JPH046431A - Vacuum gage - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、気体の電離現象を利用した真空計に関し、
特に冷陰極の構造に特徴のある真空計に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a vacuum gauge that utilizes the ionization phenomenon of gas.
In particular, it relates to vacuum gauges with a unique cold cathode structure.
[従来の技術]
従来、最も信頼性の高い真空計として、熱陰極を備えた
電離真空計が知られている。中でもB−へゲージはよく
使われており、その他にも熱陰極電離真空計として多く
の種類が知られている。熱陰極電離真空計は、熱陰極か
ら放出された電子によって気体をイオン化し、そのイオ
ンの量に基づいて気体圧力を知るものである。[Prior Art] Conventionally, an ionization vacuum gauge equipped with a hot cathode has been known as the most reliable vacuum gauge. Among them, the B-he gauge is often used, and many other types of hot cathode ionization vacuum gauges are known. A hot cathode ionization vacuum gauge ionizes gas using electrons emitted from a hot cathode, and determines the gas pressure based on the amount of ions.
〔発明が解決しようとする課題]
上述した従来の熱陰極電離真空計は、測定の信頼度は高
いが、熱的擾乱の問題がある。すなわち、熱陰極によっ
てグリッドや真空計容器などが加熱されて、そこからガ
ス放出が生じ、特に圧力の低い領域では、真の圧力より
も一桁程度大きな圧力を指示してしまうことがある。し
たがって、超高真空や極高真空における圧力測定は極め
て困難となる欠点がある。[Problems to be Solved by the Invention] Although the conventional hot cathode ionization vacuum gauge described above has high measurement reliability, it has a problem of thermal disturbance. That is, the hot cathode heats the grid, vacuum gauge container, etc., causing gas to be released from there, and especially in low pressure areas, the pressure may be indicated to be about an order of magnitude higher than the true pressure. Therefore, there is a drawback that pressure measurement in ultra-high vacuum or extremely high vacuum is extremely difficult.
これに対して、冷陰極を備えた電離真空計は、上述のよ
うな熱的擾乱の問題は生じないが、高電圧を利用してい
て冷陰極放電の安定性が劣り、測定の信頼度が低い欠点
がある。また、高電圧を利用しているため、冷陰極が正
イオンでスパッタリングされて陰極寿命が短いという問
題もある。On the other hand, ionization vacuum gauges equipped with a cold cathode do not suffer from the thermal disturbance problem described above, but they use high voltage and have poor cold cathode discharge stability, making measurement reliable. There are low drawbacks. Furthermore, since high voltage is used, the cold cathode is sputtered with positive ions, resulting in a short cathode life.
[目的]
二の発明の目的は、原理的に熱的擾乱のない冷陰極電離
真空計の利点を生かすと共に、冷陰極電離真空計のもつ
上述の欠点を解消した真空計を提供することにある。[Objective] The second object of the invention is to provide a vacuum gauge that takes advantage of the advantages of a cold cathode ionization vacuum gauge, which is basically free from thermal disturbance, and eliminates the above-mentioned drawbacks of the cold cathode ionization vacuum gauge. .
[課題を解決するための手段]
この発明は、微細加工による冷陰極エミッタ(例えば、
NIKKEI MICRODEVICES 1989年
11月号149頁 参照)を含む冷陰極電子放出機構
を採用することにより、上述の目的を達成している。す
なわち、この発明は、冷陰極電子放出機構とグリッド機
構とイオンコレクタ機構とを備える真空計において、前
記冷陰極電子放出機構を次のように構成したものである
。この冷陰極電子放出機構は、多数の微小冷陰極と、こ
の微小冷陰極から放出される電子を加速するための多数
の微小加速電極とを備えている。そして、微小冷陰極と
微小加速電極は同一の基板の表面に形成されており、冷
陰極電子放出機構から放出される電子は前記基板の表面
に沿った方向に放出される。[Means for Solving the Problems] The present invention provides a microfabricated cold cathode emitter (for example,
The above objective is achieved by employing a cold cathode electron emission mechanism including a cold cathode electron emission mechanism (see NIKKEI MICRO DEVICES, November 1989 issue, page 149). That is, the present invention provides a vacuum gauge including a cold cathode electron emission mechanism, a grid mechanism, and an ion collector mechanism, in which the cold cathode electron emission mechanism is configured as follows. This cold cathode electron emission mechanism includes a large number of small cold cathodes and a large number of small accelerating electrodes for accelerating electrons emitted from the small cold cathodes. The microcold cathode and the microacceleration electrode are formed on the surface of the same substrate, and electrons emitted from the cold cathode electron emission mechanism are emitted in a direction along the surface of the substrate.
微小冷陰極と微小加速電極は、IC製造工程なとて使わ
れる微細パターン加工技術を利用して作られる。したが
って、一つの基板に多数の微小冷陰極と微小加速電極を
形成することができる。The microcold cathode and microacceleration electrode are made using micropattern processing technology used in IC manufacturing processes. Therefore, a large number of minute cold cathodes and minute acceleration electrodes can be formed on one substrate.
微小冷陰極と微小加速電極の数は同じにするのが一般的
であるが、一つの微小加速電極に対して、微小冷陰極の
電子放出部となる先端突起を二つ以上対応させてもよい
。Generally, the number of microcold cathodes and microacceleration electrodes is the same, but one microacceleration electrode may be associated with two or more tip protrusions that serve as electron emission parts of the microcold cathode. .
冷陰極電子放出機構は基板上に形成されるが、この基板
を平板状にすると微細パターン加工が容易になる。また
、冷陰極電子放出機構を環状の基板の上に形成して、コ
イル状のグリッド電極の周囲を取り囲むようにしてもよ
い。The cold cathode electron emission mechanism is formed on a substrate, and if this substrate is made into a flat plate, fine pattern processing becomes easier. Alternatively, the cold cathode electron emitting mechanism may be formed on an annular substrate to surround the coiled grid electrode.
冷陰極電子放出機構は、基板の片面だけではなくて、基
板の両面に形成してもよい。The cold cathode electron emission mechanism may be formed not only on one side of the substrate but also on both sides of the substrate.
微小冷陰極は正イオンの衝突を受けやすいので、適当な
イオンシールドを設けるのが好ましい。例えば、基板の
側面に所定の面積のイオンシールドを設ける。このイオ
ンシールドは微小冷陰極と同程度の電位にする。また、
イオンシールドを、微小冷陰極に接続して基板に垂直方
向に突き出して形成してもよい。Since the minute cold cathode is susceptible to collisions with positive ions, it is preferable to provide a suitable ion shield. For example, an ion shield with a predetermined area is provided on the side surface of the substrate. This ion shield has a potential similar to that of the small cold cathode. Also,
The ion shield may be formed by connecting to the microcold cathode and protruding vertically from the substrate.
[作用] この真空計の基本的な動作は次の通りである。[Effect] The basic operation of this vacuum gauge is as follows.
冷陰極電子放出機構において、微小冷陰極の先端の突起
から電界放射によって電子が放出され、微小加速電極で
加速される。微小冷陰極と微小加速電極は基板上に並べ
て形成されているので、電子は基板の表面に沿って放出
される。冷陰極電子放出機構から放出された電子は、ク
リッド電極に引っ張られて、グリッド電極の近傍を往復
することによって気体に衝突し、これを電離する。電離
によって生じた正イオンは、イオンコレクタ電極に捕捉
される。このイオンコレクタ電流を測定することによっ
て真空計内の圧力を求めることができる。In a cold cathode electron emission mechanism, electrons are emitted from a protrusion at the tip of a minute cold cathode by field radiation, and are accelerated by a minute acceleration electrode. Since the microcold cathode and the microacceleration electrode are formed side by side on the substrate, electrons are emitted along the surface of the substrate. Electrons emitted from the cold cathode electron emission mechanism are pulled by the grid electrode and reciprocate near the grid electrode, colliding with the gas and ionizing it. Positive ions generated by ionization are captured by the ion collector electrode. By measuring this ion collector current, the pressure inside the vacuum gauge can be determined.
この真空計では、多数(例えば、数千から致方)の微小
冷陰極から電子を放出しているので、一つの微小冷陰極
によるエミッタ電流が小さくても、トータルでは多くの
エミッタ電流を得ることができる。また、微小加速電極
を微小冷陰極の極めて近傍に配置できるので、微小冷陰
極付近の電界強度を大きくすることができる。これらの
構成により、この真空計では、安定したエミッタ電流を
得ることができ、冷陰極を利用しているにもかかわらず
測定精度が高い。しかも、この冷陰極電子放出機構によ
って電子を安定的に供給できるので、冷陰極とグリッド
電極との間の印加電圧をあまり高くしなくてもよい。In this vacuum gauge, electrons are emitted from many (for example, several thousand to thousands) minute cold cathodes, so even if the emitter current from one minute cold cathode is small, a large emitter current can be obtained in total. I can do it. Furthermore, since the minute accelerating electrode can be placed very close to the minute cold cathode, the electric field strength near the minute cold cathode can be increased. With these configurations, this vacuum gauge can obtain a stable emitter current and has high measurement accuracy despite using a cold cathode. Furthermore, since electrons can be stably supplied by this cold cathode electron emission mechanism, the voltage applied between the cold cathode and the grid electrode does not have to be too high.
[実施例] 次に、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。[Example] Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例の縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the present invention.
この真空計は、主として、真空容器10と、グリッド機
構20と、イオンコレクタ機構30と、冷陰極放出機構
40とからなる。This vacuum gauge mainly includes a vacuum vessel 10, a grid mechanism 20, an ion collector mechanism 30, and a cold cathode emission mechanism 40.
真空容器10は、円筒状の真空筒11と、イオンコレク
タ電極を貫通固定するためのイオンコレクタ・ステム部
12と、その他の電極端子を貫通固定するための電極ス
テム部13と、被測定真空室に取り付けるための接続管
14とからなり、これらが一体に形成されている。The vacuum container 10 includes a cylindrical vacuum tube 11, an ion collector stem part 12 for penetrating and fixing an ion collector electrode, an electrode stem part 13 for penetrating and fixing other electrode terminals, and a vacuum chamber to be measured. and a connecting pipe 14 for attachment to the holder, and these are integrally formed.
グリッド機構20は、コイル状のクリッド電極21を備
えており、このクリッド電極21は全体としてほぼ円筒
状になっている。グリッド電極21の両端は、2本のリ
ート22.23に接続固定されている。リート22.2
3は、絶縁変圧器26の出力端子に接続され、絶縁変圧
器26の入力端子には交流電源25が接続される。交流
電源25を動作させると、コイル状のクリッド電極21
に電流が流れて、これか加熱される。グリッド電極21
の加熱操作は真空計のガス放出のために行う作業であり
、圧力測定時にはグリッド電極21の加熱は行わない。The grid mechanism 20 includes a coil-shaped lid electrode 21, and the lid electrode 21 has a generally cylindrical shape as a whole. Both ends of the grid electrode 21 are connected and fixed to two leats 22 and 23. REIT22.2
3 is connected to an output terminal of an isolation transformer 26, and an AC power supply 25 is connected to an input terminal of the isolation transformer 26. When the AC power supply 25 is operated, the coil-shaped lid electrode 21
A current flows through it, causing it to heat up. Grid electrode 21
The heating operation is performed to release gas from the vacuum gauge, and the grid electrode 21 is not heated during pressure measurement.
クリッド加熱のためには、グリッド電極の形状として、
この実施例のようなコイル状が適している。For grid heating, the shape of the grid electrode is as follows:
A coiled shape as in this example is suitable.
リード22.23はグリッド電源24に接続されてグリ
ッド電圧が印加される。グリッドに流入する電流は電流
計27で測定できる。The leads 22 and 23 are connected to a grid power supply 24 and a grid voltage is applied thereto. The current flowing into the grid can be measured with an ammeter 27.
イオンコレクタ機構30は、イオンコレクタ電極31と
、イオン電流計32とを含む。イオンコレクタ電極31
は細長い針状てあり、コイル状のグリッド電極21の中
心に位置する。Ion collector mechanism 30 includes an ion collector electrode 31 and an ion ammeter 32. Ion collector electrode 31
has an elongated needle shape and is located at the center of the coiled grid electrode 21.
冷陰極電子放出機構40は、この実施例では、細長い平
板状の基板の上に形成されている。冷陰極電子放出機構
40の冷陰極はり−ド43を介して電流計59とエミッ
タ電源57に接続され、冷陰極電子放出機構40の加速
電極はリード線47を介して電子放出制御装置50と加
速電源58に接続されている。以下、この冷陰極電子放
出機構の詳しい構造を第2図〜第4図を参照して説明す
る。In this embodiment, the cold cathode electron emission mechanism 40 is formed on an elongated flat substrate. The cold cathode electron emission mechanism 40 is connected to an ammeter 59 and an emitter power supply 57 via the cold cathode beam 43, and the accelerating electrode of the cold cathode electron emission mechanism 40 is connected to the electron emission control device 50 via the lead wire 47. It is connected to a power source 58. The detailed structure of this cold cathode electron emission mechanism will be explained below with reference to FIGS. 2 to 4.
第2図は第1図の■−■線断面図である。冷陰極電子放
出機構40の基板表面から矢印55の方向に放出された
電子は、グリッド電極21に引っ張られて矢印54のよ
うに往復運動し、やがて、グリッド電極21に捕捉され
る。FIG. 2 is a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. Electrons emitted from the substrate surface of the cold cathode electron emission mechanism 40 in the direction of the arrow 55 are pulled by the grid electrode 21 and reciprocate as shown by the arrow 54, and are eventually captured by the grid electrode 21.
第3図は第2図の冷陰極電子放出機構40の模式的な拡
大断面図であり、第4図はその正面図である。第3図は
第4図の■−■線断面図となっている。基板48の表面
481には、微小冷陰極41 (以下、エミッタという
)と微小加速電極45か多数形成されている。基板48
はアルミナ等の絶縁体でてきている。エミッタ41の先
端411は尖っており、この先端4]1から電界放射に
よって電子か放出されるようになっている。FIG. 3 is a schematic enlarged sectional view of the cold cathode electron emission mechanism 40 of FIG. 2, and FIG. 4 is a front view thereof. FIG. 3 is a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 4. On the surface 481 of the substrate 48, a large number of minute cold cathodes 41 (hereinafter referred to as emitters) and minute acceleration electrodes 45 are formed. Board 48
Insulators such as alumina are being used. The tip 411 of the emitter 41 is sharp, and electrons are emitted from the tip 4]1 by field emission.
多数のエミッタ41は互いに接続部42て接続され、接
続部42の端部にはリート線431がボンデインクされ
ている。リード線431は第1図のり一ド43に電気的
に接続されている。加速電極45は円柱状であり、接続
部46によって互いに接続されている。接続部46の端
部にはリード線471がボンデインクされている。リー
ド線471は第1図のり一ド47に電気的に接続されて
いる。エミッタ4]の列と加速電極45の列は互いに平
行になっているが、エミッタ4]−の位置と加速を極4
5の位置は互いにずれていて、エミッタ41から放出さ
れる電子が加速電極45の間を通り抜けるようになって
いる。電子は基板48の表面481に沿って放出され、
矢印55の方向に飛んで行く。A large number of emitters 41 are connected to each other at connecting portions 42, and a leait wire 431 is bonded to the end of the connecting portion 42. Lead wire 431 is electrically connected to glue 43 in FIG. The accelerating electrodes 45 have a cylindrical shape and are connected to each other by a connecting portion 46. A lead wire 471 is bonded to the end of the connecting portion 46 . Lead wire 471 is electrically connected to glue 47 in FIG. The row of emitters 4] and the row of accelerating electrodes 45 are parallel to each other, but the position and acceleration of emitters 4]
5 are shifted from each other so that electrons emitted from the emitter 41 pass between the accelerating electrodes 45. Electrons are emitted along the surface 481 of the substrate 48;
It flies in the direction of arrow 55.
この実施例では、基板の両面に冷陰極電子放出機構を形
成しであるが、片面だけに形成してもよい。In this embodiment, the cold cathode electron emission mechanism is formed on both sides of the substrate, but it may be formed only on one side.
エミッタ41の先端の曲率半径はできるたけ小さくする
のが好ましく、こうすると電界放射が容易になる。曲率
半径は1μm以下にするのが好ましい。エミッタ41は
モリブデンやタングステンなどの高融点金属材料で作る
のが望ましいが、仕事関数の小さい(すなわち、電界に
よる冷陰極電子放射の能力が高い)材料ならば何でもよ
い。また、エミッタ表面に酸化物被膜を設けるなどして
仕事関数を小さくしてもよい。It is preferable to make the radius of curvature of the tip of the emitter 41 as small as possible, which facilitates electric field emission. The radius of curvature is preferably 1 μm or less. The emitter 41 is preferably made of a high melting point metal material such as molybdenum or tungsten, but any material with a small work function (that is, a high ability to emit cold cathode electrons by an electric field) may be used. Further, the work function may be reduced by providing an oxide film on the emitter surface.
基板48の上に微小なエミッタ41や加速電極45を多
数形成するには、IC製造工程などで使われる微細パタ
ーン加工技術を利用する。すなわち、成膜工程、フォト
レジストの露光・現像によるバターニング工程、エツチ
ング工程などを組み合わせて第3図および第4図に示す
ような冷陰極電子放出機構を形成できる。この微細パタ
ーン加工技術を利用すれば多数のエミッタや加速電極を
安定量産できる。エミッタ41や加速電極45の大きさ
は数μm〜数十μmであり、これらが一つの基板48上
に数千〜数百個形成される。なお、第3図と第4図では
基板48に対してエミッタ41や加速電極45の大きさ
を誇張して描いである。To form a large number of minute emitters 41 and accelerating electrodes 45 on the substrate 48, a fine pattern processing technique used in IC manufacturing processes is used. That is, a cold cathode electron emission mechanism as shown in FIGS. 3 and 4 can be formed by combining a film forming process, a patterning process by exposing and developing a photoresist, an etching process, and the like. Using this fine pattern processing technology, it is possible to stably mass-produce a large number of emitters and accelerating electrodes. The size of the emitter 41 and the accelerating electrode 45 is several micrometers to several tens of micrometers, and thousands to hundreds of these are formed on one substrate 48. Note that in FIGS. 3 and 4, the sizes of the emitter 41 and accelerating electrode 45 are exaggerated with respect to the substrate 48.
加速電極45のほかに別の加速電極451を設けてもよ
く、この加速電極451は電子をさらにグリッド電極に
向けて加速誘導する必要があるときに用いる。In addition to the accelerating electrode 45, another accelerating electrode 451 may be provided, and this accelerating electrode 451 is used when it is necessary to further accelerate and guide electrons toward the grid electrode.
基板48の側面にはイオンシールド44を形成しである
。このイオンシールド44は、エミッタ41と同電位に
保たれており、気体の電離によって生じた正イオンがエ
ミッタ41に衝突するのを防いでいる。すなわち、正イ
オンは、エミッタ41と比較して大きな面積を有するイ
オンシールド44に捕捉されて、エミッタ41のイオン
衝撃はほとんどなくなる。これにより、エミッタ41の
寿命が長くなる。また、エミッタ41は、第3図の右方
向から飛来してくる正イオンに対して加速電極45の後
方にあって、しかも加速電極45はエミッタ41よりも
高い電位になっているので、エミッタ41のイオン衝撃
はこの点ても少なくなる。An ion shield 44 is formed on the side surface of the substrate 48. The ion shield 44 is maintained at the same potential as the emitter 41 and prevents positive ions generated by ionization of the gas from colliding with the emitter 41. That is, positive ions are captured by the ion shield 44, which has a larger area than the emitter 41, and ion bombardment of the emitter 41 is almost eliminated. This increases the life of the emitter 41. Further, the emitter 41 is located behind the accelerating electrode 45 with respect to positive ions coming from the right side in FIG. 3, and since the accelerating electrode 45 has a higher potential than the emitter 41, In this respect, the ion bombardment is also reduced.
グリッド加熱時の蒸発やクリッドのスパッタリングによ
って、グリッドの方向(第3図の右方向)から金属蒸気
が飛来する場合もあるが、その場合でも、この金属蒸気
は基板表面481に平行に飛来することになるので、エ
ミッタ41とグリッド電極45との間の基板表面481
に金属蒸気が付着することは少なくなり、エミッタ41
とグリッド電極45との間の絶縁状態が、基板表面に付
着する金属蒸気によって劣化するようなこともない。Metal vapor may fly from the direction of the grid (right direction in Figure 3) due to evaporation during grid heating or sputtering of the grid, but even in that case, this metal vapor should fly parallel to the substrate surface 481. Therefore, the substrate surface 481 between the emitter 41 and the grid electrode 45
Metal vapor is less likely to adhere to the emitter 41.
The insulation state between the substrate and the grid electrode 45 will not deteriorate due to metal vapor adhering to the substrate surface.
必要により、基板表面481に溝482を設けて、エミ
ッタ41とグリッド電極45との絶縁状態が上述の金属
蒸気の影響を受けないようにしてもよい。If necessary, a groove 482 may be provided in the substrate surface 481 so that the insulation state between the emitter 41 and the grid electrode 45 is not affected by the metal vapor described above.
第5図は第4図に示すエミッタ41とその接続部42の
拡大斜視図である。エミッタ41の高さと接続部42の
高さは同しである。第6図はエミッタ41付近の形状の
変更例である。この例では、接続部42に垂直に壁42
1を形成しである。この壁421はエミッタ41と同電
位であって、しかもエミッタ41よりも大きな面積とな
っているので、正イオンによるイオン衝撃をこの壁42
1に集めて、エミッタ41へのイオン衝撃を少なくする
効果がある。FIG. 5 is an enlarged perspective view of the emitter 41 and its connecting portion 42 shown in FIG. 4. The height of the emitter 41 and the height of the connecting portion 42 are the same. FIG. 6 shows an example of changing the shape of the vicinity of the emitter 41. In this example, the wall 42 is perpendicular to the connection 42.
1 is formed. This wall 421 is at the same potential as the emitter 41 and has a larger area than the emitter 41, so the wall 421 prevents ion bombardment by positive ions.
This has the effect of reducing ion bombardment to the emitter 41.
第7図はエミッタ付近の形状の別の変更例である。この
例では、接続部42の厚さをエミッタ41よりも薄くす
ることによって、エミッタ41の先端411に電界をよ
り集中させて、電界放射を容易にしている。FIG. 7 shows another example of changing the shape near the emitter. In this example, by making the thickness of the connecting portion 42 thinner than the emitter 41, the electric field is more concentrated at the tip 411 of the emitter 41, and the electric field is easily radiated.
次に、この真空計の動作を説明する。Next, the operation of this vacuum gauge will be explained.
第1図と第2図において、冷陰極電子放出機構40から
放出された電子はグリッド電極21に引う張られて、矢
印54のような往復運動をし、やがてグリッド電極21
に捕捉される。その間に電子は真空計内の気体に衝突し
てこれを電離する。In FIGS. 1 and 2, electrons emitted from the cold cathode electron emission mechanism 40 are pulled by the grid electrode 21 and make a reciprocating motion as indicated by an arrow 54, and eventually the grid electrode 21
captured by During this time, the electrons collide with the gas inside the vacuum gauge and ionize it.
電離によって生じた正イオンはイオンコレクタ電極31
に捕捉される。このときのイオンコレクタ電流は電流計
32で測定できる。一方、冷陰極電子放出機構40のエ
ミッタから放出される電子の電流は電流計59で測定で
きる。また、グリッド電極21に流入する電子(エミッ
タからの放出電子と気体の電離で生じた電子とを含む)
の電流は電流計27で測定できる。真空計内の圧力は、
イオンコレクタ電流とエミッタ電流との比、またはイオ
ンコレクタ電流とグリッド電流との比から求めることが
できる。あるいは、イオンコレクタ電流、エミッタ電流
、グリッド電流の三つを利用して圧力を求めてもよい。Positive ions generated by ionization are transferred to the ion collector electrode 31
captured by The ion collector current at this time can be measured with an ammeter 32. On the other hand, the current of electrons emitted from the emitter of the cold cathode electron emission mechanism 40 can be measured with an ammeter 59. In addition, electrons flowing into the grid electrode 21 (including electrons emitted from the emitter and electrons generated by ionization of the gas)
The current can be measured with an ammeter 27. The pressure inside the vacuum gauge is
It can be determined from the ratio of ion collector current to emitter current or the ratio of ion collector current to grid current. Alternatively, the pressure may be determined using three of the ion collector current, emitter current, and grid current.
第1図の電子放出制御装置50はエミッタ電流を所定の
値に保つためのものである。すなわち、エミッタ電流が
所定の値よりも低下した場合には、エミッタ電流を増加
させるような働きをする。例えば、エミッタ電流が低下
した場合に加速電極の電位を高くする。The electron emission control device 50 shown in FIG. 1 is for maintaining the emitter current at a predetermined value. That is, when the emitter current falls below a predetermined value, it acts to increase the emitter current. For example, when the emitter current decreases, the potential of the accelerating electrode is increased.
第8図は冷陰極電子放出機構の変更例を示すもので、エ
ミッタと加速電極の付近を示しである。FIG. 8 shows a modified example of the cold cathode electron emission mechanism, and shows the vicinity of the emitter and accelerating electrode.
この例では、一つのエミッタ41に二つの突起413.
414を設けである。すなわち、エミッタ41と加速電
極45の数は等しいが、突起413.414の数は加速
電極45の2倍になっている。この場合、エミッタ41
の突起413と、隣りのエミッタ41の突起414とか
ら放出された電子は、同じ加速電極45の間を通り抜け
ていくことになる。もちろん、一つの加速電極に対して
3個以上のエミッタ突起を対応させてもよい。In this example, one emitter 41 has two protrusions 413 .
414 is provided. That is, the number of emitters 41 and accelerating electrodes 45 are equal, but the number of protrusions 413 and 414 is twice the number of accelerating electrodes 45. In this case, emitter 41
Electrons emitted from the protrusion 413 of the emitter 41 and the protrusion 414 of the adjacent emitter 41 pass through the same acceleration electrode 45. Of course, three or more emitter protrusions may correspond to one accelerating electrode.
また、エミッタ41と加速電極45の相対位置は図示の
位置からずらしてもよい。Further, the relative positions of the emitter 41 and the accelerating electrode 45 may be shifted from the illustrated positions.
第9図は冷陰極電子放出機構の別の変更例を示す。この
例も第8図の例と同様に、一つのエミッタ41に二つの
突起413.414を設けであるが、各突起413.4
14は第8図の例よりも鋭角になっていて、突起先端の
電界を強くしている。FIG. 9 shows another modification of the cold cathode electron emission mechanism. In this example, as well as the example shown in FIG. 8, one emitter 41 is provided with two protrusions 413.414.
14 has a more acute angle than the example shown in FIG. 8 to strengthen the electric field at the tip of the protrusion.
第10図は、冷陰極電子放出機構の基板の各種の形状を
まとめて示した斜視図であり、第11図はその縦断面図
である。基板401.402.403は、コイル状のク
リッド電極21を取り囲むようにリング状に構成した例
である。基板401は中空円板の形状であり、中空円板
の表面(片面または両面)に冷陰極電子放出機構を形成
しである。基板402は中空円筒形状であり、中空円筒
の内周面に冷陰極電子放出機構を形成しである。基板4
03は、中空の截頭円錐形状であり、その内側円錐面に
冷陰極電子放出機構を形成しである。基板404は、コ
イル状のクリッド電極21の上方に配置した中空円筒形
状の基板であり、その外周面に冷陰極電子放出機構を形
成しである。FIG. 10 is a perspective view showing various shapes of the substrate of the cold cathode electron emission mechanism, and FIG. 11 is a longitudinal sectional view thereof. The substrates 401, 402, and 403 are configured in a ring shape so as to surround the coil-shaped lid electrode 21. The substrate 401 is in the shape of a hollow disk, and a cold cathode electron emission mechanism is formed on the surface (one or both surfaces) of the hollow disk. The substrate 402 has a hollow cylindrical shape, and a cold cathode electron emission mechanism is formed on the inner peripheral surface of the hollow cylinder. Board 4
03 has a hollow truncated conical shape, and has a cold cathode electron emission mechanism formed on its inner conical surface. The substrate 404 is a hollow cylindrical substrate disposed above the coil-shaped lid electrode 21, and has a cold cathode electron emission mechanism formed on its outer peripheral surface.
基板405は、コイル状のグリッド電極21の下方に垂
直に立てて配置した平板状の基板であり、その両面に冷
陰極電子放出機構を形成しである。The substrate 405 is a flat substrate disposed vertically below the coil-shaped grid electrode 21, and has cold cathode electron emission mechanisms formed on both surfaces thereof.
第11図において各種基板401〜405の近傍の矢印
は電子の放出方向を示している。いずれの場合も基板の
表面に沿って電子が放出される。第10図と第11図に
示した基板の例は、これらのいずれか一つを、または二
つ以上を組み合わせて利用することができる。In FIG. 11, arrows near the various substrates 401 to 405 indicate electron emission directions. In either case, electrons are emitted along the surface of the substrate. Any one of the substrate examples shown in FIGS. 10 and 11 or a combination of two or more can be used.
結局、この発明では、冷陰極電子放出機構を基板上に固
体素子として形成するようにしたので、冷陰極電子放出
機構を自由な形状にすることができ、また量産も可能と
なる。After all, in this invention, the cold cathode electron emitting mechanism is formed as a solid element on the substrate, so the cold cathode electron emitting mechanism can be formed into any shape, and mass production is also possible.
この発明の真空計は、冷陰極電子放出機構を採用してい
て熱的擾乱が生じないので、従来の熱陰極電離真空計よ
りも圧力の低い領域を測定することか可能となる。とこ
ろで、真空計の測定限界に影響を及ぼすものとしては、
熱的擾乱以外に、軟X線の影響かある。すなわち、クリ
ッド電極に電子が入射したときに軟X線が発生し、この
軟X線がイオンコレクタ電極に当たるとイオンコレクタ
電極から光電子が放出される。これにより、イオンコレ
クタ電極に光電流が流れ、これが真空計の測定限界を定
める。したがって、熱的擾乱の生しない利点を有するこ
の発明の真空計にあっては、さらに軟X線の影響を少な
くすることが測定限界を下げる意味で重要となる。この
点を考慮して、以下の第12図と第13図の変更例では
、軟X線の影響を少な(しである。Since the vacuum gauge of the present invention employs a cold cathode electron emission mechanism and does not cause thermal disturbance, it is possible to measure areas of lower pressure than conventional hot cathode ionization vacuum gauges. By the way, the things that affect the measurement limits of a vacuum gauge are:
In addition to thermal disturbances, there is also the influence of soft X-rays. That is, when electrons are incident on the lid electrode, soft X-rays are generated, and when the soft X-rays hit the ion collector electrode, photoelectrons are emitted from the ion collector electrode. This causes a photocurrent to flow in the ion collector electrode, which defines the measurement limits of the vacuum gauge. Therefore, in the vacuum gauge of the present invention, which has the advantage of not causing thermal disturbance, it is important to further reduce the influence of soft X-rays in order to lower the measurement limit. In consideration of this point, in the modified examples shown in FIGS. 12 and 13 below, the influence of soft X-rays is reduced.
第12図はイオンコレクタ電極の変更例を示す。FIG. 12 shows a modification of the ion collector electrode.
この例では、イオンコレクタ電極31の先端たけを点状
に露出するようにしたもので、これにより軟X線による
測定限界を下げることができる。このようなイオンコレ
クタ電極は、例えば特公昭42−14992号公報に開
示されている。In this example, only the tip of the ion collector electrode 31 is exposed in a dotted manner, thereby lowering the measurement limit using soft X-rays. Such an ion collector electrode is disclosed, for example, in Japanese Patent Publication No. 42-14992.
第13図はイオンコレクタ機構の別の変更例を示す。こ
の例では、第12図の形状のイオンコレクタ電極31を
採用していて、がっ、X線シールド33を設けである。FIG. 13 shows another modification of the ion collector mechanism. In this example, an ion collector electrode 31 having the shape shown in FIG. 12 is used, and an X-ray shield 33 is provided.
このX線シールド33は、グリッド電極21からの軟X
線がイオンコレクタ電極31に入射するのを効果的に遮
断できる。正イオンは孔34を通ってイオンコレクタ電
極31に到達する。この種のX線シールドは、例えば、
天馬らにより雑誌“真空”第19巻、w、7号(1,9
76)229−238頁に示されている。This X-ray shield 33 protects against soft X-rays from the grid electrode 21.
It is possible to effectively block the radiation from entering the ion collector electrode 31. Positive ions reach the ion collector electrode 31 through the hole 34. This type of X-ray shield is e.g.
Magazine “Shinku” Vol. 19, w, No. 7 (1,9
76) on pages 229-238.
第1図の実施例は真空容器の中に各種の電極を配置した
例であるが、電極ステム部だけを残して真空容器を取り
去った、いわゆるヌード形にしてもよい。Although the embodiment shown in FIG. 1 is an example in which various electrodes are arranged in a vacuum container, a so-called nude type may be used in which only the electrode stem portion is left and the vacuum container is removed.
上述の実施例では、グリッド電極の形状をコイル状とし
たが、その他の形状にしてもよい。In the above-described embodiment, the grid electrode has a coil shape, but other shapes may be used.
この発明は、電子衝撃によって気体を電離する形式の真
空計であればどのようなものにも適用できる。したかっ
て、大造ゲージ、シュルツゲージ、二極真空計などに適
用できる。This invention can be applied to any type of vacuum gauge that ionizes gas by electron bombardment. Therefore, it can be applied to Daizo gauges, Schulz gauges, double-electrode vacuum gauges, etc.
[発明の効果コ
以上説明したようにこの発明の真空計は、同一の基板の
表面に多数の微小冷陰極と多数の微小加速電極を形成し
て冷陰極電子放出機構を構成したので次の効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, the vacuum gauge of the present invention has a cold cathode electron emission mechanism formed by forming a large number of minute cold cathodes and a number of minute accelerating electrodes on the surface of the same substrate, so that the following effects can be achieved. There is.
(1)熱陰極を使用しないので熱的擾乱がなく、また冷
陰極であるにもかかわらず電子放出が安定している。し
たがって、熱陰極真空計の欠点と従来の冷陰極真空計の
欠点とを同時に解消して、信頼性の高い真空計を得るこ
とができた。これにより、この真空計で超高真空や極高
真空の圧力測定が可能となる。(1) Since no hot cathode is used, there is no thermal disturbance, and electron emission is stable despite the use of a cold cathode. Therefore, the drawbacks of hot cathode vacuum gauges and conventional cold cathode vacuum gauges can be solved at the same time, and a highly reliable vacuum gauge can be obtained. This allows this vacuum gauge to measure pressure in ultra-high vacuums and extremely high vacuums.
(2)冷陰極電子放出機構の微小冷陰極や微小加速電極
は基板表面上に微細パターン加工技術によって形成でき
るので、安定量産が可能である。特に、基板表面に沿っ
て電子を放出できるようにしたので、微小冷陰極や微小
加速電極を基板上で平面的に並べて形成することができ
、量産化に適する。(2) The microcold cathode and microacceleration electrode of the cold cathode electron emission mechanism can be formed on the substrate surface by micropattern processing technology, so stable mass production is possible. In particular, since electrons can be emitted along the substrate surface, microcold cathodes and microacceleration electrodes can be formed in a plane on the substrate, making it suitable for mass production.
(3)多数の微小冷陰極の先端突起での電界放射によっ
て電子放出が行われるので、所定の電子放出電流を得る
のに、冷陰極とグリッドとの間に高電圧を印加しなくて
済み、正イオン衝撃による冷陰極スパッタリングが少な
い。(3) Electron emission is performed by field emission at the tip projections of a large number of minute cold cathodes, so there is no need to apply a high voltage between the cold cathode and the grid to obtain a predetermined electron emission current; Cold cathode sputtering due to positive ion bombardment is reduced.
したがって、冷陰極の寿命が長い。さらに冷陰極の近傍
に適当なイオンシールドを施せば、冷陰極への正イオン
衝撃はより少なくなる。Therefore, the life of the cold cathode is long. Furthermore, if an appropriate ion shield is provided near the cold cathode, the impact of positive ions on the cold cathode will be further reduced.
第1図はこの発明の一実施例の縦断面図、第2図は第1
図のn−n線断面図、
第3図は冷陰極電子放出機構の一部の拡大平面断面図、
第4図は第3図に示す部分の正面図、
第5図は微小冷陰極付近の斜視図、
第6図は微小冷陰極付近の変更例の斜視図、第7図は微
小冷陰極付近の別の変更例の斜視図、第8図は冷陰極電
子放出機構の変更例の一部の正面図、
第9図は冷陰極電子放出機構の別の変更例の一部の正面
図、
第10図は冷陰極電子放出機構の基板の各種形状を示す
斜視図、
第11図は第10図に示す部分の縦断面図、第12図は
イオンコレクタ電極の変更例の正面断面図、
第13図はイオンコレクタ機構の変更例の正面断面図で
ある。
21・・・グリッド電極
31・・・イオンコレクタ電極
40・・・冷陰極電子放出機構
41・・・微小冷陰極(エミッタ)
45・・・微小加速電極
48・・・基板
481・・基板表面
55・・・電子放出方向
21゛グリンド電極
31 イオンコレクタ電極
40゛冷陰極電子放出機構
第
第3
第
図
第
図
第13
密FIG. 1 is a longitudinal sectional view of one embodiment of the present invention, and FIG.
Figure 3 is an enlarged plan cross-sectional view of a part of the cold cathode electron emission mechanism; Figure 4 is a front view of the part shown in Figure 3; Figure 5 is a view of the vicinity of the small cold cathode. Perspective view, Figure 6 is a perspective view of a modified example of the vicinity of the cold cathode, Figure 7 is a perspective view of another modified example of the vicinity of the cold cathode, and Figure 8 is a part of a modified example of the cold cathode electron emission mechanism. 9 is a front view of a part of another modified example of the cold cathode electron emission mechanism, FIG. 10 is a perspective view showing various shapes of the substrate of the cold cathode electron emission mechanism, and FIG. 11 is the 10th FIG. 12 is a front sectional view of a modified example of the ion collector electrode, and FIG. 13 is a front sectional view of a modified example of the ion collector mechanism. 21... Grid electrode 31... Ion collector electrode 40... Cold cathode electron emission mechanism 41... Microscopic cold cathode (emitter) 45... Microscopic acceleration electrode 48... Substrate 481... Substrate surface 55 ... Electron emission direction 21゛Grind electrode 31 Ion collector electrode 40゛Cold cathode electron emission mechanism No. 3 Fig. Fig. Fig. 13 Density
Claims (6)
クタ機構とを備える真空計において、 前記冷陰極電子放出機構は、多数の微小冷陰極と、この
微小冷陰極から放出される電子を加速するための多数の
微小加速電極とを備えていて、微小冷陰極と微小加速電
極は同一の基板の表面に形成されており、冷陰極電子放
出機構から放出される電子は前記基板の表面に沿った方
向に放出されることを特徴とする真空計。(1) In a vacuum gauge including a cold cathode electron emission mechanism, a grid mechanism, and an ion collector mechanism, the cold cathode electron emission mechanism includes a large number of minute cold cathodes and a structure for accelerating electrons emitted from the minute cold cathodes. The micro cold cathode and the micro accelerating electrodes are formed on the surface of the same substrate, and the electrons emitted from the cold cathode electron emission mechanism are directed in the direction along the surface of the substrate. A vacuum gauge characterized by a discharge of
放出部となる先端突起が二つ以上対応していることを特
徴とする請求項1記載の真空計。(2) The vacuum gauge according to claim 1, characterized in that two or more tip projections serving as electron emitting portions of the cold micro cathode correspond to one micro accelerating electrode.
り、前記冷陰極電子放出機構は前記グリッド電極を取り
囲んでいることを特徴とする請求項1記載の真空計。(3) The vacuum gauge according to claim 1, wherein the grid electrode of the grid mechanism has a coil shape, and the cold cathode electron emission mechanism surrounds the grid electrode.
の両面に形成されていることを特徴とする請求項1記載
の真空計。(4) The vacuum gauge according to claim 1, wherein the minute cold cathode and the minute acceleration electrode are formed on both sides of the substrate.
めのイオンシールドが、前記基板の側面に形成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の真空計。(5) The vacuum gauge according to claim 1, wherein an ion shield for preventing positive ions from colliding with the minute cold cathode is formed on a side surface of the substrate.
めのイオンシールドが、微小冷陰極に接続されて基板に
垂直方向に突き出して形成されていることを特徴とする
請求項1記載の真空計。(6) An ion shield for preventing positive ions from colliding with the cold minute cathode is connected to the cold minute cathode and is formed to protrude perpendicularly to the substrate. Vacuum gauge.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPH046431A true JPH046431A (en) | 1992-01-10 |
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US20110138845A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Fujitsu General Limited | Duct type air conditioner |
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KR200489691Y1 (en) * | 2018-12-31 | 2019-07-24 | (주)아토벡 | Vacuum gauge using MEMS SENSOR for safety in gas supply system or precursor supply system for semiconductor manufacturing |
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1990
- 1990-04-24 JP JP10636690A patent/JP2770249B2/en not_active Expired - Fee Related
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