JPH0465310A - シリコンカーバイド薄膜の堆積方法 - Google Patents
シリコンカーバイド薄膜の堆積方法Info
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- JPH0465310A JPH0465310A JP2176711A JP17671190A JPH0465310A JP H0465310 A JPH0465310 A JP H0465310A JP 2176711 A JP2176711 A JP 2176711A JP 17671190 A JP17671190 A JP 17671190A JP H0465310 A JPH0465310 A JP H0465310A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 電子工業における半導体 コーテイング膜
などに用いられるシリコンカーバイド薄膜の堆積方法に
関する。
などに用いられるシリコンカーバイド薄膜の堆積方法に
関する。
従来の技術
シリコンカーバイド薄膜を堆積する一般的な方法として
、ガスの熱分解を利用したＣＶＤ法があム これは炭素
の供給源ガスとシリコンの供給源ガスの混合物を水素ガ
スで希釈したものを所定の温度に加熱された基板上に導
入することによって、ガスの熱分解・反応を起こし シ
リコンカーバイド薄膜を堆積する方法である。この方法
で用いられる炭素およびシリコンの供給源ガスとして（
よ主にプロパン（ＣｓＨｓ）やアセチレン（Ｃａ Ｈａ
）などの炭化水素ガスおよびシラン（ＳｉＨ４）が用
いられている。
、ガスの熱分解を利用したＣＶＤ法があム これは炭素
の供給源ガスとシリコンの供給源ガスの混合物を水素ガ
スで希釈したものを所定の温度に加熱された基板上に導
入することによって、ガスの熱分解・反応を起こし シ
リコンカーバイド薄膜を堆積する方法である。この方法
で用いられる炭素およびシリコンの供給源ガスとして（
よ主にプロパン（ＣｓＨｓ）やアセチレン（Ｃａ Ｈａ
）などの炭化水素ガスおよびシラン（ＳｉＨ４）が用
いられている。
またその所定の温度による加熱＋１ １３００〜１３８
０℃で行なわれていも 発明が解決しようとする課題 このような従来のシリコンカーバイト薄膜の堆積方法で
（よ 良質のシリコンカーバイド薄膜を堆積するに１；
ｉ、反応ガスを熱分解して、所望の反応種を得なければ
ならなしく または分解された反応種同志などの化学反
応を起こさなければならなｔ〜そのためには 従来の原
料ガス双 特に炭素供給源ガスとしての炭化水素ガスを
分解・反応に用いるために４：Ｌ １３００℃以上の
温度に基板を加熱しなければならないといった課題があ
っ九 本発明は上記課題を解決するもので、低温形成で
、耐環境性のあるシリコンカーバイト薄膜を提供するこ
とを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するためへ 原料として少なく
ともテトラメチルシラン等のメチル基を有する有機珪素
化合物を用いるという構成による。
０℃で行なわれていも 発明が解決しようとする課題 このような従来のシリコンカーバイト薄膜の堆積方法で
（よ 良質のシリコンカーバイド薄膜を堆積するに１；
ｉ、反応ガスを熱分解して、所望の反応種を得なければ
ならなしく または分解された反応種同志などの化学反
応を起こさなければならなｔ〜そのためには 従来の原
料ガス双 特に炭素供給源ガスとしての炭化水素ガスを
分解・反応に用いるために４：Ｌ １３００℃以上の
温度に基板を加熱しなければならないといった課題があ
っ九 本発明は上記課題を解決するもので、低温形成で
、耐環境性のあるシリコンカーバイト薄膜を提供するこ
とを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するためへ 原料として少なく
ともテトラメチルシラン等のメチル基を有する有機珪素
化合物を用いるという構成による。
作用
本発明は上記した構成により、シリコンカーバイド薄膜
堆積の際に用いる炭素供給源として、メチル基を有する
有機珪素化合物を用いるので、従来の炭化水素ガスの場
合より低温で分脈 反応が起も 実施例 本発明の一実施例についてミ 第１図および第２図を参
照しながら説明ずも 第１図は本発明の第１の実施例として、熱ＣＶＤ法によ
って薄膜堆積する場合の装置の概略構成図であも 本装置は炭素およびシリコンの原料ガスとして、テトラ
メチルシラン（Ｓｉ（ＣＨｓ）ａ）１０１とシラン（Ｓ
ｉＨａ）１０２を用いていム テトラメチルシラン（１
０１）は恒温槽１０３によって沸点（２６，５℃）以下
の一定温度に保持してあり、反応炉１０４へは水素ガス
１０５によるバブリングによって導かれる。テトラメチ
ルシラン１０１の導入量はバブリングする水素の流量ま
たはテトラメチルシラン自体の温度をコントロールする
ことによって制御すも シラン１０２は導入される炭素
とシリコンの原子数を合わせるために用いるものである
。テトラメチルシラン（１０１）のバブリングに使用す
る水素だけではガスの希釈が足りない場合、水素ガスを
別途反応炉１０４に導入して所定の希釈率にすも これ
らの原料ガスは誘導加熱によって所定の温度にされた基
板】０６上で分解・反応レシリコンカーバイド薄膜を形
成する。なｋ （１０７）は排気口 （１０８）は誘
導加熱に用いるコイルであも 第２図は本発明の第２の実施例を示す装置の概略構成図
であ４ すなわ板 不足分のシリコンの供給法として電
子ビーム蒸着を併用したもので、テトラメチルシラン（
１０１）の供給法は第１図の場合と同様で水素ガス（Ｈ
２）のバブリングによって、炭素導入口（２０１＞に導
き、反応室（２０２）内には第１図と同様の基板１０６
にシリコンを加熱蒸着するための蒸発源（２０３）があ
る。
堆積の際に用いる炭素供給源として、メチル基を有する
有機珪素化合物を用いるので、従来の炭化水素ガスの場
合より低温で分脈 反応が起も 実施例 本発明の一実施例についてミ 第１図および第２図を参
照しながら説明ずも 第１図は本発明の第１の実施例として、熱ＣＶＤ法によ
って薄膜堆積する場合の装置の概略構成図であも 本装置は炭素およびシリコンの原料ガスとして、テトラ
メチルシラン（Ｓｉ（ＣＨｓ）ａ）１０１とシラン（Ｓ
ｉＨａ）１０２を用いていム テトラメチルシラン（１
０１）は恒温槽１０３によって沸点（２６，５℃）以下
の一定温度に保持してあり、反応炉１０４へは水素ガス
１０５によるバブリングによって導かれる。テトラメチ
ルシラン１０１の導入量はバブリングする水素の流量ま
たはテトラメチルシラン自体の温度をコントロールする
ことによって制御すも シラン１０２は導入される炭素
とシリコンの原子数を合わせるために用いるものである
。テトラメチルシラン（１０１）のバブリングに使用す
る水素だけではガスの希釈が足りない場合、水素ガスを
別途反応炉１０４に導入して所定の希釈率にすも これ
らの原料ガスは誘導加熱によって所定の温度にされた基
板】０６上で分解・反応レシリコンカーバイド薄膜を形
成する。なｋ （１０７）は排気口 （１０８）は誘
導加熱に用いるコイルであも 第２図は本発明の第２の実施例を示す装置の概略構成図
であ４ すなわ板 不足分のシリコンの供給法として電
子ビーム蒸着を併用したもので、テトラメチルシラン（
１０１）の供給法は第１図の場合と同様で水素ガス（Ｈ
２）のバブリングによって、炭素導入口（２０１＞に導
き、反応室（２０２）内には第１図と同様の基板１０６
にシリコンを加熱蒸着するための蒸発源（２０３）があ
る。
蒸発源（２０３）ｉｌ 電子銃によるシリコン・ター
ゲットの加熱蒸着源を用いている。これはシリコンなど
のように比較的融点が高い材料の粒子流を得るためであ
も 他の方法として、蒸発源（２０３）はクーヌーセン
・セルやガス・セルなどを用いることもできる。反応室
（２０２）を真空排気した後、電子線加熱によって生成
されたシリコン原子流（２０４）は所定の温度に加熱さ
れたシリコン基板１０６に照射されも それと同時に炭
素導入口（２０１）からテトラメチルシラン（１０１）
をバブリングした水素ガスが基板（１０６）に吹き付け
られも その暇 炭素原子とシリコン原子の割合の制御
は電子線強度やガスの流量によってなされも このよう
な方法を用（＼ 基板（１０６）の温嵐 原子流の強度
、ガス流量などを調整することによって、基板１０６上
に良質なシリコンカーバイド薄膜を形成することが出来
る。
ゲットの加熱蒸着源を用いている。これはシリコンなど
のように比較的融点が高い材料の粒子流を得るためであ
も 他の方法として、蒸発源（２０３）はクーヌーセン
・セルやガス・セルなどを用いることもできる。反応室
（２０２）を真空排気した後、電子線加熱によって生成
されたシリコン原子流（２０４）は所定の温度に加熱さ
れたシリコン基板１０６に照射されも それと同時に炭
素導入口（２０１）からテトラメチルシラン（１０１）
をバブリングした水素ガスが基板（１０６）に吹き付け
られも その暇 炭素原子とシリコン原子の割合の制御
は電子線強度やガスの流量によってなされも このよう
な方法を用（＼ 基板（１０６）の温嵐 原子流の強度
、ガス流量などを調整することによって、基板１０６上
に良質なシリコンカーバイド薄膜を形成することが出来
る。
な抵 （１０３）および（１０７）は第１図同様の恒温
槽および排気口である。以上第１および第２の実施例す
なわち熱ＣＶＤ法および電子ビーム蒸着法以外の他の堆
積法例え（Ｌ プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法およびこ
れらの複合形などでも当然得ることが出来る。
槽および排気口である。以上第１および第２の実施例す
なわち熱ＣＶＤ法および電子ビーム蒸着法以外の他の堆
積法例え（Ｌ プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法およびこ
れらの複合形などでも当然得ることが出来る。
以上のような方法で、原料として含まれるメチル基を有
する有機珪素化合物を炭素供給源として用いることによ
って、従来よりも低温でシリコンカーバイド薄膜を堆積
することが出来る。
する有機珪素化合物を炭素供給源として用いることによ
って、従来よりも低温でシリコンカーバイド薄膜を堆積
することが出来る。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように 本発明によれは 原
料として少なくともメチル基を有する有機珪素化合物を
用いているので、ガスの分解・反応が従来のガス系に比
べて容易であり、そのため低い基板温度で、シリコンカ
ーバイド薄膜作製が容易になム またシランの水素原子をメチル基に置換した構造を持つ
テトラメチルシランなどはプロパンやアセチレンなどの
炭化水素ガスと異なり、Ｃ−Ｃ結合を持たないことや炭
素の配位数が４配位であるなどの点で、β型のシリコン
カーバイド形成に有利であると考えられる。
料として少なくともメチル基を有する有機珪素化合物を
用いているので、ガスの分解・反応が従来のガス系に比
べて容易であり、そのため低い基板温度で、シリコンカ
ーバイド薄膜作製が容易になム またシランの水素原子をメチル基に置換した構造を持つ
テトラメチルシランなどはプロパンやアセチレンなどの
炭化水素ガスと異なり、Ｃ−Ｃ結合を持たないことや炭
素の配位数が４配位であるなどの点で、β型のシリコン
カーバイド形成に有利であると考えられる。
すなわ叡 このことは耐環境性材料として実用化が望ま
れているβ−３ｉＣ薄膜堆積に効果があり、低温形成で
、耐環境性のあるシリコンカーバイト薄膜を提供できも
れているβ−３ｉＣ薄膜堆積に効果があり、低温形成で
、耐環境性のあるシリコンカーバイト薄膜を提供できも
第１図および第２図はそれぞれ本発明の実施例によるシ
リコンカーバイト薄膜の堆積方法を実施するために使用
する装置の概略構成図であム１０１・・・テトラメチル
シラン（メチル基を有する有機珪素化合物）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ハ蛙
リコンカーバイト薄膜の堆積方法を実施するために使用
する装置の概略構成図であム１０１・・・テトラメチル
シラン（メチル基を有する有機珪素化合物）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ハ蛙
Claims (2)
- （１）原料として少なくともメチル基を有する有機珪素
化合物を用いることを特徴とするシリコンカーバイド薄
膜の堆積方法。 - （２）メチル基を有する有機珪素化合物として、テトラ
メチルシランを用いることを特徴とする請求項１記載の
シリコンカーバイド薄膜の堆積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176711A JPH0465310A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | シリコンカーバイド薄膜の堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176711A JPH0465310A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | シリコンカーバイド薄膜の堆積方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465310A true JPH0465310A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16018425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176711A Pending JPH0465310A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | シリコンカーバイド薄膜の堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202167B2 (en) | 2001-12-11 | 2007-04-10 | Aviza Technology Limited | Method of forming a diffusion barrier |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2176711A patent/JPH0465310A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202167B2 (en) | 2001-12-11 | 2007-04-10 | Aviza Technology Limited | Method of forming a diffusion barrier |
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