JPS60138758A - Magnetic tape sliding member and its manufacture - Google Patents

Magnetic tape sliding member and its manufacture

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JPS60138758A
JPS60138758A JP25056483A JP25056483A JPS60138758A JP S60138758 A JPS60138758 A JP S60138758A JP 25056483 A JP25056483 A JP 25056483A JP 25056483 A JP25056483 A JP 25056483A JP S60138758 A JPS60138758 A JP S60138758A
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layer
magnetic tape
sliding contact
contact member
ceramic
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Toshihito Kawachi
河内 利仁
Motoyasu Momoki
百木 元康
Hiroyuki Yamamoto
博之 山本
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Abstract

PURPOSE:To prevent exfoliation of ceramic coating film by constituting the film so as to change continuously whose content rate of a metallic element of the boundary layer provided between the coating film and the ceramic coating film. CONSTITUTION:A sample fitting base 53 fitted with a sample 52 in a tendem form in a bell jar 51 is revoluted in a direction of arrow 53b while being rotated in the direction of arrow 53a with the turning mechanism activated with the torque of a motor 54, a negative voltage is applied to the fitting base 53 by a power supply 55 and the sample 52 is charged negatively. An ionizing electrode 59 applied with a positive voltage by a power supply 58 is provided to the upper part of an evaporation source 56 from which Ti is evaporated by applying a beam shown in the arrow from the beam device 57, the space between the source 56 and the electrode 59 is brought into plasma state, the evaporated Ti is ionized and collides with the sample 52 to form a Ti layer. In introducing a reaction N2 gas from a gas system 60, the gas is brought into the plasma state, accelerated toward the fitting base 53 and the TiN layer is formed to the sample 52.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はビデオテープレコーダ(以下VTRと略称する
)などに用いられる磁気記録再生装置の磁気テープ摺接
部材に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a magnetic tape sliding contact member for a magnetic recording/reproducing device used in a video tape recorder (hereinafter abbreviated as VTR) or the like.

(従来技術〕 VTRのように磁気テープ走行系を有する磁気配録再生
装置において、磁気テープとして蒸着テープを使用する
場合には、磁気テープ摺接部材の摺接面に窒化チタンの
ようなセラミックスをコーティングすると、良好なテー
プ走行性が得られることは本発明者らにより明らかにさ
れている。
(Prior art) When using a vapor-deposited tape as the magnetic tape in a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system such as a VTR, ceramics such as titanium nitride are coated on the sliding contact surface of the magnetic tape sliding member. The present inventors have revealed that coating provides good tape running properties.

このようなセラミックコーティング層を得る方法として
は、電子ビーム蒸着法、反応性スパッタリング法、レー
ザビーム蒸着法等の物理蒸着法の他に光CVD法等の化
学蒸着法が使用されており、通常のCVD法は用いられ
ていない。その理由は、上記4つの方法(電子ビーム蒸
着法、反応性スパッタリング法、レーザビーム蒸着法、
光CVD法)によるコーティングプロセスにおいては、
コーティング中の基盤温度を200’ Cないしそれ以
下に保持してもコーティング可能なのに対し、通常のC
VD法によるコーティングプロセスにおいては、コーテ
ィング中の基盤温度を700’C以上にしなければなら
ないからである。つまり磁気記録再生装置の磁気テーブ
摺接部材には装置の軽量化のため、アルミニウム合金,
マグネシウム合金,チタン合金等の軽金属が基材として
使用されており、これらの基材を200゜Cを越える温
度に長時間保持することは製品精度上好ましくないため
である。
Methods for obtaining such ceramic coating layers include physical vapor deposition methods such as electron beam evaporation, reactive sputtering, and laser beam evaporation, as well as chemical vapor deposition methods such as photoCVD. CVD method was not used. The reason is that the above four methods (electron beam evaporation method, reactive sputtering method, laser beam evaporation method,
In the coating process using photo-CVD method,
While it is possible to coat even if the substrate temperature during coating is maintained at 200'C or lower, normal C
This is because in the coating process using the VD method, the substrate temperature during coating must be 700'C or higher. In other words, in order to reduce the weight of the device, aluminum alloy is used for the magnetic tape sliding member of the magnetic recording and reproducing device.
Light metals such as magnesium alloys and titanium alloys are used as base materials, and it is undesirable from the viewpoint of product accuracy to hold these base materials at temperatures exceeding 200° C. for long periods of time.

一方、磁気テーブ摺接部材の摺接面にセラミックコーテ
ィングを施すと、良好なテープ走行性が得られるが、軽
合金基材の線膨脹係数はセラミックコーティング膜の線
膨脹係数に比べてかなり大きいため、前記各方法により
軽合金基材の表面にセラミックコーティング膜を形成し
たとしても、膜に亀裂が発生し、膜が基材から剥離して
しまうことが多かった。そのため、軽合金基材とセラミ
ツクコーティング膜との間にセラミックを構成する主要
金属元素からなる膜を形成させ、セラミック膜の剥離を
防止しているが、本発明者らの実験では剥離の程度は減
少するものの完全に防止するには不十分であった。
On the other hand, if a ceramic coating is applied to the sliding contact surface of a magnetic tape sliding member, good tape running properties can be obtained, but the linear expansion coefficient of the light alloy base material is considerably larger than that of the ceramic coating film. Even if a ceramic coating film was formed on the surface of a light alloy base material by each of the above-mentioned methods, cracks often occurred in the film and the film peeled off from the base material. Therefore, a film made of the main metal elements that make up the ceramic is formed between the light alloy base material and the ceramic coating film to prevent the ceramic film from peeling off. However, in experiments conducted by the present inventors, the degree of peeling was Although it decreased, it was not enough to completely prevent it.

〔目的〕〔the purpose〕

本発明の目的は、磁気記録再生装置の磁気テープとの摺
接面にセラミックコーティング層を有する摺接部材にお
いて、セラミックコーティング膜が剥離し難い磁気テー
プ摺接部材を提供することにある。また本発明の他の目
的は上記のような摺接部材を容易かつ安価に製造可能な
方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic tape sliding contact member having a ceramic coating layer on the sliding contact surface with a magnetic tape of a magnetic recording/reproducing device, in which the ceramic coating film is difficult to peel off. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the sliding contact member as described above easily and at low cost.

〔概要〕〔overview〕

本発明は上記目的を達成するために次の如く構成したこ
とを特徴としている。すなわち、磁気テープ走行系を有
する磁気記録再生装置の磁気テープ摺接部材の摺接面に
、金属元素からなる第1層のコーティング層を形成し、
この第1層の上に上記第1層の金属元素を構成成分とす
るセラミックスからなる第2層のコーティング層を形成
し、前記第1層と第2層との間に形成される境界層を、
前記金属元素の含有率が連続的に変化するものとしたこ
とを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention is characterized by the following configuration. That is, a first coating layer made of a metal element is formed on the sliding contact surface of a magnetic tape sliding contact member of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system,
A second coating layer made of ceramic containing the metal element of the first layer is formed on the first layer, and a boundary layer formed between the first layer and the second layer is formed. ,
It is characterized in that the content of the metal element changes continuously.

また本発明は前記摺接部材の基材の摺接面にセラミック
コーティング層を形成し、前記基材とセラミックコーテ
ィング層との境界層にてセラミックを構成する元素のう
ち、主要な金属元素の含有率が連続的に変化するものと
したことを特徴−としている。
The present invention also provides a ceramic coating layer formed on the sliding contact surface of the base material of the sliding contact member, and a boundary layer between the base material and the ceramic coating layer containing a main metal element among the elements constituting the ceramic. The feature is that the rate changes continuously.

さらに本発明は上記セラミックコーティング層を反応性
イオンプレーティングにより形成する製造プロセスにお
いて、コーティング初期における反応ガスの真空槽内へ
の導入量を連続的に変化させることを特徴としている。
Furthermore, the present invention is characterized in that in the manufacturing process of forming the ceramic coating layer by reactive ion plating, the amount of reactive gas introduced into the vacuum chamber at the initial stage of coating is continuously changed.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例におけるテープ走行系を示す
系統図である。第1図において、テーブ10はカセット
11内の供給リール12より出て、以下の経路をとる。
FIG. 1 is a system diagram showing a tape running system in an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the tape 10 emerges from the supply reel 12 in the cassette 11 and takes the following path.

カセット内ポスト13→カセット内ポスト14→テンシ
ョンボスト15→回転ローラ16→傾斜ポスト17→回
転ローラ18→テーブリーダ19→全幅消去ヘッド20
→テープガイド21→ドラム22→傾斜ポスト23→オ
ーディオ消去ヘッド24→オーディオコントロールヘッ
ド25→ボスト26→キャプスタン27およびピンチ口
ーラ28→カセット内ポスト29→カセット内ポスト3
00 テープ10は以上の経路を経て巻取りリール31へ至る
ことになる。
Cassette inner post 13 → Cassette inner post 14 → Tension post 15 → Rotating roller 16 → Inclined post 17 → Rotating roller 18 → Table reader 19 → Full width erasing head 20
→ Tape guide 21 → Drum 22 → Inclined post 23 → Audio erase head 24 → Audio control head 25 → Post 26 → Capstan 27 and pinch hole 28 → Inner cassette post 29 → Inner cassette post 3
00 The tape 10 reaches the take-up reel 31 via the above-described route.

第2図(a)(b)は上記ドラム22の平面図および側
面図である。ドラム22は上ドラム(本実施例において
は回転ドラム)41と下ドラム(本実施例においては固
定ドラム)42とから構成されている。前記上ドラム4
1はシャフト43が固定されており、上ドラム41はシ
ャフト43と共に回転するようになっている。また上記
上ドラム41には一対の磁気ヘッド44.45が180
゜異なる位置に図示の如く設けられている。また下ドラ
ム42にはテープガイド46が設けられており、このテ
ープガイド46に沿って磁気テープ(不図示)は走行す
る。
FIGS. 2(a) and 2(b) are a plan view and a side view of the drum 22. The drum 22 is composed of an upper drum (a rotating drum in this embodiment) 41 and a lower drum 42 (a fixed drum in this embodiment). The upper drum 4
1 has a fixed shaft 43, and the upper drum 41 rotates together with the shaft 43. Further, on the upper drum 41, a pair of magnetic heads 44.45 are mounted at 180 mm.
゜They are provided at different positions as shown. Further, a tape guide 46 is provided on the lower drum 42, and a magnetic tape (not shown) runs along this tape guide 46.

第3図および第4図は第2図(a)のF部拡大図である
。第3図、第4図中47はチタン(T1)層、48は境
界層、49は窒化チタン(TiN)層であり、第3図に
おいて11層47の膜厚は0゜4 μm、境界層48の
膜厚はo、 1μm、 TaN層49の膜厚は0.5μ
mであり、第4図において境界層48の膜厚は0.1μ
m、TiN層49の膜厚は0.4μmである。このよう
にドラム22(上ドラム41と下ドラム42あるいは上
ドラム41か下ドラム42のいずれか)の表面には、セ
ラミックスによる膜が反応性イオンブレーティングによ
り被着されている。
3 and 4 are enlarged views of section F in FIG. 2(a). In FIGS. 3 and 4, 47 is a titanium (T1) layer, 48 is a boundary layer, and 49 is a titanium nitride (TiN) layer. In FIG. The film thickness of 48 is o, 1 μm, and the film thickness of TaN layer 49 is 0.5 μm.
m, and the thickness of the boundary layer 48 in FIG. 4 is 0.1μ.
m, and the film thickness of the TiN layer 49 is 0.4 μm. In this way, a ceramic film is applied to the surface of the drum 22 (the upper drum 41 and the lower drum 42, or either the upper drum 41 or the lower drum 42) by reactive ion blasting.

第5図は上記反応性イオンブレーティングを行なうイオ
ンブレーティング装置の構成を示す概略図である。図中
51はベルジャであり、このベルジャ51内において試
料52を串刺状に取付けた試料取付台53がモータ54
の動力で作動する回転曙構によって図中矢印53a方向
に自転しながら図中矢印53b方向に公転するものとな
っている。また上記試料取付台53は基盤電圧電源55
により負の電圧がかけられており、これにより試料52
は負に帯電している。図中56はTiを入れた蒸発源で
あり、ビーム装置57がら矢印の如くビームを当てるこ
とによりTiを蒸発させる。
FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of an ion blating device that performs the above-mentioned reactive ion blating. In the figure, reference numeral 51 indicates a bell jar, and within this bell jar 51, a sample mount 53 on which a sample 52 is mounted in a skewer shape is connected to a motor 54.
The rotating mechanism operated by the power of 1 rotates in the direction of arrow 53a in the figure and revolves in the direction of arrow 53b in the figure. In addition, the sample mounting table 53 has a base voltage power supply 55.
A negative voltage is applied to the sample 52.
is negatively charged. In the figure, reference numeral 56 denotes an evaporation source containing Ti, and Ti is evaporated by applying a beam from a beam device 57 as shown by the arrow.

また上記蒸発源56の上方にはイオン化電源58により
正の電圧が印加されているイオン化電極59が設けてあ
り、この電極59により蒸発源56とイオン化電極58
との間の空間がプラズマ状態となって蒸発したTiはイ
オン化される。イオン化されたTiは試料取付台53に
向がって加速され、高い運動エネルギーをもって試料5
2に衝突し、Ti層を形成する。またガス系60がら反
応ガスとしてN2ガスを導入すれば、N2ガスがプラズ
マ状態となり、試料取付台53に向かって加速され上記
試料52にTiN層が形成される。なおTi層を形成し
たのちTiN層を形成する条件は、T1層のときイオン
化電源を40V、基盤電圧を300Vとし、TiN層の
ときイオン化電源を40■、基盤電圧を100Vとする
Further, an ionization electrode 59 to which a positive voltage is applied by an ionization power source 58 is provided above the evaporation source 56, and this electrode 59 connects the evaporation source 56 and the ionization electrode 58.
The space between the two becomes a plasma state, and the evaporated Ti is ionized. The ionized Ti is accelerated toward the sample mount 53 and is attached to the sample 5 with high kinetic energy.
2 to form a Ti layer. Further, when N2 gas is introduced as a reaction gas into the gas system 60, the N2 gas becomes a plasma state, is accelerated toward the sample mount 53, and a TiN layer is formed on the sample 52. The conditions for forming the TiN layer after forming the Ti layer are: for the T1 layer, the ionization power source is 40V and the substrate voltage is 300V; for the TiN layer, the ionization power source is 40V and the substrate voltage is 100V.

発明者らは上述したイオンブレーティング装置を用いて
ドラム22に様々な条件でTi層およびTiN層を形成
し、その膜の密着性をヒートサイクル試験により調べて
みた。このヒートサイクル試験というのは、高温に保持
された槽と低温に保持された槽の間を試料を入れた籠を
往復させ、試料の変化を調べる試験方法であり、今回は
260°C〜−70’Cの間を、1サイクルを20分間
として500サイクル繰返し試訣を行なった。
The inventors formed a Ti layer and a TiN layer on the drum 22 under various conditions using the ion blating apparatus described above, and examined the adhesion of the films by a heat cycle test. This heat cycle test is a test method in which a basket containing a sample is moved back and forth between a tank kept at a high temperature and a tank kept at a low temperature to examine changes in the sample. A test was carried out by repeating 500 cycles at 70'C with each cycle lasting 20 minutes.

第6図は第1例における表面状態の条件グラフである。FIG. 6 is a condition graph of the surface state in the first example.

この例においてはドラム22の表面にT(層が形成され
、そのTi層のすぐ上にTiN層が形成されることにな
る。すなわち第4図中の境界層48がなくない場合であ
る。つまり11層47が0.4層mあり、その上にTi
N層49が0゜5μm形成されることになる。このよう
な状態の膜を形成した場合は、ドラム表面上にクラック
が生じ、部分的に剥離してしまった。上記タラツクはテ
ープに傷をつけるため、画質劣化が起こってしまう。し
たがって第6図の条件では最適な躾が得られない。
In this example, a T (layer) is formed on the surface of the drum 22, and a TiN layer is formed immediately above the Ti layer. In other words, this is the case where the boundary layer 48 in FIG. 4 is not eliminated. There are 0.4 m of 11 layers 47, and Ti
An N layer 49 is formed to a thickness of 0.5 μm. When a film in such a state was formed, cracks were generated on the drum surface and the film was partially peeled off. The above-mentioned scratches damage the tape, resulting in deterioration of image quality. Therefore, optimal discipline cannot be obtained under the conditions shown in Figure 6.

第7図は第2例の表面状態の条件グラフを示す図である
。この場合、表面状態は第4図に示した通りになる。つ
まりドラム22の表面に11層47が0.4μm形成さ
れ、その上に8層すなわち境界層48が0.1μmコー
トされ、さらにその上にTiN層49が0.5μm形成
されている。
FIG. 7 is a diagram showing a condition graph of the surface state of the second example. In this case, the surface condition will be as shown in FIG. That is, 11 layers 47 are formed on the surface of the drum 22 to a thickness of 0.4 .mu.m, 8 layers, ie, a boundary layer 48 are coated thereon to a thickness of 0.1 .mu.m, and a TiN layer 49 is further formed to a thickness of 0.5 .mu.m thereon.

また境界層48は連続的にTiの量が変化している。こ
のような状態の膜を形成したときには、表面にクラック
が発生せず、剥離等の問題点が生じない。
Further, the amount of Ti in the boundary layer 48 changes continuously. When a film in such a state is formed, no cracks occur on the surface and problems such as peeling do not occur.

第8図は第3例の表面状態の条件グラフである。FIG. 8 is a condition graph of the surface state of the third example.

この場合は、前記第2例と同様に第4図に示す表面状態
となるが、8層すなわち境界層48が段階的に変化して
いる。このような状態の膜を形成したときにもクラック
などは発生せず、良質の表面が得られる。
In this case, the surface state shown in FIG. 4 is obtained as in the second example, but the eight layers, that is, the boundary layer 48, change in stages. Even when a film is formed in this state, no cracks occur and a high-quality surface is obtained.

第9図は第4例の表面状態の条件グラフを示す1、であ
る。この場合の表面状態は第5図に示すようになる。す
なわち、Ti層をほとんど作らず、そのまま連続的にT
1の農を変化させ、TiN層49を形成している。この
ような状態の膜を形成したときにもクランクなどは発生
せず、良質の膜が得られ、表面状態が良好になる。
FIG. 9 is 1 showing a condition graph of the surface state of the fourth example. The surface condition in this case is as shown in FIG. In other words, almost no Ti layer is formed, and T is continuously formed as it is.
The TiN layer 49 is formed by changing the ratio of No. 1. Even when a film in such a state is formed, no cranking occurs, a high quality film is obtained, and the surface condition is good.

第10図は第5例の表面状態の条件グラフである。この
場合も表面状態は第5図に示すようになる。すなわち初
めからN2ガスを入れ、TiN層49まで段階的にTi
の含有率を変化させている。
FIG. 10 is a condition graph of the surface state of the fifth example. In this case as well, the surface condition is as shown in FIG. That is, N2 gas is introduced from the beginning, and Ti is gradually added to the TiN layer 49.
The content rate is changed.

このような膜においても、クラックは発生せず、表面状
態は良好である。
Even in such a film, no cracks occur and the surface condition is good.

第11図およびN12図はTiの含有率を変化させる場
合の条件グラフである。第11図においては、まず真空
度を1XIOTorrとしておきN2ガスを導入する。
Fig. 11 and Fig. N12 are condition graphs when changing the Ti content. In FIG. 11, first, the degree of vacuum is set to 1XIO Torr and N2 gas is introduced.

そして約10分間かけてN2ガスの導入量を徐々に増加
させ、真空度を4X10−’Torrまで連続的に変化
させている。
Then, the amount of N2 gas introduced was gradually increased over about 10 minutes, and the degree of vacuum was continuously changed to 4×10-'Torr.

第12図においては、N2ガスの導入量を段階的に増加
させて真空度を0.5X10−’Torrを2分間、l
Xl0 Torrを2分間、2×10→Torrを2分
間、 3X 10−9To r rを2このようにTi
の含有量を連続的、不連続的に変化させるという簡単な
方法より表面にクランクが入ることのない良質の膜を有
する摺接部材を安価に得ることができる。
In Fig. 12, the amount of N2 gas introduced is increased stepwise, and the degree of vacuum is 0.5 x 10-' Torr for 2 minutes.
Xl0 Torr for 2 minutes, 2 x 10 → Torr for 2 minutes, 3
By changing the content continuously or discontinuously, a sliding contact member having a high-quality film that does not allow cranks to enter the surface can be obtained at low cost.

なお本発明は上記実施例に限定されるものではない。た
とえば本実施例では反応性イオンブレーティングにより
膜の形成を行なったが反応性スパッタリングを用いるこ
とも可能である。また反応ガスとして窒素ガスを用い、
窒化チタン層を形成したが、アセチレンガスを導入して
炭化チタンあるいは酸素ガスを導入して酸化チタンを形
成するようにしてもよい。さらに金属元素としては、チ
タン以外に周期率表の■族、■族、■a族、Va族、V
Ia族の元素を用いることができる。
Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in this example, the film was formed by reactive ion blasting, but reactive sputtering may also be used. Also, using nitrogen gas as the reaction gas,
Although a titanium nitride layer is formed, titanium oxide may be formed by introducing acetylene gas and introducing titanium carbide or oxygen gas. Furthermore, as metal elements other than titanium, there are also
Group Ia elements can be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

磁気記録再生装置の磁気テープとの摺接面にセ乏5゛ミ
つクコ−ティングを有する摺接部材において、前記摺接
部材の軽金属基材とセラミックコーティング膜との間も
しくはセラミックを構成する主要金属元素からなるコー
ティング躾とセラミックコーティング膜の間に当該金属
元素の含有率が漸時変化するように形成した境界層を設
けるようにしたので、従来のものに比べてセラミック膜
が剥離しにくい摺接部材を提供できる。また本発明によ
れば、このような摺接部材を容易かつ安価に製造可能な
方法を提供できる。
In a sliding contact member having a defective coating on the sliding contact surface with a magnetic tape of a magnetic recording/reproducing device, there is a gap between the light metal base material and the ceramic coating film of the sliding contact member, or a main component constituting the ceramic. Since a boundary layer is provided between the coating made of a metal element and the ceramic coating film so that the content of the metal element gradually changes, the ceramic film is less likely to peel off compared to conventional methods. A contact member can be provided. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method by which such a sliding contact member can be easily and inexpensively manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のテープ走行系を示す図、第
2図(a)(b)はドラムの平面図および側面図、第3
図および第4図は上記ドラムの部分拡大図、第5図はイ
オンブレーティング装置の構成を示す概略図、第6図〜
第10図はチタンの含有量の変化を示す図、第11図お
よび第12図は真空度の変化を示す図である。 10・・・磁気テープ、13.14.29.30・・・
カセット内ポスト、15・・・テンションポスト、17
.23・・・傾斜ポスト、22・・・ドラム、26・・
・ポスト、47・・・Ti層、48・・・境界層、49
・・・TiN層、51・・・チャンバ、52・・・試料
、53・・・試料取付台、54・・・回転ta構、55
・・・基盤電圧電源、56・・・蒸発源、57・・・ビ
ーム装置、58・・・イオン化電源、59・・・イオン
化電極、60・・・ガス系。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第1図 第2図 第3図 第5図 ら1 第6図 第8図 第9図 第10図
FIG. 1 is a diagram showing a tape running system according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2(a) and 2(b) are a plan view and a side view of a drum, and FIG.
4 and 4 are partially enlarged views of the drum, FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the ion blating device, and FIGS.
FIG. 10 is a diagram showing changes in the titanium content, and FIGS. 11 and 12 are diagrams showing changes in the degree of vacuum. 10...magnetic tape, 13.14.29.30...
Post in cassette, 15...Tension post, 17
.. 23... Inclined post, 22... Drum, 26...
・Post, 47... Ti layer, 48... Boundary layer, 49
... TiN layer, 51 ... Chamber, 52 ... Sample, 53 ... Sample mounting stand, 54 ... Rotating ta structure, 55
... base voltage power supply, 56 ... evaporation source, 57 ... beam device, 58 ... ionization power supply, 59 ... ionization electrode, 60 ... gas system. Applicant's representative Patent attorney Jun Tsuboi Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 5 et al. 1 Figure 6 Figure 8 Figure 9 Figure 10

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装置の磁
気テープと摺接す2部材において、上記部材の摺接面に
形成された金属元素からなる第1層のコーティング層と
、このコーティング層の外側に形成され前記第1層の金
属元素を構成成分とするセラミックスからなる第2層の
コーティング層と、前記第1層と第2層との間に形成さ
れる境界層とを具備し、前記境界層は金属元素の含有率
が連続的に変化していることを特徴とする磁気テープ摺
接部材。
(1) In two members in sliding contact with the magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, a first coating layer made of a metal element formed on the sliding contact surface of the above member, and a a second coating layer formed on the outside and made of ceramics containing the metal element of the first layer; and a boundary layer formed between the first layer and the second layer; A magnetic tape sliding contact member characterized by a boundary layer in which the content of metal elements changes continuously.
(2)前記第1層の金属元素は、周期率表の■族、■族
、IVa族、va族、■a族の元素ノ少なくとも一つを
主要な成分として含む特許請求の範囲第(1)項記載の
磁気テープ摺接部材。
(2) The metal element of the first layer contains as a main component at least one of the elements of group ①, group ②, group IVa, group va, group ①a of the periodic table. ) The magnetic tape sliding contact member described in item ).
(3)前記第1層の金属元素は、チタンである特許請求
の範囲第(1)項記載の磁気テープ摺接5材。
(3) The magnetic tape sliding contact material 5 according to claim (1), wherein the metal element of the first layer is titanium.
(4)前記第2層のセラミックスは、前記第1層の金属
元素の窒化物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要
な成分として含む特許請求の範囲M(1)項記載の磁気
テープ摺接部材。
(4) The magnetic tape slider according to claim M(1), wherein the second layer of ceramics contains as a main component at least one of nitride, carbide, and oxide of the metal element of the first layer. Contact member.
(5)前記第2層のセラミックスは、チタンの窒化物、
炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成分として含
む特許請求の範囲第(1)項記載の磁気テープ摺接部材
(5) The second layer of ceramic is titanium nitride,
The magnetic tape sliding contact member according to claim 1, which contains at least one of carbide and oxide as a main component.
(6)前記第1層の金属元素がチタンであり、前記第2
層のセラミックスが窒化チタンである特許請求の範囲第
(1)項記載の磁気テープ摺接部材。
(6) the metal element of the first layer is titanium;
The magnetic tape sliding contact member according to claim (1), wherein the ceramic layer is titanium nitride.
(7)前記第1層と第2層との境界層における金属元素
の含有率は、単調に増加している特許請求の範囲第(1
)項記載の磁気テープ摺接部材。
(7) The content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer is monotonically increasing.
) The magnetic tape sliding contact member described in item ).
(8)前記第1層と第2層との境界層における金属元素
の含有率は、直線的に減少している特許請求の範囲第(
1)項記載の磁気テープ摺接部材。
(8) The content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer decreases linearly.
1) The magnetic tape sliding contact member described in item 1).
(9)前記第1層と第2層との境界層における金属元素
の含有率は、段階的に減少し、その段階が少なくとも3
段階である特許請求の範囲第(1)項記載の磁気テープ
摺接部材。
(9) The content of the metal element in the boundary layer between the first layer and the second layer decreases stepwise, and the step is at least 3.
A magnetic tape sliding contact member according to claim (1), which is a step.
(10)前記第1層はイオンブレーティングにより形成
され、前記第2層は反応性イオンブレーティングにより
形成される特許請求の範囲第(1)項記載の磁気テープ
摺接部材。
(10) The magnetic tape sliding contact member according to claim (1), wherein the first layer is formed by ion blasting, and the second layer is formed by reactive ion blasting.
(11)磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装置の
磁気テープと摺接する部材において、上記部材の基材の
摺接面にセラミックコーティング層を有し、上記基材と
セラミックコーティング層との境界層にてセラミックを
構成する元素のうち主要な金属元素の含有率が連続的に
変化していることを特徴としている磁気テープ摺接部材
(11) A member that comes into sliding contact with the magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, which has a ceramic coating layer on the sliding surface of the base material of the member, and a boundary layer between the base material and the ceramic coating layer. A magnetic tape sliding contact member characterized in that the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic changes continuously.
(12)前記セラミックコーティング層を構成する元素
のうち主要な金属元素は、周期率表の■族、■族、IV
a族、Va族、VIa族の元素の少なくとも一つである
特許請求の範囲第(11)項記載の磁気テープ摺接部材
(12) Among the elements constituting the ceramic coating layer, the main metal elements are group Ⅰ, group Ⅰ, and IV of the periodic table.
The magnetic tape sliding contact member according to claim (11), which is at least one of the elements of Group A, Group Va, and Group VIa.
(13)前記セラミックコーティング層は、窒化物、炭
化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成分とする特許
請求の範囲第(11)項記載の磁気テープ摺接部材。
(13) The magnetic tape sliding contact member according to claim (11), wherein the ceramic coating layer contains at least one of nitride, carbide, and oxide as a main component.
(14)前記セラミックコーティング層は、チタンの窒
化物である特許請求の範囲第(11)項記載の磁気テー
プ摺接部材。
(14) The magnetic tape sliding contact member according to claim (11), wherein the ceramic coating layer is a titanium nitride.
(15)前記基材とセラミックコーティング層との境界
層におけるセラミックを構成する元素のうち主要な金属
元素の含有率は、単調に減少している特許請求の範囲第
(11)項記載の磁気テープ摺接部材。
(15) The magnetic tape according to claim (11), wherein the content of major metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer monotonically decreases. Sliding contact member.
(16)前記基材とセラミックコーティング層との境界
層におけるセラミックを構成する元素のうち主要な金属
元素の含有率は、直線的に減少している特許請求の範囲
第(11)項記載の磁気テープ摺接部材。
(16) The magnetic field according to claim (11), wherein the content of main metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer decreases linearly. Tape sliding contact member.
(17)前記基材とセラミックコーティング層との境界
層におけるセラミックを構成する元素のうち主要な金属
元素の含有率は、段階的に減少し、その段階が少なくと
も3段階である特許請求の範囲第(11)項記載の磁気
テープ摺接部材。
(17) The content of main metal elements among the elements constituting the ceramic in the boundary layer between the base material and the ceramic coating layer decreases in stages, and the number of stages is at least three. The magnetic tape sliding contact member according to item (11).
(18)前記壱ラミックコーティング層は反応性イオン
ブレーティングにより形成される特許請求の範囲第(1
1)項記載の磁気テープ摺接部材。
(18) The lamic coating layer is formed by reactive ion blating.
1) The magnetic tape sliding contact member described in item 1).
(19)磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装置の
磁気テープと摺接し、摺接面にセラミックコーティング
層を有する摺接部材のセラミックコーティング層を、反
応性イオンブレーティングによって形成する製造プロセ
スにおいて、コーティング初期における反応ガスの真空
槽内への導入量を連続的に変化させることを特徴とする
磁気テープ摺接部材の製造方法。
(19) In a manufacturing process for forming a ceramic coating layer of a sliding contact member having a ceramic coating layer on the sliding contact surface, which is in sliding contact with a magnetic tape of a magnetic recording and reproducing device having a magnetic tape running system, by reactive ion blasting, A method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member, characterized by continuously changing the amount of reactive gas introduced into a vacuum chamber at the initial stage of coating.
(20)前記コーティング初期における反応ガスの真空
槽内への導入量を、単調に増大、もしくは直線的に増大
、もしくは段階的に増大し、その段階が少なくとも3段
階である特許請求の範囲第(19)項記載の磁気テープ
摺接部材の製造方法。
(20) The amount of reaction gas introduced into the vacuum chamber at the initial stage of coating is increased monotonically, linearly, or stepwise, and the number of steps is at least three. 19) A method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member according to item 19).
(21)前記真空槽内へ導入される反応ガスは、窒素ガ
ス、アセチレンガス、酸素ガスの少なくとも一つである
特許請求の範囲第(19)項記載の磁気テープ摺接部材
の製造方法。
(21) The method for manufacturing a magnetic tape sliding contact member according to claim (19), wherein the reactive gas introduced into the vacuum chamber is at least one of nitrogen gas, acetylene gas, and oxygen gas.
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JPS62202350A (en) * 1986-02-28 1987-09-07 Hitachi Ltd Sliding contact member for magnetic tape
JPH0346150A (en) * 1989-07-14 1991-02-27 Sharp Corp Magnetic recording and reproducing device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6095755A (en) * 1983-10-31 1985-05-29 Toshiba Corp Wear-resistant parts

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