JPH0471356B2 - - Google Patents
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- JPH0471356B2 JPH0471356B2 JP28449887A JP28449887A JPH0471356B2 JP H0471356 B2 JPH0471356 B2 JP H0471356B2 JP 28449887 A JP28449887 A JP 28449887A JP 28449887 A JP28449887 A JP 28449887A JP H0471356 B2 JPH0471356 B2 JP H0471356B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体チツプにインナーリードを接
続するボンデイング動作を行なうボンデイング装
置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a bonding device that performs a bonding operation for connecting inner leads to a semiconductor chip.
（従来の技術）
従来のボンデイング装置に関して第５図を参照
し説明する。ボンデイング装置は、フイルム基材
３のインナーリード４と、バンプ２が形成された
半導体チツプ１とに圧力を加えてこの両者を接続
するのに用いられる。この装置は、先端部にボン
デイング部材２５を有したボンデイング装置本体
２６と、このボンデイング装置本体２６を固定す
るボンデイング装置固定部材２７と、このボンデ
イング装置固定部材２７を固定するボンデイング
装置上下動用部材２８とを備えている。(Prior Art) A conventional bonding device will be described with reference to FIG. 5. The bonding device is used to apply pressure to the inner leads 4 of the film base material 3 and the semiconductor chip 1 on which the bumps 2 are formed to connect the two. This device includes a bonding device main body 26 having a bonding member 25 at the tip, a bonding device fixing member 27 for fixing the bonding device main body 26, and a bonding device vertical movement member 28 for fixing the bonding device fixing member 27. It is equipped with
ボンデイング部材２５は高い硬度性が要求され
るためダイヤモンド合成物からなり、ボンデイン
グ装置本体２６に接着されている。ボンデイング
装置本体２６はボンデイング装置固定部材２７に
固定ネジ３０によつて固定される。ボンデイング
装置固定部材２７はボンデイング装置上下動用部
材２８に固定されるが、傾き調整用固定ネジ２９
によつて取付角度の調整が可能である。ボンデイ
ング装置上下動用部材２８は、半導体チツプ１と
インナーリード４とに加圧するために上下動す
る。 Since the bonding member 25 is required to have high hardness, it is made of a diamond composite and is bonded to the bonding device main body 26. The bonding device main body 26 is fixed to the bonding device fixing member 27 with a fixing screw 30. The bonding device fixing member 27 is fixed to the bonding device vertical movement member 28, and the fixing screw 29 for adjusting the inclination is fixed to the bonding device vertical movement member 28.
The mounting angle can be adjusted by The bonding device vertically moving member 28 moves vertically to apply pressure to the semiconductor chip 1 and the inner leads 4.
ボンデイングを行なう際には、半導体チツプ１
に対して均一に加圧する必要がある。このために
は、半導体チツプ１とボンデイング部材２５にお
ける半導体チツプ１との接触面であるＡ面との平
行度が保たれていなければならない。この平行度
を調整するためには、ボンデイング装置上下動用
部材２８に対するボンデイング装置固定部材２７
の左右方向の取付角度を、傾き調整用固定ネジ２
９を用いて行なう。また、図示されていないがボ
ンデイング部材２７の前後方向の取付角度も同様
にネジを用いて行なう。 When performing bonding, the semiconductor chip 1
It is necessary to apply pressure evenly. For this purpose, parallelism between the semiconductor chip 1 and the surface A of the bonding member 25, which is the contact surface between the semiconductor chip 1 and the semiconductor chip 1, must be maintained. In order to adjust this parallelism, the bonding device fixing member 27 is connected to the bonding device vertical movement member 28.
Adjust the horizontal mounting angle of the
9. Further, although not shown, the attachment angle of the bonding member 27 in the front and back direction is similarly determined using screws.
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、傾き調整用固定ネジ２９を用いて半導
体チツプ１とボンデイング部材２５との平行度を
出すこの調整作業は、煩雑でしかも熟練と多大な
時間を要するという問題点があつた。しかも半導
体チツプ１の品質を変更するたびに半導体チツプ
１の大きさに合わせてボンデイング部材２５を取
り換えなければならず、その都度この調整作業を
しなければならない。さらに半導体チツプ１の品
種を変更しない場合であつても、ボンデイング作
業の繰り返しにより平行度に狂いが生じて調整し
なければならない場合もあり、装置稼働率、生産
性が著しく低下させられている。(Problem to be Solved by the Invention) However, this adjustment work for adjusting the parallelism between the semiconductor chip 1 and the bonding member 25 using the tilt adjusting fixing screw 29 is complicated and requires skill and a great deal of time. There was a problem. Moreover, each time the quality of the semiconductor chip 1 is changed, the bonding member 25 must be replaced to match the size of the semiconductor chip 1, and this adjustment work must be performed each time. Further, even if the type of semiconductor chip 1 is not changed, the parallelism may become distorted due to repeated bonding operations and must be adjusted, resulting in a significant decrease in equipment operating rate and productivity.
本発明は上記事情に鑑み、ボンデイング部材の
交換が容易で短時間で行なうことができ、さらに
半導体チツプとボンデイング部材との平行度の調
整作業が不要であるボンデイング装置を提供する
ことを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a bonding device in which the bonding member can be replaced easily and in a short time, and furthermore, there is no need to adjust the parallelism between the semiconductor chip and the bonding member. .
（問題点を解決するための手段）
上記目的は、インナーリードと半導体チツプ上
に形成されたバンプとを圧着して電気的に接続す
るボンデイング動作を行なうボンデイング装置に
おいて、
真空装置と、
前記真空装置に接続され、先端部により前記ボ
ンデイング動作を行なうボンデイング装置本体
と、
前記ボンデイング装置本体の先端部に着脱自在
であつて前記真空装置で真空吸引することにより
前記先端部に固定され、前記バンプと前記インナ
ーリードとを圧着するボンデイング部材とを備え
たことを特徴とするボンデイング装置によつて達
成される。
(Means for Solving the Problems) The above object is to provide a bonding apparatus that performs a bonding operation of crimping and electrically connecting inner leads and bumps formed on a semiconductor chip, comprising: a vacuum apparatus; and the vacuum apparatus. a bonding device main body that is connected to the tip and performs the bonding operation with its tip; and a bonding device main body that is detachably attached to the tip of the bonding device main body and that is fixed to the tip by vacuum suction with the vacuum device, and that connects the bump and the bonding device to the tip of the bonding device. This is achieved by a bonding device characterized by comprising a bonding member for crimping the inner lead.
（作用）
真空装置で真空吸引されて、ボンデイング装置
本体の先端部にボンデイング部材が固定される。
この後ボンデイング装置本体の先端部により半導
体チツプ上に形成されたバンプとインナーリード
とを圧着する。前記ボンデイング部材の前記ボン
デイング装置本体への着脱は、前記真空装置によ
り自在に行なわれる。(Function) The bonding member is fixed to the tip of the bonding device main body by vacuum suction by the vacuum device.
Thereafter, the bumps formed on the semiconductor chip and the inner leads are crimped by the tip of the bonding device body. The bonding member is freely attached to and detached from the bonding apparatus main body by the vacuum device.
（実施例）
以下、本発明を図示する実施例に基づいて詳述
する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an illustrative example.
まず、本発明の一実施例によるボンデイング装
置について、第１図を参照し説明する。従来の装
置を示す第５図と比較し、同一のものには同一番
号を付して説明を省略する。本装置はボンデイン
グ部材５と、このボンデイング部材５を先端に着
脱させることができるボンデイング装置本体６
と、ボンデイング装置上下動用部材７と、真空装
置８とを備えている。 First, a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In comparison with FIG. 5, which shows a conventional device, the same parts are given the same numbers and their explanation will be omitted. This device includes a bonding member 5 and a bonding device main body 6 to which the bonding member 5 can be attached and removed at the tip.
, a bonding device vertical movement member 7, and a vacuum device 8.
ボンデイング部材５は、半導体チツプ１の大き
さに合わせて異なる大きさのものが複数個用意さ
れている。ここで、Ａ面は加圧するために半導体
チツプ１とインナーリード４とに直接接触する平
面である。ボンデイング装置本体６は、先端部６
ａにボンデイング部材５を固定した後上下動して
半導体チツプ１とインナーリード４とに圧力を加
える。先端部６ａは、ボンデイング部材５を着脱
することが可能なような段付き構造となつてお
り、Ｃ面はボンデイング部材５のＢ面と接触する
平面である。このためＣ面はボンデイング部材５
のＢ面との密着性を良くするため平滑に仕上げら
れている。さらにそれぞれのボンデイング部材５
がボンデイング装置本体６に固定された場合に、
全てのボンデイング部材５のＡ面と半導体チツプ
１との平行度が常に確保されるようにボンデイン
グ部材５の加工精度で決定される所定の精度の範
囲内でこのＣ面と全てのボンデイング部材５は加
工されている。 A plurality of bonding members 5 of different sizes are prepared according to the size of the semiconductor chip 1. Here, the A side is a plane that directly contacts the semiconductor chip 1 and the inner leads 4 to apply pressure. The bonding device main body 6 has a tip portion 6
After the bonding member 5 is fixed to a, it is moved up and down to apply pressure to the semiconductor chip 1 and the inner leads 4. The tip portion 6a has a stepped structure that allows the bonding member 5 to be attached and removed, and the C surface is a plane that contacts the B surface of the bonding member 5. Therefore, the C surface is the bonding member 5.
It has a smooth finish to improve adhesion to the B side. Furthermore, each bonding member 5
is fixed to the bonding device main body 6,
In order to always ensure the parallelism between the A plane of all the bonding members 5 and the semiconductor chip 1, the C plane and all the bonding members 5 are Processed.
このボンデイング部材５のＢ面とボンデイング
装置本体６のＣ面とは、第２図に示されるような
非対称形状となつているため、相互に嵌合する際
における方向性は、一方向に規定されることとな
る。 Since the B surface of the bonding member 5 and the C surface of the bonding device main body 6 have an asymmetrical shape as shown in FIG. The Rukoto.
ボンデイング装置本体６には、Ｃ面に貫通した
真空路６ｂが設けられており、この真空路６ｂは
真空装置８に接続されている。真空装置８は、真
空路６ｂ内の空気を真空吸引してボンデイング部
材５をボンデイング装置本体６に固定させるため
のものである。ボンデイング装置上下動用部材７
は、ボンデイング装置本体６に上下動を与えるた
めのものである。 The bonding apparatus main body 6 is provided with a vacuum path 6b penetrating the C surface, and this vacuum path 6b is connected to a vacuum device 8. The vacuum device 8 is for fixing the bonding member 5 to the bonding device main body 6 by vacuum suctioning the air in the vacuum path 6b. Bonding device vertical movement member 7
is for giving vertical movement to the bonding device main body 6.
ボンデイング部材のなかから、半導体チツプ１
の大きさに適合したボンデイング部材５を選択
し、このＢ面とボンデイング装置本体６の先端部
６ａのＣ面とが接触するように嵌合させる。真空
装置８によりボンデイング装置本体６の真空路６
ｂ内部の空気を真空吸引し、ボンデイング部材５
をボンデイング装置本体６の先端に固定する。ボ
ンデイング装置上下動用部材７によりボンデイン
グ装置本体６が上下動し、半導体チツプ１とイン
ナーリード４とに加圧してボンデイングを行な
う。ボンデイング部材５の交換は、真空装置８の
オンオフにより容易に行なわれる。ボンデイング
部材５の平面Ａと半導体チツプ１との平行度はボ
ンデイング部材５を交換しても保たれており、調
整作業は不要である。 Among bonding materials, semiconductor chip 1
A bonding member 5 suitable for the size is selected and fitted so that the B side and the C side of the tip 6a of the bonding device main body 6 are in contact with each other. The vacuum path 6 of the bonding device main body 6 is opened by the vacuum device 8.
b Vacuum the air inside and remove the bonding member 5.
is fixed to the tip of the bonding device main body 6. The bonding apparatus main body 6 is moved up and down by the bonding apparatus vertical movement member 7, and pressure is applied to the semiconductor chip 1 and the inner leads 4 to perform bonding. The bonding member 5 can be easily replaced by turning the vacuum device 8 on and off. The parallelism between the plane A of the bonding member 5 and the semiconductor chip 1 is maintained even if the bonding member 5 is replaced, and no adjustment work is required.
このように本実施例によれば、半導体チツプ１
の品種を変える際にこの半導体チツプ１の大きさ
に適合したボンデイング部材５に交換する作業
は、きわめて容易で短時間に行なうことができ
る。さらにボンデイング部材５を交換する毎にボ
ンデイング部材５と半導体チツプ１との平行度を
調整する作業は不要であり、しかも一旦固定した
ボンデイング部材５と半導体チツプ１との平行度
に狂いが生じることはない。 In this way, according to this embodiment, the semiconductor chip 1
When changing the type of semiconductor chip 1, replacing the bonding member 5 with a bonding member 5 suitable for the size of the semiconductor chip 1 is extremely easy and can be done in a short time. Furthermore, there is no need to adjust the parallelism between the bonding member 5 and the semiconductor chip 1 every time the bonding member 5 is replaced, and there is no possibility that the parallelism between the bonding member 5 and the semiconductor chip 1 will be distorted once they are fixed. do not have.
本実施例では、ボンデイング部材５とボンデイ
ング装置本体６の先端部６ａとの方向性を規定す
るために、ボンデイング部材５のＢ面とボンデイ
ング装置本体６のＣ面とは非対称形状をしている
が、他の形状によるものであつてもよい。その一
例について、ボンデイング部材とボンデイング装
置本体の先端部６ａとの嵌合状態を示した断面図
である第３図と、第３図の下面図である第４図を
用いて説明する。ボンデイング装置本体１２の先
端部１２ａに固定ピン１２ｂが設けられており、
これがボンデイング部材１１の固定溝１１ａに嵌
合することによつて相互の方向性が規定される。 In this embodiment, in order to define the directionality between the bonding member 5 and the tip 6a of the bonding device main body 6, the B surface of the bonding member 5 and the C surface of the bonding device main body 6 have an asymmetrical shape. , may have other shapes. An example of this will be described with reference to FIG. 3, which is a sectional view showing a fitted state between the bonding member and the tip portion 6a of the bonding device main body, and FIG. 4, which is a bottom view of FIG. 3. A fixing pin 12b is provided at the tip 12a of the bonding device main body 12,
By fitting this into the fixing groove 11a of the bonding member 11, mutual directionality is defined.
さらに両者の気密性を上げるために、ボンデイ
ング部材１１の周囲に弾性体リング１３を用いて
いる。これらはいずれも一例であり、ボンデイン
グ部材とボンデイング装置本体の先端部との方向
性が規定されるものであれば他の構造によるもの
であつてもよい。またボンデイング装置本体６の
ボンデイング動作は、ボンデイング装置上下動用
部材７により与えられているが、ボンデイング装
置上下動用部材７を用いずにボンデイング装置本
体６自体が動作する構造であつてもよい。 Furthermore, an elastic ring 13 is used around the bonding member 11 to improve airtightness between the two. These are all examples, and other structures may be used as long as the directionality between the bonding member and the tip of the bonding device main body is defined. Furthermore, although the bonding operation of the bonding apparatus main body 6 is provided by the bonding apparatus vertical movement member 7, a structure may be adopted in which the bonding apparatus main body 6 itself operates without using the bonding apparatus vertical movement member 7.
以上説明したように本発明によるボンデイング
装置は、ボンデイング動作を行なうボンデイング
装置本体の先端部に着脱自在であつて、真空装置
により真空吸引されて前記先端部にボンデイング
部材が固定されるので、ボンデイングすべき半導
体チツプに適合したボンデイング部材への交換が
容易で、しかもボンデイング部材と半導体チツプ
との平行度を調整する作業が不要なため、作業効
率や生産性を著しく向上させることができる。
As explained above, the bonding device according to the present invention is detachably attached to the tip of the bonding device main body that performs the bonding operation, and the bonding member is fixed to the tip by vacuum suction by the vacuum device, so that the bonding device can perform the bonding operation. It is easy to replace the bonding member with one that is compatible with the semiconductor chip to be used, and there is no need to adjust the parallelism between the bonding member and the semiconductor chip, so work efficiency and productivity can be significantly improved.
第１図は本発明の一実施例のボンデイング装置
の構成を示す図、第２図は本発明の一実施例のボ
ンデイング装置のボンデイング装置本体の先端部
の構造を示す斜視図、第３図は本発明の他の実施
例のボンデイング装置のボンデイング装置本体の
先端部の構造を示す断面図、第４図は第３図の下
面図、第５図は従来のボンデイング装置の構成を
示す図である。
１……半導体チツプ、２……バンプ、３……フ
イルム基材、４……インナーリード、５……ボン
デイング部材、６……ボンデイング装置本体、６
ａ……先端部、６ｂ……真空路、７……ボンデイ
ング装置上下動用部材、８……真空装置、１１…
…ボンデイング部材、１１ａ……固定溝、１２…
…ボンデイング装置本体、１２ａ……先端部、１
２ｂ……固定ピン、１３……弾性体リング、２５
……ボンデイング部材、２６……ボンデイング装
置本体、２７……ボンデイング装置固定部材、２
８……ボンデイング装置上下動用部材、２９……
傾き調整用固定ネジ、３０……固定ネジ。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a bonding device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the tip of the bonding device main body of the bonding device according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a bottom view of FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram showing the structure of a conventional bonding device. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor chip, 2... Bump, 3... Film base material, 4... Inner lead, 5... Bonding member, 6... Bonding device main body, 6
a...Tip portion, 6b...Vacuum path, 7...Bonding device vertical movement member, 8...Vacuum device, 11...
...Bonding member, 11a...Fixing groove, 12...
...Bonding device main body, 12a...Tip part, 1
2b... Fixed pin, 13... Elastic ring, 25
... Bonding member, 26 ... Bonding device main body, 27 ... Bonding device fixing member, 2
8... Bonding device vertical movement member, 29...
Fixing screw for tilt adjustment, 30... Fixing screw.
Claims (1)
たバンプとを圧着して電気的に接続するボンデイ
ング動作を行なうボンデイング装置において、 真空装置と、 前記真空装置に接続され、先端部により前記ボ
ンデイング動作を行なうボンデイング装置本体
と、 前記ボンデイング装置本体の先端部に着脱自在
であつて前記真空装置で真空吸引することにより
前記先端部に固定され、前記バンプと前記インナ
ーリードとを圧着するボンデイング部材とを備え
たことを特徴とするボンデイング装置。 ２ 前記ボンデイング装置本体の先端部に前記ボ
ンデイング部材が固定されるための嵌合構造が形
成され、前記ボンデイング装置本体の先端部に前
記ボンデイング部材が固定された場合における前
記ボンデイング装置本体と前記ボンデイング部材
との間の寸法精度が、前記ボンデイング部材の加
工精度で決定される所定の精度の範囲内であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のボン
デイング装置。[Scope of Claims] 1. A bonding device that performs a bonding operation of crimping and electrically connecting an inner lead and a bump formed on a semiconductor chip, comprising: a vacuum device; a bonding device main body that performs the bonding operation; and a bonding device that is detachably attached to the tip of the bonding device main body, is fixed to the tip by vacuum suction by the vacuum device, and presses the bump and the inner lead. A bonding device comprising a member. 2. The bonding device body and the bonding member in the case where a fitting structure for fixing the bonding member to the tip end of the bonding device body is formed, and the bonding member is fixed to the tip end of the bonding device body. 2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the dimensional accuracy between the bonding member and the bonding member is within a predetermined accuracy determined by the processing accuracy of the bonding member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28449887A JPH01125944A (en) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Bonding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28449887A JPH01125944A (en) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Bonding device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125944A JPH01125944A (en) | 1989-05-18 |
| JPH0471356B2 true JPH0471356B2 (en) | 1992-11-13 |
Family
ID=17679293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28449887A Granted JPH01125944A (en) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Bonding device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125944A (en) |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28449887A patent/JPH01125944A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01125944A (en) | 1989-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |