JPH0468695B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はビデオテープレコーダ（以下VTRと
略称する）などに用いられる磁気記録再生装置の
磁気テープ摺接部材に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a magnetic tape sliding contact member for a magnetic recording/reproducing device used in a video tape recorder (hereinafter abbreviated as VTR).
VTRのように磁気テープ走行系を有する磁気
記録再生装置において、磁気テープとして蒸着テ
ープを使用する場合には、磁気テープ摺接部材の
摺接面に窒化チタンのようなセラミツクスをコー
テイングすると、良好なテープ走行性が得られる
ことは本発明者らにより明らかにされている。
When using a vapor-deposited tape as the magnetic tape in a magnetic recording/reproducing device having a magnetic tape running system such as a VTR, coating the sliding contact surface of the magnetic tape sliding contact member with ceramics such as titanium nitride will improve the performance. The present inventors have revealed that tape running properties can be obtained.
このようなセラミツクコーテイング層を得る方
法としては、電子ビーム蒸着法、反応性スパツタ
リング法、レーザビーム蒸着法等の物理蒸着法の
他に光CVD法等の化学蒸着法が使用されており、
通常のCVD法は用いられていない。その理由は、
上記４つの方法（電子ビーム蒸着法、反応性スパ
ツタリング法、レーザビーム蒸着法、光CVD法）
によるコーテイングプロセスにおいては、コーテ
イング中の基盤温度を200℃ないしそれ以下に保
持してもコーテイング可能なのに対し、通常の
CVD法によるコーテイングプロセスにおいては、
コーテイング中の基盤温度を700℃以上にしなけ
ればならないからである。つまり磁気記録再生装
置の磁気テープ摺接部材には装置の軽量化のた
め、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタ
ン合金等の軽金属が基材として使用されており、
これらの基材を200℃を越える温度に長時間保持
することは製品精度上好ましくないためである。 Methods for obtaining such ceramic coating layers include physical vapor deposition methods such as electron beam evaporation, reactive sputtering, and laser beam evaporation, as well as chemical vapor deposition methods such as optical CVD.
Conventional CVD methods are not used. The reason is,
The above four methods (electron beam evaporation method, reactive sputtering method, laser beam evaporation method, optical CVD method)
In the coating process, coating can be performed even if the substrate temperature during coating is maintained at 200℃ or lower, whereas
In the coating process using the CVD method,
This is because the substrate temperature during coating must be 700°C or higher. In other words, light metals such as aluminum alloys, magnesium alloys, and titanium alloys are used as base materials for the magnetic tape sliding contact members of magnetic recording and reproducing devices in order to reduce the weight of the devices.
This is because it is undesirable in terms of product accuracy to hold these base materials at temperatures exceeding 200°C for a long time.
一方、磁気テープ摺接部材の摺接面にセラミツ
クコーテイングを施すと、良好なテープ走行性が
得られるが、軽合金基材の線膨張係数はセラミツ
クコーテイング膜の線膨張係数に比べてかなり大
きいため、前記各方法により軽合金基材の表面に
セラミツクコーテング膜を形成したとしても、膜
に亀裂が発生し、膜が基材から剥離してしまうこ
とが多かつた。そのため、軽合金基材とセラミツ
クコーテイング膜との間にセラミツクを構成する
主要金属元素からなる膜を形成させ、セラミツク
膜の剥離を防止しているが、本発明者らの実験で
は剥離の程度は減少するものの完全に防止するに
は不十分であつた。 On the other hand, if a ceramic coating is applied to the sliding contact surface of a magnetic tape sliding contact member, good tape running properties can be obtained, but the linear expansion coefficient of the light alloy base material is considerably larger than that of the ceramic coating film. Even if a ceramic coating film was formed on the surface of a light alloy base material by each of the above-mentioned methods, cracks often occurred in the film and the film often peeled off from the base material. Therefore, a film made of the main metal elements constituting the ceramic is formed between the light alloy base material and the ceramic coating film to prevent the ceramic film from peeling off. However, in experiments conducted by the present inventors, the degree of peeling was Although it decreased, it was not enough to completely prevent it.
本発明の目的は、磁気記録再生装置の磁気テー
プとの摺接面にセラミツクコーテイング層を有す
る摺接部材において、セラミツクコーテング膜が
剥離し難い磁気テープ摺接部材を提供することに
ある。また本発明の他の目的は上記のような週接
部材を容易かつ安価に製造可能な方法を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magnetic tape sliding contact member having a ceramic coating layer on the sliding contact surface with a magnetic tape of a magnetic recording/reproducing device, in which the ceramic coating film is difficult to peel off. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the above-mentioned weekly contact member easily and inexpensively.
本発明は上記目的を達成するために次の如く構
成したことを特徴としている。すなわち、磁気テ
ープ走行系を有する磁気記録再生装置の磁気テー
プ摺接部材の摺接面に、金属元素からなる第１層
のコーテング層を形成し、この第１層の上に上記
第１層の金属元素を構成成分とするセラミツクス
からなる第２層のコーテイング層を形成し、前記
第１層と第２層との間に形成される境界層を、前
記金属元素の含有率が連続的乃至段階的に変化す
るものとしたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention is characterized by the following configuration. That is, a first coating layer made of a metal element is formed on the sliding contact surface of a magnetic tape sliding contact member of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, and the first coating layer is formed on this first layer. A second coating layer made of ceramics containing a metal element is formed, and a boundary layer formed between the first layer and the second layer is formed such that the content of the metal element is continuous or stepwise. It is characterized by the fact that it changes over time.
また本発明は前記摺接部材の基材の摺接面にセ
ラミツクコーテイング層を形成し、前記基材とセ
ラミツクコーテイング層との境界層にてセラミツ
クを構成する元素のうち、主要な金属元素の含有
率が連続的に変化するものとしたことを特徴とし
ている。 Further, the present invention provides a method in which a ceramic coating layer is formed on the sliding contact surface of the base material of the sliding contact member, and a boundary layer between the base material and the ceramic coating layer contains a main metal element among the elements constituting the ceramic. The feature is that the rate changes continuously.
さらに本発明は上記セラミツクコーテイング層
を反応性イオンプレーテイングにより形成する製
造プロセスにおいて、コーテイング初期における
反応ガスの真空槽内への導入量を連続的に変化さ
せることを特徴としている。 Furthermore, the present invention is characterized in that in the production process of forming the ceramic coating layer by reactive ion plating, the amount of reactive gas introduced into the vacuum chamber at the initial stage of coating is continuously changed.
第１図は本発明の一実施例におけるテープ走行
系を示す系統図である。第１図において、テープ
１０はカセツト１１内の供給リール１２より出
て、以下の経路をとる。
FIG. 1 is a system diagram showing a tape running system in an embodiment of the present invention. In FIG. 1, tape 10 emerges from supply reel 12 in cassette 11 and takes the following path.
カセツト内ポスト１３→カセツト内ポスト１４
→テンシヨンポスト１５→回転ローラ１６→傾斜
ポスト１７→回転ローラ１８→テープリーダ１９
→全幅消去ヘツド２０→テープガイド２１→ドラ
ム２２→傾斜ポスト２３→オーデイオ消去ヘツド
２４→オーデイオコントロールヘツド２５→ポス
ト２６→キヤプスタン２７およびピンチローラ２
８→カセツト内ポスト２９→カセツト内ポスト３
０。 Cassette inner post 13 → Cassette inner post 14
→ Tension post 15 → Rotating roller 16 → Inclined post 17 → Rotating roller 18 → Tape leader 19
→ Full-width erase head 20 → Tape guide 21 → Drum 22 → Inclined post 23 → Audio erase head 24 → Audio control head 25 → Post 26 → Capstan 27 and pinch roller 2
8 → Inner cassette post 29 → Inner cassette post 3
0.
テープ１０は以上の経路を経て巻取りリール３
１へ至ることになる。 The tape 10 passes through the above route and is delivered to the take-up reel 3.
This will lead to 1.
第２図ａ，ｂは上記ドラム２２の平面図および
側面図である。ドラム２２は上ドラム（本実施例
においては回転ドラム）４１と下ドラム（本実施
例においては固定ドラム）４２とから構成されて
いる。前記上ドラム４１はシヤフト４３が固定さ
れており、上ドラム４１はシヤフト４３と共に回
転するようになつている。また上記上ドラム４１
には一対の磁気ヘツド４４，４５が180°異なる位
置に図示の如く設けられている。また下ドラム４
２にはテープガイド４６が設けられており、この
テープガイド４６に沿つて磁気テープ（不図示）
は走行する。 Figures 2a and 2b are a plan view and a side view of the drum 22. The drum 22 is composed of an upper drum (a rotating drum in this embodiment) 41 and a lower drum 42 (a fixed drum in this embodiment). A shaft 43 is fixed to the upper drum 41, and the upper drum 41 rotates together with the shaft 43. In addition, the upper drum 41
A pair of magnetic heads 44 and 45 are provided at positions 180 degrees apart as shown in the figure. Also lower drum 4
2 is provided with a tape guide 46, and a magnetic tape (not shown) is inserted along this tape guide 46.
runs.
第３図および第４図は第２図ａのＦ部拡大図で
ある。第３図、第４図中４７チタン（Ti）層、
４８は境界層、４９は窒化チタン（TiN）層で
あり、第３図においてTi層４７の膜厚は0.4μｍ、
境界層４８の膜厚は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は
0.5μｍであり、第４図において境界層４８の膜厚
は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は0.4μｍである。こ
のようにドラム２２（上ドラム４１と下ドラム４
２あるいは上ドラム４１か下ドラム４２のいずれ
か）の表面には、セラミツクスによる膜が反応性
イオンプレーテイングにより被着されている。 3 and 4 are enlarged views of section F in FIG. 2a. 47 titanium (Ti) layers in Figures 3 and 4,
48 is a boundary layer, 49 is a titanium nitride (TiN) layer, and in FIG. 3, the thickness of the Ti layer 47 is 0.4 μm;
The thickness of the boundary layer 48 is 0.1 μm, and the thickness of the TiN layer 49 is
In FIG. 4, the thickness of the boundary layer 48 is 0.1 μm, and the thickness of the TiN layer 49 is 0.4 μm. In this way, the drum 22 (upper drum 41 and lower drum 4
A ceramic film is deposited on the surface of either the upper drum 41 or the lower drum 42 by reactive ion plating.
第５図は上記反応性イオンプレーテイングを行
なうイオンプレーテイング装置の構成を示す概略
図である。図中５１はベルジヤであり、このベル
ジヤ５１内において試料５２を串刺状に取付けた
試料取付台５３がモータ５４の動力で作動する回
転機構によつて図中矢印５３ａ方向に自転しなが
ら図中矢印５３ｂ方向に公転するものとなつてい
る。また上記試料取付台５３は基盤電圧電源５５
により負の電圧がかけられており、これにより試
料５２は負に帯電している。図中５６はTiを入
れた蒸発源であり、ビーム装置５７から矢印の如
くビームを当てることによりTiを蒸発させる。
また上記蒸発源５６の上方にはイオン化電源５８
に正の電圧が印加されているイオン化電極５９が
設けてあり、この電極５９により蒸発源５６とイ
オン化電極５８との間の空間がプラズマ状態とな
つて蒸発したTiはイオン化される。イオン化さ
れたTiは試料取付台５３に向かつて加速され、
高い運動エネルギーをもつて試料５２に衝突し、
Ti層を形成する。またガス系６０から反応ガス
としてN2ガスを導入すれば、N2ガスがプラズマ
状態となり、試料取付台５３に向かつて加速され
上記試料５２にTiN層が形成される。なおTi層
を形成したのちTiN層を形成する条件は、Ti層
のときイオン化電源を40V、基盤電圧300Vとし、
TiN層のときイオン化電源を40V、基盤電圧を
100Vとする。 FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of an ion plating apparatus for performing the above-mentioned reactive ion plating. Reference numeral 51 in the figure is a bell gear, and within this bell gear 51, a sample mount 53 on which a sample 52 is mounted in a skewer shape rotates in the direction of arrow 53a in the figure by a rotation mechanism operated by the power of a motor 54. It is designed to revolve in the direction of 53b. In addition, the sample mounting table 53 has a base voltage power supply 55.
A negative voltage is applied to the sample 52, so that the sample 52 is negatively charged. In the figure, reference numeral 56 denotes an evaporation source containing Ti, and Ti is evaporated by applying a beam from a beam device 57 as shown by the arrow.
Further, an ionization power source 58 is provided above the evaporation source 56.
An ionization electrode 59 to which a positive voltage is applied is provided, and the space between the evaporation source 56 and the ionization electrode 58 is brought into a plasma state by this electrode 59, and the evaporated Ti is ionized. The ionized Ti is accelerated toward the sample mount 53,
collides with the sample 52 with high kinetic energy,
Form a Ti layer. Further, when N 2 gas is introduced as a reaction gas from the gas system 60, the N 2 gas becomes a plasma state, is accelerated toward the sample mount 53, and a TiN layer is formed on the sample 52. The conditions for forming the TiN layer after forming the Ti layer are: when forming the Ti layer, the ionization power source is 40V, the substrate voltage is 300V,
When using a TiN layer, the ionization power supply is 40V, and the substrate voltage is
Set to 100V.
発明者らは上述したイオンプレーテイング装置
を用いてドラム２２に様々な条件でTi層および
TiN層を形成し、その膜の密着性をヒートサイ
クル試験により調べてみた。このヒートサイクル
試験というのは、高温に保持された槽と低温に保
持された槽の間を試料を入れた篭を往復させ、試
料の変化を調べる試験方法であり、今回は200℃
〜−70℃の間を、１サイクルを20分間として500
サイクル繰返し試験を行なつた。 The inventors used the above-mentioned ion plating apparatus to form a Ti layer and a Ti layer on the drum 22 under various conditions.
A TiN layer was formed and the adhesion of the film was examined using a heat cycle test. This heat cycle test is a test method that examines changes in the sample by moving a basket containing a sample back and forth between a tank kept at a high temperature and a tank kept at a low temperature.
~ -70℃, 500 times with one cycle being 20 minutes
A cycle repetition test was conducted.
第６図は第１例における表面状態の条件グラフ
である。この例においてはドラム２２の表面に
Ti層が形成され、そのTi層のすぐ上にTiN層が
形成されることになる。すなわち第４図中の境界
層４８がない場合である。つまりTi層４７が0.4μ
ｍあり、その上にTiN層４９が0.5μｍ形成される
ことになる。このような状態の膜を形成した場合
は、ドラム表面上にクラツクが生じ、部分的に剥
離してしまつた。上記クラツクはテープに傷をつ
けるため、画質劣化が起こつてしまう。したがつ
て第６図の条件では最適な膜が得られない。 FIG. 6 is a condition graph of the surface state in the first example. In this example, on the surface of the drum 22
A Ti layer will be formed and a TiN layer will be formed immediately above the Ti layer. That is, this is the case where there is no boundary layer 48 in FIG. In other words, the Ti layer 47 is 0.4μ
m, and a TiN layer 49 with a thickness of 0.5 μm is formed thereon. When a film in such a state was formed, cracks were generated on the drum surface and the film was partially peeled off. The above-mentioned cracks damage the tape, resulting in deterioration of image quality. Therefore, an optimal film cannot be obtained under the conditions shown in FIG.
第７図は第２例の表面状態の条件グラフを示す
図である。この場合、表面状態は第４図に示した
通りになる。つまりドラム２２の表面にTi層４
７が0.4μｍ形成され、その上にＳ層すなわち境界
層４８が0.1μｍコートされ、さらにその上にTiN
層４９が0.5μｍ形成されている。また境界層４８
は連続的にTiの量が変化している。このような
状態の膜を形成したときには、表面にクラツクが
発生せず、剥離等を問題が生じない。 FIG. 7 is a diagram showing a condition graph of the surface state of the second example. In this case, the surface condition will be as shown in FIG. In other words, the Ti layer 4 is on the surface of the drum 22.
7 is formed to a thickness of 0.4 μm, an S layer, that is, a boundary layer 48 is coated to a thickness of 0.1 μm, and a TiN
A layer 49 is formed to a thickness of 0.5 μm. Also, the boundary layer 48
The amount of Ti changes continuously. When a film in such a state is formed, no cracks occur on the surface, and problems such as peeling do not occur.
第８図は第３例の表面状態の条件グラフであ
る。この場合は、前記第２例と同様に第４図に示
す表面状態となるが、Ｓ層すなわち境界層４８が
段階的に変化している。このような状態の膜を形
成したときにもクラツクなどは発生せず、良質の
表面が得られる。 FIG. 8 is a condition graph of the surface state of the third example. In this case, the surface state shown in FIG. 4 is obtained as in the second example, but the S layer, that is, the boundary layer 48 changes in stages. Even when a film in such a state is formed, no cracks occur and a high quality surface is obtained.
第９図は第４例の表面状態の条件グラフを示す
図である。この場合の表面状態は第５図に示すよ
うになる。すなわち、Ti層をほとんど作らず、
そのまま連続的にTiの量を変化させ、TiN層４
９を形成している。このような状態の膜を形成し
たときにもクラツクなどは発生せず、良質の膜が
得られ、表面状態が良好になる。 FIG. 9 is a diagram showing a condition graph of the surface state of the fourth example. The surface condition in this case is as shown in FIG. In other words, almost no Ti layer is formed,
Continuously changing the amount of Ti, TiN layer 4
9 is formed. Even when a film in such a state is formed, no cracks occur, a high quality film is obtained, and the surface condition is good.
第１０図は第５例の表面状態の条件グラフであ
る。この場合も表面状態は第５図に示すようにな
る。すなわち初めからN2ガスを入れ、TiN層４
９まで段階的にTiの含有率を変化させている。
このような膜においても、クラツクは発生せず、
表面状態は良好である。 FIG. 10 is a condition graph of the surface state of the fifth example. In this case as well, the surface condition is as shown in FIG. In other words, N2 gas is introduced from the beginning, and the TiN layer 4 is
The Ti content is changed stepwise up to 9.
Even in such a film, no cracks occur,
The surface condition is good.
第１１図および第１２図はTiの含有率を変化
させる場合の条件グラフである。第１１図におい
ては、まず真空度を１×10-6TorrとしておきN2
ガスを導入する。そして約10分間かけてN2ガス
の導入量を徐々に増加させ、真空度を４×
10-4Torrまで連続的に変化させている。 FIG. 11 and FIG. 12 are graphs of conditions when changing the Ti content. In Figure 11, first, the degree of vacuum is set to 1 × 10 -6 Torr, and N 2
Introduce gas. Then, the amount of N2 gas introduced was gradually increased over about 10 minutes, and the degree of vacuum was increased to 4×.
It is continuously varied up to 10 -4 Torr.
第１２図においては、N2ガスの導入量を段階
的に増加させて真空度を0.5×10-4Torrを２分間、
１×10-4Torrを２分間、２×10-4Torrを２分間、
３×10-4Torrを２分間、４×10-4Torrを２分間
としたのち、５×10-4Torrとしている。 In Figure 12, the amount of N 2 gas introduced is increased step by step, and the degree of vacuum is maintained at 0.5×10 -4 Torr for 2 minutes.
1×10 -4 Torr for 2 minutes, 2×10 -4 Torr for 2 minutes,
3×10 -4 Torr for 2 minutes, 4×10 -4 Torr for 2 minutes, and then 5×10 -4 Torr.
このようにTiの含有量を連続的、不連続的に
変化させるという簡単な方法より表面にクラツク
が入ることのない良質の膜を有する摺接部材を安
価に得ることができる。 By this simple method of changing the Ti content continuously or discontinuously, it is possible to obtain a sliding contact member having a high-quality film without cracks on the surface at a low cost.
なお本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。たとえば本実施例では反応性イオンプレー
テイングにより膜の形成を行なつたが反応性スパ
ツタリングを用いることも可能である。また反応
ガスとして窒素ガスを用い、窒化チタン層を形成
したが、アセチレガスを導入して炭化チタンある
いは酸素ガスを導入して酸化チタンを形成するよ
うにしてもよい。さらに金属元素としては、チタ
ン以外に周期率表の族、族、ａ族、ａ
族、ａ族の元素を用いることができる。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in this embodiment, the film was formed by reactive ion plating, but reactive sputtering may also be used. Although the titanium nitride layer is formed using nitrogen gas as a reactive gas, titanium oxide may be formed by introducing acetylene gas and introducing titanium carbide or oxygen gas. In addition to titanium, other metal elements include groups of the periodic table, group a, group a,
Elements of groups A and A can be used.
磁気記録再生装置の磁気テープとの摺接面にセ
ラミツクコーテイングを有する摺接部材におい
て、前記摺接部材の軽金属基材とセラミツクコー
テイング膜との間もしくはセラミツクを構成する
主要金属元素からなるコーテイング膜とセラミツ
クコーテイング膜の当該金属元素の含有率が漸時
変化するように形成した境界層を設けるようにし
たので、従来のものに比べてセラミツク膜が剥離
しにくい摺接部材を提供できる。また本発明によ
れば、このような摺接部材を容易かつ安価に製造
可能な方法を提供できる。
In a sliding contact member having a ceramic coating on the sliding contact surface with a magnetic tape of a magnetic recording/reproducing device, a coating film made of a main metal element constituting the ceramic or between a light metal base material and a ceramic coating film of the sliding contact member. Since the boundary layer is formed so that the content of the metal element in the ceramic coating film gradually changes, it is possible to provide a sliding contact member in which the ceramic film is less likely to peel off compared to conventional ones. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method by which such a sliding contact member can be easily and inexpensively manufactured.
第１図は本発明の一実施例のテープ走行系を示
す図、第２図ａ，ｂはドラムの平面図および側面
図、第３図および第４図は上記ドラムの部分拡大
図、第５図はイオンプレーテイング装置の構成を
示す概略図、第６図〜第１０図はチタンの含有量
の変化を示す図、第１１図および第１２図は真空
度の変化を示す図である。
１０……磁気テープ、１３，１４，２９，３０
……カセツト内ポスト、１５……テンシヨンポス
ト、１７，２３……傾斜ポスト、２２……ドラ
ム、２６……ポスト、４７……Ti層、４８……
境界層、４９……TiN層、５１……チヤンバ、
５２……試料、５３……試料取付台、５４……回
転機構、５５……基盤電圧電源、５６……蒸発
源、５７……ビーム装置、５８……イオン化電
源、５９……イオン化電極、６０……ガス系。
FIG. 1 is a diagram showing a tape running system according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2a and 2b are a plan view and a side view of the drum, FIGS. 3 and 4 are partially enlarged views of the drum, and FIG. The figure is a schematic diagram showing the configuration of the ion plating apparatus, FIGS. 6 to 10 are diagrams showing changes in titanium content, and FIGS. 11 and 12 are diagrams showing changes in the degree of vacuum. 10...magnetic tape, 13, 14, 29, 30
... Post in cassette, 15 ... Tension post, 17, 23 ... Inclined post, 22 ... Drum, 26 ... Post, 47 ... Ti layer, 48 ...
Boundary layer, 49...TiN layer, 51...Chamber,
52...Sample, 53...Sample mount, 54...Rotation mechanism, 55...Base voltage power supply, 56...Evaporation source, 57...Beam device, 58...Ionization power supply, 59...Ionization electrode, 60 ...Gas type.
Claims (1)
の磁気テープと摺接する部材において、上記部材
の摺接面に形成された金属元素からなる第１層の
コーテイング層と、このコーテイング層の外側に
形成され前記第１層の金属元素を構成成分とする
セラミツクスからなる第２層のコーテイング層
と、前記第１層と第２層との間に形成される境界
層とを具備し、前記境界層は金属元素の含有率が
連続的乃至段階的に変化していることを特徴とす
る磁気テープ摺接部材。 ２ 前記第１層の金属元素は、周期率表の族、
族、ａ族、ａ族、ａ族の元素の少なくと
も一つを主要な成分として含む特許請求の範囲第
１項記載の磁気テープ摺接部材。 ３ 前記第１層の金属元素は、チタンである特許
請求の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ４ 前記第２層のセラミツクスは、前記第１層の
金属元素の窒化物、炭化物、酸化物の少なくとも
一つを主要な成分として含む特許請求の範囲第１
項記載の磁気テープ摺接部材。 ５ 前記第２層のセラミツクスは、チタンの窒化
物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成
分として含む特許請求の範囲第１項記載の磁気テ
ープ摺接部材。 ６ 前記第１層の金属元素がチタンであり、前記
第２層のセラミツクが窒化チタンである特許請求
の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ７ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、単調に減少している特許請求の
範囲第１項記載の磁気テープ摺接部剤。 ８ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、直線的に減少している特許請求
の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ９ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、段階的に減少し、その段階が少
なくとも３段階である特許請求の範囲第１項記載
の磁気テープ摺接部材。 １０ 前記第１層はイオンプレーテイングにより
形成され、前記第２層は反応性イオンプレーテン
グにより形成される特許請求の範囲第１項記載の
磁気テープ摺接部材。 １１ 磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装
置の磁気テープと摺接する部材において、上記部
材の基材の摺接面にセラミツクコーテイング層を
有し、上記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層にてセラミツクを構成する元素のうち主要
な金属元素の含有率が連続的に変化していること
を特徴としている磁気テープ摺接部材。 １２ 前記セラミツクコーテイング層を構成する
元素のうち主要な金属元素は、周期率表の族、
族、ａ族、ａ族、ａ族の元素の少なくと
も一つである特許請求の範囲第１１項記載の磁気
テープ摺接部材。 １３ 前記セラミツクコーテイング層は、窒化
物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成
分とする特許請求の範囲第１１項記載の磁気テー
プ摺接部材。 １４ 前記セラミツクコーテイング層は、チタン
の窒化物である特許請求の範囲第１１項記載の磁
気テープ摺接部材。 １５ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、単調に減少している
特許請求の範囲第１１項記載の磁気テープ摺接部
材。 １６ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、直線的に減少してい
る特許請求の範囲第１１項記載の磁気テープ摺接
部材。 １７ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、段階的に減少し、そ
の段階が少なくとも３段階である特許請求の範囲
第１１項記載の磁気テープ摺接部材。 １８ 前記セラミツクコーテイング層は反応性イ
オンプレーテイングにより形成される特許請求の
範囲第１１項記載の磁気テープ摺接部材。 １９ 磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装
置の磁気テープと摺接し、摺接面にセラミツクコ
ーテイング層を有する摺接部材のセラミツクコー
テイング層を、反応性イオンプレーテイングによ
つて形成する製造プロセスにおいて、コーテイン
グ初期における反応ガスの真空槽内への導入量を
連続的に変化させることを特徴とする磁気テープ
摺接部材の製造方法。 ２０ 前記コーテイング初期における反応ガスの
真空槽内への導入量を、単調に増大、もしくは直
線的に増大、もしくは段階的に増大し、その段階
が少なくとも３段階である特許請求の範囲第１９
項記載の磁気テープ摺接部材の製造方法。 ２１ 前記真空槽内へ導入される反応ガスは、窒
素ガス、アセチレンガス、酸素ガスの少なくとも
一つである特許請求の範囲第１９項記載の磁気テ
ープ摺接部材の製造方法。[Scope of Claims] 1. A member in sliding contact with a magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, comprising: a first coating layer made of a metal element formed on the sliding surface of the member; A second coating layer formed on the outside of the layer and made of ceramics containing the metal element of the first layer, and a boundary layer formed between the first layer and the second layer. . A magnetic tape sliding contact member, wherein the boundary layer has a metal element content that changes continuously or stepwise. 2 The metal element of the first layer is a group of the periodic table,
2. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, which contains at least one of the elements of Group A, Group A, Group A, Group A, and Group A as a main component. 3. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the metal element of the first layer is titanium. 4. The ceramic of the second layer contains as a main component at least one of nitride, carbide, and oxide of the metal element of the first layer.
The magnetic tape sliding contact member described in Section 1. 5. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the second layer of ceramic contains at least one of titanium nitride, carbide, and oxide as a main component. 6. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the metal element of the first layer is titanium, and the ceramic of the second layer is titanium nitride. 7. The magnetic tape sliding contact material according to claim 1, wherein the content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer monotonically decreases. 8. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer decreases linearly. 9. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer decreases in steps, and the steps are at least three steps. 10. The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, wherein the first layer is formed by ion plating, and the second layer is formed by reactive ion plating. 11 In a member that comes into sliding contact with a magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, a ceramic coating layer is provided on the sliding contact surface of the base material of the member, and a boundary layer between the base material and the ceramic coating layer is provided. A magnetic tape sliding contact member characterized in that the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic changes continuously. 12 Among the elements constituting the ceramic coating layer, the main metal elements belong to the groups of the periodic table,
12. The magnetic tape sliding contact member according to claim 11, which is at least one element of group A, group a, group a, group a. 13. The magnetic tape sliding contact member according to claim 11, wherein the ceramic coating layer contains at least one of nitride, carbide, and oxide as a main component. 14. The magnetic tape sliding contact member according to claim 11, wherein the ceramic coating layer is a titanium nitride. 15. The magnetic tape sliding member according to claim 11, wherein the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer monotonically decreases. 16. The magnetic tape sliding contact member according to claim 11, wherein the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer decreases linearly. . 17. Claim 11, wherein the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer decreases in stages, and the number of stages is at least three stages. The magnetic tape sliding contact member described above. 18. The magnetic tape sliding contact member according to claim 11, wherein the ceramic coating layer is formed by reactive ion plating. 19 In a manufacturing process for forming a ceramic coating layer of a sliding contact member having a ceramic coating layer on the sliding contact surface by reactive ion plating, which is in sliding contact with a magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, A method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member, characterized by continuously changing the amount of reactive gas introduced into a vacuum chamber at the initial stage of coating. 20 Claim 19, wherein the amount of reaction gas introduced into the vacuum chamber at the initial stage of coating is increased monotonically, linearly, or stepwise, and the number of steps is at least three.
A method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member as described in 2. 21. The method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member according to claim 19, wherein the reactive gas introduced into the vacuum chamber is at least one of nitrogen gas, acetylene gas, and oxygen gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056483A JPS60138758A (en) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | Magnetic tape sliding member and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056483A JPS60138758A (en) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | Magnetic tape sliding member and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138758A JPS60138758A (en) | 1985-07-23 |
| JPH0468695B2 true JPH0468695B2 (en) | 1992-11-04 |
Family
ID=17209766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25056483A Granted JPS60138758A (en) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | Magnetic tape sliding member and its manufacture |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138758A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202350A (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Hitachi Ltd | Sliding contact member for magnetic tape |
| JPH0346150A (en) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Sharp Corp | Magnetic recording and reproducing device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095755A (en) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Toshiba Corp | Wear-resistant parts |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25056483A patent/JPS60138758A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095755A (en) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Toshiba Corp | Wear-resistant parts |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60138758A (en) | 1985-07-23 |
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