JPH0463478A - ＳｉＣ発光装置 - Google Patents
ＳｉＣ発光装置Info
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- JPH0463478A JPH0463478A JP2176535A JP17653590A JPH0463478A JP H0463478 A JPH0463478 A JP H0463478A JP 2176535 A JP2176535 A JP 2176535A JP 17653590 A JP17653590 A JP 17653590A JP H0463478 A JPH0463478 A JP H0463478A
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇１上皇且■分野
本発明は、基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ）が用いられるＳ
ｉＣ発光装置に関する。
ｉＣ発光装置に関する。
従米■肢街
上記ＳｉＣ発光装置としては、特開昭６２−２５４７２
号公報に示すものや、第３図に示すものがある。第３図
に示すものを例にとって以下に説明する。
号公報に示すものや、第３図に示すものがある。第３図
に示すものを例にとって以下に説明する。
ｎ型ＳｉＣから成る基板２１には、ｎ型エピタキシャル
層（発光層）２２とｐ型エピタキシャル層２３とが順に
形成されており、且つ上記両エピタキシャル層２２・２
３が形成された主面には、上記両エピタキシャル層２２
・２３の厚みより深い略Ｖ字状の溝２４が形成されてい
る。このような溝２４が形成されていれば、発光層２２
と略平行に進む発光光線３０は上記溝２４の傾斜面で反
射されるため、発光光線の集光性が向上する。
層（発光層）２２とｐ型エピタキシャル層２３とが順に
形成されており、且つ上記両エピタキシャル層２２・２
３が形成された主面には、上記両エピタキシャル層２２
・２３の厚みより深い略Ｖ字状の溝２４が形成されてい
る。このような溝２４が形成されていれば、発光層２２
と略平行に進む発光光線３０は上記溝２４の傾斜面で反
射されるため、発光光線の集光性が向上する。
＜”しよ゛と る゛
しかしながら、このような集光性の向上は、基板２１と
上記両エピタキシャル層２２・２３が不透明なもの（Ｇ
ａＰ、ＧａＡｓ等）から成る場合に発揮されるものであ
って、上記の如く基板２１や両エピタキシャル層２２・
２３が透明もの（ＳｉＣ）から成る場合には余り発揮さ
れないという課題を有していた。これは、基板２１等が
透明であれば、発光層２２と略平行に進む発光光線３０
は、上記溝２４の傾斜面で反射し難いため取り出し光２
５となる割合が少なく、溝２４を通過して発光層２２と
平行に射出する光２６や、溝２４の他方の傾斜面で反射
して光取り出し面と逆方向に射出する光２７の割合が多
くなるという理由による。
上記両エピタキシャル層２２・２３が不透明なもの（Ｇ
ａＰ、ＧａＡｓ等）から成る場合に発揮されるものであ
って、上記の如く基板２１や両エピタキシャル層２２・
２３が透明もの（ＳｉＣ）から成る場合には余り発揮さ
れないという課題を有していた。これは、基板２１等が
透明であれば、発光層２２と略平行に進む発光光線３０
は、上記溝２４の傾斜面で反射し難いため取り出し光２
５となる割合が少なく、溝２４を通過して発光層２２と
平行に射出する光２６や、溝２４の他方の傾斜面で反射
して光取り出し面と逆方向に射出する光２７の割合が多
くなるという理由による。
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、
基板や発光層が透明な場合であっても、集光性を向上し
得るＳｉＣ発光装置の提供を目的とする。
基板や発光層が透明な場合であっても、集光性を向上し
得るＳｉＣ発光装置の提供を目的とする。
ｆ ゛ るための
本発明は上記目的を達成するために、ＳｉＣから成る基
板には発光層が形成され、且つ上記発光層が形成された
主面には、発光層の厚みよりも深い先細り状の溝が形成
されたＳｉＣ発光装置において、少な（とも上記溝の傾
斜面には絶縁層と上記発光光線を反射する反射層とが順
に形成され、且つ上記溝の傾斜面の傾斜角は、上記発光
層に略平行に進む発光光線が上記発光層と略垂直に反射
するような角度となるよう形成されることを特徴とする
。
板には発光層が形成され、且つ上記発光層が形成された
主面には、発光層の厚みよりも深い先細り状の溝が形成
されたＳｉＣ発光装置において、少な（とも上記溝の傾
斜面には絶縁層と上記発光光線を反射する反射層とが順
に形成され、且つ上記溝の傾斜面の傾斜角は、上記発光
層に略平行に進む発光光線が上記発光層と略垂直に反射
するような角度となるよう形成されることを特徴とする
。
詐ニーー度
上記構成の如く、発光層に略平行に進む発光光線を反射
する溝の傾斜面に反射層が形成されていれば、基板や発
光層が透明な場合であっても、上記のように進む発光光
線は溝の傾斜面に形成された反射層で反射されることに
なる。従って、上記のように進む発光光線が発光層と平
行に発光装置外に射出することもな（、且つ光取り出し
面と逆方向から射出することもない。この結果、光の集
光性を飛躍的に向上させることができる。
する溝の傾斜面に反射層が形成されていれば、基板や発
光層が透明な場合であっても、上記のように進む発光光
線は溝の傾斜面に形成された反射層で反射されることに
なる。従って、上記のように進む発光光線が発光層と平
行に発光装置外に射出することもな（、且つ光取り出し
面と逆方向から射出することもない。この結果、光の集
光性を飛躍的に向上させることができる。
実−旌−■
本発明の一実施例を第１図及び第２図（ａ）〜（ｄ）に
基づいて以下に説明する。第１図は本発明の一例にがか
るＳｉＣ発光ダイオードの断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は上記ＳｉＣ発光ダイオードの製造工程を示す断面図
である。
基づいて以下に説明する。第１図は本発明の一例にがか
るＳｉＣ発光ダイオードの断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は上記ＳｉＣ発光ダイオードの製造工程を示す断面図
である。
第１図に示すようにｎ型ＳｉＣ基板ｌには、ｎ型エピタ
キシャル層（発光層）２とｎ型エピタキシャル層３とが
順に形成されており、上記ｎ型エピタキシャル層２とｎ
型エピタキシャル層３との膜厚の合計は約１０ａｍ程度
となるように構成されている。また、上記両エピタキシ
ャル層２パ３が形成された主面には、上記両エピタキシ
ャル層２・３の厚みよりも深い（深さ約１５μｍ）略■
字型の溝４が形成されている。この溝４は上記ｎ型エピ
タキシャル層２に略平行に進む発光光線１３をその傾斜
面で反射するために設けられており、溝４の傾斜面の傾
斜角は上記発光光線１３がｎ型エピタキシャル層２と略
垂直（光取り出し面１５側）に反射するような角度とな
るように形成されている。上記溝４と上記ｐ型エピタキ
シャル層３との表面には、厚み２０００人のＴｉｅ、膜
から成る絶縁層５が形成されている。但し、この絶縁層
５の一部には窓が形成されており、この窓にはオーミッ
ク電極から成るｐ型電極７が形成されている。更に、こ
のＰ型電極７と前記絶縁層５との表面には、Ａｕ膜（１
μｍ）とＰｄ膜（０，２μｍ）とＴｉ膜（０，１μｍ）
とから成る反射層６が形成されている。一方、前記主面
と対峙する面には、ｎ型電極８が形成されている。
キシャル層（発光層）２とｎ型エピタキシャル層３とが
順に形成されており、上記ｎ型エピタキシャル層２とｎ
型エピタキシャル層３との膜厚の合計は約１０ａｍ程度
となるように構成されている。また、上記両エピタキシ
ャル層２パ３が形成された主面には、上記両エピタキシ
ャル層２・３の厚みよりも深い（深さ約１５μｍ）略■
字型の溝４が形成されている。この溝４は上記ｎ型エピ
タキシャル層２に略平行に進む発光光線１３をその傾斜
面で反射するために設けられており、溝４の傾斜面の傾
斜角は上記発光光線１３がｎ型エピタキシャル層２と略
垂直（光取り出し面１５側）に反射するような角度とな
るように形成されている。上記溝４と上記ｐ型エピタキ
シャル層３との表面には、厚み２０００人のＴｉｅ、膜
から成る絶縁層５が形成されている。但し、この絶縁層
５の一部には窓が形成されており、この窓にはオーミッ
ク電極から成るｐ型電極７が形成されている。更に、こ
のＰ型電極７と前記絶縁層５との表面には、Ａｕ膜（１
μｍ）とＰｄ膜（０，２μｍ）とＴｉ膜（０，１μｍ）
とから成る反射層６が形成されている。一方、前記主面
と対峙する面には、ｎ型電極８が形成されている。
上記の構成であれば、ｎ型エピタキシャル層２と平行に
進む発光光線１３は、溝４の傾斜面に形成された反射層
６で確実に反射されて反射光１４となった後、ｎ型エピ
タキシャル層２と垂直方向（光取り出し面１５側）に射
出することになる。
進む発光光線１３は、溝４の傾斜面に形成された反射層
６で確実に反射されて反射光１４となった後、ｎ型エピ
タキシャル層２と垂直方向（光取り出し面１５側）に射
出することになる。
ここで、上記ＳｉＣ発光ダイオードの製造方法を第２図
（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。
（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。
先ず、同図（ａ）に示すように、ｎ型ＳｉＣ基板１にｎ
型エピタキシャル層２とｎ型エピタキシャル層３とを順
に形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、溝４の形
成部以外の部位をＳｉｎ。
型エピタキシャル層２とｎ型エピタキシャル層３とを順
に形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、溝４の形
成部以外の部位をＳｉｎ。
から成る薄膜１０で覆ってマスキングを行った後、塩素
ガス中（１０００°Ｃ）でドライエツチングを施し、深
さ約１５μｍのＶ型の溝４を形成する。
ガス中（１０００°Ｃ）でドライエツチングを施し、深
さ約１５μｍのＶ型の溝４を形成する。
次に、上記薄膜１０を取り除いた後、同図（Ｃ）に示す
ように、上記溝４とｎ型エピタキシャル層３との表面に
絶縁層５を形成する。次いで、上記絶縁層５の所定部位
をエツチングして窓を形成した後、この窓にＰ型電極７
を形成する。しかる後、同図（ｄ）に示すように、Ｐ型
電極７と絶縁層５との表面に反射層６を形成すると共に
、光取り出し面１５側にｎ型電極８を形成する。このよ
うにしてＳｉＣ発光ダイオードを得た。
ように、上記溝４とｎ型エピタキシャル層３との表面に
絶縁層５を形成する。次いで、上記絶縁層５の所定部位
をエツチングして窓を形成した後、この窓にＰ型電極７
を形成する。しかる後、同図（ｄ）に示すように、Ｐ型
電極７と絶縁層５との表面に反射層６を形成すると共に
、光取り出し面１５側にｎ型電極８を形成する。このよ
うにしてＳｉＣ発光ダイオードを得た。
尚、上記実施例では絶縁層５としてＴｉＯ２を用いてい
るが、これに限定するものではなく、ＳｉＯ２やシリコ
ンナイトライドであっても良い。
るが、これに限定するものではなく、ＳｉＯ２やシリコ
ンナイトライドであっても良い。
また、反射層６は、上記実施例の如く３層構造に限定す
るものではない。
るものではない。
更に、絶縁層５と反射層６との接触部位における反射層
６としては、Ｔｉ、Ａｎ、Ａｇ、Ｓ ｉの何れかによっ
て構成される金属膜或いは金属多層膜を用いることが望
ましい。
６としては、Ｔｉ、Ａｎ、Ａｇ、Ｓ ｉの何れかによっ
て構成される金属膜或いは金属多層膜を用いることが望
ましい。
加えて、上記実施例では、発光ダイオード単体について
説明したが、これに限定するものではなく、同一ウニバ
ー内に多数の発光ダイオードを形成し、これを棒状に切
断することによってプリンタ用光源に用いること等も可
能である。
説明したが、これに限定するものではなく、同一ウニバ
ー内に多数の発光ダイオードを形成し、これを棒状に切
断することによってプリンタ用光源に用いること等も可
能である。
主班二苅来
以上説明したように本発明によれば、基板や発光層が透
明な場合であっても、発光層と平行に進む発光光線は溝
の傾斜面に形成された反射層で反射されることになる。
明な場合であっても、発光層と平行に進む発光光線は溝
の傾斜面に形成された反射層で反射されることになる。
この結果、光の集光性を飛躍的に向上することができ、
簡単な構造でＳｉＣ発光装置の光量を飛躍的に増大する
ことができるという効果を奏する。
簡単な構造でＳｉＣ発光装置の光量を飛躍的に増大する
ことができるという効果を奏する。
第１図は本発明の一例にがかるＳｉＣ発光ダイオードの
断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は上記ＳｉＣ発光ダイオ
ードの製造工程を示す断面図である。 １・・・ｎ型ＳｉＣ基板、２・・・ｎ型エピタキシャル
層、３・・・ｐ型エピタキシセル層、４・・・溝、５・
・・絶縁層、６・・・反射層。 特許出願人：三洋電機 株式会社
断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は上記ＳｉＣ発光ダイオ
ードの製造工程を示す断面図である。 １・・・ｎ型ＳｉＣ基板、２・・・ｎ型エピタキシャル
層、３・・・ｐ型エピタキシセル層、４・・・溝、５・
・・絶縁層、６・・・反射層。 特許出願人：三洋電機 株式会社
Claims (1)
- （１）ＳｉＣから成る基板には発光層が形成され、且つ
上記発光層が形成された主面には、発光層の厚みよりも
深い先細り状の溝が形成されたＳｉＣ発光装置において
、 少なくとも上記溝の傾斜面には絶縁層と上記発光光線を
反射する反射層とが順に形成され、且つ上記溝の傾斜面
の傾斜角は、上記発光層に略平行に進む発光光線が上記
発光層と略垂直に反射するような角度となるよう形成さ
れることを特徴とするＳｉＣ発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176535A JPH0463478A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | ＳｉＣ発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176535A JPH0463478A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | ＳｉＣ発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463478A true JPH0463478A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16015305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176535A Pending JPH0463478A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | ＳｉＣ発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0463478A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106454A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
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| JP2007189242A (ja) * | 2000-08-08 | 2007-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法 |
| JP2008041839A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
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| JP2009295999A (ja) * | 1998-07-28 | 2009-12-17 | Imec | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
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| EP2296197A3 (en) * | 2009-09-10 | 2014-03-26 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
| JP2014063904A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| EP3024031A1 (en) * | 2009-11-06 | 2016-05-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system |
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| US11329204B2 (en) | 2018-12-24 | 2022-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro light emitting diode and manufacturing method of micro light emitting diode |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2176535A patent/JPH0463478A/ja active Pending
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| JP2014063904A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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