JPH0456258A - Semiconductor device lead processing device - Google Patents
Semiconductor device lead processing deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置用リード加工装置・特に半導体
装置用リードフレームのタイバー切断方法する半導体装
置用リード加工装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead processing apparatus for a semiconductor device, and particularly to a lead processing apparatus for a semiconductor device that performs a method of cutting tie bars of a lead frame for a semiconductor device.
第８図ＩＬ ％ ｄは従来の半導体装置用リード加工装
置によるタイバー切断方法を工程順に示す要部断面図で
あり、図において、１は樹脂封止された半導体装置、２
は外部と電気的に接続されるＩＪ−ド、３は樹脂封止の
際、リード２間に樹脂溜りご作り、樹脂の流れを止める
タイバーである。４はタイバーカットダイであり、この
タイバーカントダイ４の上面には、リード２を支える支
持部５が形成されている。６はタイバーカットダイ４の
上方に上下動可能に設けられているストリッパーであり
、このストリッパー６の下面には、リード２を押え込み
・上記支持部５との間にクランプする押圧部７か形成さ
れている。８は上下動可能に設けられているタイバーカ
ットパンチでアリ、コノタイバーカットパンチ８のタイ
バー３を切断スる部分に切断面９が形成されている。FIG. 8 IL% d is a cross-sectional view of main parts showing a tie bar cutting method using a conventional semiconductor device lead processing device in the order of steps. In the figure, 1 indicates a resin-sealed semiconductor device, 2
3 is an IJ-domain that is electrically connected to the outside, and 3 is a tie bar that creates a resin reservoir between the leads 2 and stops the flow of resin during resin sealing. Reference numeral 4 denotes a tie bar cut die, and a support portion 5 for supporting the lead 2 is formed on the upper surface of the tie bar cut die 4. A stripper 6 is provided above the tie bar cutting die 4 so as to be movable up and down, and a pressing portion 7 is formed on the lower surface of the stripper 6 to press down the lead 2 and clamp it between it and the support portion 5. ing. Reference numeral 8 denotes a tie bar cut punch which is provided to be movable up and down, and a cut surface 9 is formed at the portion of the tie bar cut punch 8 where the tie bar 3 is cut.
なお、上記タイバーカントダイ４とストリンパ−６とタ
イバーカットパンチ８とから、タイツ（−３２切断加工
する半導体装置用リード加工装置が構成されている。The tie bar cant die 4, stripper 6, and tie bar cut punch 8 constitute a semiconductor device lead processing apparatus for cutting tights (-32).
次に動作について説明する。まず、リードフレーム（図
示せず）状態の半導体装置１を第３図ａに示すように、
タイバーカットダイ４上にセントする。次に、同図すに
示すように、ストリッツく−６を下降させ、支持部５と
押圧部７との間にり一ド２Ｔｒ：クランブする。その後
、タイバーカットパンチ８を下降させることにより、同
図Ｃに示すように、タイバー３を切断する。Next, the operation will be explained. First, as shown in FIG. 3a, the semiconductor device 1 in a lead frame (not shown) state is
Cent on tie bar cut die 4. Next, as shown in the same figure, the strip 6 is lowered and clamped between the support part 5 and the pressing part 7. Thereafter, by lowering the tie bar cut punch 8, the tie bar 3 is cut as shown in FIG.
このようにしてタイバー３の切断が完了すると、同図ｄ
に示すように、ストリンパ−６およびタイバーカントハ
ンチ８を上昇させ＼タイバーカントダイ４からフレーム
状態の半導体装置ｌを取り出す０
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のように構成された従来の半導体装置用リード加工
袋ｆｆｉにおいては、タイバー刀ントバンチ８が超硬等
よりなっているため、このタイバーカットパンチ８の切
断面９とタイバー３との切断部には大きな摩擦力が生じ
、このため、タイバーカットパンチ８の切断面９が摩耗
し、その摩耗によって、タイバー３の切り残しが発生し
たりして・切断の精度が悪くなり、装置全体の信頼性が
損なわれてしまうという問題点があった〇
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、タイバーカットパンチの切断面の摩耗を防止
し、これによりタイバーの切断精度を良くすることがで
き、装置全体の信頼性の向上を図ることを目的とする。When the tie bar 3 is completely cut in this way,
As shown in the figure, the stripper 6 and the tie bar cant haunch 8 are raised and the semiconductor device l in the frame state is taken out from the tie bar cant die 4. In the device lead processing bag ffi, the tie bar punch bunch 8 is made of carbide or the like, so a large frictional force is generated between the cut surface 9 of the tie bar cut punch 8 and the cut section of the tie bar 3. There is a problem that the cutting surface 9 of the tie bar cut punch 8 wears out, and this wear causes uncut parts of the tie bar 3, which deteriorates cutting accuracy and impairs the reliability of the entire device. This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it prevents wear on the cutting surface of the tie bar cut punch, thereby improving the cutting accuracy of the tie bar and improving the reliability of the entire device. The purpose is to improve sexual performance.
この発明に係る半導体装置用リード加工装置は、タイバ
ーカットパンチの少なくともタイバーに接触する部分に
、パンチ母材を保護すべきダイヤモンド薄膜を形成する
か、または、タイバーに接触する部分をセラミンク材料
で形成したものである。In the semiconductor device lead processing apparatus according to the present invention, a diamond thin film that protects the punch base material is formed on at least the portion of the tie bar cut punch that contacts the tie bar, or the portion that contacts the tie bar is formed of a ceramic material. This is what I did.
この発明においては、タイバーカットパンチのタイバー
との接触部に、母材との密着性に優れ、母材より高硬度
であるダイヤモンド薄膜を用いるか、または高硬度で、
かつ表面潤滑性にすぐれたセラミンク材料を用いること
により、タイバーカットパンチとタイバーとの間に生じ
る摩擦力を小さくシ、タイバーカットパンチの摩耗を防
止する。In this invention, a diamond thin film that has excellent adhesion to the base material and has a higher hardness than the base material is used in the contact portion of the tie bar cut punch with the tie bar, or a diamond thin film that has high hardness and
In addition, by using a ceramic material with excellent surface lubricity, the frictional force generated between the tie bar cut punch and the tie bar is reduced, and wear of the tie bar cut punch is prevented.
以下・この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１〜９は上記従来例と同一部分を示してお
り、従来例のものと異なる点は、タイバーカントハンチ
８の少なくともその切断面９に膜厚８〜５／ｊ＃Ｉのダ
イヤモンド薄膜ｌＯが形成されている点である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
In the figure, 1 to 9 indicate the same parts as the above conventional example, and the difference from the conventional example is that at least the cut surface 9 of the tie bar cant haunch 8 is coated with a diamond thin film with a film thickness of 8 to 5/j#I. This is the point where lO is formed.
このような半導体装置用リード加工装置においては、従
来と同様の工程によりタイバー３が切断加工されるが、
タイバー刀ントバンチ８の切断面９の表面にダイヤモン
ド薄膜ｌＯが形成されているため、タイバーカットパン
チ８とタイバー３との間に生じる摩擦力は従来よりかな
り小さなものとなり、これにより、タイバーカットパン
チ８の切断面９の摩耗がなくなり・タイバー３の切り残
しも防止される。従って、タイバー３の切断精度が良く
なり、装置全体の信頼性が向上する。In such semiconductor device lead processing equipment, the tie bars 3 are cut using the same process as in the conventional method.
Since the diamond thin film 1O is formed on the surface of the cut surface 9 of the tie bar cut punch 8, the frictional force generated between the tie bar cut punch 8 and the tie bar 3 is considerably smaller than that of the conventional one. This eliminates wear on the cut surface 9 and prevents uncut portions of the tie bar 3. Therefore, the cutting precision of the tie bar 3 is improved, and the reliability of the entire device is improved.
また第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、図に
おいて、■はセラミック材料からなるタイバーカットパ
ンチであり、これは従来例と同様の形状を有し、タイバ
ー３を切断する部分には従来同様鏡面仕上が施されてい
る。FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. In the figure, ■ is a tie bar cut punch made of ceramic material, which has the same shape as the conventional example, and has a part for cutting the tie bar 3. As before, it has a mirror finish.
このような半導体装置用リード加工装置においては、従
来と同様の工程によりタイバー３が切断加工されるが、
タイバーカットパンチ１１が高硬度でかつ表面１１ｉＩ
渭性に優れたセラミック材料からなっているため、タイ
バーカットパンチＵとタイバー３との間に生じる摩擦力
は従来よりかなり小さなものとなり、これにより、タイ
バーカットパンチＨの切断面９の摩耗がなくなり、タイ
バー３の切り残しも防止される。従って、タイバー３の
切断精度が良くなり、装置全体の信頼性、が向上する。In such semiconductor device lead processing equipment, the tie bar 3 is cut using the same process as in the conventional method.
Tie bar cut punch 11 has high hardness and surface 11iI
Since it is made of a ceramic material with excellent bending properties, the frictional force generated between the tie bar cut punch U and the tie bar 3 is much smaller than before, and this eliminates wear on the cutting surface 9 of the tie bar cut punch H. , the tie bar 3 is also prevented from being left uncut. Therefore, the cutting precision of the tie bar 3 is improved, and the reliability of the entire device is improved.
なお、上記実施例では、タイバー刀ットバンチＨの全体
がセラミンク材料からなるものを示したが、少なくとも
タイバー３との接触部がセラミンク材料からなっていれ
ば、他の部分は他の材料からなっていてもよい。In addition, in the above embodiment, the entire tie bar bunch H is made of ceramic material, but as long as at least the contact portion with the tie bar 3 is made of ceramic material, other parts may be made of other materials. It's okay.
以上のようにこの発明によれば、タイバーカットパンチ
とタイバーとの間に生じる摩擦力が小さくなり、これに
よりタイバーカットパンチの摩耗を防ぎ、すなわちタイ
バーの切り残りを防止でき、その結果、タイバーの切断
精度を艮くすることができて、装置全体の信頼性を向上
し得る。As described above, according to the present invention, the frictional force generated between the tie bar cut punch and the tie bar is reduced, thereby preventing wear of the tie bar cut punch, that is, preventing the tie bar from being left uncut. Cutting accuracy can be improved and reliability of the entire device can be improved.
第１図はこの発明の一実施例を示す要部断面図、第２図
はこの発明の他の実施例を示す要部断面図、第８図ＦＬ
／％／ ｄは従来装置によるリード加工方法を工程順
に示す要部断面図である。
図中、１は半導体装置、３はタイバー ８はタイバーカ
ットパンチ、ｌＯはダイヤモン）’ｍ膜、ｎはセラミン
ク材料でなるタイバーカットパンチである。
なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
半４−４禾斗ｂ【
タイｌぐ−
７９４ノぐ−カットノぜン今
夕’＜ｖｔＺ−ド〕鯖Ｍ（
第１図
第３図
第２図
タイバ一カットパンケFIG. 1 is a sectional view of a main part showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a main part showing another embodiment of the invention, and FIG. 8 FL
/%/d is a cross-sectional view of a main part showing a lead processing method using a conventional device in order of steps. In the figure, 1 is a semiconductor device, 3 is a tie bar, 8 is a tie bar cut punch, IO is a diamond)'m film, and n is a tie bar cut punch made of a ceramic material. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts. Half 4-4 Kato b [Tai lgu-794 Nog-Cut no Zen Koya'<vtZ-do]Mackerel M (Fig.
Claims (2)
ーカットパンチにより押圧して切断加工する半導体装置
用リード加工装置において、上記タイバーカットパンチ
の少なくとも上記タイバーに接触する部分に、タイバー
カットパンチ母材を保護すべきダイヤモンド薄膜が形成
されていることを特徴とする半導体装置用リード加工装
置。(1) In a semiconductor device lead processing device that presses and cuts the tie bars of a lead frame for semiconductor devices with a tie bar cut punch, the tie bar cut punch base material is protected at least in the portion of the tie bar cut punch that contacts the tie bar. 1. A lead processing device for a semiconductor device, characterized in that a diamond thin film is formed thereon.
ーカットパンチにより押圧して切断加工する半導体装置
用リード加工装置において、上記タイバーカットパンチ
の少なくとも上記タイバーに接触する部分が、セラミッ
ク材料からなつていることを特徴とする半導体装置用リ
ード加工装置。(2) In a semiconductor device lead processing device that presses and cuts the tie bars of a semiconductor device lead frame with a tie bar cut punch, at least the portion of the tie bar cut punch that contacts the tie bar is made of a ceramic material. A lead processing device for semiconductor devices characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800390A JPH0456258A (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Semiconductor device lead processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800390A JPH0456258A (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Semiconductor device lead processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456258A true JPH0456258A (en) | 1992-02-24 |
Family
ID=15860000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16800390A Pending JPH0456258A (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Semiconductor device lead processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456258A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07211842A (en) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Osaka Diamond Ind Co Ltd | Electronic member machining tool |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16800390A patent/JPH0456258A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07211842A (en) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Osaka Diamond Ind Co Ltd | Electronic member machining tool |
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