JPH0459787B2 - - Google Patents
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- JPH0459787B2 JPH0459787B2 JP2266108A JP26610890A JPH0459787B2 JP H0459787 B2 JPH0459787 B2 JP H0459787B2 JP 2266108 A JP2266108 A JP 2266108A JP 26610890 A JP26610890 A JP 26610890A JP H0459787 B2 JPH0459787 B2 JP H0459787B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はV型溝構造を有する半導体の表面また
は裏面に対し、この表面または裏面に絶縁または
半絶縁膜をトンネル電流が許容する範囲の膜厚に
て設け、さらにこの上面に不純物が添加された半
導体よりなる電極を設けた光電変換装置に関する
ものである。 〔従来の技術〕 従来のMIS型光電変換装置というものは、金属
電極−絶縁膜(特に酸化珪素)−半導体(特に珪
素)という構成を有するものであり、PN接合型
に比べて解放電圧を高くすることができるという
特徴を有していた。しかしこの構造の場合、絶縁
膜を形成する際にその被膜をきわめて均一に作り
かつピンホールも少なくしなければならないた
め、特にその表面に凹凸を意図的に設けることは
よくないとさけられていた。 〔発明の目的〕 本発明はかかる従来よくないとされてきたMIS
型構造の光電変換装置のその表面または裏面に意
図的にV型溝構造を多数設け、このV型表面また
は裏面に対し半導体電極−絶縁または半絶縁膜−
半導体電極(以下SIS構造という)を形成しそれ
らを合わせることにより、さらに高い光電変換効
率を求めようとしたものである。 〔発明の構成〕 本発明は半導体基板の表面あるいは裏面の少な
くとも一方にV型溝構造を持ち、このV型溝構造
面上に絶縁あるいは半絶縁膜を有し、この絶縁あ
るいは半絶縁膜上には半導体材料よりなる第1の
電極と、この電極と離れた位置に逆極性の半導体
材料よりなる第2の電極とを有する光電変換装置
をその構成とするものである。 本発明において、半絶縁膜とは窒化珪素材料の
Si3N4-X(0<X<4)のように化学量論的な組
成比からずれな組成比を持つ材料の膜を意味し、
その他の例としては酸化珪素、炭化珪素さらには
珪化窒化ゲルマニユーム等をあげることができ
る。 以下に図面を用いて、本発明を説明する。第1
図は本発明の原理を示すものである。 第1図は(100)面またはその近傍すなわち
(100)面に対し+15°以下の範囲の結晶方位を有
する珪素単結晶基板を用いた場合を示している。 半導体基板1の表面に図面で記載されるような
V型溝18を前記半導体表面に形成する方法とし
て、非等方エツチ法による形成法の例を以下に示
す。 すなわちWAP(水−エチレンジアミン−ピロカ
テコールの混液)中に半導体を浸し、窒素ガスに
てバルブをさせながら約80℃で30分〜2時間保持
することにより形成した。WAP液は具体的には
水8c.c.、エチレンジアミン13c.c.、ピロカテコール
3gを用いた。さらに詳しくは本発明人による英
文論文JAPAN J.APPL.PHYS 10 No.8(1971)
P1028〜1033に記載されている。かかる非等方エ
ツチングはアルカリ液(RT〜100℃)を用いて
もよい。 このようにすることによつて第1図Aに示され
るような型溝を設けることができる。 このV型溝は特にこの半導体の表面を処理をし
ない場合、この半導体の格子欠陥によつて選択的
にV型ピツトが形成されるため形成されたV型溝
の深さはおよびその位置はバラバラである。 しかしこの溝の位置に制御性を与えようとする
ならば半導体の表面にスクライブラインを5.0〜
100.0μmの間隔で0.5〜20μmの深さにきずをスリ
ツト状に形成するとよい。このような処理をした
場合、V型溝はこのスリツトに従つて選択的に深
くエツチすることによりできる。 しかしながら、このような処理をしてV型溝を
形成した場合、かかる物理的なきずにより光起電
力により発生したキヤリアを再結合させないよう
に、溝の深さをさらにその2〜4倍にまで選択エ
ツチをする必要があつた。 かかるシリコン単結晶半導体上に反射防止膜を
形成しない場合、シリコン単結晶の屈折率は3.8
であるため、太陽光の波長が0.5〜0.9μmの領域
においてV型溝(望み角が70.5°の場合)に光例
えば太陽光I015を第1図Aに示されるように照
射すると第1のシリコン半導体表面で67%が半導
体1中に吸収され、残りの33%の光は反射光とし
て表面より反射される。しかしこの反射光は、本
発明の如くシリコン半導体がV型表面を有する場
合、他の表面への照射光となりその67%、即ち全
光の22%が再度半導体中に透過吸収されるため、
実質的な反射光は入射光(I0が100%)から67%
と22%を差し引いて11%のみであることが判明し
た。 もちろんここに反射防止膜を形成し、反射を防
止すると、この11%の反射光のうちの約80%は半
導体中への透過光となり、光電変換に寄与するた
め全反射量は3%弱にまで少くさせることができ
た。 第1図BはかかるV型溝18の表面に絶縁また
は半絶縁膜6を形成しその上面に半透明の金属2
例えば白金(仕事関数5.3eV)を形成すると半導
体内には空乏層20が形成される。半導体表面が
V型をしているため空乏層20は破線で示す如く
になる。なぜなら、例えば半導体表面の凸部28
では、左右の半導体表面近傍に高い仕事関数によ
る空乏層ができており、その左右にできている空
乏層の双方が相乗的に、凸部28に作用する。そ
のため、この凸部28の下方には、双方の作用の
ない所に比べて強く空乏層を作り、結果として、
V型溝の凸部28の如き急峻さより緩やかな曲線
(破線は空乏層というでない半導体基板との境界
を示す)を空乏層20は形成する。その結果、V
型溝のない平坦な表面に比べて全体の空乏層20
の領域が大きくなり、結果としての少数キヤリア
の電極2への収集効率を30〜50%向上させること
ができた。 また被膜6は窒化珪素膜を形成して使用した。
この形成法としては、半導体の表面をきわめて清
浄にした後、プラズマ化したアンモニアまたは窒
素と水素との混合気体を0.1〜10torrにて流しRT
〜500℃の温度でこの半導体表面を窒化する方法
を用いた。こうすることによりこの表面には窒化
珪素が15〜30Åの膜厚で形成できた。 またこの窒化珪素膜をプラズマCVD法で形成
する場合は本発明人の出願による特願昭55−
018789『誘導減圧気相法』により形成した。この
場合は窒化珪素をSi3N4-X(0≦x<4)とする
ことができ、半絶縁膜の場合、そのエネルギギヤ
ツプ(Eg)を2〜5eVの範囲で可能にすること
ができた。Eg〜5eVであるときは絶縁膜であつ
た、この方法は基板の材料として、ゲルマニユー
ムまたは窒素とゲルマニユームとの化合物等を使
用した際にきわめて有効であつた。 第1図Cは電極2′としてくし型電極を設けた
ものである。このくし型電極は半導体の電極また
は仕事関数が4.0eV以下の低い金属例えばマグネ
シユーム、アルミニユーム、ベリリユームまたは
ランタニドさらにまたはこれらの多層膜または混
合物に対して実行できる。さらに仕事関数の
4.0eV以上の高い値を有する金属例えば白金、
金、ニツケル、クロム、銅等に対して適用でき
る。 〔実施例〕 本発明の光電変換装置の実施例を第2図に示
す。 第2図において厚さ約20μmのN型シリコン半
導体をWAP液にひたしその両面に同時にV型溝
8,9を形成した。同時にV型溝を形成するため
裏面をあらかじめ絶縁膜でおおつた後他表面のみ
にWAP液がふれる如き工夫をする必要がなく構
造工程にきわめて容易であつた。さらにこの両面
にV型溝を作つた半導体はこの両面に対し同時に
プラズマ窒化またはプラズマCVDにより窒化珪
素膜を形成した。 このように両面にV型溝を設けた場合は、いず
れの方法においても、V型溝を形成する面を一方
に特定化する必要がないため、その構造工程はき
わめて簡単であり、一方のみV型溝を形成し、あ
るいは一方のみSIS型を設けた場合に比べてその
製造がさらに容易であるという特徴を有する。 かくの如くに絶縁または半絶縁膜を半導体1の
表面には6または裏面には12として100Å以下
特に15〜31Åの厚さにトンネル電流を許容する範
囲の膜厚に形成した。絶縁膜のところはSi3N4、
半絶縁膜のところはSi3N4-X(0<x<4)とし
た。この窒化珪素膜を使用した合倍、窒化珪素膜
が化学的にきわめて安定であり、電極材料がきわ
めて活性なマグネシユーム等であつても、電極の
接する部分に信頼性上の異常が発生しないという
大きな特徴を有する。 絶縁または半絶縁膜を半導体1の表面及び裏面
に形成した後、さらにその後表面にのみ第1の電
極2とさらに逆の極性を有する第2の電極4とを
互いに離間して設けたものである。 第1の電極2及び第2の電極4は金属ではなく
表1に示した如くP+またはN+導電型を有する半
導体1を1000〜5000Åの厚さに形成した。 表1は第1及び第2の電極として、用いる材料
の種類の違いにより、集めるキヤリアの種類及び
その時の接合付近での半導体のエネルギーバンド
の曲がる方向をまとめたのである。
は裏面に対し、この表面または裏面に絶縁または
半絶縁膜をトンネル電流が許容する範囲の膜厚に
て設け、さらにこの上面に不純物が添加された半
導体よりなる電極を設けた光電変換装置に関する
ものである。 〔従来の技術〕 従来のMIS型光電変換装置というものは、金属
電極−絶縁膜(特に酸化珪素)−半導体(特に珪
素)という構成を有するものであり、PN接合型
に比べて解放電圧を高くすることができるという
特徴を有していた。しかしこの構造の場合、絶縁
膜を形成する際にその被膜をきわめて均一に作り
かつピンホールも少なくしなければならないた
め、特にその表面に凹凸を意図的に設けることは
よくないとさけられていた。 〔発明の目的〕 本発明はかかる従来よくないとされてきたMIS
型構造の光電変換装置のその表面または裏面に意
図的にV型溝構造を多数設け、このV型表面また
は裏面に対し半導体電極−絶縁または半絶縁膜−
半導体電極(以下SIS構造という)を形成しそれ
らを合わせることにより、さらに高い光電変換効
率を求めようとしたものである。 〔発明の構成〕 本発明は半導体基板の表面あるいは裏面の少な
くとも一方にV型溝構造を持ち、このV型溝構造
面上に絶縁あるいは半絶縁膜を有し、この絶縁あ
るいは半絶縁膜上には半導体材料よりなる第1の
電極と、この電極と離れた位置に逆極性の半導体
材料よりなる第2の電極とを有する光電変換装置
をその構成とするものである。 本発明において、半絶縁膜とは窒化珪素材料の
Si3N4-X(0<X<4)のように化学量論的な組
成比からずれな組成比を持つ材料の膜を意味し、
その他の例としては酸化珪素、炭化珪素さらには
珪化窒化ゲルマニユーム等をあげることができ
る。 以下に図面を用いて、本発明を説明する。第1
図は本発明の原理を示すものである。 第1図は(100)面またはその近傍すなわち
(100)面に対し+15°以下の範囲の結晶方位を有
する珪素単結晶基板を用いた場合を示している。 半導体基板1の表面に図面で記載されるような
V型溝18を前記半導体表面に形成する方法とし
て、非等方エツチ法による形成法の例を以下に示
す。 すなわちWAP(水−エチレンジアミン−ピロカ
テコールの混液)中に半導体を浸し、窒素ガスに
てバルブをさせながら約80℃で30分〜2時間保持
することにより形成した。WAP液は具体的には
水8c.c.、エチレンジアミン13c.c.、ピロカテコール
3gを用いた。さらに詳しくは本発明人による英
文論文JAPAN J.APPL.PHYS 10 No.8(1971)
P1028〜1033に記載されている。かかる非等方エ
ツチングはアルカリ液(RT〜100℃)を用いて
もよい。 このようにすることによつて第1図Aに示され
るような型溝を設けることができる。 このV型溝は特にこの半導体の表面を処理をし
ない場合、この半導体の格子欠陥によつて選択的
にV型ピツトが形成されるため形成されたV型溝
の深さはおよびその位置はバラバラである。 しかしこの溝の位置に制御性を与えようとする
ならば半導体の表面にスクライブラインを5.0〜
100.0μmの間隔で0.5〜20μmの深さにきずをスリ
ツト状に形成するとよい。このような処理をした
場合、V型溝はこのスリツトに従つて選択的に深
くエツチすることによりできる。 しかしながら、このような処理をしてV型溝を
形成した場合、かかる物理的なきずにより光起電
力により発生したキヤリアを再結合させないよう
に、溝の深さをさらにその2〜4倍にまで選択エ
ツチをする必要があつた。 かかるシリコン単結晶半導体上に反射防止膜を
形成しない場合、シリコン単結晶の屈折率は3.8
であるため、太陽光の波長が0.5〜0.9μmの領域
においてV型溝(望み角が70.5°の場合)に光例
えば太陽光I015を第1図Aに示されるように照
射すると第1のシリコン半導体表面で67%が半導
体1中に吸収され、残りの33%の光は反射光とし
て表面より反射される。しかしこの反射光は、本
発明の如くシリコン半導体がV型表面を有する場
合、他の表面への照射光となりその67%、即ち全
光の22%が再度半導体中に透過吸収されるため、
実質的な反射光は入射光(I0が100%)から67%
と22%を差し引いて11%のみであることが判明し
た。 もちろんここに反射防止膜を形成し、反射を防
止すると、この11%の反射光のうちの約80%は半
導体中への透過光となり、光電変換に寄与するた
め全反射量は3%弱にまで少くさせることができ
た。 第1図BはかかるV型溝18の表面に絶縁また
は半絶縁膜6を形成しその上面に半透明の金属2
例えば白金(仕事関数5.3eV)を形成すると半導
体内には空乏層20が形成される。半導体表面が
V型をしているため空乏層20は破線で示す如く
になる。なぜなら、例えば半導体表面の凸部28
では、左右の半導体表面近傍に高い仕事関数によ
る空乏層ができており、その左右にできている空
乏層の双方が相乗的に、凸部28に作用する。そ
のため、この凸部28の下方には、双方の作用の
ない所に比べて強く空乏層を作り、結果として、
V型溝の凸部28の如き急峻さより緩やかな曲線
(破線は空乏層というでない半導体基板との境界
を示す)を空乏層20は形成する。その結果、V
型溝のない平坦な表面に比べて全体の空乏層20
の領域が大きくなり、結果としての少数キヤリア
の電極2への収集効率を30〜50%向上させること
ができた。 また被膜6は窒化珪素膜を形成して使用した。
この形成法としては、半導体の表面をきわめて清
浄にした後、プラズマ化したアンモニアまたは窒
素と水素との混合気体を0.1〜10torrにて流しRT
〜500℃の温度でこの半導体表面を窒化する方法
を用いた。こうすることによりこの表面には窒化
珪素が15〜30Åの膜厚で形成できた。 またこの窒化珪素膜をプラズマCVD法で形成
する場合は本発明人の出願による特願昭55−
018789『誘導減圧気相法』により形成した。この
場合は窒化珪素をSi3N4-X(0≦x<4)とする
ことができ、半絶縁膜の場合、そのエネルギギヤ
ツプ(Eg)を2〜5eVの範囲で可能にすること
ができた。Eg〜5eVであるときは絶縁膜であつ
た、この方法は基板の材料として、ゲルマニユー
ムまたは窒素とゲルマニユームとの化合物等を使
用した際にきわめて有効であつた。 第1図Cは電極2′としてくし型電極を設けた
ものである。このくし型電極は半導体の電極また
は仕事関数が4.0eV以下の低い金属例えばマグネ
シユーム、アルミニユーム、ベリリユームまたは
ランタニドさらにまたはこれらの多層膜または混
合物に対して実行できる。さらに仕事関数の
4.0eV以上の高い値を有する金属例えば白金、
金、ニツケル、クロム、銅等に対して適用でき
る。 〔実施例〕 本発明の光電変換装置の実施例を第2図に示
す。 第2図において厚さ約20μmのN型シリコン半
導体をWAP液にひたしその両面に同時にV型溝
8,9を形成した。同時にV型溝を形成するため
裏面をあらかじめ絶縁膜でおおつた後他表面のみ
にWAP液がふれる如き工夫をする必要がなく構
造工程にきわめて容易であつた。さらにこの両面
にV型溝を作つた半導体はこの両面に対し同時に
プラズマ窒化またはプラズマCVDにより窒化珪
素膜を形成した。 このように両面にV型溝を設けた場合は、いず
れの方法においても、V型溝を形成する面を一方
に特定化する必要がないため、その構造工程はき
わめて簡単であり、一方のみV型溝を形成し、あ
るいは一方のみSIS型を設けた場合に比べてその
製造がさらに容易であるという特徴を有する。 かくの如くに絶縁または半絶縁膜を半導体1の
表面には6または裏面には12として100Å以下
特に15〜31Åの厚さにトンネル電流を許容する範
囲の膜厚に形成した。絶縁膜のところはSi3N4、
半絶縁膜のところはSi3N4-X(0<x<4)とし
た。この窒化珪素膜を使用した合倍、窒化珪素膜
が化学的にきわめて安定であり、電極材料がきわ
めて活性なマグネシユーム等であつても、電極の
接する部分に信頼性上の異常が発生しないという
大きな特徴を有する。 絶縁または半絶縁膜を半導体1の表面及び裏面
に形成した後、さらにその後表面にのみ第1の電
極2とさらに逆の極性を有する第2の電極4とを
互いに離間して設けたものである。 第1の電極2及び第2の電極4は金属ではなく
表1に示した如くP+またはN+導電型を有する半
導体1を1000〜5000Åの厚さに形成した。 表1は第1及び第2の電極として、用いる材料
の種類の違いにより、集めるキヤリアの種類及び
その時の接合付近での半導体のエネルギーバンド
の曲がる方向をまとめたのである。
従来より知られたPN接合型の光電変換装置の
ように半導体の表面より1〜2μm入つた位置に
あるPN接合面での電子・ホール対の光励起をよ
り発生させる方式またはこれらの入射側に対し無
反射処置をした光電変換装置とは異なり、本発明
はV型溝構造の半導体と絶縁または半絶縁膜との
界面そのものが実効的な接合面になつていること
が特徴である。このためこのV型溝を実現するた
めに、化学エツチを行ない、この半導体表面また
はそのごく近傍における格子欠陥等の再結合中心
をエツチングにより除去することになり、結果と
して、この付近の格子欠陥電流を従来より知られ
たV字溝のない表面のMIS構造に比して1/10〜1/
100と実質的にすることができ、少数キヤリアの
表面での再結合をなくすことに成功した。 本発明の構成の場合、光照射面を電極が設けら
れた側あるいはその反対面側のどちらにも設定で
きる特徴を有する。また、片側に+極、−極を設
けることができたので、モジユール化した際の接
続等に自由度が高くなつた。 本発明のSIS型の光電変換装置において、V型
溝は光が外部より半導体中に透過する際その透過
効果を向上させるに加えてV形溝が半導体中の光
を効率よく反射し合い実質的な光路2〜5倍にす
ることでき、半導体の厚さお従来のMIS構造に比
べて1/2〜1/4の厚さにすることができた。 さらに接合が全くないダブルSIS型構造とし、
かつV型溝を設けた光電変換装置において最大26
%を珪素半導体で得ることができたことはきわめ
て注目に値し、その変換装置の価値も少なからぬ
ものと考えられる。
ように半導体の表面より1〜2μm入つた位置に
あるPN接合面での電子・ホール対の光励起をよ
り発生させる方式またはこれらの入射側に対し無
反射処置をした光電変換装置とは異なり、本発明
はV型溝構造の半導体と絶縁または半絶縁膜との
界面そのものが実効的な接合面になつていること
が特徴である。このためこのV型溝を実現するた
めに、化学エツチを行ない、この半導体表面また
はそのごく近傍における格子欠陥等の再結合中心
をエツチングにより除去することになり、結果と
して、この付近の格子欠陥電流を従来より知られ
たV字溝のない表面のMIS構造に比して1/10〜1/
100と実質的にすることができ、少数キヤリアの
表面での再結合をなくすことに成功した。 本発明の構成の場合、光照射面を電極が設けら
れた側あるいはその反対面側のどちらにも設定で
きる特徴を有する。また、片側に+極、−極を設
けることができたので、モジユール化した際の接
続等に自由度が高くなつた。 本発明のSIS型の光電変換装置において、V型
溝は光が外部より半導体中に透過する際その透過
効果を向上させるに加えてV形溝が半導体中の光
を効率よく反射し合い実質的な光路2〜5倍にす
ることでき、半導体の厚さお従来のMIS構造に比
べて1/2〜1/4の厚さにすることができた。 さらに接合が全くないダブルSIS型構造とし、
かつV型溝を設けた光電変換装置において最大26
%を珪素半導体で得ることができたことはきわめ
て注目に値し、その変換装置の価値も少なからぬ
ものと考えられる。
第1図は本発明の動作原理を示すV型溝の半導
体の縦断面図である。第2図は本発明の光電変換
装置の縦断面図を示す。
体の縦断面図である。第2図は本発明の光電変換
装置の縦断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 V型表面を有する半導体の前記表面上に、ト
ンネル電流を許容し得る膜厚の絶縁または半絶縁
膜を設けるとともに、該膜上には第1の半導体の
電極および該電極に離間して逆極性を有する第2
の半導体の電極を設けたことを特徴とする光電変
換装置。 2 特許請求の範囲第1項において、半導体は珪
素、ゲルマニユームまたはそれらの化合物よりな
ることを特徴とした光電変換装置。 3 特許請求の範囲第1項において、半導体は
(100面)またはその近傍の結晶方位を有する単結
晶面を有することを特徴とした光電変換装置。 4 特許請求の範囲第1項において、V型表面を
有する面より光が入射され半導体面で光起電力を
発生させることを特徴とした光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2266108A JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4140080A JPS56137686A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Mis-type photoelectric transducing device |
JP2266108A JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4140080A Division JPS56137686A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Mis-type photoelectric transducing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03209780A JPH03209780A (ja) | 1991-09-12 |
JPH0459787B2 true JPH0459787B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=26381007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2266108A Granted JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03209780A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7737357B2 (en) * | 2006-05-04 | 2010-06-15 | Sunpower Corporation | Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts |
US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
JP5363222B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2013-12-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
JP5261304B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2013-08-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
KR102286289B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2021-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2266108A patent/JPH03209780A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03209780A (ja) | 1991-09-12 |
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