JPH0466954A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0466954A JPH0466954A JP17670990A JP17670990A JPH0466954A JP H0466954 A JPH0466954 A JP H0466954A JP 17670990 A JP17670990 A JP 17670990A JP 17670990 A JP17670990 A JP 17670990A JP H0466954 A JPH0466954 A JP H0466954A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 複写機やレーザープリンターに使用され４
表面に保護膜を設けた高耐刷性の電子写真用感光体に関
する。
表面に保護膜を設けた高耐刷性の電子写真用感光体に関
する。
従来の技術
近鍛 ワープロやパソコンの普及に伴（＼ 複写機やプ
リンター等の印写装置の需要が高まってきている。さら
に各種の光導電材料が実用化されるにつれて、印写装置
は光導電性膜を用いた電子写真方式の装置が広く用いら
れるようになってきていも 特に複写機は感光体ドラム
を使用した電子写真方式が主流であり、複写機のコピー
画質、コピー速度、消費電力 コスト等の基本特性（友
光導電性膜からなる感光体の性能に左右されも方プリ
ンターにおいてＬ 画質や騒音などの点より感光体ドラ
ムを使用したレーザープリンターが注目されていも 以下、複写機に使用されている感光体を例にとり、第３
図および第４図を参照しながら従来の電子写真用感光体
について説明する。第３図は電子写真用感光体の一従来
例を示す部分断面図であり、図において、４は導電性材
料からなる基板 ５は光が照射されると導電性を示す光
導電体からなる感光体層であａ この感光体層５として
ｌ；Ｌ Ｓｅ、５ｅ−Ａｓ、 ５ｅ−Ｔｅ、 ａ−３
ｉ、 ＣｄＳ等の無機材料や、アントラセンのような多
環芳香族化合物 フタロシアニン、ポリビニールカルバ
ゾール等の有機系材料が使用されていも 有機系材料の
感光体は有機光半導体（以下ＯＰＣという）と呼ばれ
無機材料に比べて有害性が低く環境を汚染する恐れがな
（（コストが低いなどの有利な点が多く、今後さらに需
要が増すものと期待されている。
リンター等の印写装置の需要が高まってきている。さら
に各種の光導電材料が実用化されるにつれて、印写装置
は光導電性膜を用いた電子写真方式の装置が広く用いら
れるようになってきていも 特に複写機は感光体ドラム
を使用した電子写真方式が主流であり、複写機のコピー
画質、コピー速度、消費電力 コスト等の基本特性（友
光導電性膜からなる感光体の性能に左右されも方プリ
ンターにおいてＬ 画質や騒音などの点より感光体ドラ
ムを使用したレーザープリンターが注目されていも 以下、複写機に使用されている感光体を例にとり、第３
図および第４図を参照しながら従来の電子写真用感光体
について説明する。第３図は電子写真用感光体の一従来
例を示す部分断面図であり、図において、４は導電性材
料からなる基板 ５は光が照射されると導電性を示す光
導電体からなる感光体層であａ この感光体層５として
ｌ；Ｌ Ｓｅ、５ｅ−Ａｓ、 ５ｅ−Ｔｅ、 ａ−３
ｉ、 ＣｄＳ等の無機材料や、アントラセンのような多
環芳香族化合物 フタロシアニン、ポリビニールカルバ
ゾール等の有機系材料が使用されていも 有機系材料の
感光体は有機光半導体（以下ＯＰＣという）と呼ばれ
無機材料に比べて有害性が低く環境を汚染する恐れがな
（（コストが低いなどの有利な点が多く、今後さらに需
要が増すものと期待されている。
第４図（ａ）、 （ｂ）？：示すようｉ； ０ＰＣ
ｔ−用いた感光体層（以下ＯＰＣ層という）は電荷を発
生させる電荷発生層（以下ＣＧＬという）６とこれを輸
送する電荷輸送層（以下ＣＴＬという）７とから構成さ
ｈ ＣＴＬ７は２０〜３３μｍ、 ＣＧＬは０．２
〜０．５μｍノ厚みで、ＣＴＬ／ＣＧＬ／基板８（第３
図（ａ））、およびＣＧＬ／ＣＴＬ／基板８ （第３図
（ｂ））の２通りの構成が考えられている。ＣＴＬはキ
ャリアを輸送するために半導体特性を備えていなければ
ならないが、Ｎ型０ＣＴＬでは電荷輸送速度が遅く、ま
た動作も不安定であるため通常はＰ型のＣＴＬが使用さ
れる。電子写真方式の複写機でζよ （１）コロナ帯電
装置で感光体層の表面を帯電させゑ （２）露光および
トナーを使用した現像により感光体層の表面に像を形成
すゑ （３）感光体層の表面に用紙を接触させ、像を転
写させ４（４）感光体層の表面に残存するトナーをブレ
ードにより除去す泡 の４つのプロセスにより複写が行
われる。感光体層の表面を帯電させる場合、正帯電方式
と負帯電方式が考えられている力士 先に述べたように
感光体層としてＯＰＣ層を使用する場合にはＮ型のＣＴ
Ｌが使用しにくいために 正帯電方式ではＣＧＬ／ＣＴ
Ｌ／基板の構成に また負帯電方式ではＣＴＬ／ＣＧＬ
／基板の構成に限定されている。
ｔ−用いた感光体層（以下ＯＰＣ層という）は電荷を発
生させる電荷発生層（以下ＣＧＬという）６とこれを輸
送する電荷輸送層（以下ＣＴＬという）７とから構成さ
ｈ ＣＴＬ７は２０〜３３μｍ、 ＣＧＬは０．２
〜０．５μｍノ厚みで、ＣＴＬ／ＣＧＬ／基板８（第３
図（ａ））、およびＣＧＬ／ＣＴＬ／基板８ （第３図
（ｂ））の２通りの構成が考えられている。ＣＴＬはキ
ャリアを輸送するために半導体特性を備えていなければ
ならないが、Ｎ型０ＣＴＬでは電荷輸送速度が遅く、ま
た動作も不安定であるため通常はＰ型のＣＴＬが使用さ
れる。電子写真方式の複写機でζよ （１）コロナ帯電
装置で感光体層の表面を帯電させゑ （２）露光および
トナーを使用した現像により感光体層の表面に像を形成
すゑ （３）感光体層の表面に用紙を接触させ、像を転
写させ４（４）感光体層の表面に残存するトナーをブレ
ードにより除去す泡 の４つのプロセスにより複写が行
われる。感光体層の表面を帯電させる場合、正帯電方式
と負帯電方式が考えられている力士 先に述べたように
感光体層としてＯＰＣ層を使用する場合にはＮ型のＣＴ
Ｌが使用しにくいために 正帯電方式ではＣＧＬ／ＣＴ
Ｌ／基板の構成に また負帯電方式ではＣＴＬ／ＣＧＬ
／基板の構成に限定されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＣＴＬ／ＣＧＬ／基板の構成の負帯電方式
でζ友 基板からＣＧＬに電荷が注入して画像ノイズに
なるなどの課題があった また感光体層表面の帯電につ
いてはコロナ帯電装置の放電の安定性から正帯電方式が
有利である力＜ ＣＧＬ／ＣＴ Ｌ／基板の構成の正
帯電方式では耐刷性に課題があっ九 すなわち先に述べ
た電子写真法の４つのプロセスの中で感光体層と最も強
く摺動するのは現像 転写後も感光体層の表面に残存す
るトナーを除去するためのブレードであり、ｏＰｃの場
合、無機材料の感光体に比べて摩耗や表面荒れが発生し
やすく、特に表面がＣＧＬの場合にはＣＧＬの厚みが０
．２〜０．５μｍしかないために摩耗や表面荒れの影響
が太きＬ％ このようにＣＧ Ｌ／ＣＴＬ／基板の構
成の正帯電方式は 画像特性には有利であるにもかかわ
らず耐刷性が悪いために実用化が困難であった 従来か
らこの課題を解決するために各種ポリマー系の保護膜を
ＯＰｃ層表面に形成させることも検討されているが（例
えば特開昭６１−２６６５６７号公報参照）、未だ十分
な特性が得られていな（− またＯＰＣはコロナ帯電装置より発生するオゾンに長時
間触れていると光電特性が劣化して印写特性が低下する
という問題があっ九 このた＆ｇ光体近傍からオゾンがすばやくなくなるよう
に装置構成で工夫するなどの対策を行っている力丈 い
ずれも本質的な解決には至っていない。また像の転写終
了後に感光体層の表面に残存シテイルトナーを除去する
ためのブレートチ表面を擦ることによって０２０層のご
く表面を摩耗させ、オゾンで劣化した表面を常に取り去
る構成も考えられているが、表面の摩耗を制御すること
は極めて難しく、またＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成の正
帯電方式ではＣＧＬが０．２〜０．５μｍ程度と薄いた
めにこのような構成を使用することは困難であっに 以上のように利点の多いＯＰＣを利用し しかも高画質
化 高耐刷性を実現してその普及を促進するためにζｉ
０ＰＣを用いた感光体の（１）耐刷性の向上 （２
）耐オゾン特性の向上等が大きな課題であった 本発明は上記の課題を解決るもので、有機光半導体を用
いた耐刷性、耐オゾン性に優れた電子写真用感光体を提
供することを目的としている。
でζ友 基板からＣＧＬに電荷が注入して画像ノイズに
なるなどの課題があった また感光体層表面の帯電につ
いてはコロナ帯電装置の放電の安定性から正帯電方式が
有利である力＜ ＣＧＬ／ＣＴ Ｌ／基板の構成の正
帯電方式では耐刷性に課題があっ九 すなわち先に述べ
た電子写真法の４つのプロセスの中で感光体層と最も強
く摺動するのは現像 転写後も感光体層の表面に残存す
るトナーを除去するためのブレードであり、ｏＰｃの場
合、無機材料の感光体に比べて摩耗や表面荒れが発生し
やすく、特に表面がＣＧＬの場合にはＣＧＬの厚みが０
．２〜０．５μｍしかないために摩耗や表面荒れの影響
が太きＬ％ このようにＣＧ Ｌ／ＣＴＬ／基板の構
成の正帯電方式は 画像特性には有利であるにもかかわ
らず耐刷性が悪いために実用化が困難であった 従来か
らこの課題を解決するために各種ポリマー系の保護膜を
ＯＰｃ層表面に形成させることも検討されているが（例
えば特開昭６１−２６６５６７号公報参照）、未だ十分
な特性が得られていな（− またＯＰＣはコロナ帯電装置より発生するオゾンに長時
間触れていると光電特性が劣化して印写特性が低下する
という問題があっ九 このた＆ｇ光体近傍からオゾンがすばやくなくなるよう
に装置構成で工夫するなどの対策を行っている力丈 い
ずれも本質的な解決には至っていない。また像の転写終
了後に感光体層の表面に残存シテイルトナーを除去する
ためのブレートチ表面を擦ることによって０２０層のご
く表面を摩耗させ、オゾンで劣化した表面を常に取り去
る構成も考えられているが、表面の摩耗を制御すること
は極めて難しく、またＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成の正
帯電方式ではＣＧＬが０．２〜０．５μｍ程度と薄いた
めにこのような構成を使用することは困難であっに 以上のように利点の多いＯＰＣを利用し しかも高画質
化 高耐刷性を実現してその普及を促進するためにζｉ
０ＰＣを用いた感光体の（１）耐刷性の向上 （２
）耐オゾン特性の向上等が大きな課題であった 本発明は上記の課題を解決るもので、有機光半導体を用
いた耐刷性、耐オゾン性に優れた電子写真用感光体を提
供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために ＯＰＣよりな４
特にＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成の感光体の表面に硬度
や電気抵抗等の諸特性がダイヤモンドに近い炭素を主成
分とする高硬度の絶縁膜（ダイヤモンド状炭素膜）を形
成させたものである。
特にＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成の感光体の表面に硬度
や電気抵抗等の諸特性がダイヤモンドに近い炭素を主成
分とする高硬度の絶縁膜（ダイヤモンド状炭素膜）を形
成させたものである。
作用
炭素を主成分とする高硬度の絶縁膜（ダイヤモンド状炭
素膜）は硬くて滑り性に優れ 表面は平滑であるために
ブレードとの摺動から感光体層を保護するには最適な材
料の−っである。またダイヤモンド状炭素膜は耐薬品性
にも優れており、オゾン環境下でも特性の変化が極めて
少な（−シたがって本発明のように感光体層の表面に保
護膜としてダイヤモンド状炭素膜を設けることにより、
耐刷法 耐オゾン特性を向上して長寿命の電子写真用感
光体を実現することができる。
素膜）は硬くて滑り性に優れ 表面は平滑であるために
ブレードとの摺動から感光体層を保護するには最適な材
料の−っである。またダイヤモンド状炭素膜は耐薬品性
にも優れており、オゾン環境下でも特性の変化が極めて
少な（−シたがって本発明のように感光体層の表面に保
護膜としてダイヤモンド状炭素膜を設けることにより、
耐刷法 耐オゾン特性を向上して長寿命の電子写真用感
光体を実現することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図を参照しながら
説明する。
説明する。
導電性基板１の上に光の照射により導電性を示す光導電
体からなるＯＰＣＰ２Ｏ３成され ＯＰＣＰ２Ｏ３面に
は高硬度の絶縁膜としてのダイヤモンド状炭素膜３が形
成されている。ＯＰＣＰ２Ｏ３Ｇ Ｌ ２ ａ（０，３
μｍ厚）とＣＴ Ｌ ２ ｂ（２５μｍ厚）とから構成
され 基板１側がＣＴＬ２ｂであも ダイヤモンド状炭
素膜３の合成方法については従来より数々の研究が報告
されており（例えば特開昭６３−２７０４６５号公報参
照）、本発明を実施するにはいかなる合成方法を用いて
もかまわない力士 ダイヤモンド状炭素膜を合成するこ
とによりＯＰＣＰ２Ｏ３性を低下させないように注意し
なければならな１．％特にＯＰＣＰ２Ｏ３うに感光体が
ＯＰＣよりなる場合、軟質で損傷し易く耐熱性も低いこ
とからイオンなどの荷電粒子を照射してそのエネルギー
を利用する方法は好ましくなｕ％ 本発明を実施する
にあたって（友 スクリーンメツシュを設置したプラズ
マ・インジェクションＣＶＤ法（特開平１１９８９８６
号公報参照）を用い通 この方法は 炭化水素等の炭素
原子を含むガスをプラズマ化し プラズマより低い電位
のメツシュ形状電極に覆われた基板にこれを照射して硬
質炭素膜を合成する方法であり、ＯＰＣ等の損傷し易い
基板上にもダイヤモンド状炭素膜を合成することができ
る。
体からなるＯＰＣＰ２Ｏ３成され ＯＰＣＰ２Ｏ３面に
は高硬度の絶縁膜としてのダイヤモンド状炭素膜３が形
成されている。ＯＰＣＰ２Ｏ３Ｇ Ｌ ２ ａ（０，３
μｍ厚）とＣＴ Ｌ ２ ｂ（２５μｍ厚）とから構成
され 基板１側がＣＴＬ２ｂであも ダイヤモンド状炭
素膜３の合成方法については従来より数々の研究が報告
されており（例えば特開昭６３−２７０４６５号公報参
照）、本発明を実施するにはいかなる合成方法を用いて
もかまわない力士 ダイヤモンド状炭素膜を合成するこ
とによりＯＰＣＰ２Ｏ３性を低下させないように注意し
なければならな１．％特にＯＰＣＰ２Ｏ３うに感光体が
ＯＰＣよりなる場合、軟質で損傷し易く耐熱性も低いこ
とからイオンなどの荷電粒子を照射してそのエネルギー
を利用する方法は好ましくなｕ％ 本発明を実施する
にあたって（友 スクリーンメツシュを設置したプラズ
マ・インジェクションＣＶＤ法（特開平１１９８９８６
号公報参照）を用い通 この方法は 炭化水素等の炭素
原子を含むガスをプラズマ化し プラズマより低い電位
のメツシュ形状電極に覆われた基板にこれを照射して硬
質炭素膜を合成する方法であり、ＯＰＣ等の損傷し易い
基板上にもダイヤモンド状炭素膜を合成することができ
る。
上記構成よりなる本発明の電子写真用感光体の耐刷性お
よび耐オゾン性について評価した結果を第２＠ 第１表
および第２表を参照しながら以下に説明すも （評価１） スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶ
Ｄ法によりＯＰＣ層表面に硬度、厚みの異なるダイヤモ
ンド状炭素膜をコーティングしブレードに対する耐刷性
を評価した 評価方法としては感光体層の表面にブレー
ドを押し付けてトナーを添付し、つつ繰り返し摺動させ
、表面の摩耗量、粗さの増加を観察した その結果を第
１表に示す。
よび耐オゾン性について評価した結果を第２＠ 第１表
および第２表を参照しながら以下に説明すも （評価１） スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶ
Ｄ法によりＯＰＣ層表面に硬度、厚みの異なるダイヤモ
ンド状炭素膜をコーティングしブレードに対する耐刷性
を評価した 評価方法としては感光体層の表面にブレー
ドを押し付けてトナーを添付し、つつ繰り返し摺動させ
、表面の摩耗量、粗さの増加を観察した その結果を第
１表に示す。
第１表
（その１）
第１表
（その２）
第１表
（その３）
ｋｇ／ｍｍ’以上のダイヤモンド状炭素膜を膜厚１００
０Å以上でコーティングしたＯＦ２層であれば ブレー
ドの摺動に対して摩耗は全く認められず耐刷性が飛躍的
に向上すａ 耐刷性はダイヤモンド状炭素膜が厚くなる
ほど大きくなる力士 膜厚が５０００Å以上になると、
使用する光によってはダイヤモンド状炭素膜の透光性が
低下してＯＦ２層に照射される光量が低下するた数 感
度が悪くなる。例えば光源に蛍光灯などの可視光を使用
する場合 ＯＦ２層にはおおよそ波長３００〜７００ｎ
ｍの光が照射されも この波長域の光においてダイヤモ
ンド状炭素膜は第２図に示すように透光性が悪くなり、
例えば波長が６００ｎｍの光についていえば 分光透過
率力ｉ 膜厚１０００人で９０！％、 ３０００人で
７０％、５０００人では５０％以下になム レーザープ
リンターでよく使用されている７８０ｎｍの半導体レー
ザーを光源とする場合に（よ この波長におけるダイヤ
モンド状炭素膜の透光率が７００ ｎｍの光の場合より
も良くなるために有利になム このようなことからダイ
ヤモンド状炭素膜の厚みは薄い方が望ましい力叉 ブレ
ードの仕様や光源の種類などを踏まえ耐刷性とのバラン
スを考えて厚みを決定しなければならな（ｔしかし評価
結果から明かなよう圏 ビッカース硬さＨｖが１０００
ｋｇ／ｍｍ”より小さな膜で（よ 膜厚にかかわらず耐
刷性の向上に対して効果が少な（を人 ダイヤモンド状
炭素膜の電気抵抗も重要な項目である。比抵抗がＩＸ
１０”Ωｃｍより小さなダイヤモンド状炭素膜をＯＦ２
層の保護膜として使用すると、コロナ帯電装置により帯
電がしにくくなり像が形成できにくくなる。また露光す
る時に荷電粒子が面内方向にも移動しやすくなるたへ
像ににじみが発生しやすくなるＣ以下画ぼけ現象という
）。このため保護膜として使用するダイヤモンド状炭素
膜は 比抵抗が１０′Ωｃｍ以五 できれば１ｘｌＱ＋
＠Ωｃｍ以上が望ましい。
０Å以上でコーティングしたＯＦ２層であれば ブレー
ドの摺動に対して摩耗は全く認められず耐刷性が飛躍的
に向上すａ 耐刷性はダイヤモンド状炭素膜が厚くなる
ほど大きくなる力士 膜厚が５０００Å以上になると、
使用する光によってはダイヤモンド状炭素膜の透光性が
低下してＯＦ２層に照射される光量が低下するた数 感
度が悪くなる。例えば光源に蛍光灯などの可視光を使用
する場合 ＯＦ２層にはおおよそ波長３００〜７００ｎ
ｍの光が照射されも この波長域の光においてダイヤモ
ンド状炭素膜は第２図に示すように透光性が悪くなり、
例えば波長が６００ｎｍの光についていえば 分光透過
率力ｉ 膜厚１０００人で９０！％、 ３０００人で
７０％、５０００人では５０％以下になム レーザープ
リンターでよく使用されている７８０ｎｍの半導体レー
ザーを光源とする場合に（よ この波長におけるダイヤ
モンド状炭素膜の透光率が７００ ｎｍの光の場合より
も良くなるために有利になム このようなことからダイ
ヤモンド状炭素膜の厚みは薄い方が望ましい力叉 ブレ
ードの仕様や光源の種類などを踏まえ耐刷性とのバラン
スを考えて厚みを決定しなければならな（ｔしかし評価
結果から明かなよう圏 ビッカース硬さＨｖが１０００
ｋｇ／ｍｍ”より小さな膜で（よ 膜厚にかかわらず耐
刷性の向上に対して効果が少な（を人 ダイヤモンド状
炭素膜の電気抵抗も重要な項目である。比抵抗がＩＸ
１０”Ωｃｍより小さなダイヤモンド状炭素膜をＯＦ２
層の保護膜として使用すると、コロナ帯電装置により帯
電がしにくくなり像が形成できにくくなる。また露光す
る時に荷電粒子が面内方向にも移動しやすくなるたへ
像ににじみが発生しやすくなるＣ以下画ぼけ現象という
）。このため保護膜として使用するダイヤモンド状炭素
膜は 比抵抗が１０′Ωｃｍ以五 できれば１ｘｌＱ＋
＠Ωｃｍ以上が望ましい。
ダイヤモンド状炭素膜の表面粗さは平滑な方が好ましく
ち ダイヤモンド状炭素膜は通常非晶質である力士 合
成方法や合成条件を選定することによりダイヤモンドの
微結晶を含む場合がある。本発明はダイヤモンド状炭素
膜の膜質を限定するものではない力ｔ 微結晶を含むダ
イヤモンド状炭素膜の場合、微結晶の大きさが１０μコ
より大きくなると平滑性が悪くなり、印写時に濃度むら
が発生したり印写されない部分が発生したりする。
ち ダイヤモンド状炭素膜は通常非晶質である力士 合
成方法や合成条件を選定することによりダイヤモンドの
微結晶を含む場合がある。本発明はダイヤモンド状炭素
膜の膜質を限定するものではない力ｔ 微結晶を含むダ
イヤモンド状炭素膜の場合、微結晶の大きさが１０μコ
より大きくなると平滑性が悪くなり、印写時に濃度むら
が発生したり印写されない部分が発生したりする。
このため微結晶を含むダイヤモンド状炭素膜を保護膜と
して使用する場合、微結晶の大きさは１０μｍより小さ
くなければならず、ブレードの偏摩耗防止を考えると６
μｍより小さいことが望ましく〜（評価２） スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶ
Ｄ法によりＯＰＣ層表面にダイヤモンド状炭素膜を合成
し 耐オゾン特性を評価した 評価方法として４１
コロナ帯電装置により発生させたオゾン雰囲気中に感光
体を放置し 放置時間に対する感度の低下を測定した
その結果を第２表に示す。
して使用する場合、微結晶の大きさは１０μｍより小さ
くなければならず、ブレードの偏摩耗防止を考えると６
μｍより小さいことが望ましく〜（評価２） スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶ
Ｄ法によりＯＰＣ層表面にダイヤモンド状炭素膜を合成
し 耐オゾン特性を評価した 評価方法として４１
コロナ帯電装置により発生させたオゾン雰囲気中に感光
体を放置し 放置時間に対する感度の低下を測定した
その結果を第２表に示す。
（以下余白）
第２表
＊）ｇ度低下は試験前後で低下した割合を示す。
表中の第１欄の試料ＮＯ１１〜４は本発明のダイヤモン
ド状炭素膜をコーティングしたＯＰＣの感光体試料で、
試料ＮＯ０５はコーティングしないＯＰＣのみの試料で
あム 放置時間は試料Ｎ ｏ。
ド状炭素膜をコーティングしたＯＰＣの感光体試料で、
試料ＮＯ０５はコーティングしないＯＰＣのみの試料で
あム 放置時間は試料Ｎ ｏ。
１〜４は１００時皿 試料Ｎｏ、５は４０時間である。
ＯＰＣのみの場合には４０時間で感度が８０％に低下す
るのに対して、ダイヤモンド状炭素膜をコーティングし
たＯＰＣでは１００時間後も感度がほとんど低下しなし
−スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣ
ＶＤ法により合成したダイヤモンド状炭素膜は平滑でピ
ンホールが少なく、耐薬品性に優れていも このこと力
＜、ＯＰＣの耐オゾン特性を向上させているものと考え
られる。
るのに対して、ダイヤモンド状炭素膜をコーティングし
たＯＰＣでは１００時間後も感度がほとんど低下しなし
−スクリーンメツシュ付プラズマ・インジェクションＣ
ＶＤ法により合成したダイヤモンド状炭素膜は平滑でピ
ンホールが少なく、耐薬品性に優れていも このこと力
＜、ＯＰＣの耐オゾン特性を向上させているものと考え
られる。
（評価３）
（評価１）（評価２）の結果を参考にして、スクリーン
メツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶＤ法により
ＯＰＣ層の表面に ビッカース硬さＨｖ１２００．比抵
抗３．５Ｘ１０”ΩＣＩＤ、のダイヤモンド状炭素膜を
２０００人形成してコピー機の感光体ドラムとして仕上
法 コピー機により複写試験を行つれ ダイヤモンド状
炭素膜をコーティングした感光体ドラムは２００００枚
の複写試験後でも画像の劣化は認められず、ＯＰＣ層の
摩耗や損傷も認められなかった これに対してダイヤモ
ンド状炭素膜をコーティングしない感光体ドラムでζよ
約１０００枚で画像の劣化が認めらｈ ２０００枚
では複写が困難になっ九 これは２００００枚の複写試
験後で約４μ０のＯＰＣ層摩耗が観察されていることか
％ ２０００枚の複写時点で厚み０．３μｍのＣＧＬ
が摩耗によりほとんどなくなってしまったことが原因と
考えられる。
メツシュ付プラズマ・インジェクションＣＶＤ法により
ＯＰＣ層の表面に ビッカース硬さＨｖ１２００．比抵
抗３．５Ｘ１０”ΩＣＩＤ、のダイヤモンド状炭素膜を
２０００人形成してコピー機の感光体ドラムとして仕上
法 コピー機により複写試験を行つれ ダイヤモンド状
炭素膜をコーティングした感光体ドラムは２００００枚
の複写試験後でも画像の劣化は認められず、ＯＰＣ層の
摩耗や損傷も認められなかった これに対してダイヤモ
ンド状炭素膜をコーティングしない感光体ドラムでζよ
約１０００枚で画像の劣化が認めらｈ ２０００枚
では複写が困難になっ九 これは２００００枚の複写試
験後で約４μ０のＯＰＣ層摩耗が観察されていることか
％ ２０００枚の複写時点で厚み０．３μｍのＣＧＬ
が摩耗によりほとんどなくなってしまったことが原因と
考えられる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなようにように本発明によれば
選定された特性を備えたダイヤモンド状炭素膜をｏｐ
ｃｍの表面に形成することで、寿命の長いＯＰＣの感光
体を実現することができるようになり、工業的な効果は
非常に太き（〜 特にＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成のＯ
ＰＣ層を使用した正帯電方式の電子写真用感光体におい
て（１）耐刷性の向上、（２）耐オゾン特性の向上、を
実現したこと（よ 無公害で低価格 かつ高画質で長寿
命の電子写真用感光体を実用化するものであり、複写機
をはじめとする電子写真機器に優れた感光体を提供する
ことができも
選定された特性を備えたダイヤモンド状炭素膜をｏｐ
ｃｍの表面に形成することで、寿命の長いＯＰＣの感光
体を実現することができるようになり、工業的な効果は
非常に太き（〜 特にＣＧＬ／ＣＴＬ／基板の構成のＯ
ＰＣ層を使用した正帯電方式の電子写真用感光体におい
て（１）耐刷性の向上、（２）耐オゾン特性の向上、を
実現したこと（よ 無公害で低価格 かつ高画質で長寿
命の電子写真用感光体を実用化するものであり、複写機
をはじめとする電子写真機器に優れた感光体を提供する
ことができも
第１図は本発明の一実施例の電子写真用感光体の部分断
面図 第２図は本発明の一実施例のダイヤモンド状炭素
膜の分光透過率特性医 第３図は従来の感光体の部分断
面図 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来のＯＰＣを使用し
た感光体の部分断面図であム ト・・導電性基板 ２・・・ＯＰＣ層（光導電性膜）、
２ａ・・・ＣＧＬ （電荷発生層）、２ｂ・・・ＣＴ
Ｌ （電荷輸送層）、３・・・ダイヤモンド状炭素膜（
高硬度の絶縁膜）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ヲ■］非゛ □： □： 導電牲暮飯 ＣｎＩＰ＋）
面図 第２図は本発明の一実施例のダイヤモンド状炭素
膜の分光透過率特性医 第３図は従来の感光体の部分断
面図 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来のＯＰＣを使用し
た感光体の部分断面図であム ト・・導電性基板 ２・・・ＯＰＣ層（光導電性膜）、
２ａ・・・ＣＧＬ （電荷発生層）、２ｂ・・・ＣＴ
Ｌ （電荷輸送層）、３・・・ダイヤモンド状炭素膜（
高硬度の絶縁膜）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ヲ■］非゛ □： □： 導電牲暮飯 ＣｎＩＰ＋）
Claims (5)
- （１）導電性基板の表面に、電荷発生層と電荷輸送層と
から構成され表面が電荷発生層である光導電性膜を形成
し、この光導電性膜の表面に炭素を主成分とする高硬度
の絶縁膜を形成した電子写真用感光体。 - （２）高硬度の絶縁膜が、ダイヤモンド状炭素膜である
請求項（１）記載の電子写真用感光体。 - （３）ダイヤモンド状炭素膜の厚みが、１０００Å以上
である請求項（２）記載の電子写真用感光体。 - （４）ダイヤモンド状炭素膜の比抵抗が、１×１０＾８
Ωｃｍ以上である請求項（２）記載の電子写真用感光体
。 - （５）ダイヤモンド状炭素膜の硬度が、ビッカース硬さ
Ｈｖ１０００ｋｇ／ｍｍ＾２以上である請求項（２）記
載の電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17670990A JPH0466954A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 電子写真用感光体 |
| US07/724,887 US5168023A (en) | 1990-07-04 | 1991-07-02 | Photosensitive element used in electrophotography |
| EP91110902A EP0465984A1 (en) | 1990-07-04 | 1991-07-02 | Photosensitive body used in electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17670990A JPH0466954A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466954A true JPH0466954A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16018391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17670990A Pending JPH0466954A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0466954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017062399A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17670990A patent/JPH0466954A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017062399A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
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