膜３の上層部５を溶融再結晶化
する場合には、下層部４に達する深さまでレーザ光を照
射するようにし、その上層部５を完全に再結晶化をする
ようにしている。この場合、レーザ光を当てた下層部４
の一部から上層部５にアルミニウムが拡散するが、その
上層部５のアルミニウムの濃度は１０”〜１０”／ｃｊ
程度と小さくなる。On the other hand, when melting and recrystallizing the upper layer 5 of the silicon film 3, the laser beam is irradiated to a depth that reaches the lower layer 4, so that the upper layer 5 is completely recrystallized. I have to. In this case, the lower layer 4 irradiated with laser light
Aluminum diffuses from a part of the upper layer 5 to the upper layer 5, and the concentration of aluminum in the upper layer 5 is 10" to 10"/cj
The degree becomes smaller.
この結果、シリコン膜３とサファイア基板２との界面や
シリコン層３内におけるリーク電流の発生は抑制され、
また、シリコン層３に形成するＭＯＳトランジスタの闇
値の調整が容易になる。As a result, the occurrence of leakage current at the interface between the silicon film 3 and the sapphire substrate 2 and within the silicon layer 3 is suppressed.
Further, the dark value of the MOS transistor formed in the silicon layer 3 can be easily adjusted.
なお、上記した実施例においてはシリコン膜３の上から
レーザ光を直接照射するようしたが、シリコンＨ３の上
にシリコン酸化膜、窒化膜をそれぞれ５０ｎｍ、 １
００ｎ−程度積層し、これらの膜を通してシリコンＩＩ
！Ｊ３にレーザを照射することもできる。これによれば
、窒化膜は硬質膜であるため、シリコン膜３を熔融再結
晶化する際の膜厚の変化を抑えることができる。In the above embodiment, the laser beam was directly irradiated from above the silicon film 3, but a silicon oxide film and a nitride film were each formed on the silicon H3 with a thickness of 50 nm and 1.
00n- layer, and silicon II
! It is also possible to irradiate J3 with a laser. According to this, since the nitride film is a hard film, it is possible to suppress a change in film thickness when melting and recrystallizing the silicon film 3.
（ｂ）本発明の第２実施例の説明
第２図は、本発明の第２の実施例を示す断面図であって
、サファイア基板６の上にシリコン膜７を６０ｏｎ−成
長した後に、素子形成領域を第一の窒化Ｈ８で覆い、窒
化膜８から露出したシリコン層７を熱酸化して選択酸化
＃９を形成する（第２図（ａ） ）。(b) Description of the second embodiment of the present invention FIG. 2 is a sectional view showing the second embodiment of the present invention, in which a silicon film 7 is grown on a sapphire substrate 6 for 60 on- The formation region is covered with a first nitride H8, and the silicon layer 7 exposed from the nitride film 8 is thermally oxidized to form selective oxidation #9 (FIG. 2(a)).
次に、第一の窒化ｗ１８を燐酸により除去した後に、シ
リコン膜７及び選択酸化膜９の上にシリコン酸化膜（Ｓ
１０□膜）１０及び第二の窒化膜（Ｓｉｚ）１．１！り
１１をそれぞれ５０ｎｍ、１００ｎ１１程度積層する（
第２図（ｂ））。Next, after removing the first nitride w18 with phosphoric acid, a silicon oxide film (S
10□ film) 10 and second nitride film (Siz) 1.1! 11 layers each with a thickness of 50 nm and about 100n11 (
Figure 2(b)).
この後に、第１実施例と同様に、サファイア基板６の下
からレーザ光を照射してシリコンｌ！１７の層厚１２０
ｎｍの下層部を溶融再結晶化させ（第２図（Ｃ））、つ
いで、窒化膜１１ ＳｉＯ□膜１０を通してシリコン膜
３の上からレーザ光を照射してその上面から５０ｏｎ−
の深さまで再結晶化する（第２図（ｄ） ）。After this, similarly to the first embodiment, a laser beam is irradiated from below the sapphire substrate 6 to remove silicon l! 17 layer thickness 120
The lower layer of the silicon film 3 is melted and recrystallized (FIG. 2(C)), and then a laser beam is irradiated from above the silicon film 3 through the nitride film 11 and the SiO□ film 10, and 50 on-
(Fig. 2(d)).
そして、この後に窒化Ｍ１１を熱燐酸によって除去し、
シリコン１１７の素子形成領域に図示しないＭＯＳ）ラ
ンジスタ等の素子を形成する。After this, nitride M11 is removed with hot phosphoric acid,
Elements such as MOS transistors (not shown) are formed in the element formation region of the silicon 117.
このような工程によれば、レーザ光によってシリコンＭ
７を溶融する際に、第二の窒化膜１１によってシリコン
１１７の膜厚の変化が抑制される。According to such a process, silicon M is
When melting the silicon 7, the change in the thickness of the silicon 117 is suppressed by the second nitride film 11.
また、スポット照射法によりレーザ光を照射する場合に
は、選択酸化膜９の領域を飛び越してレーザ光を走査さ
せることになり、再結晶化処理の時間を短縮することが
可能になる６
なお、本実施例においては、ＳｉＯ□ＷＪ１０及び窒化
膜１１によってシリコンＷａ７を覆うようにしたが、こ
れを省いて直接シリコン膜７の上からレーザ光を当てる
ようにすることもできる。Furthermore, when laser light is irradiated using the spot irradiation method, the laser light is scanned over the area of the selective oxide film 9, which makes it possible to shorten the time for recrystallization processing6. In this embodiment, the silicon Wa 7 is covered with the SiO□ WJ 10 and the nitride film 11, but it is also possible to omit this and directly apply the laser beam onto the silicon film 7.
（ｃ）本発明のその他の実施例の説明
上記した第１．２実施例では、サファイア基板２．６の
上に形成されたシリコンｌ１１３．７の下層部にレーザ
光を照射してから、シリコン膜３．７の上層部にレーザ
光を当てるようにしたが、この逆の工程を行ってシリコ
ン膜３．７を溶融再結晶化することもできる。(c) Description of other embodiments of the present invention In the above-mentioned embodiment 1.2, after irradiating the lower layer of silicon l113.7 formed on the sapphire substrate 2.6 with a laser beam, Although the upper layer of the film 3.7 is irradiated with laser light, the silicon film 3.7 can also be melted and recrystallized by performing the reverse process.
即ち、シリコン膜３．７の上面から５０ｏｎ−の深さの
領域にｃｗ−Ａｒレーザ光を照射した後に、サファイア
基板２．６を通してシリコン膜の下層部にレーザ光を当
てるようにする。That is, after irradiating a region at a depth of 50 on- from the upper surface of the silicon film 3.7 with cw-Ar laser light, the laser light is applied to the lower layer of the silicon film through the sapphire substrate 2.6.
このような工程によれば、シリコン膜３．７の上層部を
再結晶化する際にアルミニウムが拡散することがなくな
り、アルミニウムによるリーク電流を大幅に低減するこ
とになる。According to such a step, aluminum is not diffused when recrystallizing the upper layer of the silicon film 3.7, and leakage current due to aluminum is significantly reduced.
また、上記した実施例では、工ぶルギービームとしてｃ
ｗ−Ａｒレーザ光を使用したが、ＡｒＦ。In addition, in the above-mentioned embodiment, c
Although w-Ar laser light was used, ArF.
ＦＬｒＦ又はルビー等のパルスレーザを用いることもで
きる。さらに、エネルギービームを照射する方法として
は、スポット照射法や帯照射法がある。Pulsed lasers such as FLrF or ruby can also be used. Furthermore, methods for irradiating energy beams include a spot irradiation method and a band irradiation method.
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、サファイア基板の上
に成長した半導体膜の上からエネルギービームを照射し
てその上層部を再結晶化する工程と、その下からエネル
ギービームを照射してその下層部を再結晶化する工程と
を設けたので、半導体膜の下層部を溶融再結晶化する際
にサファイア基板から侵入したアルミニウムを、その上
層部までに拡散することを抑えることができ、半導体層
に形成する素子の特性を向上することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, there are two steps: irradiating an energy beam from above on a semiconductor film grown on a sapphire substrate to recrystallize the upper layer, and irradiating an energy beam from below. This method suppresses the diffusion of aluminum that has penetrated from the sapphire substrate into the upper layer when melting and recrystallizing the lower layer of the semiconductor film. This makes it possible to improve the characteristics of elements formed in the semiconductor layer.
また、半導体層の上部を溶融再結晶化する際に半導体層
の上に窒化膜を形成するようにしたので、半導体層の溶
融による膜厚の変化を少なくすることができる。Furthermore, since the nitride film is formed on the semiconductor layer when the upper part of the semiconductor layer is melted and recrystallized, changes in film thickness due to melting of the semiconductor layer can be reduced.
さらに、半導体層を溶融再結晶化する場合に、素子分離
領域等に予め選択酸化膜を形成するようにしたので、エ
ネルギービームの照射領域を狭くすることができ、再結
晶化処理時間をその分だけ短くすることが可能になる。Furthermore, when melting and recrystallizing the semiconductor layer, a selective oxide film is formed in advance in the element isolation region, etc., so the area irradiated with the energy beam can be narrowed, and the recrystallization processing time can be reduced accordingly. It is possible to make it shorter.
第１図は、本発明の第１実施例の工程を示す断面図、
第２図は、本発明の第２実施例の工程を示す断面図、
第３図は、従来方法の一例を示す断面図である。
（符号の説明）
１・・・ＳＯ５基板、
２．６・・・サファイア基板、
３．７・・・シリコンｌｌ（半導体膜Ｉ）、４・・・下
層部、
５・・・上層部、
９・・・選択酸化膜、
１０・・・５ｉ（ｈｌ！、
ｌ
１・・・５ｉＪａ
膜。
出
願
人
富士通株式会社Fig. 1 is a sectional view showing the steps of the first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view showing the steps of the second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a sectional view showing an example of the conventional method. It is a diagram. (Explanation of symbols) 1... SO5 substrate, 2.6... Sapphire substrate, 3.7... Silicon II (semiconductor film I), 4... Lower layer part, 5... Upper layer part, 9 ...Selective oxide film, 10...5i (hl!, l1...5iJa film. Applicant Fujitsu Ltd.
Claims (4)
膜（３、７）の下層部に、該サファイア基板（２、６）
を通してエネルギービームを照射し、該半導体膜（３、
７）の下層部を溶融再結晶化する工程と、 前記半導体膜（３、７）の表面より少なくとも前記下層
部に達するようエネルギービームを照射し、該照射領域
であるの前記半導体膜（３、７）の上層部を溶融再結晶
化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。(1) The sapphire substrate (2, 6) is placed on the lower layer of the semiconductor film (3, 7) formed on the sapphire substrate (2, 6).
An energy beam is irradiated through the semiconductor film (3,
7) melting and recrystallizing the lower layer portion; irradiating an energy beam from the surface of the semiconductor film (3, 7) so as to reach at least the lower layer portion; 7) A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of melting and recrystallizing the upper layer.
膜（３、７）の上層部に、該半導体膜（３、７）の表面
よりエネルギービームを照射して該上層部を溶融再結晶
化する工程と、 前記サファイア基板（２、６）を通して、少なくとも前
記上層部に達するようエネルギービームを照射し、該照
射領域である前記半導体膜（３、７）の下層部を溶融再
結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。(2) The upper layer of the semiconductor film (3, 7) formed on the sapphire substrate (2, 6) is irradiated with an energy beam from the surface of the semiconductor film (3, 7) to melt and remelt the upper layer. a step of crystallizing, irradiating an energy beam through the sapphire substrate (2, 6) so as to reach at least the upper layer, and melting and recrystallizing the lower layer of the semiconductor film (3, 7) that is the irradiated area; A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:
り選択酸化膜（９）を形成した後に、前記エネルギービ
ームを照射することを特徴とする請求項１、２記載の半
導体装置の製造方法。(3) Manufacturing the semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the energy beam is irradiated after forming the selective oxide film (9) by selectively oxidizing the semiconductor film (7). Method.
されていることを特徴とする請求項１、２、３記載の半
導体装置の製造方法。(4) The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a nitride film (11) is laminated on the semiconductor film (7).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18504890A JPH0472615A (en) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18504890A JPH0472615A (en) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472615A true JPH0472615A (en) | 1992-03-06 |
Family
ID=16163886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18504890A Pending JPH0472615A (en) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472615A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106596A (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Nec Corp | Manufacture of thin film transistor |
| JP2006093212A (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method of forming polycrystal layer, semiconductor device, and its manufacturing method |
| JP2008153512A (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18504890A patent/JPH0472615A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106596A (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Nec Corp | Manufacture of thin film transistor |
| JP2006093212A (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method of forming polycrystal layer, semiconductor device, and its manufacturing method |
| JP2008153512A (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
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