JPH0449930B2 - - Google Patents

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JPH0449930B2
JPH0449930B2 JP59281857A JP28185784A JPH0449930B2 JP H0449930 B2 JPH0449930 B2 JP H0449930B2 JP 59281857 A JP59281857 A JP 59281857A JP 28185784 A JP28185784 A JP 28185784A JP H0449930 B2 JPH0449930 B2 JP H0449930B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は電気光学スイツチング装置、特に円偏
光光源を用いる広視角型のオプチルカルスイツチ
ング方法及び装置に関する。
〔従来技術〕
液晶セルの如く複屈折特性を生じる電気光学素
子を用いるオプチルカルスイツチングシステム
(以下OSSという)はその出力光を伝達光の光路
(又は光軸)に関して測定した角度(アジマス角)
で定まる視角の異なる場所で観測すると均一な光
強度が得られない。この不均一光強度は表示コン
トラストを変化させ、この原因は視角円錐に沿つ
たアジマス角の関数で強度が変化する汚染(コン
タミナント)光のスプリアス伝達にある。異なる
2色光学伝達状態を生じるOSSの場合には、複屈
折の結果、これら光学伝達状態のいずれかでシス
テムから出射する光線は他の光学伝達状態の色で
ある汚染光線を含み、その強度は視角円錐の場所
により異なる。
そこで複屈折材料により成る電気光学デバイス
を使用するOSSの光軸外の視角特性を改善する方
法が種々提案されている。TN液晶表示装置の視
角特性を改善する方法及び装置に関する特許分類
がある。
特に、フアーガソン発明の米国特許第4385806
号公報には少なくとも2つのリタデーシヨン板を
特殊方法で配列し、その光軸外の視角特性を改善
するTN液晶構体が開示されている。
ワシズカ等の発明に係る米国特許第4192060号
公報には、その透明電極に水平方向の摩擦処理を
行ない、所定のデイレクタ配向を生じさせて液晶
セルの視角特性を改善するTN液晶セルを開示し
ている。
また、フナダ等の発明による米国特許第
4183630号公報は1対の基板の一方の外面近傍に
配した複数の光学フアイバを含むフアイバプレー
トを使用し、その基板間にTN液晶体層を含むも
のを開示している。フアイバプレートの使用によ
り、液晶セルの印加した電圧が低下した際に表示
コントラストが維持できると述べている。
グツドマン等の発明による米国特許第4120576
号公報はTN液晶セルに印加した電圧とそのスレ
ツシヨルド電圧比を増加することにより、その視
角を増加する方法を開示している。
更にまたヤング発明に係る米国特許第3966305
号公報はTN液晶表示装置のデイレクタ配向膜と
パターン状導電層間に誘電体層を被着して表示装
置の視角特性の改善を試みている。
また特許の別のクラスには、不必要な外光をフ
イルタするが背後に光源を設けて表示コントラス
トを増強する技術が開示されている。
特にキツチンズ発明の米国特許第3887791号は
ケース内に配置した表示セル上にプリズムを使用
して表示画像の光伝達角を変えて視角を改善する
ことを開示している。しかし、プリズムを使用し
ても表示装置の光伝達方向を変えて不必要な外光
をフイルタするのみであつて、プリズムは特定の
視角円錐の異なるアジマス角から表示を観る場合
のコントラスト不均一性を補正することはできな
い。
アルドリツチ等の発明による米国特許第
3869195号は液晶表示装置にセグメント化した背
面光を使用して、その視角特性を改善する技術を
開示している。このセグメント背面光源として
EL層を用い、このEL材料に被着した透明電極の
一方を液晶パネルのセグメントと一致させてい
る。その結果、能動表示セグメントと不動作エリ
ア間の強度コントラストを周囲の照明状態の広範
囲にわたり高くすることができる。
更に他の特許クラスには、補助光学コンポーネ
ントを使用してOSSの表示コントラストを増強す
る技術がある。
このクラスに属するものとして、アソーライン
等の発明に係る米国特許第4088400号公報があり、
これはその出口偏光子の近傍に散乱素子(デイフ
ユーザ)を他の偏光子と関連付けて配置した電気
光学表示デバイスを開示し、コントラストの低下
を生じることなく表示の視角を改善する。1対の
1/4波長プレートをこの散乱素子のいずれかの側
に配置して外光が後方散乱により観者の目に入る
のを軽減する。このアソーライン等の方法は反射
型液晶表示装置のコントラスト増加には適用でき
ない。
クマダ発明に係る米国特許第3838906号は電気
光学クリスタルと複屈折クリスタルとをカスケー
ド接続するOSSを開示し、前者の複屈折極性が後
者のそれと逆関係になるようにしている。この構
成の電気光学デバイスではその不透明出力状態で
は大きさ30°の入射角の光を効果的に阻止できる
としている。
〔発明の目的〕
本発明の1つの目的は、略一定量最大値の伝達
特性を有し且つ実質的に汚染光のない光学伝達状
態を視角に関係なく生じるOSS及びそれを得る方
法を提供することである。
本発明の他の目的は、円偏光を生じ、システム
内の1対の電気光学デバイス間を伝播する光線か
ら円偏光を除きシステムの伝達特性を変化するこ
となく、いずれか一方の電気光学デバイスに関連
する汚染光強度パターンの方向を変えて他方の電
気光学デバイスに関連する汚染光の伝達を阻止す
る方法を提供することである。
本発明の更に他の目的は、異なるタイプの電気
光学デバイスを使用するOSSの視角特性を改善す
る方法を提供することである。
本発明の別の目的はOSSにおいて視角の関係な
く実質的に汚染色光のない2つのシステム光学伝
達状態を有するOSS及びそれを得る方法を提供す
ることである。
本発明の更に別の目的は、その伝達特性を略一
定に維持し、実質的に汚染色のないシステム光伝
達状態が得られるOSSを提供することである。
〔発明の概要〕
本発明のOSS及び方法によると、その視角に関
係なく実質的に汚染色のない光学伝達状態とし、
伝達特性を略その最大値の一定値に維持できる。
本発明は通過する光の偏光状態の方向が変化でき
る第1電気光学デバイス手段を含む光ゲートを使
用する。この第1光ゲートは光源と光学的に結合
され、極大極小点を有する汚染光強度パターンを
有する光学伝達状態を生じる。
また通過する光の偏光方向が変化できる第2電
気光学デバイス手段を有する第2光ゲートを使用
する。この第2光ゲートは第1光ゲートからの出
射光が入射する光路に配され、夫々極大・極小点
のある汚染色強度パターンを有する光学伝達状態
を生じる。
本発明の好適実施例によると、第1及び第2電
気光学デバイスはリニア偏光光線の方向を回転す
る。この第1及び第2電気光学デバイス間を伝播
する光線に円偏光(波)を生じさせるか取り去る
かを行う。好適実施例では、円偏光の発生及び除
去は夫々第1電気光学デバイスの下流に第1の1/
4波長プレートを、また第2電気光学デバイスの
上流に第2の1/4波長プレートを配して実現して
いる。
第1及び第2光ゲートの汚染光強度パターンは
一方の光ゲートの汚染光強度パターンの極大・極
小点が夫々他方の光ゲートの汚染光強度パターン
の極小・極大点と略一致するように回転配置して
いる。両パターンの方向付けは、OSSを第1及び
第2セクシヨンに分け、光路を中心にして両セク
シヨンの相対角度を調整することにより実現でき
る。第1セクシヨンは第1電気光学デバイス及び
第1の1/4波長プレートより成り、第2セクシヨ
ンは第2電気光学デバイス及び第2の1/4波長プ
レートよる成る。
円偏光光は第1セクシヨンから出射して第2セ
クシヨンに入射する。円偏光光線の強度は光路を
中心とする総てのアジマスにつき同じであるの
で、このセクシヨンの角度方向を変化して汚染光
強度パターンに合わせてもOSSの伝達特性には影
響を与えない。
従つて、汚染光強度パターンを合わせる上述の
方法は、伝達特性がその最大値で略一定となるシ
ステムで実質的に汚染のない光の光学伝達状態が
視角に関係なく得られる。
本発明の好適実施例は第1及び第2光ゲートよ
り成り、各々直交偏光軸を有する少なくとも1個
のリニア偏光フイルタ手段と、通過光線の偏光方
向が変更できる1個の電気光学デバイス手段とを
有する。第2光ゲートは第1光ゲートと類似設計
であり、第1光ゲートの出射光が入射する光路中
に配置している。第1及び第2光ゲート間に対面
して1対の1/4波長プレートデバイス(リターダ)
を配して第1光ゲートより出射する光線に円偏光
を生じさせ、第2光ゲートへの入射光線から円偏
光を除去する。この切換え可能な伝達システムは
各々1個の光ゲートと1/4波長プレートとを有す
る2セクシヨンに区分けしている。両セクシヨン
の相対角位置は光軸のまわりに回転させて、光ゲ
ートの一方の汚染光強度の最大減衰点が他方の光
ゲートの汚染光強度の最低減衰点と略重なるよう
にし、両光ゲートからの汚染光が阻止(遮断)さ
れるようにする。両セクシヨン両者間で円偏光光
線が伝播するインターフエース部でアライメント
してOSSの総合伝達特性がその最大値に維持され
るようにする。
好適実施例では、電気光学デバイス手段は実質
的に等しい汚染光強度パターンを有する可変光学
リターダ(以下VORという)より成る。光ゲー
トが色選択性リニア偏光フイルタ手段より構成さ
れると、OSSは視角に関係なく異なる純粋カラー
の2つの光学伝達状態を生じる。また、光ゲート
がニユートラルのリニア偏光フイルタ手段のみか
ら成る場合には、このOSSは視角に関係なく実質
的にスプリアス光が伝達されない不透明のシステ
ム光学伝達状態と実質的に汚染光のないシステム
光学伝達状態とを生じる。
本発明装置の動作原理は、例えばTN液晶デバ
イスの如きVOR以外の電気光学デバイスを全体
又は一部として有するOSSにも適用できる。しか
し、同じタイプの電気光学デバイスより成るOSS
を用いるとき最適動作が得られる。
〔実施例〕
本発明の方法による動作原理は、第2A図を参
照して、異なる色の2つの光学伝達状態を生じる
OSS10一例に基づき説明する。OSS10は類似
設計の1対の光ゲート12−12′を含み、光路
(又は光軸)13に沿つて直列配置している。詳
細は後述するとおり、光ゲート12−12′は一
方の光学コンポーネントと他方のそれらが光学軸
13を中心に相対角度が回転している点で相違す
るのみである。従つて、光ゲート12の光学コン
ポーネント及び動作に関する次の説明はそのまま
光ゲート12′にも適用できるので、光ゲート1
2′の光ゲート12と対応する部分については同
じ参照番号を用い、後にプライムを附している。
光ゲート12は各々直交配置の偏光軸を有する
1対の偏光フイルタ又は手段16−18間に配置
したVOR14を含む。VOR14は通過する光線
の偏光状態の方向が変化できる電気光学デバイス
手段より成る。偏光フイルタ16は色選択水平偏
光軸20と垂直偏光軸22とを有し、夫々例えば
緑の第1色C1の光線と例えば赤の第2色C2の光
線を通過させる。偏光フイルタ18はニユートラ
ル偏光フイルタであつて、白色光線を通過させる
水平偏光軸24と光を通過させない光吸収垂直偏
光軸26とを有する。
VOR14はネマチツク液晶セルであつて、ゼ
ロ乃至略半波光学リターダを構成し、制御回路2
8からセルに印加したAC電圧の振幅の変化に応
じて選択的にあらゆる色の法線入射光を略ゼロリ
タデーシヨンするか、予め選択した色の法線入射
光を略半波リタデーシヨンする。視角により汚染
光が存在する為ではなく、単に後述する光ゲート
の動作により、VOR14は緑色光に略半波光学
リタデーシヨンを生じるよう設計され、光ゲート
12の出力に異なる純粋色の2つの光学伝達状態
を生じる。
VOR14の光学軸の両光結合面32−34へ
の投影30は偏光フイルタ16−18の各偏光軸
に対して略45°で配置している。
偏光フイルタ16−18及びVOR14で構成
される光ゲート12は緑及び赤を含む多くの波長
の光を発光する光源ないし光像源36の前に配置
する。光源36は例えば陰極線管又は投影装置
(プロジエクタ)であつて、その螢光スクリーン
38上に白黒画像を表示する。
VOR14は2つの光学リタデーシヨン状態間
で切換えられる。その1つは「ON」状態であつ
て法線入射光に略ゼロリタデーシヨンを生じ、他
の1つは「OFF」状態であつて特定予定波長の
法線入射光に略半波リタデーシヨンを生じる。こ
の両光学リタデーシヨン状態は光ゲート12に異
なる色の光を生じる2つの光学伝達状態を生じ
る。
VOR14が制御回路28の出力導体40に印
加した電圧信号により「ON」光学リタデーシヨ
ン状態にされると、通過する緑及び赤色光線の偏
光方向は不変のままである。偏光フイルタ16の
垂直偏光軸22を通過する法線入射赤色光線は偏
光フイルタ18の垂直偏光軸26により吸収され
る。偏光フイルタ16の水平偏光軸20を通過す
る緑色の法線入射光線は、偏光フイルタ18の水
平偏光軸24を通つて光ゲート12から出射す
る。緑色光は第1光学伝達状態の光ゲート12を
通過する。
VOR14が制御回路28の出力導体40に印
加された電圧信号により「OFF」光学状態にさ
れると、偏光フイルタ16の水平偏光軸20を通
過する緑色光線の偏光方向はVOR14により90°
回転される。緑色光線は偏光フイルタ18の垂直
偏光軸26により吸収される。
「OFF」光学リタデーシヨン状態のVOR14
は緑以外の光線に略半波リタデーシヨンは生じさ
せないので、偏光フイルタ16の垂直偏光軸22
を通過する赤色の偏光方向はVOR14によつて
90°とは僅かに異なる角度に回転される。従つて、
赤色光線は偏光フイルタ18の垂直及び水平偏光
軸にまたがる成分に分離される。この赤色光線は
偏光フイルタ18の水平偏光軸24に投影され伝
達される多数成分と、垂直偏光軸26に投影され
吸収される少数成分とに分離される。よつて、赤
色光線は光ゲート12の第2光学伝達状態でそれ
から出射される。偏光フイルタ18の垂直偏光軸
26で吸収された僅かの赤色光線は、第1光学伝
達状態の緑色光強度に対して、第2光学伝達状態
の赤色光強度に実質的に知覚し得る減少は生じな
い。
〔汚染及び公称光強度パターン〕
第1及び第2光学伝達状態のおける光ゲート1
2の偏光フイルタ18から出射する光線は、視線
又は視角が偏光フイルタ18の表面に法線方向で
ある観者には純粋の色品質に見える。しかし、偏
光フイルタ18の表面に法線方向以外の視角から
見ると、光ゲート12をその光伝達状態のいずれ
かで出射する光線は他の光学伝達状態における色
の汚染光線を含むこととなる。
第2B図は偏光フイルタ18を出射する光線の
観者用の40°の観視円錐44の極角度42を示す。
第3A図、第3B図は40°の極角度におけるアジ
マス角の関数で表わした汚染色と公称(ノミナ
ル)色光強度を重ね合わせた図である。第3A
図、第3B図のZ及びY軸は夫々VOR14の光
軸の投影30とそれに垂直な軸の投影45に対応
する。
第3A図は光ゲート12がその第1光学伝達状
態にあるとき偏光フイルタ18から出射する緑及
び赤色光の強度パターンを重畳したものである。
パターン46は緑色(ノミナル色)の光強度パタ
ーンであり、パターン48は汚染赤色の光強度パ
ターンを示す。パターン48は1対の直交配置の
8の字形50,52をZ及びY軸のまわりに略対
称に配列したものと似ている。8の字形50は極
大点54−56を有し、8の字形52は極大点5
8−60を有する。8の字形50,52の両方共
にZ及びY軸の交点62付近に極小点を有する。
交点62はパターン48の4つのロープ(葉状
部)の強度ゼロ点の収束点である。強度はアジマ
ス角の関数で変化するので、強度ゼロの点はZ及
びY軸に対して略45°で測定したアジマス角にお
いて生じる。8の字形50の極大点54,56の
汚染赤色光強度は目的とする(ノミナル)緑色光
出力強度と等しいことが容易に判る。パターン4
6と48の形状は各種タイプの液晶にみられる特
性である。
第3B図は光ゲートが第2光伝達状態にあると
きに、偏光フイルタ18を出射する緑及び赤色光
の強度パターンを重畳した図である。パターン6
4は意図する赤色光の強度を示し、パターン66
は汚染緑色光の強度パターンを示す。パターン6
6は略Y軸を中心に配した8の字形であり、極大
点68−70とZ及びY軸の略交点72付近の極
小点とを有する。交点22はパターン66の2つ
のロープの強度ゼロ点の収束点である。極大点か
ら汚染光強度が減少する割合は、第1光学伝達状
態に比して第2光学伝達状態では緩慢であること
が判る。パターン64−66の外周内に含まれる
ロープの数、方向及び形状はVORの好適実施例
に液晶セルに特有であつて、それらについては後
述する。
〔光強度パターンの整合」 第2A図を参照して、本発明の方法は光ゲート
12の出力であつてその光路13に沿つて光ゲー
ト12′を配置して、光ゲート12からの出射光
を光ゲート12′に入射させるステツプを含んで
いる。制御回路28の出力導体40′に印加した
電圧信号はVOR14′をVOR14と同期して
「ON」及び「OFF」光学リタデーシヨン状態に
する。光ゲート12−12′の対応する光学コン
ポーネントは同様設計であるので、色選択偏光フ
イルタ16′は偏光軸20′を介して緑色光を、ま
た偏光軸22′を介して赤色光を通過させ、ニユ
ートラルフイルタ18′は偏光軸24を介して総
ての波長の光を通過させ、偏光軸26′により総
ての波長の光を吸収する。また、VOR14′は緑
色光に対して実質的に半波光学リタデーシヨンを
与える。後述するとおり、光ゲート12′は第1
及び第2光学伝達状態で夫々緑及び赤色光出力を
生じる。
光ゲート12′と光ゲート12との相対関係は、
VOR14の光軸の投影30がVOR14′の光軸
の投影30′に対して45°の角度であり、偏光フイ
ルタ16−18の偏光軸が偏光軸に対して45°に
配置されるようにする。光ゲート12の光学コン
ポーネントの光軸の投影と偏光軸を、上述の関係
を図示する為に光ゲート12′の対応光学コンポ
ーネント中に破線で示している。
VOR14−14′が「ON」光学リタデーシヨ
ン状態にされると、緑色光線が偏光フイルタ18
の水平偏光軸24を介して光ゲート12から出射
して光ゲート12′の偏光フイルタ16′に入射す
る。緑色の法線入射光線は偏光フイルタ16′の
両偏光軸20′−22′に等量入射する。偏光軸2
2′に入射する緑色成分は吸収され、偏光軸2
0′に入射する緑色光成分は偏光フイルタ16を
通過する。「ON」光学リタデーシヨン状態の
VOR14′はそれを通過する光線の偏光方向を変
化させないので、緑色の光線はニユートラル偏光
フイルタ18′の透過軸24′を介して光ゲート1
2′、よつてOSS10を通過することとなる。
本発明によると光ゲート12−12′の45°の相
対回転関係により、緑色光線の50%は偏光フイル
タ18′の偏光軸22′で吸収され、第1光学伝達
状態にあるOSS10の出力には緑色光強度の50%
低減が生じることが明らかである。
VOR14−14′が「OFF」光学リタデーシヨ
ン状態にされると、赤色光線が偏光フイルタ18
の水平偏光軸24を介して光ゲート12から出射
し、光ゲート12′の偏光フイルタ16′に入射す
る。この赤色光のうち偏光軸20′に入射する成
分は吸収され、22′に入射する成分は偏光フイ
ルタ16′を通過する。「OFF」光学リタデーシ
ヨン状態のVOR14′は緑以外の光線に略半波リ
タデーシヨンを生じることはないので、偏光フイ
ルタ16′の偏光軸22′を通過する赤色光線の偏
光方向はVOR14′によつては90°より小さい角
に回転される。従つて、赤色光線は偏光フイルタ
18′の両偏光軸にまたがる成分に分離される。
赤色光線は偏光フイルタ18′の偏光軸24′に入
射し伝達される多数成分と、偏光軸26′で吸収
される少数成分とを含む。
本発明の光ゲート12−12′の相対方向によ
ると、赤色光の50%は偏光フイルタ18′の偏光
軸20′により吸収され、よつて第2光学伝達状
態のOSS10の出力には赤色光強度の50%低下が
生じることが明らかである。偏光フイルタ18′
の偏光軸26′で吸収された赤色光の僅かの量は
第2光学伝達状態の赤色光強度を大幅に減少する
ことはない。
第4A図、第4B図は夫々第2A図の構成の光
ゲート12−12′が第1及び第2光学伝達状態
のときの汚染色と公称色光強度パターンを重畳し
て示す。光ゲート12′の光強度パターンの特長
点で光ゲート12のそれらと対応するものには第
4A図、第4B図中同じ参照番号を用い、後のプ
ライムを附している。
第4A図において、光ゲート12−12′の第
1光学伝達状態に関する光強度パターンは、8の
字形50′の極大点54′−56′と8の字形5
2′の極大点58′−60′と極小点62と略アラ
イメントされるようにする。同様に、8の字形5
0の極大点54−56と8の字形52の極大点5
8−60とが極小点62′と略アライメントされ
る。光強度パターンの極小点は光強度が大幅に減
衰される点であり、両光ゲートの一方の高強度の
汚染光の点を他方の光ゲートの最大強度減衰点と
一致させることにより、OSS10の偏光フイルタ
18′から汚染赤色光が出射するのを効果的に阻
止できることとなる。
第4B図を参照する。光ゲート12−12′の
第2光学伝達状態に関連する光強度パターンを、
8の字形66′の極大点68′−70′が極小点7
2と略アライメントされるようにしている。同様
に、8の字形66の極大点68−70が極小点7
2′と略アライメントされるようになつている。
第1光学伝達状態で上述したと同様に、一方の光
ゲートの極小点を他方のそれの極大点と一致させ
ることにより、OSS10の偏光フイルタ18′か
ら汚染緑色光線が通過するのを阻止する。
両光強度パターンは第1光学伝達状態でOSS1
0を出る汚染光を最小にするようにアライメント
するのが好ましい。そうすると、第2光学伝達状
態では、光ゲート12−12′の各々から伝達さ
れる汚染光の量は少ないので、最終的な汚染光の
低減が可能である。
次に第5A図、第5B図を参照する。Z及びY
軸の交点に示す光強度パターン74−76は夫々
OSS10の第1及び第2光学伝達状態における最
終的な汚染光強度パターンである。従つて、OSS
10から出射する汚染光強度は第1及び第2光学
伝達状態において0°乃至40°の視角で目的とする
色の光強度に対して無視し得ることが明らかであ
る。55°という広い視角でも本発明によると良好
な特性が得られるということが実証できた。パタ
ーン78−80は夫々OSS10の第1光学伝達状
態の緑色光強度パターン及び第2光学伝達状態の
赤色光強度パターンを示す。
上述の説明は偏光フイルタ16−16′として
色選択性のものを使用して、異なる2色の表示を
得るシステムにつき説明したが、本発明は不透明
−透明伝達上述を得るOSS10にも適用し得るこ
と勿論である。その場合には、色選択性偏光フイ
ルタ16−16′をニユートラルのリニア偏光フ
イルタに置換すればよい。この置換変更OSS10
は単一の出力光学伝達状態と不透明状態が得られ
る。光ゲートの置換したニユートラル偏光フイル
タの吸収軸は同じ光ゲートの出力側のニユートラ
ル偏光フイルタのそれと直交配置される。両
VORは可視光スペクトラムの中間レンジの光波
長で略半波リタデーシヨンを生じるようにする。
VORが「ON」光学リタデーシヨン状態であれ
ば、この代替OSSはそのフイルタから何ら光の出
射を行わない(不透明)。VORが「OFF」光学状
態であれば、この代替OSSは白色光を出射する。
分離した各光ゲートは汚染光の存在を単一光学伝
達状態におけるコントラストの低下、また不透明
光学伝達状態におけるスプリアス光の存在として
扱う。本発明の光ゲートの構成によれば、両光伝
達状態における汚染光の存在を実質的に排除でき
る。
上述した汚染光強度の補償方法は伝達(透過)
型のみならず反射型OSSにも応用可能であること
当業者には容易に理解できよう。
〔最大伝達特性の維持〕
上述した光ゲート12−12′の相対方向性に
より、第1及び第2光学伝達状態におけるOSS1
0の出力側の光強度が半減する代償として視角特
性の改善が行われることが判る。この光強度の低
減は、光ゲート12の出力側と光ゲート12′の
入力側間に半波長プレート(リターダ)82を配
置することにより修正できる。半波プレート82
は好ましくは緑と赤の中間波長の光線を半波リタ
デーシヨンするよう同調させる。
第8図は半波プレート82の光学軸84の方向
と偏光フイルタ18−16′の偏光軸を半波プレ
ート82上に破線で示している。光学軸84を
夫々偏光板18−16′の偏光軸24−20′に対
して22.5°の角度とする。この特定角によりOSS
10の光伝達特性を最大値に維持することを第9
A図−第9D図と次式で示す。
第9A図−第9D図を参照するに、偏光フイル
タ18の水平偏光軸24を出射する光線強度
「」は電界ベクトル√を有し(第9A図)、こ
れが半波プレート82の表面に投影され、直交成
分に分離される(第9B図)。半波プレート82
の光軸84に入射する成分の振幅は√cos22.5°
となり、光軸84に垂直方向への入射光成分の振
幅は√sin22.5°である。半波プレート82を出
射した後、後者の成分はその方向を180°変化し
(第9C図)、両成分をベクトル合成すると偏光フ
イルタ16′の偏光軸20′に沿つた電界ベクトル
となる(第9D図)。最終合成電界ベクトルの振
幅は次式で与えられる。
√(cos22.5°・cos22.5°+sin22.5°・sin22.5°

=√ 従つて、偏光フイルタ16′で伝達される光の
強度はとなり、偏光フイルタ18を出射したも
のと同じである。VOR14′を通過する光線の偏
光方向は偏光フイルタ18′の偏光軸を光ゲート
12の偏光フイルタ18に入射するのと同様に入
射する。よつて、偏光フイルタ16′の偏光軸に
沿つて等しい成分に光線が分離されることはなく
なる。
〔OSSの好適実施例〕
第1図は第2A図に示した動作原理を用いる
OSSの好適実施例を示す。第2A図の場合に生じ
た光強度の低減を克服する為に、1対の光ゲート
間に円偏光板を用いてシステムの光伝達特性を最
大に維持すると共に両光ゲート間の相対角を調整
して汚染光の伝達を阻止するようにしている。
第1図を参照すると、OSS100は光路106
に沿つて直列配置した1対の光ゲート102−1
04を含んでいる。光ゲート102は第2A図の
光ゲート12と同様設計のものである。光ゲート
102は光源(図示せず)からの光が入射し、
各々直交配置の偏光軸を有するリニア偏光フイル
タ110− 112間に配したVOR108を含
んでいる。偏光フイルタ110−112は光ゲー
ト102の光偏光システムより成る。偏光フイル
タ110は例えば緑である第1色C1色選択性の
水平偏光軸114と、例えば赤である第2色C2
の色選択性の垂直偏光軸とを有する。偏光フイル
タ112はニユートラルの偏光フイルタであり、
白色光を通過させる光透過水平偏光軸118とを
通過させない光吸収垂直偏光軸120を有する。
VOR108は0乃至略半波光学リーダより成り、
制御回路122の出力信号に応じて法線緑入射光
を選択的に略半波のリタデーシヨンを生じる。
VOR108の光軸の光結合面126−128へ
の投影124は偏光フイルタ110−112へ偏
光軸に対して45°の角度である。
光ゲート104はVOR130と色選択リニア
偏光フイルタ132を含んでいる。偏光フイルタ
132は光ゲート104の光偏光システムをな
す。光ゲート104は第2A図の例のニユートラ
ル偏光フイルタ18′を含む光ゲート12′を偏光
したものである。光ゲート104の形状は1対の
偏光フイルタ間に配置した電気光学デバイスを有
する光ゲートの相互補償特性を積極的に活用して
いる。即ち、色選択偏光フイルタ132を光ゲー
ト104及びOSS100の出力側に配置してい
る。更に後述するとおり、光ゲート102と10
4の接合面に1対の1/4波プレートを配すること
により、光ゲート12′の偏光フイルタ18′に対
応するニユートラル偏光フイルタを光ゲート10
4では不要とする。
従つて、光ゲートは光学スイツチを構成し、光
ゲート102の如く入射光を偏光するか、光ゲー
ト104のように偏光された入射光を受ける。各
光ゲートは少なくとも1個の電気光学デバイス手
段を有し、それへの入射光の偏光方向を変更し、
またアナライザ(検光子)として作用する光偏光
手段を有する。
VOR130はVOR108と同期して緑色光に
対して選択的に半波リタデーシヨンを生じるゼロ
乃至略半波光学リターダを構成する。偏光フイル
タ132は直交配置の色選択偏光軸138−14
0を有し夫々緑及び赤色光線を伝達する。偏光軸
138−140はVOR130の光結合面144
−146への投影142に対して45°の角度であ
る。
VOR108と130とは夫々の光ゲート10
2及び104の為に第3A図、第3B図に示した
と同様の光強度パターンを生じる。上述した方法
によりOSS100で汚染光のない光学伝達状態を
得る為に、偏光フイルタ132の偏光軸は偏光フ
イルタ112−116の偏光軸に対して45°の角
度であり、VOR130の光軸の投影142は
VOR108の光軸の投影124に対して略45°で
ある。光ゲート102の光学コンポーネントの光
軸の投影と偏光軸とは光ゲート104の対応コン
ポーネントに破線で示して上述の相対関係を明ら
かにしている。
光変調手段である1/4波プレート134−13
6は光ゲート102−104間に向い合つて配置
してOSS100の伝達特性を最大値に維持するよ
うにする。1/4波プレート134−136は好ま
しくは緑と赤の中間色の光線で半波リタデーシヨ
ンを生じるように同調している。同調ミスにより
生じる光強度の無視し得る低減はOSS100の出
力に生じる赤及び緑光線に略等しく配分される。
1/4波プレート134の光軸148は偏光フイル
タ112の偏光軸118と120に対して45°に
配置され、1/4波プレート136の光軸150は
偏光フイルタ132の偏光軸138−140に対
して45°に配置されている。
光ゲート12′の動作と類似方法で、緑及び赤
色光線は光ゲート102で作られ夫々第1及び第
2光学伝達状態下で偏光フイルタ112の水平偏
光軸118を介して出力される。
VOR108と130が制御回路122の出力
導体152に印加した電圧信号で「ON」光学リ
タデーシヨン状態にされると、緑色のリニア偏光
光線は光ゲート102の水平偏光軸118を出射
して1/4波プレート134に光軸148に対して
45°の角度で入射する。緑色の左手円偏光光線は
1/4波プレート134を出射して1/4波プレート1
36に入射し、両光ゲート間を伝播する光から円
偏光を除く。1/4波プレート136から出射する
緑色のリニア偏光光線の方向は光軸150に対し
て反時計方向に測つて45°の角に配置される。
「ON」光学リタデーシヨン状態のVOR130
はそれを通過する光線に何ら偏光方向の変化を生
じない。従つて、緑色のリニア偏光光線は1/4波
プレート136から入射し、第1光学伝達状態の
偏光軸138を介して光ゲート104及びOSS1
00から出射する。VOR130を通過する光線
は偏光フイルタ132の偏光軸138のみに入射
するので、システムの伝達特性はその最大値のま
まである。
「OFF」光学リタデーシヨン状態のVOR13
0は緑色以外の光線に略反波リタデーシヨンを生
じないので、1/4波プレート136から赤色光線
の偏光方向はVOR130により90°とは僅かに異
なる角度に回転される。従つて、赤色光線は偏光
フイルタ132の両偏光軸にまたがる成分に分け
られる。赤色光線は偏光フイルタ132の偏光軸
140に入射し伝達される多数成分と偏光軸13
8で吸収される少数成分を含む。偏光フイルタ1
32の偏光軸138で吸収される赤色光の僅かの
量は偏光軸140で伝達される赤色光強度に比べ
実質的に無視し得る値である。
従つて、赤色のリニア偏光光線は1/4波プレー
ト136から入射して第2光学伝達状態の偏光軸
140を介して光ゲート104及びOSS100を
出力する。VOR130を通過する光線の殆んど
総てが偏光フイルタ132の偏光軸138のみに
入射するので、システムの伝達特性はその最大値
のままである。
光ゲート102の光学コンポーネントと1/4波
プレート134及び光ゲート104の光学コンポ
ーネントと1/4波プレート136とは夫々OSS1
00の第1及び第2セクシヨンを構成し、その間
を円偏光光線が伝播する。円偏光光の電界ベクト
ルは総てのアジマス角で同じ振幅を有するので、
第1及び第2セクシヨンは光軸106のまわりに
相対回転させてシステム伝達特性は最大値に維持
しつつ汚染光強度パターンを所望回転することが
できる。
本システムの動作は、1/4波プレート134を
VOR108の下流に配置することにより、それ
に悪影響を受けない。光ゲート104にニユート
ラル偏光フイルタを使用することは、1/4波プレ
ート136の存在により不要となし得る。1/4波
プレート136の光軸は、そこから現われる光線
の偏光方向が光ゲート104の偏光フイルタ13
2の偏光軸138−140に直接入射するように
なつている。光ゲート104内の1/4波プレート
136の位置の制約は、それがVOR130の上
流(光源側)にあることである。
〔液晶VOR〕
本発明の装置の好適実施例は0乃至略半波光学
リターダ108−130として動作する1対の液
晶セルを使用する。各液晶セルの各々はセルの電
極構体に印加する電圧の励起により生じる電界強
度に応じて通過する光のリタデーシヨンを制御す
る。ここに説明する液晶セルは第3A図、第3B
図に示した光強度パターンを生じる。
次に第6図を参照して、液晶セル200は1対
の略平行且つ離間した電極構体202,204と
その間に充填したネマチツク液晶体206とを含
む。電極構体202はガラス製誘電体基板208
より成り、その内面には透明導電性の例えば酸化
インジウム錫層210を有する。この導電体層2
10上にデイレクタ配向膜212を設けて電極構
体202と液晶体206との境界をなす。液晶体
と接する膜212の表面は以下に説明する2つの
方法のうちのいずれかで処理を行い、それに接す
る液晶体のデイレクタの好適配向をするのが好ま
しい。デイレクタ配向膜212の材料と処理方法
の詳細は後述する。電極構体204は電極構体2
02のそれと同様であつて対応する素子には同じ
参照番号を用い後にプライムを附している。
電極構体202−204の短脚端は相互にオフ
セツトさせて、導電層210,210′に制御回
路122からの出力導体を接続する為アクセスで
きるようにする。スペーサ214はガラスフアイ
バ等の好適材料を用いて両電極構体202−20
4が略平行関係になるようにする。
第7A図、第7B図を参照すると、液晶セル2
00内の配向膜212,212′のネマチツクデ
イレクタ配向形状はボイド等の発明に係る米国特
許第4333708号公報の第7欄第48〜55行に解説し
ている。しかし、この特許の液晶セルは、交互傾
斜ジエオメトリであつて、セル200のデイレク
タのアライメントがただ一部に形成されるのみで
あるという点で本発明に使用する液晶セルと相違
する。ボイド等の特許発明のセルはセル内でデイ
スクリネーシヨン運動を促進して二安定スイツチ
ングデバイスを提供しようとしている。
電極構体202の配向膜212は電極構体面接
触デイレクタ216が配向膜212の表面を基準
にして反時計方向に測るとき相互に傾斜バイアス
角+θで平行となるように配向処理さされてい
る。電極構体204の配向膜212′は電極構体
面接触デイレクタ218が配向膜212′の表面
を基準にして時計方向に測るとき傾斜バイアス角
−θで相互に平行整列するように配向処理してい
る。よつて、液晶セル200は電極構体202,
204の対向面にデイレクタ配向膜212,21
2′が夫々逆方向に傾斜バイアスされている。
面接触デイレクタを配向する好適方法の第1
は、材料としてポリイミドを用いて電極構体20
2と204の内面に配向膜212と212′とを
夫々形成する。各配向膜を摩擦して傾斜バイアス
角|θ|を得る。この|θ|の好適レンジは2°〜
5°である。第2の方法は電極構体202と204
内面の配向膜212,212′として夫々一酸化
珪素(SiO)を用いる。このSiO層は蒸発して電
極面から測つて5°の角度で蒸着させて、その量を
加減して10°〜30°、好ましくは15°〜25°のレンジ
の傾斜バイアス角|θ|を得る。
SiOや他の配向材を被着して液晶セルの分子を
所定方向に配向ないし整列することは既に公知で
あつて、当業者は容易になし得るものと考える。
1例を挙げればジヤニング発明に係る米国特許第
4165923号公報がある。
第7A図は約2KHzで20VrmsのAC信号V1
夫々電極構体202−204′の導電層210−
210′に印加した場合の面非接触デイレクタ2
20の方向を模型的に示す。電極210′上の信
号V1は第1スイツチング状態をなすべく制御回
路122の出力から供給され、電極構体202及
び204間の液晶セル200内に交番電界Eを生
じ、セルを「ON」光学リタデーシヨン状態にす
る。正の誘電異方性を有する液晶体206の面非
接触デイレクタ220の多くはセル内で電気力線
の方向である矢印方向221に沿つて略一列縦隊
に整列する。この方向は電極構体の処理面に対し
て略法線方向である。よつて、セル200が
「ON」光学リタデーシヨン状態に刺激されると、
面非接触デイレクタ200はセル表面に垂直に整
列する。
第7B図は信号V1を取り去つた後の面非接触
デイレクタ200の方向を図示する。これにより
面非接触デイレクタの配向が電極構体202−2
04間のセル内に生じた電界に影響されず、
「ON」光学リタデーシヨン状態の縦隊構造から
面非接触デイレクタがリラツクスさせる分子間の
弾性力により影響を受けるようにする。信号V1
を取り去るのは制御回路122の出力に生じた第
2スイツチング状態である。第7B図に示すデイ
レクタ方向はセルの「OFF」光学リタデーシヨ
ン状態に対応する。
セル200を「OFF」光学状態にスイツチン
グするには、セルに制御回路122から信号V1
の電圧レベルより低い約0.1VのAC信号V2を印加
しても実現できる。この信号V2の周波数は一般
に信号V1と同じである。
液晶セルの光学リタデーシヨン状態が「ON」
から「OFF」へ移行する際に、面非接触デイレ
クタは電極構体表面に法線方向の縦隊整列から順
次隣接デイレクタと略平行状態に退却する。よつ
て、面非接触デイレクタ200aと220bとは
図中矢印222aで示す時計方向に回転してデイ
レクタ216と220aが夫々近平行状態にな
り、一方面非接触デイレクタ200c、200d
は矢印222bに示す反時計方向に回転してデイ
レクタ218と220cとが近平行関係になるよ
うにする。よつて、セル200が「OFF」光学
リタデーシヨンー状態にリラツクスすると、多く
の面非接触デイレクタの各々が、セルの表面に大
きなデイレクタ成分を投影するよう整列する。し
かし、面非接触デイレクタ200eはセルの面に
垂直な状態のままである。
液晶セル200を0乃至略半波光学リターダと
して動作する方法は第7A図に示した電界整列状
態、即ち「ON」光学リタデーシヨン状態から第
7B図に示した面ないし層状態、即ち「OFF」
光学リタデーシヨン状態になるデイスクリネーシ
ヨンのない面非接触デイレクタのレラクセーシヨ
ンに関係する。
本発明にあつては、液晶セル200は0乃至略
半波光学リターダとして動作し、その光軸は面非
接触デイレクタ220の整列方向に対応する。
電極構体202−204の面に法線方向226
に伝播するリニア偏光光線はその液晶セルが
「ON」光学リタデーシヨン状態にある面非接触
デイレクタ220の方向と一致する。デイレクタ
220は「ON」光学リタデーシヨン状態ではセ
ルの電極構体面への光軸の投影が無視し得るよう
な方向にある。この条件下では、液晶セル200
は方向226へ伝播する入射光に対して大幅に減
少した光学リタデーシヨンを生じる。
電極構体202−204に法線方向226に伝
播するリニア偏光光線は、液晶セルが「OFF」
光学リタデーシヨン状態であるときの面非接触デ
イレクタの配向方向と不一致である。デイレクタ
220は、「OFF」光学リタデーシヨン状態で
は、セルの電極構体面に多くの投影を生じる方向
である。これらの条件下では、液晶セル200は
略法線入射光に対して実効複屈折を生じる。面非
接触デイレクタ220のこの方向は次の数式を満
足するとき実質的に半波光学リタデーシヨンを生
じる。
Δnd/λ=1/2 こでdはセルの厚さであり、Δnはセルの実効
複屈折率、λは光の波長である。
以上、本発明の電気光学スイツチング装置及び
方法につき説明したが、上述の例は単に本発明を
説明する為の好適実施例にすぎず、何ら本発明を
限定するものではない。本発明の要旨を逸脱する
ことなく種々の変形変更は可能であること当業者
には容易に理解できよう。
〔発明の効果〕
本発明によると、比較的簡単な構成により意図
する色の光出力を最大にしたままで、広い視角に
わたり最小汚染光の異なる2色出力を得るか、高
いコントラストを維持し且つスプリアス出力のな
い出力が得られる。よつて、広い視角が要求され
る液晶グラフイツクデイスプレイ等の液晶表示装
置に好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電気光学スイツチング装置の
好適一実施例を示す構成図、第2図は本発明の動
作説明図、第3図〜第5図は本発明に使用する光
ゲートの光強度パターンを示す線図、第6図及び
第7図は本発明に使用する可変光学リターダの説
明図、第8及び第9図は本発明の電気光学スイツ
チング装置の特性補償説明図を示す。 図中、100は光変調手段、102,104は
夫々第1及び第2光ゲート、108,130は
夫々第1及び第2電気光学デバイス手段、11
0,112は第1偏光フイルタ手段、116は第
2偏光フイルタ手段を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 1対の、互いに直交する偏光軸を有する偏光
    板から成る第1偏光フイルタ手段及び該第1偏光
    フイルタ手段間に挟持して配置され、通過光線の
    偏光方向を変更できる第1電気光学デバイス手段
    とを含み、光伝達状態で極大点及び極小点を有す
    る第1汚染光強度パターン(所定の傾斜角度から
    観察する際にもれる光の強度パターン)を形成す
    る第1光ゲートと、 上記第1光ゲートの通過光線を受けるように配
    置され、通過光線の偏光方向を変更できる第2電
    気光学デバイス手段及び該第2電気光学デバイス
    手段に対し、光の出射側に対向して配置され、直
    交する偏光軸を有する第2偏光フイルタ手段を含
    み、光伝達状態で極大点及び極小点を有する第2
    汚染光強度パターンを形成し、該第2汚染光強度
    パターンの極大点及び極小点が上記第1汚染光強
    度パターンの極小点及び極大点に一致するよう
    に、上記第2偏光フイルタ手段の偏光軸の上記第
    1の偏光フイルタ手段の偏光軸に対する相対角度
    を定めた第2光ゲートと、 上記第1及び第2光ゲート間に配置され上記第
    1光ゲートの通過光線を円偏光にした後、直線偏
    光に戻し、上記第1光ゲートの通過光線を上記相
    対角度だけ回転させて、上記通過光線の略全成分
    が上記第2光ゲートを通過するようにする光変調
    手段と を具えることを特徴とする電気光学スイツチング
    装置。
JP59281857A 1983-12-27 1984-12-27 電気光学スイツチング装置 Granted JPS60175027A (ja)

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