JPH0460B2 - - Google Patents
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Classifications
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- C07F9/02—Phosphorus compounds
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- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/553—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07F9/572—Five-membered rings
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Description
産業上の利用分野
本発明は、化学的および光学的に純粋なN−ア
セチル−(S)−フエニルアラニンの簡単な製造法
に関するものである。 従来の技術 アスパルテーム合成の際の重要な中間体である
L−フエニルアラニンを酵素を用いるか、ヒダン
トインから製造することは周知である。 また、イー・チエザロツテイ(E.
CESAROTTI)、エー、キエザ(A.CHIESA)達
は、「ジヤーナル オブ オルガノメタリツク
ケミストリー(Journal of Organometallic
Chemistry)」の第251巻、1983年、79−91頁にお
いて、化学式:Rh(COD)L CIO4 (ここで、CODはシクロクタジエンを表し、L
は配位子であるN−(ジフエニルホスフイノ)−2
−ジフエニルホスフイノキシメチルピロリジンを
表す) で表わされる陽イオン錯体の存在下で、温度20℃
且つ大気圧下でα−Nアセトアミノケイ皮酸を不
斉水素化する方法を記載している。しかし、この
条件で得られるN−アセチル−(S)−フエニルア
ラニンの光学収率は78%までであり、しかも、ジ
アステレオマー同士の分離という別の困難な問題
が生じる。 発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、化学的および光学的に純粋な
N−アセチル−(S)−フエニルアラニンを容易に
得る方法を提供することにある。 課題を解決するための手段 本発明の対象とする方法は、周期律表の第族
の金属Mの錯体の存在下で、アセトアミドケイ皮
酸を水素化してN−アセチル−S−フエニルアラ
ニンの製造方法において、 上記の水素化反応を、溶媒の存在下で、大気圧
以上の圧力で、−50℃から+10℃の温度で、300分
以下の時間で行い、上記金属に対するアセトアミ
ドケイ皮酸のモル比を100以上とし、上記金属M
の錯体を式: MZq-rLrまたは(MZq-rLr)+A- 〔ここで、rは1または2であり、qは金属M
の配位数を示し、Zは金属Mを錯体化することの
できる原子または分子であり、A-はほとんど配
位しない立体的に大きな陰イオンであり、Lは下
記の式: (ここで、 Wは、化学式W=OP(R2)2で表されるジヒドロ
カルビルホスフイノキシ基であり、 RおよびR2はアルキル基、アリール基および
シクロアルキル基の中から選択される炭化水素基
であり、互いに異なつていても同じでもよく、 R1は、水素原子または炭化水素基の中から選
択され、 R3およびR4は水素原子または炭化水素基から
選択され、互いに必ず相違していなければなら
ず、上記炭化水素基は必要に応じてアルコール、
チオール、チオエーテル、アミン、イミン、酸、
エステル、アミドおよびエーテルの中から選択さ
れる少なくとも1つの官能基を有していてもよ
く、 R1とR3はそれらが結合したNおよびCととも
に閉じたリングを形成していてもよく、 R5およびR6は、水素原子または炭化水素基の
中から選択され、この炭化水素基は必要に応じて
官能基を有してもよい) で表される燐を含むキラルな配位子である〕を
有する錯体の中から選択することを特徴としてい
る。 上記の錯体は、化学式MZqの錯体と、配位子L
との間の反応によつて形成される。この反応は必
要に応じて、陰イオンA-を有する少なくとも一
つの酸または塩の存在下で行うことができる。こ
の錯体は、31Pの該磁気共鳴(NMR)のスペクト
ルによつて同定することができる。下記第1表
は、配位子Lの種類を変えた場合の、化学式: Rh(ノルボルナジエン)(L)+C104 - で表わされる錯体の同定データであり、この第
表中の配位子番号は後で示す第表に示された配
位子番号と同じものを示している。
セチル−(S)−フエニルアラニンの簡単な製造法
に関するものである。 従来の技術 アスパルテーム合成の際の重要な中間体である
L−フエニルアラニンを酵素を用いるか、ヒダン
トインから製造することは周知である。 また、イー・チエザロツテイ(E.
CESAROTTI)、エー、キエザ(A.CHIESA)達
は、「ジヤーナル オブ オルガノメタリツク
ケミストリー(Journal of Organometallic
Chemistry)」の第251巻、1983年、79−91頁にお
いて、化学式:Rh(COD)L CIO4 (ここで、CODはシクロクタジエンを表し、L
は配位子であるN−(ジフエニルホスフイノ)−2
−ジフエニルホスフイノキシメチルピロリジンを
表す) で表わされる陽イオン錯体の存在下で、温度20℃
且つ大気圧下でα−Nアセトアミノケイ皮酸を不
斉水素化する方法を記載している。しかし、この
条件で得られるN−アセチル−(S)−フエニルア
ラニンの光学収率は78%までであり、しかも、ジ
アステレオマー同士の分離という別の困難な問題
が生じる。 発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、化学的および光学的に純粋な
N−アセチル−(S)−フエニルアラニンを容易に
得る方法を提供することにある。 課題を解決するための手段 本発明の対象とする方法は、周期律表の第族
の金属Mの錯体の存在下で、アセトアミドケイ皮
酸を水素化してN−アセチル−S−フエニルアラ
ニンの製造方法において、 上記の水素化反応を、溶媒の存在下で、大気圧
以上の圧力で、−50℃から+10℃の温度で、300分
以下の時間で行い、上記金属に対するアセトアミ
ドケイ皮酸のモル比を100以上とし、上記金属M
の錯体を式: MZq-rLrまたは(MZq-rLr)+A- 〔ここで、rは1または2であり、qは金属M
の配位数を示し、Zは金属Mを錯体化することの
できる原子または分子であり、A-はほとんど配
位しない立体的に大きな陰イオンであり、Lは下
記の式: (ここで、 Wは、化学式W=OP(R2)2で表されるジヒドロ
カルビルホスフイノキシ基であり、 RおよびR2はアルキル基、アリール基および
シクロアルキル基の中から選択される炭化水素基
であり、互いに異なつていても同じでもよく、 R1は、水素原子または炭化水素基の中から選
択され、 R3およびR4は水素原子または炭化水素基から
選択され、互いに必ず相違していなければなら
ず、上記炭化水素基は必要に応じてアルコール、
チオール、チオエーテル、アミン、イミン、酸、
エステル、アミドおよびエーテルの中から選択さ
れる少なくとも1つの官能基を有していてもよ
く、 R1とR3はそれらが結合したNおよびCととも
に閉じたリングを形成していてもよく、 R5およびR6は、水素原子または炭化水素基の
中から選択され、この炭化水素基は必要に応じて
官能基を有してもよい) で表される燐を含むキラルな配位子である〕を
有する錯体の中から選択することを特徴としてい
る。 上記の錯体は、化学式MZqの錯体と、配位子L
との間の反応によつて形成される。この反応は必
要に応じて、陰イオンA-を有する少なくとも一
つの酸または塩の存在下で行うことができる。こ
の錯体は、31Pの該磁気共鳴(NMR)のスペクト
ルによつて同定することができる。下記第1表
は、配位子Lの種類を変えた場合の、化学式: Rh(ノルボルナジエン)(L)+C104 - で表わされる錯体の同定データであり、この第
表中の配位子番号は後で示す第表に示された配
位子番号と同じものを示している。
【表】
本発明方法では、金属Mに対するアセトアミド
ケイ皮酸のモル比は、100から300であるのが好ま
しい。 本発明で用いられる配位子Lは、アミノホスフ
イン−ホスフイナイトの類を構成する。 Rで表わされる基の例としては、特に、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、第3ブチル基、
シクロヘキシル基及びフエニル基がある。 最も多く使用される炭化水素基R1は、メチル
基がある。 立体的に大きな陰イオンA-コオデイナントと
しては、特に、過塩素酸イオン、テトラフルオロ
ホウ酸イオン、テトラフエニルホウ酸イオン、ヘ
キサフルオロリン酸イオンが挙げられる。 通常使用される金属Mとしては、鉄、ニツケ
ル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、パラジウム、プラチナが挙げられる。 よく使われる原子または分子Zとしては、一酸
化炭素、ハロゲン、エチレン、ノルボルナジエ
ン、シクロオクタジエン、アセチルアセトンが挙
げられる。 また、配位数qは、通常2から6であるのが好
ましく、この値と用した金属および/または配位
子に応じて異なる。 配位子Lは、炭化水素の溶媒中で、温度−50℃
から80℃で、不活性ガス雰囲気下で、下記の一般
式: を有する光学的に活性なアミノアルコールと、化
学式: P(R)2Y (ここで、Yはハロゲン原子またはアミノ基の
中から選択される) を有する少なくとも一つの化合物とを、この化合
物の上記アミノアルコールに対するモル比が2以
上となるようにして、反応させることによつて合
成することができる。上記の炭化水素の溶媒とし
てはベンゼンまたはトルエンが好ましい。この配
位子Lの合成では、Yがハロゲン原子である化合
物を用いるのが好ましい。反応によつて生成する
ハロゲン水素の除去を容易にするために、この反
応は過剰な第3アミン、例えば、トリエチルアミ
ンの存在下で実施するのが好ましい。この第3ア
ミンを用いることによつて、ハロゲン水素はハイ
ドロジエインハイドレイトの形で沈殿する。上記
の燐を含むキラルの配位子は、この沈殿物をろ過
した後、上記炭化水素溶媒を真空蒸発させること
によつて分離することができる。分離された配位
子は、通常、粘度の高いオイル状をしている。 上記化学式でキラルなアミノアルコールは、
多くの場合、市販品か、天然のアミノ酸(または
アミノ酸のメチルエステル)を還元することによ
つて容易に入手することができる。また、上記の
化学式のアミノアルコールのR3基またはR4基
が官能基を有する場合には、これらの官能基は周
知の官能化反応によつて導入することができる。
例えば、エステル官能基は、対応する酸の官能基
をエステル化することによつて導入することがで
きる(カルバルコキシ・ヒドロキシプロリンの場
合)。例としては、プロリノル、ヒドロキシプロ
リン、エフエドリンおよびフエニルグリシン、フ
エニルアラニン、ロイシン、バリン、アラニン等
の天然のアミノ酸の誘導体であるN−メチルアミ
ノアルコールが挙げられる。 上記配位子Lは、特に、プロトン、13Cおよび
31Pの核磁気共鳴(NMR)スペクトルと、比旋
光度によつて同定することができる。下記第表
に、幾つかのアミノホスフイン−ホスフイナイト
の同定のデータを示す。なお、この第表では、
上記Rは各アミノホスフイン−ホスフイナイトの
合成原料であるアミノアルコールまたはアミノ酸
のフエニル基である。この第表で(α)25 Dは、
25℃でのD線に対する角度で表した比旋光度を示
し、δはppmで表した燐酸(31Pの場合)または
テトラメチルシラン(プロトンおよび13Cの場
合)に対するケミカルシフトを示す。また、記号
(m),(dd),(d)および(s)はそれぞれ多重
項、ダブルのダブレツト、一つのダブレツトおよ
びシングレツトを表す。 通常の不飽和有機物、例えば、アセトアミドケ
イ皮酸の水素化反応と同様に、本発明の方法でも
水素は酸に対して化学量論的な量で使用し、圧力
は一般に1から200バールにする。 本発明の水素化反応では、優れた化学収率でN
−アセチル−(S)−フエニルアラニンを得ること
ができ、しかも、その光学収率は通常85%以上で
ある。さらに、水素化反応によつて生じた生成物
をエタノール中で少なくとも一度再結晶させてか
ら加水分解するという本発明の方法の変形例で
は、N−アセチル−(S)−フエニルアラニンの光
学収率を著しく向上させることができる。この変
形例の場合には、少なくとも99%の光学収率を容
易に達成することができる。 以下、本発明を実施例を用いて説明するが、下
記の実施例は単に例として示したもので、本発明
を何ら限定するものではない。 実施例 1 +5℃の温度で、窒素雰囲気下で、乾燥したベ
ンゼン中で、2モルのクロロジフエニルホスフイ
ンと1モルのS(+)プロリノール(ベンゼンで
水を共沸蒸留して無水化したもの)を過剰のトリ
エチルアミンの存在下で反応させる。生成するト
リエチルアンモニウムクロロハイドレートの沈殿
物をろ過した後に、ベンゼンを真空蒸発させる。
ベンゼン中で再結晶することによつてビスメチル
アミノ(ジフエニルホスフイン)と同定される副
生成物を除去することができる。 プロトン核磁気共鳴スペクトルの分析によつ
て、テトラメチルシランに対するケミカルシフト
δが7.6ppmおよび3.5ppmであることが明らかに
なり、従つて、配位子番号5(第表参照)の配
位子が0.8モル得られたことが分る。この配位子
の化学純度は95%であつた。 なお、第表には各種前駆体とそれから得られ
た配位子の測定データをまとめて示してある。
ケイ皮酸のモル比は、100から300であるのが好ま
しい。 本発明で用いられる配位子Lは、アミノホスフ
イン−ホスフイナイトの類を構成する。 Rで表わされる基の例としては、特に、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、第3ブチル基、
シクロヘキシル基及びフエニル基がある。 最も多く使用される炭化水素基R1は、メチル
基がある。 立体的に大きな陰イオンA-コオデイナントと
しては、特に、過塩素酸イオン、テトラフルオロ
ホウ酸イオン、テトラフエニルホウ酸イオン、ヘ
キサフルオロリン酸イオンが挙げられる。 通常使用される金属Mとしては、鉄、ニツケ
ル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、パラジウム、プラチナが挙げられる。 よく使われる原子または分子Zとしては、一酸
化炭素、ハロゲン、エチレン、ノルボルナジエ
ン、シクロオクタジエン、アセチルアセトンが挙
げられる。 また、配位数qは、通常2から6であるのが好
ましく、この値と用した金属および/または配位
子に応じて異なる。 配位子Lは、炭化水素の溶媒中で、温度−50℃
から80℃で、不活性ガス雰囲気下で、下記の一般
式: を有する光学的に活性なアミノアルコールと、化
学式: P(R)2Y (ここで、Yはハロゲン原子またはアミノ基の
中から選択される) を有する少なくとも一つの化合物とを、この化合
物の上記アミノアルコールに対するモル比が2以
上となるようにして、反応させることによつて合
成することができる。上記の炭化水素の溶媒とし
てはベンゼンまたはトルエンが好ましい。この配
位子Lの合成では、Yがハロゲン原子である化合
物を用いるのが好ましい。反応によつて生成する
ハロゲン水素の除去を容易にするために、この反
応は過剰な第3アミン、例えば、トリエチルアミ
ンの存在下で実施するのが好ましい。この第3ア
ミンを用いることによつて、ハロゲン水素はハイ
ドロジエインハイドレイトの形で沈殿する。上記
の燐を含むキラルの配位子は、この沈殿物をろ過
した後、上記炭化水素溶媒を真空蒸発させること
によつて分離することができる。分離された配位
子は、通常、粘度の高いオイル状をしている。 上記化学式でキラルなアミノアルコールは、
多くの場合、市販品か、天然のアミノ酸(または
アミノ酸のメチルエステル)を還元することによ
つて容易に入手することができる。また、上記の
化学式のアミノアルコールのR3基またはR4基
が官能基を有する場合には、これらの官能基は周
知の官能化反応によつて導入することができる。
例えば、エステル官能基は、対応する酸の官能基
をエステル化することによつて導入することがで
きる(カルバルコキシ・ヒドロキシプロリンの場
合)。例としては、プロリノル、ヒドロキシプロ
リン、エフエドリンおよびフエニルグリシン、フ
エニルアラニン、ロイシン、バリン、アラニン等
の天然のアミノ酸の誘導体であるN−メチルアミ
ノアルコールが挙げられる。 上記配位子Lは、特に、プロトン、13Cおよび
31Pの核磁気共鳴(NMR)スペクトルと、比旋
光度によつて同定することができる。下記第表
に、幾つかのアミノホスフイン−ホスフイナイト
の同定のデータを示す。なお、この第表では、
上記Rは各アミノホスフイン−ホスフイナイトの
合成原料であるアミノアルコールまたはアミノ酸
のフエニル基である。この第表で(α)25 Dは、
25℃でのD線に対する角度で表した比旋光度を示
し、δはppmで表した燐酸(31Pの場合)または
テトラメチルシラン(プロトンおよび13Cの場
合)に対するケミカルシフトを示す。また、記号
(m),(dd),(d)および(s)はそれぞれ多重
項、ダブルのダブレツト、一つのダブレツトおよ
びシングレツトを表す。 通常の不飽和有機物、例えば、アセトアミドケ
イ皮酸の水素化反応と同様に、本発明の方法でも
水素は酸に対して化学量論的な量で使用し、圧力
は一般に1から200バールにする。 本発明の水素化反応では、優れた化学収率でN
−アセチル−(S)−フエニルアラニンを得ること
ができ、しかも、その光学収率は通常85%以上で
ある。さらに、水素化反応によつて生じた生成物
をエタノール中で少なくとも一度再結晶させてか
ら加水分解するという本発明の方法の変形例で
は、N−アセチル−(S)−フエニルアラニンの光
学収率を著しく向上させることができる。この変
形例の場合には、少なくとも99%の光学収率を容
易に達成することができる。 以下、本発明を実施例を用いて説明するが、下
記の実施例は単に例として示したもので、本発明
を何ら限定するものではない。 実施例 1 +5℃の温度で、窒素雰囲気下で、乾燥したベ
ンゼン中で、2モルのクロロジフエニルホスフイ
ンと1モルのS(+)プロリノール(ベンゼンで
水を共沸蒸留して無水化したもの)を過剰のトリ
エチルアミンの存在下で反応させる。生成するト
リエチルアンモニウムクロロハイドレートの沈殿
物をろ過した後に、ベンゼンを真空蒸発させる。
ベンゼン中で再結晶することによつてビスメチル
アミノ(ジフエニルホスフイン)と同定される副
生成物を除去することができる。 プロトン核磁気共鳴スペクトルの分析によつ
て、テトラメチルシランに対するケミカルシフト
δが7.6ppmおよび3.5ppmであることが明らかに
なり、従つて、配位子番号5(第表参照)の配
位子が0.8モル得られたことが分る。この配位子
の化学純度は95%であつた。 なお、第表には各種前駆体とそれから得られ
た配位子の測定データをまとめて示してある。
【表】
【表】
実施例 2
ロジウム錯体の合成
実施例1で得られた配位子Lを1ミリモルを含
む50cm3もメタノール中に1ミリモルのRh2(ノル
ボルナジエン)2C12錯体を溶解した溶液に、窒
素雰囲気、20℃で、1.1ミリモルの過塩素酸銀を
加える。15分の攪拌した後、塩化銀の沈殿物をろ
過する。ろ液を蒸発させ、窒素雰囲気下でベンゼ
ンを用いて洗浄し、次いで、エチルエーテルで洗
浄した後、真空中で乾燥させる。これによつて、
イオン性錯体〔Rh(ノルボルナジエン)L〕
31C1O4 -の結晶が80%以上の収率で回収される。
この錯体の〓Pの核磁気共鳴スペクトルは前期の
第表に示してある。 実施例 3〜5 実施例2のイオン性錯体0.5ミリモルを、95%
エタノール50cm3に溶解し、水素雰囲気下で、95%
のエタノール400cm3に溶解した0.1モルのアセトア
ミドケイ皮酸を収容した予めパージした反応装置
に移す。反応装置に水素を導入し、吸収された水
素の容積を測定することによつて、反応量を知る
ことができる。各実施例における反応温度T℃と
反応時間t(分)は下記の第表に示してある。
反応が終了したら、エタノールを蒸発させ、残留
物を温水で回収し、ろ過して不溶性の錯体を分離
する。水を蒸発させると、N−アセチル−(S)−
フエニルアラニンが回収される。化学的収率は98
%である。濃度20g/の水溶液での比旋光度
(α)25 Dを測定することによつて、各反応条件で光
学収率R.O.(%)が計算できる。下記第表に計
算結果を示す。
む50cm3もメタノール中に1ミリモルのRh2(ノル
ボルナジエン)2C12錯体を溶解した溶液に、窒
素雰囲気、20℃で、1.1ミリモルの過塩素酸銀を
加える。15分の攪拌した後、塩化銀の沈殿物をろ
過する。ろ液を蒸発させ、窒素雰囲気下でベンゼ
ンを用いて洗浄し、次いで、エチルエーテルで洗
浄した後、真空中で乾燥させる。これによつて、
イオン性錯体〔Rh(ノルボルナジエン)L〕
31C1O4 -の結晶が80%以上の収率で回収される。
この錯体の〓Pの核磁気共鳴スペクトルは前期の
第表に示してある。 実施例 3〜5 実施例2のイオン性錯体0.5ミリモルを、95%
エタノール50cm3に溶解し、水素雰囲気下で、95%
のエタノール400cm3に溶解した0.1モルのアセトア
ミドケイ皮酸を収容した予めパージした反応装置
に移す。反応装置に水素を導入し、吸収された水
素の容積を測定することによつて、反応量を知る
ことができる。各実施例における反応温度T℃と
反応時間t(分)は下記の第表に示してある。
反応が終了したら、エタノールを蒸発させ、残留
物を温水で回収し、ろ過して不溶性の錯体を分離
する。水を蒸発させると、N−アセチル−(S)−
フエニルアラニンが回収される。化学的収率は98
%である。濃度20g/の水溶液での比旋光度
(α)25 Dを測定することによつて、各反応条件で光
学収率R.O.(%)が計算できる。下記第表に計
算結果を示す。
【表】
実施例 6
実施例3の水素化反応で得られた生成物をエタ
ノール中で再結晶させた。この場合の光学的純度
は99.4%に達した。
ノール中で再結晶させた。この場合の光学的純度
は99.4%に達した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 周期律表の第族の金属Mの錯体の存在下
で、アセトアミドケイ皮酸を水素化してN−アセ
チル−(S)−フエニルアラニンを製造する方法に
おいて、 上記の水素化反応を、溶媒の存在下で、大気圧
以上の圧力で、−50℃から+10℃の温度で、300分
以下の時間で行い、 上記金属に対するアセトアミドケイ皮酸のモル
比を100以上とし、 上記金属Mの錯体を式: MZq-rLrまたは (MZq-rLr)+A- 〔ここで、rは1または2であり、qは金属M
の配位数を示し、Zは金属Mを錯体化することの
できる原子または分子であり、A-はほとんど配
位しない立体的に大きな陰イオンであり、Lは下
記の式: (ここで、 Wは、化学式W=OP(R2)2で表されるジヒドロ
カルビルホスフイノキシ基であり、 RおよびR2はアルキル基、アリール基および
シクロアルキル基の中から選択される炭化水素基
であり、互いに異なつていても同じでもよく、 R1は、水素原子または炭化水素基の中から選
択され、 R3およびR4は水素原子または炭化水素基から
選択され、互いに必ず相違していなければなら
ず、上記炭化水素基は必要に応じてアルコール、
チオール、チオエーテル、アミン、イミン、酸、
エステル、アミドおよびエーテルの中から選択さ
れる少なくとも1つの官能基を有していてもよ
く、 R1とR3はそれらが結合したNおよびCととも
に閉じたリングを形成していてもよく、 R5およびR6は、水素原子または炭化水素基の
中から選択され、この炭化水素基は必要に応じて
官能基を有していてもよい) で表される燐を含むキラルな配位子である〕を
有する錯体の中から選択することを特徴とする方
法。 2 上記陰イオンA-を過塩素酸イオン、テトラ
フルオロ硼酸イオン、テトラフエニル硼酸イオン
およびヘキサフルオロリン酸イオンの中から選択
する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3 上記金属Mを鉄、ニツケル、コバルト、ロジ
ウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムおよ
びプラチナの中から選択する特許請求の範囲第1
項または第2項に記載の方法。 4 上記の原子または分子Zが一酸化炭素、ハロ
ゲン、エチレン、ノルボルナジエン、シクロオク
タジエンおよびアセチルアセトンの中から選択さ
れる特許請求の範囲第1項から第3項のいずれか
1項に記載の方法。 5 上記配位数qが2から6である特許請求の範
囲第1項から第4項のいずれか1項に記載の方
法。 6 上記配位子Lが(S)N−ジフエニルホスフ
イノ−2−(オキシメチレン ジフエニルホスフ
イノ)ピロリジンである特許請求の範囲第1項か
ら第5項のいずれか1項に記載の方法。 7 上記金属に対するアセトアミドケイ皮酸のモ
ル比が100から300である特許請求の範囲第
1項から第6項のいずれか1項に記載の方法。 8 上記の水素化反応生成物をエタノール中で少
なくとも一度再結晶させる特許請求の範囲第1項
から第7項のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8501276 | 1985-01-30 | ||
FR8501276A FR2576593A1 (fr) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | Procede de fabrication de la l-phenylalanine |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62501907A JPS62501907A (ja) | 1987-07-30 |
JPH0460B2 true JPH0460B2 (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=9315766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50080986A Granted JPS62501907A (ja) | 1985-01-30 | 1986-01-29 | N―アセチル―(s)―フェニルアラニンの製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0210210B1 (ja) |
JP (1) | JPS62501907A (ja) |
CA (1) | CA1247643A (ja) |
DE (1) | DE3661264D1 (ja) |
FR (1) | FR2576593A1 (ja) |
WO (1) | WO1986004578A1 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2550201B1 (fr) * | 1983-08-05 | 1986-02-28 | Charbonnages Ste Chimique | Ligands phosphores chiraux, leur procede de fabrication a partir d'aminoacides naturels et leur application a la catalyse de reactions de synthese enantioselective |
-
1985
- 1985-01-30 FR FR8501276A patent/FR2576593A1/fr not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-01-29 WO PCT/FR1986/000025 patent/WO1986004578A1/fr active IP Right Grant
- 1986-01-29 DE DE8686900792T patent/DE3661264D1/de not_active Expired
- 1986-01-29 JP JP50080986A patent/JPS62501907A/ja active Granted
- 1986-01-29 EP EP86900792A patent/EP0210210B1/fr not_active Expired
- 1986-01-30 CA CA000500662A patent/CA1247643A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3661264D1 (en) | 1988-12-29 |
WO1986004578A1 (fr) | 1986-08-14 |
CA1247643A (fr) | 1988-12-28 |
EP0210210A1 (fr) | 1987-02-04 |
FR2576593A1 (fr) | 1986-08-01 |
JPS62501907A (ja) | 1987-07-30 |
EP0210210B1 (fr) | 1988-11-23 |
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