JPH0459286A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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JPH0459286A
JPH0459286A JP2172465A JP17246590A JPH0459286A JP H0459286 A JPH0459286 A JP H0459286A JP 2172465 A JP2172465 A JP 2172465A JP 17246590 A JP17246590 A JP 17246590A JP H0459286 A JPH0459286 A JP H0459286A
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reflectance
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Yoshihisa Usami
由久 宇佐美
Takashi Kobayashi
孝史 小林
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Fuji Photo Film Co Ltd
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、レーザーにより情報の記録が可能な情報記録
媒体に関するものである。
[発明の技術的背景] 情報の書き込み可能なり RA W (Direct 
ReadAfter Write )型の情報記録媒体
は、基本構造として、プラスチック、ガラス等からなる
円盤状の透明基板と、この上に設けられたBi、Sn、
In、Te等の金属または半金属、あるいは色素からな
る記録層とを有する。光ディスクへの情報の書き込みは
、たとえばレーザービームを光ディスクに照射すること
により行なわれ、記録層の照射部分がその光を吸収して
局所的に温度上昇する結果、ビット形成等の物理的変化
あるい−は相変化等の化学的変化を生じてその光学的特
性を変えることにより情報が記録される。光ディスクか
らの情報の読み取りもまた、レーザービームを光ディス
クに照射することなどにより行なわれ、記録層の光学的
特性の変化に応じた反射光または透過光を検出すること
により情報が再生される。そして、上記光ディスクへの
情報の書き込みおよび読み取りのためのレーザービーム
の照射は、通常ディスク表面の所定の位置に行われる。
このためレーザービームを案内して照射予定位置に正確
にたどる(一般にトラッキングと呼ばれる)ようにする
ため、例えば逆台形型のプレグルーブ(トラッキングガ
イド)がディスク表面に設けられる。さらに、データー
の記録に必要なアドレス情報などのプレフォーマット情
報が、ディスクの通常内周側にプレピットとして形成さ
れているのが一般的である。
このように、DRAW型の情報記録媒体は、上記プレグ
ルーブ、および所望によりプレピット、が形成された基
板上に記録層等が設けられた基本構成を有する。
このような情報記録媒体の記録層を形成する記録材料と
して上記のように金属類や色素等が知られている。色素
を用いた情報記録媒体は、記録層を塗布法により簡単に
形成することができるという製造上の大きな利点を有し
ている。しかしながら、一般に光ディスクの記録材料中
で高感度であるとして有用とされているものは、金属類
でも色素類でもその反射率は30ないし40%である。
従フて、色素からなる記録層も、一般に反射率が低いと
の欠点がある。
反射率を向上させるために色素記録層上に金属反射層を
設けた情報記録媒体が、特開平2−87340号公報に
開示されている。ここでは、高反射率を得るため反射層
を50nm程度の比較的厚い層厚にて設けられている。
このような光ディスクは、基板側からの光に対して高い
反射率を示すものであるが、光の波長に対する反射率曲
線の、再生用のレーザーの発振波長における接線の勾配
が0.6(%/ n m )を超えており大きい。この
ため、再生レーザーの発振波長より少しずれた、すなわ
ち発振波長より少し低いあるいは高い波長において反射
率の大きさが極端に変化する傾向がある。例えば、再生
レーザーの発振波長790nmで70%の反射率を示す
光ディスクは785nmでは66%を示す。一般に光デ
イスクドライブに用いられる半導体レーザーの発振波長
は、その製品により若干具なっており、また温度などの
使用環境によってもその波長は変化する。このため、上
記高反射率を有する光ディスクを用いて記録または再生
を行なフた場合、使用するドライブあるいはその使用環
境によってトラッキングエラー リードエラーなどの誤
動作が起こり易いとの問題がある。 従って、再生用の
レーザーの発振波長の近辺の波長領域で反射率の変動の
少ない光ディスクが望まれる。
[発明の目的1 本発明は、色素からなる記録層を有する光ディスクであ
って、再生用のレーザーの発振波長の付近の波長領域で
反射率の変動の少ない新規な情報記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
また、本発明は、広い波長領域で高い反射率を有する情
報記録媒体を提供することを目的とする。
[発明の要旨] 本発明は、基板上に、レーザーにより情報の記録または
再生が可能な色素からなる記録層、金属からなる反射層
および保護層が設けられた情報記録媒体において、 該反射層の透過率が10%以上であり、且つ該情報記録
媒体の反射率特性を、縦軸が反射率(%)で、横軸が波
長(nm)である反射率白線で表わした場合、使用する
再生用レーザーの発振波長における該情報記録媒体の接
線の勾配(%/ n m )が、十0.6〜−0.6の
範囲にあることを特徴とする情報記録媒体にある。
上記本発明の情報記録媒体の好ましい態様は以下の通り
である。
1)上記反射率の層厚が、0.3〜30nmの範囲にあ
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
2)上記接線の勾配(%/ n m )が十〇、S〜−
0,5の範囲にある曲線であることを特徴とする上記情
報記録媒体。
3)該情報記録媒体が、記録または再生用のレーザーの
発振波長の±20nmの波長領域で、該発振波長での反
射率の80〜120%の範囲の反射率を有することを特
徴とする上記情報記録媒体。
4)上記記録層と反射層との間に、層厚が30〜300
nmの範囲にあるエンハンス層が設けられていることを
特徴とする上記情報記録媒体。
5)上記反射層の金属が、Ti%Zr、Ta、Cr% 
Mo%W% Ni% Rh、Pd、Pt。
Cu、Ag%Au、Zn、AfL、In、Si。
Ge%Te、Sn、Bi、Sb、TJ!、ptおよびC
かうなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特
徴とする上記情報記録媒体。
6)上記反射層の金属が、Ni、Cu、Au、Zn、A
IL、In、PtおよびCからなる群より選ばれる少な
くとも1種であることを特徴とする上記情報記録媒体。
7)上記反射層が、15%以上の透過率を有することを
特徴とする上記情報記録媒体。
8)上記反射層の層厚が、1.0〜30nmの範囲にあ
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
9)上記保護層が、紫外線硬化型樹脂の硬化物からなる
ことを特徴とする上記情報記録媒体。
10)上記保護層の層厚が、500〜5000nmの範
囲にあることを特徴とする上記情報記録媒体。
11)上記記録層の色素が、インドリジン系色素、イミ
ダゾキノキサリン系色素、チアゾール系色素、インドレ
ニン系色素、メロシアニン系色素およびフタロシアニン
系色素から選ばれる少なくとも一種であることを特徴と
する上記情報記録媒体。
尚、上記反射層の透過率は、ガラス板上に反射層を形成
した後、ガラス板側から再生波長の光を照射して測定し
た。
[発明の効果] 上記のように、本発明の情報記録媒体は、反射層の透過
率を10%以上にすることにより、該反射層を透過した
レーザー光が保護層と空気との界面で反射して人手側に
戻ってくるようにされている。そして、この保護層と空
気との界面の反射光が、反射層と記録層との界面で反射
したレーザー光を干渉するように保護層の層厚が設定さ
れているので、レーザー光の発振波長付近の波長であっ
ても発振波長での反射率と大きく変動することはない。
これにより、再生用のレーザーの発振波長の付近の波長
領域で反射率の変動の少ない情報記録媒体を得ることが
できる。
従って、光デイスクドライブに用いられる半導体レーザ
ーの発振波長が多少移動していても、また温度などの使
用環境によって発振波長が変化しても、本発明の情報記
録媒体を用いることにより、再生時のフォーカシングエ
ラー トラッキングエラーなどの誤動作がほとんど発生
することがない。
C発明の詳細な記述] 本発明者等は、塗布により形成可能な色素からなる記録
層、反射層および保護層の基本構成を有する光ディスク
であって、再生用のレーザーの発振波長の付近の波長領
域で反射率の変動の少ない記録媒体を得るため鋭意研究
を重ね、本発明に到達したものである。
本発明の情報記録媒体の例を、添付の第1図を参照しな
がら説明する。
第1図は、基板11上に、色素からなる記録層12、金
属からなる反射層13および保護層14がこの順で設け
られた基本構成を有する光ディスクの断面図である。
上記光ディスクは、プラスチック等からなる透明な基板
11上に、スピンコード法などにより色素層形成用の塗
布液を塗布して色素記録層12が形成され、その上に反
射率を向上させるために反射層13が金属をスパッタリ
ング等することにより形成され、さらにこれらを保護す
るために保護層14が形成されている。
上記反射層は、従来反射率を向上させるため比較的厚い
層厚で設けられており、照射されたレーザーのうち反射
層を透過する光は殆ど無かった。
本発明では、従来と同様入射したレーザー光を反射層で
反射させである程度の反射率を確保しながら、反射しな
いで透過したレーザー光を保護層と空気との界面で反射
できるように、反射層の層厚を比較的薄くして、その透
過率を10%以上にしている。そして、この保護層と空
気との界面の反射光により、主に反射層と記録層との界
面で反射したレーザー光を干渉して、レーザー光の発振
波長付近の波長であっても発振波長ての反射率と大きく
変動しないように、後述するように保護層の層厚に設定
している。
このように、薄層の反射層上に上記のように設定された
層厚を有する保護層を設けることにより、情報記録媒体
の反射率特性を、縦軸が反射率(%)で、横軸が波長(
nm)である座標上に反射率曲線として表わした場合、
使用する再生用のレーザーの発振波長における該情報記
録媒体の接線の勾配(%/ n m )が+0.6〜−
0.6の範囲(好ましくは、+0.5〜−0.5の範囲
)にあるようにすることができる。さらに、情報記録媒
体が、再生用のレーザーの発振波長の主20n 〜120%の範囲の反射率を有することが、より広範囲
の条件で再生が可能となるので好ましい。
本発明の光情報記録方法に用いられる情報記録媒体の製
造は、たとえば以下に述べるような材料を用いて行なう
ことができる。
本発明において使用する基板は、従来の情報記録媒体の
基板として用いられている各種の材料から任意に選択す
ることができる。基板材料の例としては、ガラス、ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂;ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂:エボキ
シ樹脂:ポリカーボネート樹脂、アモルファスポリオレ
フィンおよびポリエステルを挙げることができる。好ま
しくは、基板の光学的特性、平面性、加工性、取扱い性
、経時安定性および製造コストなどの点から、ポリカー
ボネート、アモルファスポリオレフィンおよびポリメチ
ルメタクリレートを挙げることができる。
また、基板上には、トラッキング用溝またはアドレス信
号等の情報を表わす凹凸の形成の目的で、プレグルーブ
またはプレグルーブとプレピットが設けられる。プレピ
ットはプレグルーブのない内周側に形成されるのが一般
的である。基板材料がプラスチックの場合は、射出成形
あるいは押出成形などにより直接基板にプレグルーブお
よびプレピットが設けられことが好ましい。
上記プレグルーブおよびプレピットは、プレグルーブ層
等を形成することにより設けてもよい。
その材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエス
テル、トリエステルおよびテトラエステルのうちの少な
くとも一稀のモノマー(またはオリゴマー)と光重合開
始剤との混合物を用いることができる。プレグルーブ層
の形成は、まず精密に作られた母型(スタンバ−)上に
上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混
合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたの
ち、基板または母型を介して紫外線の照射により液層を
硬化させて基板と液相とを固着させる。次いで、基板を
母型から剥離することによりプレグルーブ層の設けられ
た基板が得られる。プレグルーブ層の層厚は一般に0.
05〜100μmの範囲にあり、好ましくは0.1〜5
0μmの範囲である。
上記プレグルーブの形状は、半値幅が一般に0、2〜1
.0μmの範囲で、好ましくは0.3〜0.8μmの範
囲、特に好ましくは0.4〜0、7μmの範囲であり、
そして深さが一般に400〜4000Xの範囲、好まし
くは6oo〜3000λの範囲、そして特に好ましくは
600〜2000又の範囲である。
基板上には、記録層が設けられる。
記録層に使用される色素としては、例えば、イミダゾキ
ノキサリン系色素、インドレジン系色素などのシアニン
系色素、フタロシアニン系色素、ピリリウム系・チオピ
リリウム系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム
系色素、Ni,Crなどの金属錯塩系色素、ナフトキノ
ン系・アントラキノン系色素、インドフェノール系色素
、インドアニリン系色素、トリフェニルメタン系色素、
トリアリルメタン系色素、メロシアン系色素、オキソノ
ール系色素、アミニウム系・ジインモニウム系色素およ
びニトロソ化合物を挙げることができる。
上記色素の具体例として以下のものを挙げることができ
る。
i)シアニン系色素: [11(CH3)2N−(CH−CH)5−CH−”N
(CH3)2 CIt04−(ただし、nは2または3
である) (ただし、Rは水素原子またはN (CH3) 2であ
る) [4]  (D ”  −L = ’P    (X 
”−)I/−(ただし、Φおよび平はそれぞれ芳香族環
が縮合していてもよいインドレニン環残基、チアゾール
環残基、オキサゾール環残基、セレナゾール環残基、イ
ミダゾール環残基、ピリジン環残基、チアゾロピリミジ
ン環残基またはイミダゾキノキサリン環残基であり、L
はモノカルボシアニン、ジカルボシアニン、トリカルボ
シアニンまたはテトラカルボシアニンを形成するための
連結基であり、x′m−はm価の陰イオンであり、mは
1または2であり、さらにX−はΦ、Lまたは!上に置
換して分子内塩を形成しても良く、またΦとし、または
Lと市とはさらに連結して環を形成しても良い) 上記−数式で表わされる具体的な化合物の例としては以
下のa)〜k)等が挙げられる。
[f] [C] ClO4゜ [91 スクワリリウム系色素: ClO4 [う] [kl iii)アズレニウム系色素: れてアザアズレン環となっていてもよい、)iv)イン
ドフェノール系色素: (ただし、R1とR2、R2とR3,R3とR’、R’
とR5R5とR6およびR6とR7の組合せのうち少な
くとも一つの組合せで置換もしくは未置換の複素環また
は脂肪族環による環を形成し、鎖環を形成しないときの
R’、RzR3R4、R5R6およびR7はそれぞれ水
素原子、ハロゲン原子またはm個の有機残基であり、あ
るいはR1とR2R3とR4,R4とR5、RSとR6
およびR6とR7の組合せのうち少なくとも一つの組合
せで置換もしくは未置換の芳香族環を形成してもよく、
Aは二重結合によ)て結合した二価の有機残基であり、
Z−はアニオン残基である。なお、アズレン環を構成す
る少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置き換えら(
ただし、XおよびYはそれぞれ水素原子、アルキル基、
アシルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子であ
り、R1、R2およびR3はそれぞれ水素原子、C8〜
Cooの置換または未置換のアルキル基、アリール基、
複素環またはシクロヘキシル基であり、Aは−NHCO
−または−CONH−である) ■)金属錯塩系色素: (ただし、Rl 、、 R4はそれぞれアルキル基また
はアリール基であり、Mは二価の遷移金属原子である) (ただし、R′およびR2はそれぞれアルキル基または
ハロゲン原子であり、Mは二価の遷移金属原子である) (ただし、[Cat]は錯塩を中性ならしめるために必
要な陽イオンであり、MはNi、Cu、Co、Pdまた
はptであり、nは1または2である) (ただし、R1およびR2はそれぞれ置換または未置換
のアルキル基またはアリール基であり、R3はアルキル
基、ハロゲン原子または−N−85基(ここで、R4お
よびR5はそれぞれ置換または未置換のアルキル基また
はアリール基である)であり、Mは遷移金属原子であり
、nはO〜3の整数である) (ただし、[Cat]は錯塩を中性ならしめるために必
要な陽イオンであり、MはNi、Cu、Co、Pdまた
はptであり、nは1または2である) 子またはメチル基であり、nは1〜4の整数であり、A
は第四級アンモニウム基である)びR2はそれぞれ1〜
3の整数であり、R1およびR2はそれぞれアミノ基、
モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アセチル
アミノ基、ベンゾイルアミノ基(置換ベンゾイルアミノ
基を含む)であり、XIとX2 n、とR2およびR1
とR2はそれぞれ互いに同じであフても異なフていても
よく、MはCrまたはCO原子であり、Yは水素、ナト
リウム、カリウム、アンモニウム、脂肪族アンモニウム
(置換脂肪族アンモニウムを含む)または脂環族アンモ
ニウムである)vi)ナフトキノン系、アントラキノン
系色素:(ただし、xlおよびx2はそれぞれニトロ基
および/またはハロゲン原子であり、nlおよ(ただし
、Rは水素原子、アルキル基、アリル基、アミノ基また
は置換アミノ基である)(ただし、Rは水素原子、アル
キル基、アリル基、アミノ基または置換アミノ基である
)(ただし、Xはハロゲン原子であり、nは0(ただし
、Rは水素原子、アルキル基、アリル基、アミノ基また
は置換アミン基である)(ただし、Xはハロゲン原子で
ある) vii)イントリジン系色素: (式中、R1及びR4は、それぞれ独立に、置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
アリール基、芳香環に置換基を有していてもよいアラル
キル基、アルコキシ基、芳香環に置換基を有していても
よいアリールオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基、
芳香環に置換基を有していてもよいアリールカルボニル
アミノ基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル
基又はハロゲン原子を表わし、R”及びR”は、それぞ
れ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基、芳香環に
置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基
、芳香環に置換基を有していてもよいアリールオキシ基
、アルキルカルボニルアミノ基、芳香環に置換基を有し
ていてもよいアリールカルボニルアミノ基、シアノ基、
アシル基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を
表わし、R2R3R5R8及びR7は、それぞれ独立に
、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基、芳香環に置換基を
有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロ
ゲン原子を表わし、R2及びR3がアルキル基であると
きR2とR3とは一緒にな)て環を形成してもよく、R
5及びR6がアルキル基であるときR5とR6とは一緒
になって環を形成してもよく、X−はアニオンを表わす
。) 上記色素層の形成は、上記色素、さらに所望により結合
剤を溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液
を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥すること
により行なうことができる。
上記色素塗布液調製用の溶剤としては、酢酸エチル、酢
酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン、ジクロルメタン、1.2−ジクロ
ルエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル、エタノール、n−プロパツール、イソプロパ
ツール、n−ブタノールなどのアルコール、ジメチルホ
ルムアミドなどのアミド、2.2.3.3−テトラフロ
ロプロパツール等フッソ系溶剤などを挙げることができ
る。なお、これらの非炭化水素系有機溶剤は、50容量
%以内である限り、脂肪族炭化水素溶剤、脂環族炭化水
素溶剤、芳香族炭化水素溶剤などの炭化水素系溶媒を含
んでいてもよい。
塗布液中にはさらに酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、
滑剤なと各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
結合剤を使用する場合に結合剤としては、例えハセラチ
ン、ニトロセルロース、酢酸セルロース等のセルロース
誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高
分子物質:およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポ
リ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル
酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、
ポリビニルアルコール、塩素化ポリオレフィン、エポキ
シ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホ
ルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物など
の合成有機高分子物質を挙げることができる。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコード法、デイ
ツプ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
結合剤に対する色素の比率は一般に0.01〜99%(
重量比)の範囲にあり、好ましくは1゜0〜95%(重
量比)の範囲にある。
上記記録層の層厚は、一般に10〜11000nの範囲
にあり、好ましくは30〜800nmの範囲にあり、さ
らに好ましくは50〜500nmの範囲にある。
記録層の上には、反射率を向上させるためにエンハンス
層を設けても良い。
エンハンス層の材料としては、5in2、AfN、Zn
SおよびSi3N4などの無機物質;ポリブタジェン、
エチレン系重合体、フッ素系樹脂などのポリマーを挙げ
ることができる。
反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する
反射率が高い物質であり、その例としては、Be、B、
C,Sc、Rh、Sr%As、Os、Tfl、At、F
r% Ra、Mg、Se。
Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、
W、Mn、Re、Fe% Co、Ni。
Ru、Rh、Pd、I r、Pt、Cu、Ag。
Au% Zn、Cd%AR,、Ga、In、Si。
Ge、Te、Pb%Po、Sn%Bi、Sbなどを挙げ
ることができる。これらの内で好ましくは、Ti、Zr
、Ta、Cr、Mo、W、Ni。
Rh、Pd、Pt%Cu、Ag、Au、Zn。
A1、In、Si、Ge、Te、Sn%Bi。
Sb、Tj2、ptおよびCであり、特に好ましくは、
Ni、Cu、Au、Zn、All、In、PtおよびC
である。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるい
は二種以上の組合せでまたは合金として用いてもよい。
本発明では、反射層の層厚を入射したレーザー光を全て
反射するのではなく、10%以上(好ましくは12%以
上、さらに好ましくは15%)透過させて、保護層と空
気との界面で反射できるようにしている。従って、反射
層の層厚は一般的には0.3〜30nmの範囲であり、
好ましくは1〜30nmの範囲であり、特に好ましくは
5〜20nmである。特に反射層の材料としてAuを使
用すする場合には、上記層厚の範囲が好ましい。
反射層は、たとえば上記光反射性物質を蒸着、スパッタ
リングまたはイオンブレーティングすることにより基板
の上に形成することができる。
上記反射層上には保護層が設けられる。
保護層に用いられる材料の例としては、無機物質として
は、5iO1Si02 、Si3 N4、MgF2、S
nO3等を挙げることができる。また、有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を
挙げることができ、好ましくはUV硬化性樹脂である。
本発明の効果を得るためには有機物質を塗布により設け
ることが好ましい。
上記保護層は、たとえばプラスチックの押出加工で得ら
れたフィルムを接着層を介して飽和炭化水素系溶剤に可
溶な樹脂からなる保護層上にラミネートすることにより
形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリ
ング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な
溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗
布し、乾燥することによフても形成することができる。
UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し
、UV光を照射して硬化させることによっても形成する
ことができる。UV硬化性樹脂としては、ウレタン(メ
タ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポ
リエステル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレ
ートのオリゴマー類、(メタ)アクリル酸エステル等の
千ツマー類等さらに光重合開始剤等の通常のUV硬化性
樹脂を使用することができる。これらの塗布液中には、
更に帯電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加
剤を目的に応じて添加してもよい。
上記の保護層の層厚は一般には50〜110000nの
範囲にあり、好ましくはioo〜7000nmの範囲、
さらに好ましくは500〜5000nmの範囲にある。
また保護層は着色されても良い。
本発明では、入射したレーザー光を反射層で反射させで
ある程度の反射率を確保しながら、反射しないで透過し
たレーザー光を保護層と空気との界面で反射できるよう
に、上記反射層の層厚を比較的薄くして、その透過率を
10%以上の範囲の薄層にしている。そして、この保護
層と空気との界面の反射光により、反射層と記録層との
界面で反射したレーザー光を干渉して、レーザー光の発
振波長付近の波長であっても発振波長での反射率と大き
く変動しないようにしている。
すなわち、反射層と記録層との界面で反射するレーザー
光の位相と保護層と空気との界面で反射するレーザー光
の位相のrずれ1を下記式を満足する光学的膜厚になる
ように保護層の層厚を計算して設定することによって、
レーザー光の発振波長付近の反射率を変動の少ないもの
にすることができると考えられる。
nd=jλ (n:保護層の屈折率、d:保護層の層厚、j:整数、
λ:レーザーの波長) しかしながら、色素層と他の層との界面で位相のrとび
1等があることから上記計算値の保護層の層厚で規定す
ることは困難であることが分かフた。
このため、保護層の層厚は、上記光学的層厚を参考にし
ながら下記のように設定することが好ましい。
1)保護層を設ける前の情報記録媒体の光の波長に対す
る反射率曲線が、使用するレーザーの発振波長における
反射率の方が長波長側より低くくなっている場合、保護
層形成後の情報記録媒体の反射率が該発振波長よりlO
〜200nm程度短波長側で極大を有するように保護層
の層厚を設定する。
2)保護層を設ける前の情報記録媒体の光の波長に対す
る反射率曲線が、使用するレーザーの発振波長における
反射率の方が長波長側で高くなっている場合、保護層形
成後の情報記録媒体の反射率が該発振波長より10〜2
00nm程度長波長側で極大を有するように保護層の層
厚を設定する。
このように、薄層の反射層上に上記のように設定された
層厚を有する保護層を設けることにより使用する再生用
のレーザーの発振波長の付近の波長領域で反射率の変動
の少なくすることができる。
本発明において、光情報記録媒体は上述した構成からな
る単板であってもよいが、あるいは更に上記構成を有す
る二枚の基板を反射層が内側となるように向い合わせ、
接着剤等を用いて接合することにより、貼合せタイプの
記録媒体を製造することもできる。また、本発明の記録
層は、CDなどの再生専用の光ディスクのアルミニウム
などの反射層の代わりに使用することもできる。
上記光情報記録媒体への記録は、例えば下記のように行
なわれる。
まず、光情報記録媒体を定線速度または定角速度(CD
フォーマット信号の場合は、1.2〜1.4m/秒)で
回転させながら、半導体レーザー光などの記録用の光を
、基板側から該プレグルーブのグループにレーザー光を
照射してCDフォーマットのEFM信号などの信号を、
該グループの記録層にビットを形成することにより記録
する。一般に、記録光としては750〜850nmの範
囲の発振波長を有する半導体レーザービームが用いられ
る。一般に1〜15mWのレーザーパワーで記録される
上記記録層のビット形成は、記録層に空洞の形成、基板
の記録層側表面の肉盛り形成、これら空洞と肉盛りの両
方の形成、あるいは会合/非会合もしくは配向/無配向
等の相変化により行なわれる。
記録に際しては、上記トラッキング用プレグルーブを用
いてプッシュプル法などによるトラッキング制御が行な
われる。情報の記録は、プレグルーブのグループまたは
グループ間のランドに行なわれる。
情報の再生は、例えば記録媒体を上記と同一の定線速度
または定角速度で回転させながら半導体レーザー光を基
板側から照射してその反射光を検出することにより、3
ビーム法などによるトラッキング制御を行ないながら情
報を再生することができる。
以下に、本発明の実施例および比較例を記載する。ただ
し、これらの各側は本発明を制限するものではない。
[実施例1] 下記の色素: 4.8gを、2,2,3.3−テトラフロロプロパツー
ル100m1に超音波を1時間付与しながら溶解して色
素塗布液を調製した。
プレグルーブが設けられた円盤状のポリカーボネート基
板(外径:120mm、内径:15mm、厚さ:1.2
mm、トラックピッチ:1.6μm、グループ幅:0.
45μm、グループの深さ:900又、グループ領域:
直径44mm〜117mmの範囲)のプレグルーブが設
けられている側の基板表面に、上記色素塗布液をスピン
コード法により回転数750rp■の速度で5秒間塗布
し、毎秒50 rpmずつ回転数を上げながら16秒後
置終回転数1000 rpmとして30秒間保持して乾
燥して層厚が400nmの色素記録層を形成した。
上記色素記録層上にAuを、DCスパッタ装置を用いて
、Ar圧力が2Pa、電力が480W。
蒸着速度2nm(層厚)7秒の条件にて5秒間スッパタ
リングして、層厚10nmの反射層を形成した。
反射層上にさらに上記紫外線硬化型樹脂(商品名: 3
070、スリーポンド社製)をスピンコード法により回
転数1500rpmの速度で塗布した。乾燥後、該塗布
層に紫外線を照射(200W/ c m 2の水銀灯を
10秒間)することによフて層厚2.5μmの保護層を
形成した。
このようにして、基板上に、色素記録層、反射層および
保護層が設けられた情報記録媒体(第1図参照)を製造
した。
上記と同様にして反射層をガラス板に形成し、分光光度
計(■日立製作所)を用いて透過率測定したところ、7
90nmの波長にて40%であフた。
[実施例2] 実施例1において、反射層の層厚10nmから下記のよ
うにして20nmに変えた以外は実施例1と同様にして
情報記録媒体を製造した。
上記色素記録層上にAuを、DCスパッタ装置を用いて
、Ar圧力が2Pa、電力が480W、蒸着速度2nm
(層jg)7秒の条件にて10秒間の条件にてスッパタ
リングしてに層厚20nmの反射層を形成した。
上記と同様にして反射層をガラス板に形成し、分光光度
計(■日立製作所)を用いて透過率測定したところ、7
90nmの波長にて17%であった。
[比較例1コ 実施例1において、反射層の層厚10nmから下記のよ
うにして50nmに変えた以外は実施例1と同様にして
情報記録媒体を製造した。
上記色素記録層上にAuを、DCスパッタ装置を用いて
、Ar圧力が2Pa、電力が480W、蒸着速度2nm
(層厚)7秒の条件にて25秒間の条件にてスッパタリ
ングしてに層厚50nmの反射層を形成した。
上記と同様にして反射層をガラス板に形成し、分光光度
計(■日立製作所)を用いて透過率測定したところ、7
90nmの波長にて1%であった。
[比較例2] 実施例1において、反射層の層厚10nmから下記のよ
うにして200nmに変えた以外は実施例1と同様にし
て情報記録媒体を製造した。
上記色素記録層上にAuを、DCスパッタ装置を用いて
、Ar圧力が2Pa、電力が480W、蒸着速度2nm
(層厚)7秒の条件にて100秒間の条件にてスツパタ
リングしてに層厚200nmの反射層を形成した。
上記と同様にして反射層をガラス板に形成し、分光光度
計(■日立製作所)を用いて透過率測定したところ、7
90nmの波長にて0%であった。
[情報記録媒体の評価コ 1)反射率 得られた情報記録媒体について分光光度計(■日立製作
所)を用いて基板側より770〜850nm範囲にある
波長の光を照射して未記録部分の反射率を測定した。
2)C/N ドライブ装置(DDU−1000,パルスチック■製)
を用いて、発振波長790nmのレーザーで記録時のレ
ーザーパワー(記録パワー)7mW、線速度1.3m/
秒にて、変調周波数720kHz (デユーティ−33
%)の信号を記録した。そして記録された信号を0゜5
mWの再生パワーにて再生時のC/Nをスペクトルアナ
ライザー(TR4135、アトパンテスト社製)を用い
て測定した。
3)フォーカスエラー波長依存性 上記2)で信号が記録された情報記録媒体を再生し、ト
ラッキングフォーカシングが外れた時のフォーカスエラ
ー振幅の、コンパクトディスク(CD)のエラー振幅に
対する割合(EFλ(λはレーザー波長))を、λnm
、λ+5nmおよびλ−5nmでの波長で測定し、下記
式よりフォーカスエラーの波長依存性(α(%))を求
めた。
EF λ。5 −EF λ−5 α=                       
   X100EF  λ 上記測定結果を第2図および第1表に示す。
第2図は、1)反射率において測定された実施例1.2
および比較例1の770〜850nmにおける反射率の
反射率曲線が示されている。実施例1および2ではレー
ザーの発振波長である790nm前後で反射率の極端な
上昇または低下がないことが分かる。
尚、波長790nmでの反射率白線の勾配は、第2図の
反射率曲線を用いて、790nm波長において該曲線に
接線を引いて求めた。
第1表 (ネ/nm) (d B)780nm  790nm 800nI11
実施例1 実施例2 0.10 0.35 48.5 48.9 比較例1 比較例2 0.65 49.2 49.2 上記第1表より明らかなように、本発明の光ディスク(
実施例1および2)は、レーザーの発振波長である79
0nmで反射率の勾配が小さく、790nm前後で反射
率の変化が少ない。且つC/Nも低下していない。また
、本発明に従いレーザーの発振波長である790nmで
反射率の勾配が小さくなるように設定されているので、
フォーカスエラー波長依存性が、790n■の波長のレ
ーザーに対して小さいことは勿論であるが、780t+
mおよび800n■のどの波長のレーザーに対しても小
さいことが分かる。従って、各レーザーに対してフォー
カシングの安定性が良好である。
方、従来の反射層が設けられた比較例1および比較例2
の光ディスクでは、790 nmで反射率の勾配が大き
く、790付近で反射率の変化が大きい。また、フォー
カスエラー波長依存性が、780nmおよび790nm
の波長のレーザーに対して大きく(一般に、αは10を
超えるとフォーカシングが低下し、フォーカシングエラ
ーが生じ易くなる) 、 800nmの波長のレーザー
に対してのみ小さい。従って、種々のレーザーに対して
フォーカシングの安定性が良好であるとは言えない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の情報記録媒体の基本的構成を示す平
面図である。 第2図は、実施例1.2および比較例1で得られた光デ
ィスクの770〜850nmにおける反射率を示すグラ
フ(反射率曲線)である。 基板:11 記録層:12 反射層:13 保護層:14

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板上に、レーザーにより情報の記録または再生が
    可能な色素からなる記録層、金属からなる反射層および
    保護層がこの順で設けられた情報記録媒体において、 該反射層の透過率が10%以上であり、且つ該情報記録
    媒体の反射率特性を、縦軸が反射率(%)で、横軸が波
    長(nm)である反射率曲線で表わした場合、使用する
    再生用レーザーの発振波長における該情報記録媒体の接
    線の勾配 (%/nm)が、+0.6〜−0.6の範囲にあること
    を特徴とする情報記録媒体。
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KR20150082982A (ko) * 2014-01-08 2015-07-16 에스케이씨 주식회사 방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제 및 반도체 소자의 제조방법

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