JPH0456309A - 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法Info
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- JPH0456309A JPH0456309A JP16748590A JP16748590A JPH0456309A JP H0456309 A JPH0456309 A JP H0456309A JP 16748590 A JP16748590 A JP 16748590A JP 16748590 A JP16748590 A JP 16748590A JP H0456309 A JPH0456309 A JP H0456309A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は電解コンデンサ用陽極材料、主として１００
ｖ以下の低圧用エツチング箔の製造方法に関するもので
ある。
ｖ以下の低圧用エツチング箔の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
電解コンデンサ用アルミニウムエツチング箔を化成する
前に、熱水によるボイルもしくは大気雰囲気中での焼鈍
などによって生ずる非陽極酸ｆヒ皮膜を生成させておく
と、化成電気量の減少、静電容量の増大が図れることは
従来より知られている。
前に、熱水によるボイルもしくは大気雰囲気中での焼鈍
などによって生ずる非陽極酸ｆヒ皮膜を生成させておく
と、化成電気量の減少、静電容量の増大が図れることは
従来より知られている。
しかしながら、従来行われてきた方法のすべては、化成
電圧が低い場合には良好な結果が得られず、比較的高い
化成電圧のみに対し有効であった６また、ｆヒ成前処理
（エツチング後処理）として低い化成電圧に対し有効に
作用する目的で硅酸ソーダーなどの硅酸アルカリ溶液の
浸漬処理など提案されているが、高い電圧に比べ、まだ
その効果は少ない。
電圧が低い場合には良好な結果が得られず、比較的高い
化成電圧のみに対し有効であった６また、ｆヒ成前処理
（エツチング後処理）として低い化成電圧に対し有効に
作用する目的で硅酸ソーダーなどの硅酸アルカリ溶液の
浸漬処理など提案されているが、高い電圧に比べ、まだ
その効果は少ない。
発明が解決しようとする課題
従来、化成前処理膜の生成にあたり、純水によるボイル
などによって生ずる疑似ベーマイト皮膜は非常に厚く生
成するため、低い化成電圧では逆効果であった。また、
焼鈍皮膜も熱水によって生ずる皮膜はど厚くはならない
が、その生成挙動が微妙で効果を得るためには、高温で
充分焼鈍する必要があり、結果として比較的高い化成電
圧から効果が出てくることになる。硅酸ソーダーなどに
よる浸漬、乾燥処理では、皮膜生成の成長を押さえる働
きのあるものの、ある程度以上のｆヒ成電圧にしか適応
できず、また皮膜中に硅酸板などの侵入により皮膜耐圧
の低下、漏れ電流増大などの悪影響をもたらすことがあ
る。
などによって生ずる疑似ベーマイト皮膜は非常に厚く生
成するため、低い化成電圧では逆効果であった。また、
焼鈍皮膜も熱水によって生ずる皮膜はど厚くはならない
が、その生成挙動が微妙で効果を得るためには、高温で
充分焼鈍する必要があり、結果として比較的高い化成電
圧から効果が出てくることになる。硅酸ソーダーなどに
よる浸漬、乾燥処理では、皮膜生成の成長を押さえる働
きのあるものの、ある程度以上のｆヒ成電圧にしか適応
できず、また皮膜中に硅酸板などの侵入により皮膜耐圧
の低下、漏れ電流増大などの悪影響をもたらすことがあ
る。
課題を解決するための手段
本発明は以上のような点に鑑み、薄くて安定した化成前
処理膜を製作するために、各種検討を行った結果、見出
したものである。そして、エツチングを行った直後（ケ
ミカル洗浄、純水洗浄、乾燥工程の後）に短波長のエキ
シマレーザ−を照射すれば、薄くて安定した化成前処理
膜が得られることが判った。すなわち、化学的もしくは
電気ｆヒ学的にエツチング処理を施した純度９９ 、９
５％以上のアルミニウム箔をケミカル洗浄、純水洗浄、
乾燥工程を経た後に、酸素雰囲気下においてエキシマレ
ーザ−を照射することを特徴とする電解コンデンサ用エ
ツチング箔の製造方法である。この場合レーザー源ガス
としてＡｒＦ（１９３ｎｍ）、 ｋｒＦ＜２４８ｎｍ）
、Ｘｅｃｌ （３０８ｎｍ） 、ＸｅＦ（３５１ｎｍ）
などが良好であるが、短波長になる程、短時間の処理で
すむことになる。
処理膜を製作するために、各種検討を行った結果、見出
したものである。そして、エツチングを行った直後（ケ
ミカル洗浄、純水洗浄、乾燥工程の後）に短波長のエキ
シマレーザ−を照射すれば、薄くて安定した化成前処理
膜が得られることが判った。すなわち、化学的もしくは
電気ｆヒ学的にエツチング処理を施した純度９９ 、９
５％以上のアルミニウム箔をケミカル洗浄、純水洗浄、
乾燥工程を経た後に、酸素雰囲気下においてエキシマレ
ーザ−を照射することを特徴とする電解コンデンサ用エ
ツチング箔の製造方法である。この場合レーザー源ガス
としてＡｒＦ（１９３ｎｍ）、 ｋｒＦ＜２４８ｎｍ）
、Ｘｅｃｌ （３０８ｎｍ） 、ＸｅＦ（３５１ｎｍ）
などが良好であるが、短波長になる程、短時間の処理で
すむことになる。
また、エキシマレーザ−照射時の雰囲気とじて大気中程
度で充分であるが、強制的に酸素を送り込んで酸素雰囲
気中で処理すれば、より短時間で安定した皮膜が得られ
る。
度で充分であるが、強制的に酸素を送り込んで酸素雰囲
気中で処理すれば、より短時間で安定した皮膜が得られ
る。
さらに検討を行った結果、処理されるエツチング箔の温
度を変えることにより、任意の化成電圧に適した前処理
皮膜のコントロールが可能となった。
度を変えることにより、任意の化成電圧に適した前処理
皮膜のコントロールが可能となった。
作用
アルミニウムの複合酸化皮膜を生成させるなめには、陽
極酸化を行う前に非酸ｆヒ皮膜が存在していることが必
要であり、その効果は＠極酸化過程での無定形皮膜から
γ’−ＡＩ！２０３皮膜への転移に基づいている。従っ
て、本質的には無定形皮膜−γ’−１゜０３への転移が
起こり易い前処理皮膜の質、およびその生成の厚みであ
る。従来のベースは、前処理皮膜は水和反応によるもの
か加熱処理によるものか原則的には限られており、皮膜
の質そのものを変えることは不可能であった。今回検討
した前処理皮膜はエキシマレーザ−による酸素およびア
ルミの原子励起に基ずくものであり、水分は全くなくと
もまた常温以下の温度でも、すみやかに１２０．が生成
する。
極酸化を行う前に非酸ｆヒ皮膜が存在していることが必
要であり、その効果は＠極酸化過程での無定形皮膜から
γ’−ＡＩ！２０３皮膜への転移に基づいている。従っ
て、本質的には無定形皮膜−γ’−１゜０３への転移が
起こり易い前処理皮膜の質、およびその生成の厚みであ
る。従来のベースは、前処理皮膜は水和反応によるもの
か加熱処理によるものか原則的には限られており、皮膜
の質そのものを変えることは不可能であった。今回検討
した前処理皮膜はエキシマレーザ−による酸素およびア
ルミの原子励起に基ずくものであり、水分は全くなくと
もまた常温以下の温度でも、すみやかに１２０．が生成
する。
また強度、時間が変化しても質的には全く同じであり、
生成される皮膜厚み調整は強度変化、時間変ｆヒによっ
て容易に調整できるものである。
生成される皮膜厚み調整は強度変化、時間変ｆヒによっ
て容易に調整できるものである。
実施例
９９．９８％の高純度アルミニウム箔を塩酸を主体とす
る電解液でエツチング処理を行い、硫酸希薄溶液中にて
ケミカル洗浄を行い、充分純水洗浄を行った後２５０℃
で３分間乾燥を行った。
る電解液でエツチング処理を行い、硫酸希薄溶液中にて
ケミカル洗浄を行い、充分純水洗浄を行った後２５０℃
で３分間乾燥を行った。
その後、ただちに次の処理を行った。
試料Ａ ： ＡｒＦ（１９３ｎｍ）レーザーを３分間照
射試料Ｂ ： ＫｒＦ（２４８ｎｍ）レーザーを３分間
照射試料Ｃ：比較用（従来例）として５５０°Ｃ５分大
気中で焼鈍処理を行う６以上のように処理したアルミニ
ウム箔をアジピン酸アンモニウム溶液にて化成を行った
。
射試料Ｂ ： ＫｒＦ（２４８ｎｍ）レーザーを３分間
照射試料Ｃ：比較用（従来例）として５５０°Ｃ５分大
気中で焼鈍処理を行う６以上のように処理したアルミニ
ウム箔をアジピン酸アンモニウム溶液にて化成を行った
。
１ヒ成電圧としテＩＯＶ、２０Ｖ、４０Ｖ、６０Ｖ、８
０Ｖ、１００Ｖノロ種類作成した。上記試料の静電容量
増加率（％〉を調査した。その結果を第１表に示す。
０Ｖ、１００Ｖノロ種類作成した。上記試料の静電容量
増加率（％〉を調査した。その結果を第１表に示す。
第１表
るものである。
Claims (1)
- 化学的もしくは電気化学的にエッチング処理を施した純
度９９．９５％以上のアルミニウム箔をケミカル洗浄、
純水洗浄、乾燥工程を経た後に、酸素雰囲気下において
エキシマレーザーを照射することを特徴とする電解コン
デンサ用エッチング箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16748590A JPH0456309A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16748590A JPH0456309A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456309A true JPH0456309A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15850559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16748590A Pending JPH0456309A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456309A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9852849B2 (en) | 2016-05-27 | 2017-12-26 | Pacesetter, Inc. | Using etch resist patterns and formation for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US9969030B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US9978529B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10090112B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-10-02 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP16748590A patent/JPH0456309A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9978529B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10923291B2 (en) | 2016-01-11 | 2021-02-16 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US11469052B2 (en) | 2016-01-11 | 2022-10-11 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10090112B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-10-02 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US10825613B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-11-03 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US9969030B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US11185948B2 (en) | 2016-05-12 | 2021-11-30 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US9852849B2 (en) | 2016-05-27 | 2017-12-26 | Pacesetter, Inc. | Using etch resist patterns and formation for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
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