JPH0461258A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に樹脂封止形
ＬＳＩパッケージの高信頼化に適用して有効な技術に関
するものである。

〔従来の技術〕

所定の集積回路を形成した半導体チップをモールド樹脂
で封止した樹脂封止形ＬＳＩパッケージは、チップが発
熱、冷却を繰り返すと、モールド樹脂とチップとの熱膨
張係数差に起因してそれるの界面に剥離が発生し、配線
の腐食やボンディングワイヤの断線などを引き起こすこ
とが知られている。また、モールド樹脂とチップとの界
面に加わる熱応力は、チップの中心部よりも外周部の方
が大きく、特に通常は集積回路やポンディングパッドが
形成されていないチップの四隅は、表面の平坦性が高い
ので、モールド樹脂との界面が滑り易く、従って界面剥
離が発生し易いことが指摘されている。そこで従来は、
チップの表面にポリイミド樹脂などのチップコート剤を
筒孔し、モールド樹脂とチップとの界面の接着性を向上
させていた。なお、ＬＳＩパッケージの高信頼化技術に
ついては、工業調査会、平成元年１２月１日発行の「電
子材料」Ｐ２７〜Ｐ３１に記載がある。

′発明が解決ｉ２９、よう２する課題、”、と、−ろが
、チップに形成、される集Ｗｌ［す１路が大規模になり
、−アップサイズが次第に人きくな、：＜ると、それに
伴って千ツブの外周部に加わる応力も次第に大きくなろ
ｆ−：　ｒ、チ・・／グの表面にデーツブＤ−１剤をナ
ベ４−６だｔｊＪでは、前３己界１有］剥ｎを防升する
ことが困難になる。

本発明は、］−記（だ問題点ｊ、：着１７１テなさ才ｊ
たもの二あり、七の目的は、樹脂打止形り、　Ｓ　Ｉバ
ック−・ジのモールド樹脂］、−ヲップと０）界面剥ｎ
を有効に防止する。′：′とのできる技術を提供４〜る
こと１：ある□１ 本発駄のｌ１ｉｌ記ならびにその他の目的と！Ｆ１規な
特徴は、本駄細書σ）記述および添付図面から明らかに
なるであＩ）う。

ｌｌ′課題を解決するための手段〕 本願において開示される発肋のうち、代、１的なものの
概要を藺単に説明−ｐれば、次の止おりである。

本願の一発明は、樹脂打止形■、ＳＩバンケ〜ジに封止
されたチップの外１６部１、゛おいてポンデイ・、２・
グバッドや集積１’：’＝ｉ路が形成、されていない領
域１−゛、デーツブとモールド樹脂との接着性４向、１
′させるだめの凹凸パターン４訟けたものである。

、゛台用１ チップＣ）外周部のボ゛／ディングパッドや周込１（「
１１銘、が形成されていな１．′１領域（例λば四隅）
は、ぺ゛の表ｔの平坦性が高；、）のご、モールド樹脂
との界面が滑り易く、剥離が特１：発生（１０，易い箇
所となる５゜４二で、この領域に凹凸パターン４形成−
すること１乙、より、チップ表面とモールビ樹脂との界
面の滑りが妨げられ、接着ｌ１１′ｉｆｉ向トするので
、この領域の界面剥離が有効に防止される。

〔実施例コ・ 第３図は、本実施例のＬＳＩパッケージの斜視図、第４
図は、第３図の■−ＩＶ線ｔコ沿ったこの１５３１パツ
ケージの断（ｌＩＩｌｉ図である。

ＬＳＩパッケージ１は、ビン挿入形パッケージの一種の
Ｌ”）　Ｉ　Ｐ（Ｄｕａｌ　Ｉｎ−１ｉｎｅ　Ｐａｃｋ
ａｇｅ）であり、そのパッケージ本体２は、例えばシリ
フーンフィラーを添加したニブキン系樹脂からなる。１
ｊ−記パッケージ本体１）、の内部１、は；、−ＪＩ　
Ｈ」ンＷ９結品かろなる矩形、の半導体チップ３が封＋
Ｊ−されて（ハる。第、１区に示すように、干に１′Ｊ
、チップ３は、例ズば＝ボ十ン樹脂系の接着剤４４介し
てタブ（ダイバ、ト部）５上に搭載されている３、上記
チップ３の表面には、パッケージ本体２を構成、する前
記エボキ／系樹脂とチップ３との接着性を向上させるた
絖、例えばポリイミド樹脂からなるチップフート剤６が
塗布されている。チップ３の主面の外周部に形成された
ポンディングパッド７と、ＬＳｒパッケージ１の外部端
子であるリード８との間には、ワイヤ９がボンディング
されている。上記タブ５およびリード８は４２アロイま
たはＣｕからなり、ワイヤ９はＡａ、ＣｕまたはＡ！か
らなる。

第１図は、上記パッケージ本体２の内部に封止されたチ
ップ３のコーナ一部（隅）を拡大して示す断面図である
。

チップ３のコーナ一部の主面上には、所定の間隔をおい
て配置された複数の凸部１０と、それらの間に形成され
た凹部１１とからなる凹凸バター′／１２が設ｊ十られ
ている１、十記凹凸パターン１２は、第２図に示すよう
に、チップ３の各、コーナー部〈四隅）１こ設けらｊて
いる３、すなわち、Ｆ記チーノブ３の４：、面は、その
中央部が集積回路形成領域１：］となっており、またそ
の外周部に多数のポンディングパッド７が所定の間隔を
おいて配置されてしするが、その四隅が空領域となって
いるため、Ｌ記凹凸パターン１２はこの空領域を利用し
て設けられている。

と記凹凸パターンＩ２は、チップ３の主面に集積回路を
形成するプロセス、いわゆるウェハプロセスにおいて集
積回路と同時に形成される。例えば上記凸部１１は、ポ
リシリコンからなる第一の導電パターン１４上にΔ１合
金からなる第二の導電パターン１５を積層した構成にな
っている。上記第一の導電パターン１４は円形のパター
ンからなり、第二の導電パターン１５は第一の導電パタ
ーン１４よりも径の小さい円形のパターンからなる。こ
の場合、上記第一の導電パターン１４は、集積回路形成
領域１；３にポリシリコンからなど）つ゛−ト電極４形
成４る際のマスクに１−配溝ＴＬベタ　・ソ１，４と［
ｉ１］　　のバタ・−ンを設けておくこと１８”、コ、
す、ゲート電極と同時に形成される。また、」：：　Ｊ
ｌ！第”、。

の’Ｊｌパターン１５は、Ａ　Ａ合金からなる配線谷形
成−４る際のマスクに手記導電パターン用５と同一のパ
ターンを設けでＪりくことにより、配線と一１時に形成
される。第一・の導電パターン１４と第一の導電パター
ン１５との間に堆積された第・の絶縁膜１６は、上記ゲ
ート電極と配線とを絶縁４″る層間絶縁膜であり、第二
の導電パターン１５手に堆積された第二の絶縁膜１７は
、バッシベー７．ヨン膜（表面体！ｉ膜）である。上記
絶縁膜１７上には、前述したチップコート剤６が塗４う
されている。

このように、チップ３の四隅の主面上に上記、凹凸パタ
ーン１２を設けた本実施例のＬＳＪパッケージ１によれ
ば、パッケージ本体２を構成するエポキシ系樹脂とチッ
プ３の表面との滑りが」−記凹凸パターン１２の存在に
よって妨げられるので、エポキシ系樹脂とチップ３の表
面との接着性が向」スル５．２Ｈ６）結Ｗ、”　’ｔ’
　＋　Ｓ・・ｈ　ｌａ、Ｉ′ＩＩＩ　Ｌ−３’　−／　
７”３　トの熱ｌζ１張係数差にとＬ（（，７〜４ンブ
：］の四隅１．′強し）応力が加ね、た揚りに４）い−
も７、°〜′、フ）領域パ戸＝、ボキン系樹脂、どブッ
プ３と０）界ＩＩ　１．：　’ｋ１．ｌ郡が発１＝　１
−るのを有効に防止する＝とがごきるのご、配線の腐食
やワイヤ９の断線などの＋、艮（ン）発・１−がｌ’、
り、　、、ｉ、、、ｌされ、Ｌ　Ｓ　Ｉパンケージ１０
）信＠性、寿命が向Ｈ４−Ｚ）１、以、」−６、本発明
者によ−１ごなされた発明を′ｉ、１′箱例に基づき具
体的に説明し７たが、本発明はＩＩＪＳａ実施例に限定
されるものではなく、そのＶドを逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはい、５　ｔ−もＪ、”’　　１） 前記実施例こ・は、互いに径の異なるＦ１形の導電パタ
ーンを積層して凸部を形成１，７たが、凸部のル状やそ
れらの開隔、数などは過賞変更することができる。

前記実施例では、チップの四隅に凹凸パターンを設けた
が、凹凸パターンは、チップの外周部においてポンディ
ングパッドや集積１１）Ｕ路が形成され又いなし）任意
の領域に配置することができる３、前記実施例では、ビ
ン挿入形パッケージの・種のＤＩＰに適用した場合につ
し）で説明し、だが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、樹脂打止形ＬＳＩバ・！ケージ全般に適用する
、−とができる。

〔発明の効果」 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得ろれる効果を簡単に説明すれば、゛トδ己の通りで
ある。

樹脂封止形ＬＳＩパッケージに封」１−された半導体チ
ップの外周部の空領域に、半導体チップとモールド樹脂
との接着性を向上させるた６の凹凸パターンを設けたこ
とにより、上記領域の界面剥離が有効に防止されるので
、樹脂封止形り、ＳＩパーツケージの信頼住、寿命が向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の〜実施例である樹脂封圧形ＬＳＩパ
ッケージの要部拡大断面図、 第２図は、このＬ　Ｓ　Ｉパッケージの内部に封止され
た半導体チップの概略平面図、 第３図は、この１．、、、　Ｓ　Ｉパッケージの斜視図
、第４図は、第１３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図で
ある。 １・・・Ｌ　Ｓ　Ｉバー、ケージ、２・・・パッケージ
本体、３・・・米導体チップ、・１・・・接着剤、５・
・・タブ、６・・・チップ：ｖ　−ト斉＼　７・・ポン
ディングパッド、８・　・　・「）−ド、１〕・　・・
ワイヤ、１０・・・凸部、１１・・・凹部、１２・・・
［：！！］凸パターン、１３・・・集積回路形成領域、
１４．１５・・・導電パターン、１６，１７・・・絶縁
膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止形ＬＳＩパッケージに封止された半導体チ
   ップの外周部の空領域に、半導体チップとモールド樹脂
   との接着性を向上させるための凹凸パターンを設けたこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置。 ２、前記凹凸パターンを、半導体チップの四隅に設けた
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。 ３、前記凹凸パターンは、導電膜および絶縁膜により構
   成され、集積回路パターンを形成する工程で同時に形成
   されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導
   体集積回路装置。