FR2545986A1 - Procede pour former des contacts ohmiques d'argent pur sur des materiaux d'arseniure de gallium de type n et de type p - Google Patents
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Abstract
LE PROCEDE PERFECTIONNE DE L'INVENTION POUR FABRIQUER DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS, TELS QUE DES CELLULES SOLAIRES, A L'ARSENIURE DE GALLIUM, COMPRENANT UNE COUCHE DE SUBSTRAT D'ARSENIURE DE GALLIUM DE TYPE N ET UNE COUCHE DIFFUSEE D'ARSENIURE DE GALLIUM DE TYPE P, CONSISTE A FORMER DES CONTACTS OHMIQUES D'ARGENT PUR A LA FOIS SUR LA COUCHE DIFFUSEE ET SUR LE SUBSTRAT, LA COUCHE DE SUBSTRAT DE TYPE N AYANT UNE CONCENTRATION DE PORTEURS DE DOPAGE ESSENTIELLEMENT FAIBLE.
Description
PROCEDE POUR FORMER DES CONTACTS OHMIQUES D'ARGENT PUR
SUR DES MATERIAUX D'ARSENIURE DE GALLIUM DE TYPE N ET
DE TYPE P.
La présente invention concerne de façon géné-
rale des cellules solaires d'arséniure de gallium, et elle a trait plus particulièrement à la formation de
contacts ohmiques d'argent pur à la fois sur des maté-
riaux semiconducteurs d'arséniure de gallium ayant de
faibles concentrations de porteurs de dopage et sur des ma-
tériaux d'arséniure de gallium de type p. Il est important pour des cellules solaires d'arséniure de gallium qui produisent des densités de courant élevées d'avoir de bons contacts ohmiques pour qu'elles aient un fonctionnement efficace et fiable On
peut définir le contact ohmique d'une jonction métal-se-
miconducteur comme un contact qui présente des caracté-
ristiques linéaires de courant-tension Une propriété cruciale du contact ohmique est sa résistivité de contact spécifique, c'est-à-dire sa résistance électrique entre
le contact et le semiconducteur multipliée par la surfa-
ce de contact La résistivité spécifique d'un bon contact
ohmique doit être inférieure à environ 10 -3 Q cm 2 L'im-
portance de bons contacts ohmiques devient plus signifi-
cative quand on réalise que pour recueillir du courant à l'intérieur des cellules solaires semiconductrices, il
faut faire des connexions électriques aux jonctions métal-
semiconducteur, et que pour augmenter au maximum le cou-
rant de jonction, il est essentiel d'utiliser les con-
tacts de résistance la plus faible possible.
La formation de contacts ohmiques pour des cel-
lules d'arséniure de gallium qui présentent une faible
résistance acceptable dépend de nombreux facteurs Jus-
qu'ici, un de ces facteurs principal était l'utilisation d'un semiconducteur fortement dopé à l'interface sous le
métal de contact En ce qui concerne ce facteur, on no-
BR 8287 US/AM
tera que la présente invention prévoit la formation de
contacts ohmiques d'argent pur sur les matériaux d'ar-
séniure de gallium de type N avec des densités de dopa-
ge passablement faibles, comme on l'expliquera plus com-
piètement dans la suite En outre, on doit également con- sidérer un certain nombre d'autres facteurs tels que la
préparation de surface, les conditions de dépôt de mé-
tal, la reproductibilité, les techniques de formation
de contacts de coût utile, et les caractéristiques élec-
triques satisfaisantes dans la formation de contacts oh-
miques de qualité supérieure.
Les exigences pour choisir des métaux de for-
mation de contacts spécifiques en vue de réaliser des contacts ohmiques sur des cellules solaires à l'arséniure
de gallium dépendent de la plupart des facteurs qui vien-
nent d'être mentionnés Généralement, les métaux de for-
mation de contacts les plus largement choisis sont des alliages à base d'or Les alliages d'or sont fréquemment choisis car, typiquement, ils fournissent avantageusement des contacts de performances relativement bonnes avec une
résistance de contact acceptable.
Cependant, malgré cet avantage important, il existe certains problèmes majeurs associés à ces types de contacts d'alliages d'or, et ces problèmes impliquent généralement un coût Par exemple, actuellement, le coût
de pratiquement chaque phase impliquée dans la fabrica-
tion de cellulesàl'ars&niure de gallium dépasse substan-
tiellement le coût des phases analogues de fabrication
des cellules solaires au silicium d'un facteur important.
Pour plus d'explication, la phase de réalisation d'allia-
ge des types de contacts en or contribue normalement à rendre le coût de fabrication élevé car les alliages d'or
constituent des systèmes d'éléments multiples compliqués.
En conséquence, ils sont passablement coûteux à produire.
Pareillement, la phase de réalisation de dopage des types de contacts en or contribue aussi fréquemment
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à rendre excessif le coût de fabrication de ce type de
contact Par exemple, comme on l'a mentionné précédem-
ment, pour obtenir une caractéristique ohmique pour la
majorité des contacts en alliage d'or, l'interface mé-
tal-semiconducteur doit être nécessairement fortement
dopée Malheureusement, le dopage doit être nécessaire-
ment réalisé soigneusement puisqu'une forte diffusion d'impuretés comme donneurs ou acepteurs peut donner une
détérioration de la jonction sous-jacente qui peut fina-
lement dégrader les performances solaires En conséquen-
ce, cette phase est souvent coûteuse, et elle prend aus-
si du temps.
Par ailleurs, on notera que les concentrations
élevées de porteurs de dopage à l'interface avec le se-
miconducteur peut également avoir un effet important
sur les performances de la cellule se dégradant électri-
quement Il en est ainsi principalement en raison de la durée de vie et des longueurs de diffusion des porteurs
minoritaires qui diminuent sensiblement quand les concen-
trations de porteurs sont augmentées Il est évident que le résultat est une réduction de l'efficacité de captage de courant En plus des problèmes de production ci-dessus,
cela coûte aussi passablement cher de fabriquer des con-
tacts en alliage d'or en grandes quantités.
Un autre problème majeur associé à certains ty-
pes de contacts en alliage d'or est le vieillissement.
Par exemple, les contacts d'alliage d'or qui sont direc-
tement réalisés sur les surfaces de type N sont souvent sujets à des effets de vieillissement à la suite d'un endommagement introduit dans les matériaux d'arséniure
de gallium de type N par la formation de l'alliage L'ef-
fet de vieilllisement est généralement de dégrader les performances de la cellule d'arséniure de gallium Il
raccourcit aussi normalement le temps moyen de défaillan-
ce de la cellule opérationnelle En outre, ces conditions se combinent généralement pour affecter défavorablement
la stabilité de cellule.
Un autre problème encore est que les alliages
d'or pur possèdent généralement une mouillabilité médio-
cre (ne se mouillant pas) Cette mouillabilité médiocre a pour effet lors d'un chauffage des alliages d'or liqui- des que ceux-ci se trouvent sous la forme de gouttes à l'interface avec le semiconducteur au lieu de s'étaler,
ce qui donne une résistivité de contact spécifique éle-
vée.
Pour venir à bout des problèmes ci-dessus, par-
ticulièrement celui d'absence de mouillage, on dépose une couche de nickel sur certains contacts d'alliage d'or,
tel que d'or-germanium, pour supprimer l'effet de conden-
sation Malheureusement, malgré son utilité dans l'aug-
mentation du mouillage, le nickel est un diffuseur ra-
pide dans les matériaux d'arséniure de gallium, et des quantités excessives dégradent donc les performances des
contacts en alliage d'or.
Une autre approche pour surmonter les problèmes
associés aux contacts en alliage d'or consiste à les rem-
placer par des alliages de métal moins coûteux A cette fin, on utilise généralement des alliages à base d'argent pour remplacer les alliages d'or, essentiellement parce
qu'ils fournissent une qualité ohmique à la fois aux cel-
lules de type N et de type p pour des concentrations de porteurs de dopage passablement élevées Malheureusement, dans pratiquement tous les types de contacts en alliage d'argent, la complexité de l'opération de métallisation et le coût élevé associé à leur fabrication demeurent un problème grave De plus, certains contacts en alliage d'argent, tel que d'étain-argent, se ternissent quand ils sont exposés à l'air Ce problème est arrangé quand le
contact doit être soudé par compression thermique par rap-
port à un piège de chaleur.
Dans une approche semblable, on a également pris en considération un certain nombre de métaux purs
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pour-d'autres types de contacts destinés à des cellules à l'arséniure de gallium Certains des contacts de métal pur les plus largement utilisés sont en molybdène, en
chrome, en titane, en étain, en indium, en or et en ar-
gent Ces métaux sont intéressants car ils constituent
généralement des contacts ohmiques ayant des bonnes per-
formances pour les matériaux de type p ou de type n Mal-
heureusement, la plupart des types de contacts en métal pur nécessitent essentiellement des niveaux élevés de concentrations de porteurs de dopage pour obtenir une
qualité ohmique, et ils ne parviennent donc pas à résou-
dre de façon satisfaisante les problèmes associés ci-des-
sus concernant la réduction d'efficacité de captage de courant et les effets néfastes d'une diffusion excessive
de donneurs ou d'accepteurs pendant l'opération de dopage.
A cet égard, on rappellera que la présente in-
vention propose d'utiliser de l'argent pur pour consti-
tuer des contacts ohmiques sur les matériaux d'arséniure de gallium de type N pour des concentrations de porteurs
essentiellement de faible densité, ainsi que sur les maté-
riaux d'arséniure de gallium de type p Jusqu'ici, on a bien établi que pour l'obtention de contacts ohmiques de qualité supérieure pour les matériaux de type n, il était
absolument nécessaire d'avoir une interface avec un semi-
conducteur fortement dopé A cette fin, tous les enseigne-
ments de l'art antérieur connu indiquent que l'argent pur constitue des contacts redresseurs (non-ohmiques) ou des contacts ayant une conductivité médiocre sur des matériaux
d'arséniure de gallium à moins que la concentration de por-
teurs soit égale ou supérieure à 1 x 1018 porteurs/cm-3 pour des matériaux de type p et à 6 x 1018 porteurs/cm-3
pour des matériaux de type n Compte-tenu de cela, la pos-
sibilité d'obtenir de bons contacts ohmiques avec de l'ar-
gent pur sur des matériaux d'arséniure de gallium de type N d'un ordre de grandeur inférieur à celui révélé par l'art antérieur au moyen de la présente invention est
totalement inattendue, comme on l'expliquera plus com-
plètement dans la suite.
Pour continuer, certains types de contacts en métal pur tel qu'en molybdène et en chrome posent des problèmes car ils sont extrêmement difficiles à déposer. Certains types de contacts en métal pur tel qu'en titane et en platine sont généralement tout aussi couteux que les types de contacts en alliage d'or Certains contacts en indium pur ont fréquemment de très faibles chutes de courant aux seuils, et, en conséquence, ils sont très
instables dans le temps En outre, avec ces derniers con-
tacts, une défaillance se produit rapidement par migra-
tion de métal à partir de l'anode Notamment, certains contacts en étain pur sur des matériaux de type N de corps sont souvent défaillants sous une polarisation en raison d'une migration de métal à partir de l'anode de
la même manière que les contacts en indium pur sont dé-
faillants. Certains articles contenant des informations relatives à la formation de contacts ohmiques pour des
matériaux semiconducteurs d'arséniure de gallium compren-
nent: la publication par R P GUPTA et J FREYER, intitulée "Metallization systems for ohmic contacts to
p and n-type Ga As",faite dans la revue Int J Electro-
nics, vol 47, n 5, pp 459-467, Juillet 1979; la publi-
cation par K L KOHN et L WANDINGER, intitulée "Varia-
tion of Contact Resistance of Metal-Ga As Contacts with Impurity Concentration and Its Device Implication", faite dans la revue J Electrochem Soc, Solid State Science, pp 507-508, Avril 1969; la publication par H MATINO et
M.TOKUNAGA, intitulée "Contact Resistances of Several Me-
tals and Alloys to Ga As", faite dans la revue J Electro-
chem Soc, Electrochemical Technology, vol 116, n 5,
pp 709-711, Mai 1969; la publication par J PALAU, E TES-
TEMALE, A ISMAIL et L LASSABATERE, intitulée "Surface and contact properties of Ga As overlaid by silver", faite
7 2545986
dans la revue J Vac Sci Technol, vo 21,( 1),6-13,
Mai-Juin 1982; et la publication par B SCHWARTZ, intitu-
lée "Ohmic Contacts to Semiconductors" et éditée par The
Electrochemical Society,Inc, 1969.
De plus, certains articles contenant des infor- mations relatives à l'opération de recuit utilisée dans
la formation de contacts ohmiques pour des semiconduc-
teurs d'arséniure de gallium comprennent: la publication par C LINDSTROM et P TIHANYAI, intitulée "Ohmic Contacts to Ga As Lasers Using Ion-Beam Technology", faite dans la revue IEEE Transaction on Electron Devices, vol ED-30, n l, pp 39-44, Janvier 1983; la publication par B Lo
SHARMA,intitulée "Ohmic Contacts to III-IV Compound Semi-
conductors", faite dans la revue Semiconductors and Semi-
metals, vol 15, pp 1-39, 1981; et la publication par J.G WERTHEN et D R SCIFRES, intitulée "Ohmic contacts to n-Ga As using low-temperature anneal", faite dans la
revue J Appl Phys 52 ( 2), pp 1127-1129, Février 1981.
Un but général de la présente invention est de
fournir un procédé pour former des contacts ohmiques d'ar-
gent pur pour des dispositifs à l'arséniure de gallium qui surmontent la plupart des défauts et inconvénients
des systèmes de métallisation de l'art antérieur men-
tionnés précédemment
Un autre but général de l'invention est de four-
nir un procédé perfectionné pour former des contacts oh-
miques d'argent pur de faible résistance sur des maté-
riaux semiconducteurs d'arséniure de gallium de type n et de type p.
Un autre but général de l'invention est de four-
nir un procédé simplifié pour fabriquer des contacts d'ar-
gent pur sur des matériaux d'arséniure de gallium de type
p et de type N utilisables dans la fabrication de cellu-
les solaires et ayant des performances électriques de cel-
lule, des performances de structure, une reproductibilité
et une stabilité acceptables.
Un but spécifique de la présente invention est de fournir un procédé perfectionné et simplifié pour fabriquer des contacts ohmiques d'argent pur de faible résistance sur des matériaux d'arséniure de gallium de type N pour des concentrations de porteurs de dopage es-
sentiellement faibles.
Un autre but spécifique de la présente inven-
tion est d'utiliser un procédé de dépôt par évaporation sous vide en combinaison avec un procédé de recuit pour obtenir des contacts ohmiques avec de l'argent pur sur à la fois des matériaux d'arséniure de gallium de type n
pour des concentrations de porteurs de dopage essentiel-
lement faibles et des matériaux d'arséniure de gallium de type p. Un autre but spécifique encore de l'invention
est-de fournir des contacts ohmiques d'argent pur de fai-
ble résistance pour des cellules solaires à l'arséniure de gallium avec des concentrations de porteurs de dopage infrieresà îx 118 3
inférieures à 1 x 10 cm pour des matériaux d'arséniu-
re de gallium de type N et inférieures à 6 x 1018 cm 3 pour des matériaux d'arséniure de gallium de type p. Un autre but spécifique encore de l'invention
est de remplacer des types de contacts ohmiques en allia-
ge d'or pour des cellules solaires à l'arséniure de gal-
lium par des types de contacts en métal sensiblement moins coûteux qui puissent être appliqués à des matériaux d'arséniure de gallium detype N et de type p au moyen de
techniques de traitement simplifiées.
Un autre but spécifique encore de l'invention
est de remplacer des types de contacts ohmiques en allia-
ge d'or pour des cellules solaires à l'arséniure de gal-
lium par un type de contacts ohmiques en métal de cout
utile qui donne des performances électriques et de struc-
ture satisfaisantes essentiellement égales à celles obte-
nues avec les types de contacts en alliage d'or.
Les buts ci-dessus ainsi que d'autres buts et avantages encore sont obtenus par la présente invention qui peut être brièvement décrite comme un procédé pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs d'arséniure de gallium comportant une couche de substrat d'arséniure de gallium de type N et une couche diffusée d'arséniure de gallium de type p Le procédé consiste à former un
contact ohmique d'argent pur à la fois sur la couche dif-
fusée et sur la couche de substrat, la couche de substrat de type N ayant une concentration de porteurs de dopage
essentiellement faible.
D'autres caractéristiques et avantages de la
présente invention seront mis en évidence dans la des-
cription suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence au dessins annexé dans lequel la figure unique est une représentation schématique d'une cellule
solaire semiconductrice à l'arséniure de gallium cons-
truite selon les principes de la présente invention.
Si l'on se réfère d'abord à la figure, on voit
que la cellule solaire à l'arséniure de gallium 2 repré-
sentée comporte des moyens de contact ohmique d'argent pur de faible résistance indiqués dans leur ensemble par la référence numérique 4 Dans l'exemple de réalisation de l'invention représenté, la cellule solaire 2 comprend une couche de fenêtre 6 en arséniure de gallium-aluminium obtenue par croissance épitaxiale en phase liquide ayant une épaisseur d'environ 2 pm, qui est fortement dopée avec du magnésium jusqu'à une concentration de porteurs d'environ 1 x 101 cm 3 La cellule 2 comprend en outre
une couche diffusée de type p 8 ayant une épaisseur d'en-
viron 3 pm à 4 pm sur un substrat de type N d'arséniure de gallium 10 disponible dans le commerce qui possède des concentrations de porteurs passablement faibles d'environ 3 x 1017 cm 3, un contact ohmique d'argent pur arrière 12 de large surface, et un contact ohmique d'argent pur
avant 14 de type en doigts.
Pour mettre en oeuvre le procédé de l'invention,
la couche de substrat 10 est initialement polie chimi-
quement, nettoyée et attaquée avec un acide fluorhydri-
que Ensuite, la couche diffusée de type p 8 est formée par croissance épitaxiale en phase liquide de la couche de fenêtre 6 sur la couche de substrat 10 A cette fin,
la cellule 2 est commodément chauffée dans un interval-
le de température d'environ 8-10 C à environ 820 'C pen-
dant environ 10 minutes pour réaliser la diffusion du magnésium à partir de la phase liquide dans la couche
de substrat de type N 10, et pour ainsi réaliser égale-
ment la formation de la jonction p-n 15 Bien que la cou-
che diffusée 8 soit formée de préférence en utilisant des techniques de croissance épitaxiale en phase liquide, on remarquera que d'autres techniques appropriées pour préparer la couche diffusée et la jonction pn, telles que les techniques chimiques de dépôt en phase vapeur, peuvent être utilisées comme cela peut se présenter pour
l'homme de l'art.
A la suite de la formation de la couche de fe-
nêtre 6, des techniques photolithographiques et de photo-
résistance sont utilisées pour définir une configuration
de contacts avant en forme de grille Ensuite, un ensem-
ble de canaux 16 sont formés par attaque de la couche diffusée de type p 8 au moyen d'un acide fluorhydrique dilué pour être associés à la configuration en forme de grille des contacts L'argent pur est ensuite déposé sur le bas de la couche de substrat 10 de n'importe quelle manière bien connue dans la technique pour former les contacts arrière 12 L'argent pur est ensuite évaporé dans les canaux 16 sous un vide compris entre environ x 10 o 6 et environ 9 x 10-6 Torr pour une profondeur
d'à peu près 1 Mm d'épaisseur.
Ensuite, conformément au procédé de l'invention, les deux contacts d'argent pur déposé 12, 14 sont soumis à un recuit pour obtenir la qualité ohmique A cette fin, les contacts déposés 12, 14 sont traités thermiquement il 2545986
en utilisant un gaz neutre environnant comprenant envi-
ron 10 % d'hydrogène et environ 90 % d'azote Les tempéra-
tures de recuit sont comprises entre environ 4300 C et environ 4600 C, la température de recuit préférée étant d'environ 4500 C Le cycle de recuit dure d'environ 8 mi-
nutes à environ 10 minutes.
Les exemples suivants servent à illustrer cer-
tains modes de réalisation préférés du procédé de la pré-
sente invention, de même qu'ils servent à comparer les
performances électriques obtenues selon ces modes de réa-
lisation aux performances électriques obtenues avec des
contacts ohmiques en alliage d'or de l'art antérieur uti-
lisés avec des cellules solaires à l'arséniure de gallium et ils ne doivent pas être considérés comme limitant le
cadre de la présente invention.
EXEMPLE I
Comme premier exemple, on présente trois types
de contacts ohmiques destinés à des cellules à l'arséniu-
re de gallium Un premier type est un contact en argent
pur, et les deux autres types sont des contacts en allia-
ge d'or, c'est-à-dire, en or-béryllium et en or-germanium-
* or Les contacts d'argent pur ont été fabriqués en utili-
sant des techniques de dépôt par évaporation et des tech-
niques de recuit selon l'invention Les deux types de contacts en alliage d'or ont été pareillement fabriqués
avec des modifications pour obtenir leur qualité ohmique.
Pour atteindre ces buts, on a utilisé des tran-
ches d'arséniure de gallium pour examiner les caractéris-
tiques électriques de base des trois types de contacts ohmiques On a choisi les densités de dopage des tranches
pour qu'elles coïncident avec les concentrations de sur-
face nécessaires dans les dispositifs photovoltaïques à l'arséniure de gallium typiques Ainsi, la concentration de porteurs de dopage des tranches d'arséniure de gallium
de type N était égale à 3 x 1017 cm 3 (dopées au tellure).
La concentration de porteurs de dopage des tranches d'ar-
séniure de gallium de type p était égale à 2 x 1018 cm 3
(dopées au zinc).
Toutes les tranches d'arséniure de gallium
comportaient le même cycle de nettoyage, en étant dégrais-
sées et attaquées au moyen d'un acide fluorhydrique avant le dépôt de l'argent pur et des alliages d'or Ensuite, l'argent pur et les deux alliages d'or ont été évaporés séquentiellement sur les tranches utilisées L'argent a été déposé en utilisant un évaporateur classique par faisceau électronique dans un vide compris entre 5 xl O 6 Torr et 9 xl O 6 Torr Une couche d'alliage d'or-béryllium d'environ 5 Mum d'épaisseur a été évaporée vers chaque
tranche de type p en utilisant des techniques de chauffa-
ge par résistance Les alliages d'or-germanium-or ont été déposés sur les tranches de type N par évaporations
O O O
successives de couches de IOOA, de 1300 A et de 2400 A On
notera que les contacts d'or-béryllium n'ont pas été fa-
briqués sur les tranches de type N et que les contacts
d'or-germanium-or n'ont pas été fabriqués sur les tran-
ches de type p. Ensuite, les contacts d'argent pur déposé et les contacts d'alliage d'or déposé ont été soumis à un
recuit pour obtenir la qualité ohmique La qualité ohmi-
que des contacts d'argent pur a été obtenue à une tempé-
rature de recuit d'environ 4500 C pendant un cycle de re-
cuit d'environ 10 minutes La qualité ohmique des deux alliages d'or a été obtenue à une température de recuit d'environ 350 'C pendant un cycle de recuit d'environ 15 minutes. Ensuite, on a mesuré la résistivité de contact des trois types de contacts de manière à permettre les
comparaisons des résistivités de contact des contacts oh-
miques en argent et en alliage d'or Toutes les mesures
de résistivité ont été réalisées en utilisant des équa-
tions classiques d'une manière bien connue.
On a obtenu les valeurs suivantes de la résis-
13 2545986
tivité de contact en fabriquant les contacts ohmiques d'argent pur et d'alliage d'or décrits précédemment sur
des matériaux semiconducteurs d'arséniure de gallium.
Type de contact Ga As de type p Ga As de type n ohmique (An c M 2) ( A cm 2) Au (Be) 5 x 1 o-4 Au/Ge/Au 3 x 10 04 Ag 1 x 10 4 4 x 10 o 4
EXEMPLE II
L'exemple II fournit les résultats moyens des
caractéristiques de courant-tension de 16 contacts ohmi-
ques sur des cellules à l'arséniure de gallium, 8 des 16 étant des contacts en argent pur, et les 8 autres étant
des contacts en or-germanium sur les matériaux d'arséniu-
re de gallium de type p et des contacts en or-germanium-
or sur les matériaux d'arséniure de gallium de type n.
Les caractéristiques de courant-tension représentent la relation entre le courant et la tension pour les cellules
à l'arséniure de gallium mesurées et elles ont été obte-
nues dans l'exemple II en utilisant des équations classi-
que d'une manière bien connue.
On a fabriqué les 16 contacts ohmiques essen-
tiellement de la même manière que les trois types de con-
tacts de la figure Une différence est due au fait que les structures semiconductrices d'arséniure de gallium
utilisées étaient des cellules solaires clivées Une au-
tre différence est due au fait que les matériaux de type p étaient constitués par des couches diffusées dopées au magnésium. On a obtenu les caractéristiques électriques suivantes en fabriquant les contacts ohmiques d'argent pur et d'alliage d'or mentionnés précédemment sur les
matériaux semiconducteurs d'arséniure de galliumdetvoen.
Type de Densité de Rendement Facteur Résistivité contact courant N (") d'occu série m A.cm 2 pation FF P (? cm 2) Ag 14,45 10,4 0,79 0,575 Alliages 14,48 10,2 0,77 0,756 de Au
D'après ce qui précède, on remarquera que l'ar-
gent pur devient ohmique après un recuit quand il est évaporé sur des matériaux semiconducteurs d'arséniure de
gallium de type N faiblement dopés De plus, on remarque-
ra aussi que la qualité ohmique obtenue à partir d'un
type de contact en argent pur est généralement essentiel-
lement égale à la qualité ohmique obtenue à partir des
types de contacts en alliage à base d'or.
En outre, il est maintenant évident qu'il était aussi à;la fois inattendu et surprenant que le procédé de métallisation simplifié de l'invention puisse fournir d'une manière attrayante des contacts ohmiques d'argent pur à la fois sur des matériaux d'arséniure de gallium de type N et de type p pouvant remplacer efficacement les
types de contacts ohmiques en alliage d'or,essentielle-
ment sans dégradation des performances des dispositifs
à l'arséniure de gallium De plus, il est maintenant évi-
dent, d'après ce qui précède, qu'il était à la fois inat-
tendu et surprenant que la technique de dépôt par évapo- ration sous vide combinée à la technique de recuit puisse fournir un
procédé de métallisation simplifié permettant d'obtenir avantageusement un type de contact ohmique de coût utile à la fois pour des matériaux de type p et de
type n.
De plus, il est évident que la capacité d'ob-
tenir des contacts ohmiques pour des matériaux d'arséniu-
re de gallium de type N à des densités de dopage passa-
blement faibles, indique un potentiel prometteur pour simplifier l'opération de dopage, ainsi que pour réduire
au minimum la dégradation électrique due aux effets dé-
favorables des fortes concentrations de dopage sur la durée de vie des porteurs minoritaires Il est également évident que la capacité de former des contacts ohmiques sur les seuls matériaux d'arséniure de gallium de type p n'est pas particulièrement avantageuse en raison du fait
que la valeur des concentrations de porteurs est passa-
blement normale Cependant, la capacité de former des contacts en argent pur sur à la fois les matériaux de type N et de type p est extrêmement avantageuse puisque
les dispositifs du type cellules solaires doivent norma-
lement utiliser nécessairement les deux types de matériaux.
La description des exemples de réalisation pré-
férés de la présente invention qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple et elle ne limite pas la présente invention aux formes précises décrites Il est évident qu'on peut prévoir des modifications et des variantes
des exemples de réalisation qui ont été décrits sans sor-
tir pour autant du cadre de la présente invention telle
qu'elle est définie dans les revendications suivantes.
16 2545986
Claims (4)
1 Procédé pour fabriquer des dispositifs à
l'arséniure de gallium constitués d'une couche de sub-
strat d'arséniure de gallium de type N et
d' une couche diffusée de type p carac-
térisé en ce qu'il consiste à déposer un contact ohmique
d'argent pur sur à la fois la couche diffusée et la cou-
che de substrat,eten ce que la couche de substrat de ty-
pe N a une concentration de porteurs de dopage essentiel-
lement faible.
2 Procédé selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'il consiste en outre à former les contacts ohmiques d'argent pur pour des concentrations de porteurs à l'intérieur de la couche diffusée inférieures à 1 x 1018 cm-3
3 Procédé selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'il consiste en outre à recuire les contacts
d'argent déposé.
4 Procédé selon la revendication 1, caractéri-
sé en ce qu'il consiste en outre à traiter les contacts d'argent thermiquement à une température d'environ 450 C
pendant environ 10 minutes dans un gaz neutre environnant.
Dispositif semiconducteur à l'arséniure de gallium, caractérisé en ce qu'il comprend une couche de ( 10) substrat de type ô, ladite couche de substrat de type n
étant dopée jusqu'à des concentrations de porteurs de do-
page essentiellement faibles, une couche de jonction de type e)et des contacts ohmiques d'argent pu,; et en ce que la couche de type N comprerd à sa surface un premier contact ohmique d'argent pur>e 2 la couche de type p com-j 4) prend à sa surface un second contact ohmique d'argent pur/ BR 8287 US/AM t
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|---|---|---|---|
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918508A (en) * | 1986-03-28 | 1990-04-17 | General Electric Company | Vertical photoconductive detector |
| US5045408A (en) * | 1986-09-19 | 1991-09-03 | University Of California | Thermodynamically stabilized conductor/compound semiconductor interfaces |
| US4698455A (en) * | 1986-11-04 | 1987-10-06 | Spectrolab, Inc. | Solar cell with improved electrical contacts |
| US4694115A (en) * | 1986-11-04 | 1987-09-15 | Spectrolab, Inc. | Solar cell having improved front surface metallization |
| JPH01187984A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| GB8817886D0 (en) * | 1988-07-27 | 1988-09-01 | British Telecomm | Avalanche photodiode structure |
| US5262335A (en) * | 1991-10-08 | 1993-11-16 | Trw Inc. | Method to produce complementary heterojunction bipolar transistors |
| DE19531001A1 (de) * | 1995-08-23 | 1997-02-27 | Hoechst Trevira Gmbh & Co Kg | Textiler Verbundstoff, Verfahren zu dessen Herstellung, dessen Verwendung sowie Gelege enthaltend Mischgarne |
| US7368045B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544854A (en) * | 1966-12-02 | 1970-12-01 | Texas Instruments Inc | Ohmic contacts for gallium arsenide semiconductors |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3264707A (en) * | 1963-12-30 | 1966-08-09 | Rca Corp | Method of fabricating semiconductor devices |
| US3669655A (en) * | 1966-12-02 | 1972-06-13 | Texas Instruments Inc | Ohmic contacts for gallium arsenide semiconductors |
| US4301188A (en) * | 1979-10-01 | 1981-11-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for producing contact to GaAs active region |
| JPS57206024A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-17 | Toshiba Corp | Method of forming electrode onto compound semiconductor |
-
1983
- 1983-05-13 US US06/494,485 patent/US4564720A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094387A patent/JPS6024074A/ja active Pending
- 1984-05-11 DE DE3417551A patent/DE3417551A1/de not_active Withdrawn
- 1984-05-11 FR FR8407326A patent/FR2545986B1/fr not_active Expired
- 1984-05-11 IT IT20898/84A patent/IT1174095B/it active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544854A (en) * | 1966-12-02 | 1970-12-01 | Texas Instruments Inc | Ohmic contacts for gallium arsenide semiconductors |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 15, no. 7, 1976, Tokyo; O.ISHIHARA et al. "Ohmic Contacts to P-Type GaAs", pages 1411-1412 * |
| JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 116, no. 4, avril 1969; K.L. KLOHN et al. "Variation of Contact Resistance of Metal-GaAs Contacts with Impurity Concentration and Its Device Implication", pages 507-508 * |
| SOLID-STATE ELECTRONICS, vol. 26, no. 3, mars 198 3, Exeter, GB; A. PIOTROWSKA et al. "Ohmic Contacts to III-V Compound Semiconductors : a Review of Fabrication Techniques", pages 179-197 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2545986B1 (fr) | 1986-01-17 |
| JPS6024074A (ja) | 1985-02-06 |
| DE3417551A1 (de) | 1984-11-15 |
| IT8420898A0 (it) | 1984-05-11 |
| US4564720A (en) | 1986-01-14 |
| IT1174095B (it) | 1987-07-01 |
| IT8420898A1 (it) | 1985-11-11 |
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