JPH0449535A - 光学式読取り装置 - Google Patents
光学式読取り装置Info
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- JPH0449535A JPH0449535A JP2160383A JP16038390A JPH0449535A JP H0449535 A JPH0449535 A JP H0449535A JP 2160383 A JP2160383 A JP 2160383A JP 16038390 A JP16038390 A JP 16038390A JP H0449535 A JPH0449535 A JP H0449535A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパクトディスク、光磁気ディスク、相変
化型ディスク、バーコードなどの情報媒体からの情報を
読取るための装置に係り、特に高密度情報の読取りを可
能にし、また対物レンズの開口数を小さくできる光学式
読取り装置に関する。
化型ディスク、バーコードなどの情報媒体からの情報を
読取るための装置に係り、特に高密度情報の読取りを可
能にし、また対物レンズの開口数を小さくできる光学式
読取り装置に関する。
〔従来の技術1
第8図は従来の光デイスク用の光学式読取り装置の構成
を示している。
を示している。
半導体レーザ1から発せられた検知光であるレーザ光は
、コリメートレンズ2により平行光束となる。この平行
光束はビームスプリッタ4により対物レンズ6に送られ
、この対物レンズ6によりディスク7の記録面に集光さ
れる。ディスク7の記録面から反射された戻り光は、ビ
ームスプリッタ4により直角方向に分岐され、受光レン
ズ8により集光されてビンホトダイオード10により検
知される。ディスク7の記録面に形成されている情報ビ
ットPによる光の変調がビンホトダイオード10により
検知され、これにより信号が再生される。
、コリメートレンズ2により平行光束となる。この平行
光束はビームスプリッタ4により対物レンズ6に送られ
、この対物レンズ6によりディスク7の記録面に集光さ
れる。ディスク7の記録面から反射された戻り光は、ビ
ームスプリッタ4により直角方向に分岐され、受光レン
ズ8により集光されてビンホトダイオード10により検
知される。ディスク7の記録面に形成されている情報ビ
ットPによる光の変調がビンホトダイオード10により
検知され、これにより信号が再生される。
〔発明が解決しようとする課題]
この種の読取り装置では、光学系のカットオフ周波数f
c (光学系で読取ることができる最大の空間周波数)
は、 fe=2xNA/λ −111 で決まる。 NAは対物レンズ6の開口数、λは検知光
の波長である。現状の半導体レーザの出力波長んは0.
67〜0.83μmであるため、1μm程度の長さのデ
ータを読取るためには、開口数NAが0.4〜0.6程
度の大きな対物レンズ6を使用することが必要である。
c (光学系で読取ることができる最大の空間周波数)
は、 fe=2xNA/λ −111 で決まる。 NAは対物レンズ6の開口数、λは検知光
の波長である。現状の半導体レーザの出力波長んは0.
67〜0.83μmであるため、1μm程度の長さのデ
ータを読取るためには、開口数NAが0.4〜0.6程
度の大きな対物レンズ6を使用することが必要である。
光学式読取り装置において、さらに高密度なデータを読
取る方法としては、前記式から、検知光として波長λの
短いものを使用するか、あるいは開口数NAの大きな対
物レンズを使用することが必要である。しかしながら、
まず現状の半導体レーザの出力波長λよりもさらに短波
長の光を効率よく使用することは困難である。また対物
レンズの開口数NAであるが、現状の光ピツクアップよ
りもさらに開口数NAの大きな対物レンズを使用すると
、ディスク7の面振れなどの外乱による性能劣化が著し
くなる。また対物レンズ6の開口数NAは、焦点距離を
Fとし、光束半径をaとした場合に、 NA=a/F ・・・(2) で決められる。またフォーカス補正動作により対物レン
ズ6は例えば±0.5mm程度光軸方向へ動作するので
、この対物レンズ6が補正動作によりディスク7に当た
らないようにするためには、焦点距離Fが3mm程度必
要である。よって大きな開口数NAを得るためには3大
径の光束を使用することが必要になる。大径の光束を使
用すると、読取り装置内の光学装置の寸法が大きくなり
、読取り装置が大型なものになる。
取る方法としては、前記式から、検知光として波長λの
短いものを使用するか、あるいは開口数NAの大きな対
物レンズを使用することが必要である。しかしながら、
まず現状の半導体レーザの出力波長λよりもさらに短波
長の光を効率よく使用することは困難である。また対物
レンズの開口数NAであるが、現状の光ピツクアップよ
りもさらに開口数NAの大きな対物レンズを使用すると
、ディスク7の面振れなどの外乱による性能劣化が著し
くなる。また対物レンズ6の開口数NAは、焦点距離を
Fとし、光束半径をaとした場合に、 NA=a/F ・・・(2) で決められる。またフォーカス補正動作により対物レン
ズ6は例えば±0.5mm程度光軸方向へ動作するので
、この対物レンズ6が補正動作によりディスク7に当た
らないようにするためには、焦点距離Fが3mm程度必
要である。よって大きな開口数NAを得るためには3大
径の光束を使用することが必要になる。大径の光束を使
用すると、読取り装置内の光学装置の寸法が大きくなり
、読取り装置が大型なものになる。
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、使用す
る検知光の波長を短くすることなく、また対物レンズの
開口数を大きくすることなく、現状の装置よりもさらに
高密度のデータの読取りを可能にした光学式読取り装置
を提供することを目的としている。
る検知光の波長を短くすることなく、また対物レンズの
開口数を大きくすることなく、現状の装置よりもさらに
高密度のデータの読取りを可能にした光学式読取り装置
を提供することを目的としている。
本発明による光学式読取り装置は、発光素子と、この発
光素子から発せられる検知光を互いに干渉する二光束に
分けてこの干渉により生じる2つの微小スポットを記録
媒体に形成する光学系と、記録媒体からの前記2つの微
小スポットの戻り光のうちの少なくとも一方を検知する
受光素子と、が設けられていることを特徴とするもので
ある。
光素子から発せられる検知光を互いに干渉する二光束に
分けてこの干渉により生じる2つの微小スポットを記録
媒体に形成する光学系と、記録媒体からの前記2つの微
小スポットの戻り光のうちの少なくとも一方を検知する
受光素子と、が設けられていることを特徴とするもので
ある。
さらに、上記手段において、発光素子から発せられる検
知光を互いに干渉する二光束に分ける光学素子として回
折格子が使用されているものである。
知光を互いに干渉する二光束に分ける光学素子として回
折格子が使用されているものである。
さらに、上記手段において、回折格子には、検知光を互
いに干渉する二光束に分けるピッチならびに深さを有す
る格子溝と、発光素子から発せられる検知光を3ビーム
に分ける格子とが共に形成されているものである。
いに干渉する二光束に分けるピッチならびに深さを有す
る格子溝と、発光素子から発せられる検知光を3ビーム
に分ける格子とが共に形成されているものである。
[作用]
上記第1の手段では、検知光を互いに干渉する二光束に
している。この二光束の干渉により記録媒体には2つの
非常に微小なスポットを形成することが可能になる。こ
の微小スポットの記録媒体からの戻り光の一方を検知す
ることにより、高密度なデータの読取りが可能になる。
している。この二光束の干渉により記録媒体には2つの
非常に微小なスポットを形成することが可能になる。こ
の微小スポットの記録媒体からの戻り光の一方を検知す
ることにより、高密度なデータの読取りが可能になる。
また2つの微小スポットからの戻り光を共に読み、その
読取り位相差の補正を行なうなどの処理によっても高密
度データの読取りが可能になる。
読取り位相差の補正を行なうなどの処理によっても高密
度データの読取りが可能になる。
また上記第2の手段では、検知光を二光束に分ける素子
として回折格子を使用しているため、光学系を低コスト
にて製作できる。
として回折格子を使用しているため、光学系を低コスト
にて製作できる。
さらに上記第3の手段では、回折格子により検知光の二
光束への分離と共に3ビームスポツトの形成も可能にな
り、よって、従来のコンパクトディスクプレーヤなどの
光学装置の部品を増加することなく、高密度の読取り装
置を構成できるようになる。
光束への分離と共に3ビームスポツトの形成も可能にな
り、よって、従来のコンパクトディスクプレーヤなどの
光学装置の部品を増加することなく、高密度の読取り装
置を構成できるようになる。
以下本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図は本発明の第1実施例による光学式読取り装置の
光学素子構成を示す側面図である。
光学素子構成を示す側面図である。
符号lは半導体レーザ、2はコリメートレンズ、4はビ
ームスプリッタ、6は対物レンズ、7は記録媒体として
のディスクである0本実施例では、半導体レーザ1から
出力されるレーザ光を二光束に分離するための素子とし
てつオラストンプリズム3が使用されている。さらにビ
ームスプリッタ4の前方には、二光束の干渉成分を得る
ための偏光子5が設けられている。ビームスプリッタ4
による反射方向には受光レンズ8が設けられている。こ
の受光レンズ8によりディスク7からの戻り光が集束光
となる。この集束光はスリット板9に形成されたスリッ
ト9aにより一方の光束に絞られ、ビンホトダイオード
10により受光される。
ームスプリッタ、6は対物レンズ、7は記録媒体として
のディスクである0本実施例では、半導体レーザ1から
出力されるレーザ光を二光束に分離するための素子とし
てつオラストンプリズム3が使用されている。さらにビ
ームスプリッタ4の前方には、二光束の干渉成分を得る
ための偏光子5が設けられている。ビームスプリッタ4
による反射方向には受光レンズ8が設けられている。こ
の受光レンズ8によりディスク7からの戻り光が集束光
となる。この集束光はスリット板9に形成されたスリッ
ト9aにより一方の光束に絞られ、ビンホトダイオード
10により受光される。
次に上記実施例による読取り動作を説明する。
半導体レーザ1から発せられたレーザ光は、コリメート
レンズ2により平行光束となる。さらにつオラストンプ
リズム3により常光と異常光とに分けられる。この常光
と異常光は、つオラストンプリズム3から若干の角度を
もって二光束として出力される。この二光束は対物レン
ズ6により集束されて、ディスク7の記録面に2つのス
ポットが互いに重なり合うようにして形成される。ただ
し常光と異常光は、互いに直交する偏光面を有している
ものであるため、そのままでは干渉しない。前記偏光子
5は、二光束のそれぞれの偏光面に対して45degの
光成分だけを透過させるように構成されている。前記二
光束がこの偏光子5を透過することにより、互いに18
0degの位相差を持った光となる。第7図はスポット
の光強度を示すものであり、横軸に距離を縦軸に光強度
を示している。この図において、S、とS、は二光束の
干渉による微小スポットを示している。 180deg
の位相差を持つ2つの光束によるスポットが重なると、
互いの干渉により中央部に光強度が0となる暗部Aが生
じ、よってその両側に前記S、と82とで示す非常に微
小な径のスポットが近接して形成される。
レンズ2により平行光束となる。さらにつオラストンプ
リズム3により常光と異常光とに分けられる。この常光
と異常光は、つオラストンプリズム3から若干の角度を
もって二光束として出力される。この二光束は対物レン
ズ6により集束されて、ディスク7の記録面に2つのス
ポットが互いに重なり合うようにして形成される。ただ
し常光と異常光は、互いに直交する偏光面を有している
ものであるため、そのままでは干渉しない。前記偏光子
5は、二光束のそれぞれの偏光面に対して45degの
光成分だけを透過させるように構成されている。前記二
光束がこの偏光子5を透過することにより、互いに18
0degの位相差を持った光となる。第7図はスポット
の光強度を示すものであり、横軸に距離を縦軸に光強度
を示している。この図において、S、とS、は二光束の
干渉による微小スポットを示している。 180deg
の位相差を持つ2つの光束によるスポットが重なると、
互いの干渉により中央部に光強度が0となる暗部Aが生
じ、よってその両側に前記S、と82とで示す非常に微
小な径のスポットが近接して形成される。
ディスク7に形成される2つの光束からの戻り光はビー
ムスプリッタ4により反射され、受光レンズ8により集
束されるが、この集光された戻り光はディスクに形成さ
れた2つの微小スポットS1と32と同様にスポット径
が干渉により抑制されたものとなる。よって前記微小径
のスポットS1と82のそれぞれがディスク7のビット
Pにより回折されたものと同じ光変調成分を取り出すこ
とができる。第1図の実施例では、スリット9aを使用
することにより、一方の微小スポットに相当する集束光
だけがビンホトダイオードlOにより受光され、他の微
小スポットに相当する集束光はスリット板9により遮断
される。
ムスプリッタ4により反射され、受光レンズ8により集
束されるが、この集光された戻り光はディスクに形成さ
れた2つの微小スポットS1と32と同様にスポット径
が干渉により抑制されたものとなる。よって前記微小径
のスポットS1と82のそれぞれがディスク7のビット
Pにより回折されたものと同じ光変調成分を取り出すこ
とができる。第1図の実施例では、スリット9aを使用
することにより、一方の微小スポットに相当する集束光
だけがビンホトダイオードlOにより受光され、他の微
小スポットに相当する集束光はスリット板9により遮断
される。
ここで、同じ波長の検知光と同じ開口数の対物レンズを
使用し、単独光束により形成されたスポットS0の径と
、二光束の干渉により形成される微小スポットS1また
はS2のスポット径とを比較すると、後者のスポット径
を前者のスポット径よりも75%程度にすることが十分
に可能である。この場合最大読取り周波数を1.3倍に
上げることができる。よって、従来と同じ波長の検知光
と同じ開口数の対物レンズを使用した場合、二光束干渉
を使用することにより従来よりも高密度のデータの読取
りが可能になる。
使用し、単独光束により形成されたスポットS0の径と
、二光束の干渉により形成される微小スポットS1また
はS2のスポット径とを比較すると、後者のスポット径
を前者のスポット径よりも75%程度にすることが十分
に可能である。この場合最大読取り周波数を1.3倍に
上げることができる。よって、従来と同じ波長の検知光
と同じ開口数の対物レンズを使用した場合、二光束干渉
を使用することにより従来よりも高密度のデータの読取
りが可能になる。
第2図は本発明の第2実施例を示している。
この実施例では、基本的な光学系の構造は第1図の実施
例と同様であるが、第1図に示すスリットFR9が設け
られておらず、二光束の戻り光が、二分割ビンホトダイ
オード11の2つの受光部11aとllbのそれぞれに
て受光される。前記2つの微小スポットS1と82とで
同じビットPによる信号を読む場合、スポットピッチ分
に相当する信号の位相差が生じるが、それぞれの受光部
11aとllbにて電気信号に変換された信号の位相差
を回路上で補償することにより、信号波形の乱れを補う
ことができ、高精度な検知が可能になる。
例と同様であるが、第1図に示すスリットFR9が設け
られておらず、二光束の戻り光が、二分割ビンホトダイ
オード11の2つの受光部11aとllbのそれぞれに
て受光される。前記2つの微小スポットS1と82とで
同じビットPによる信号を読む場合、スポットピッチ分
に相当する信号の位相差が生じるが、それぞれの受光部
11aとllbにて電気信号に変換された信号の位相差
を回路上で補償することにより、信号波形の乱れを補う
ことができ、高精度な検知が可能になる。
さらに発展的には、2つの微小スポットS1と82が同
じ記録部を走査するので、光メモリ装置において一方の
スポットにより情報を書き込み、他方のスポットでリー
ドアフタライトを行なうことも可能である。
じ記録部を走査するので、光メモリ装置において一方の
スポットにより情報を書き込み、他方のスポットでリー
ドアフタライトを行なうことも可能である。
第3図は本発明の第3実施例を示している。
この実施例では、180degの位相差をもった二光束
を形成する手段として、回折格子12を使用している。
を形成する手段として、回折格子12を使用している。
この場合、二光束のそれぞれがディスクに集光される際
に形成される前記スポットのピッチδは、回折格子12
の格子間ピッチδ、により決まる。この格子間ピッチδ
1は600〜700μm程度が適当である。また2つの
光束の位相を互いに180degにして干渉による微小
スポットSIと88を形成することが必要であるが、二
光束の位相差は格子深さdにより決定されるため、この
格子深さdを設定することにより180degの位相差
を持つ二光束を形成できる。
に形成される前記スポットのピッチδは、回折格子12
の格子間ピッチδ、により決まる。この格子間ピッチδ
1は600〜700μm程度が適当である。また2つの
光束の位相を互いに180degにして干渉による微小
スポットSIと88を形成することが必要であるが、二
光束の位相差は格子深さdにより決定されるため、この
格子深さdを設定することにより180degの位相差
を持つ二光束を形成できる。
この実施例においても、180degの位相差を持っ二
光束がディスク7の記録面に重ねられるため、第7図に
示すように近接する微小径のスポットS1と52が形成
されることになる。この実施例では、前記2つの実施例
に示すような高価なつオラストンプリズム3を使用する
必要がないため、低コストの光学装置となる。
光束がディスク7の記録面に重ねられるため、第7図に
示すように近接する微小径のスポットS1と52が形成
されることになる。この実施例では、前記2つの実施例
に示すような高価なつオラストンプリズム3を使用する
必要がないため、低コストの光学装置となる。
第4図は本発明の第4実施例を示している。
この実施例は、第3図に示した第3実施例を応用して、
コンパクトディスクまたはレーザディスクなどの読取り
装置を構成したものである。
コンパクトディスクまたはレーザディスクなどの読取り
装置を構成したものである。
第4図に示す符号15は回折格子である。この回折格子
15は、半導体レーザ1から発せられるレーザ光を位相
差が180degの二光束に分け、しかも3ビームを形
成できるようにしたものである。
15は、半導体レーザ1から発せられるレーザ光を位相
差が180degの二光束に分け、しかも3ビームを形
成できるようにしたものである。
第5図と第6図は上記回折格子15の構造を実施個別に
示している。第5図に示す回折格子15において、図の
左側の面には、二光束分割用の格子溝15aが形成され
ている。第3図に示した回折格子12と同様に、格子溝
15aのピッチδ1は600〜700μm程度であり、
また格子深さdによって180degの位相差が設定さ
れる。また回折格子15の右側の面には3ビームを形成
するための格子溝15bが形成されている。この格子溝
15bのピッチδ1は30〜40μm程度である。また
第6図に示す回折格子15では、右面に二光束分離用の
格子溝15aと3ビーム用格子溝15bとが重ね合わさ
れた構造となっている。
示している。第5図に示す回折格子15において、図の
左側の面には、二光束分割用の格子溝15aが形成され
ている。第3図に示した回折格子12と同様に、格子溝
15aのピッチδ1は600〜700μm程度であり、
また格子深さdによって180degの位相差が設定さ
れる。また回折格子15の右側の面には3ビームを形成
するための格子溝15bが形成されている。この格子溝
15bのピッチδ1は30〜40μm程度である。また
第6図に示す回折格子15では、右面に二光束分離用の
格子溝15aと3ビーム用格子溝15bとが重ね合わさ
れた構造となっている。
半導体レーザ1からのレーザ光は、回折格子15の格子
溝15aを透過することにより位相差が180degの
二光束に分離されたメインビームが形成され、このメイ
ンビームによりディスク7に第7図に示した微小スポッ
トS1と82が形成される。さらに格子溝15bを透過
することによりメインビームな挟む2つのサブビームが
形成され、これによりディスク7に2つのサブスポット
が形成される。前記メインビームにより形成される微小
スポットS1と82がビットにより回折された戻り光が
ビームスプリッタ16を透過し、凹レンズ17を経てビ
ンホトダイオード18に受光される。このビンホトダイ
オード18では、2つの微小スポットSlと82に基づ
く戻り光が共に受光される、そしてこの受光による信号
の位相差が補正され、ディスクの記録信号が読取られる
。また前記2つのサブスポットからの戻り光もビンホト
ダイオード18により受光され、そのE−F出力の位相
差によりトラッキングエラー信号が得られる。
溝15aを透過することにより位相差が180degの
二光束に分離されたメインビームが形成され、このメイ
ンビームによりディスク7に第7図に示した微小スポッ
トS1と82が形成される。さらに格子溝15bを透過
することによりメインビームな挟む2つのサブビームが
形成され、これによりディスク7に2つのサブスポット
が形成される。前記メインビームにより形成される微小
スポットS1と82がビットにより回折された戻り光が
ビームスプリッタ16を透過し、凹レンズ17を経てビ
ンホトダイオード18に受光される。このビンホトダイ
オード18では、2つの微小スポットSlと82に基づ
く戻り光が共に受光される、そしてこの受光による信号
の位相差が補正され、ディスクの記録信号が読取られる
。また前記2つのサブスポットからの戻り光もビンホト
ダイオード18により受光され、そのE−F出力の位相
差によりトラッキングエラー信号が得られる。
上記読取り装置において、二光束の干渉を使用すると、
従来と同じ対物レンズ6を使用した場合に、従来の装置
よりも微小なスポットをディスクに形成することが可能
になる。逆に、二光束干渉を使用して従来の装置と同じ
径のスポットをディスクに形成しようとすれば、対物レ
ンズ6の開口数NAは従来よりも小さくて済む。従来の
読取り装置に使用されていた対物レンズのNAは、コン
パクトディスクでは、0.45程度、レーザディスクで
は0.5〜0.53程度であった。一方、二光束干渉を
用いて同じスポット径を形成することになると、対物レ
ンズ6のNAをコンパクトディスクでは0.34程度、
レーザディスクでは0.38〜0.40程度に小さくで
きる。
従来と同じ対物レンズ6を使用した場合に、従来の装置
よりも微小なスポットをディスクに形成することが可能
になる。逆に、二光束干渉を使用して従来の装置と同じ
径のスポットをディスクに形成しようとすれば、対物レ
ンズ6の開口数NAは従来よりも小さくて済む。従来の
読取り装置に使用されていた対物レンズのNAは、コン
パクトディスクでは、0.45程度、レーザディスクで
は0.5〜0.53程度であった。一方、二光束干渉を
用いて同じスポット径を形成することになると、対物レ
ンズ6のNAをコンパクトディスクでは0.34程度、
レーザディスクでは0.38〜0.40程度に小さくで
きる。
ここで光デイスク用の光学式読取り装置における焦点深
度は、λ/ fNAl ”で求められ、ディスクのスキ
ューに対する許容度はえ/ (NAI ”に比例し、デ
ィスクの厚みむらに対する許容度はλ/ fNA) ’
に比例する6前述のように二光束干渉を使用するとNA
を従来の75%程度にできる。
度は、λ/ fNAl ”で求められ、ディスクのスキ
ューに対する許容度はえ/ (NAI ”に比例し、デ
ィスクの厚みむらに対する許容度はλ/ fNA) ’
に比例する6前述のように二光束干渉を使用するとNA
を従来の75%程度にできる。
よって焦点深度は従来の約1.8倍、スキューに対する
許容度は従来の約2.4倍、厚みむらに対する許容度は
約3.2倍となる。
許容度は従来の約2.4倍、厚みむらに対する許容度は
約3.2倍となる。
例えばディスクのスキューに対する許容値はコンパクト
ディスクの場合従来±1°であったのが、二光束干渉で
は上2゜4″′になる。このように許容度が上がること
により、従来のコンパクトディスク装置やレーザディス
ク装置において必要であった対物レンズの光軸の倒れ調
整やディスクの倒れ調整などはほとんど不要になる。
ディスクの場合従来±1°であったのが、二光束干渉で
は上2゜4″′になる。このように許容度が上がること
により、従来のコンパクトディスク装置やレーザディス
ク装置において必要であった対物レンズの光軸の倒れ調
整やディスクの倒れ調整などはほとんど不要になる。
なお本発明は、記録媒体が光ディスクである場合に限ら
れず、例えばバーコードの読取りなどにも使用すること
ができる。
れず、例えばバーコードの読取りなどにも使用すること
ができる。
r効果〕
以上のように請求項1記載の発明によれば、高密度デー
タの読取りが可能になり、また対物レンズの開口数を大
きくする必要がな(なる、また逆に対物レンズの開口数
を小さくしても従来と同等の読取り精度を維持でき、小
型化ならびに組み立て調整の簡素化を図ることができる
ようになる。
タの読取りが可能になり、また対物レンズの開口数を大
きくする必要がな(なる、また逆に対物レンズの開口数
を小さくしても従来と同等の読取り精度を維持でき、小
型化ならびに組み立て調整の簡素化を図ることができる
ようになる。
請求項2記載の発明によれば、二光束干渉を得るための
素子として回折格子が使用されるため、低コストにて製
作できるようになる。
素子として回折格子が使用されるため、低コストにて製
作できるようになる。
請求項3記載の発明によれば、共通の回折格子により二
光束干渉と3ビームの設定とができるため、最小の部品
数で高精度なディスクプレーヤなどを製作できる。
光束干渉と3ビームの設定とができるため、最小の部品
数で高精度なディスクプレーヤなどを製作できる。
第、1図は本発明の第1実施例による光学式読取り装置
の構成を示す側面図、第2図は本発明の第2実施例によ
る光学式読取り装置の構成を示す側面図、第3図は本発
明の第3実施例による光学式読取り装置の構成を示す側
面図、第4図は本発明の光学式読取り装置の具体例とし
て光デイスク用のピックアップの構成を示す側面図、第
5図と第6図は回折格子の構造を実施個別に示す側面図
、第7図は単独光束と二光束干渉とのビームスポット径
の違いを示す線図、第8図は従来の光学式読取り装置の
構成を示す側面図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・コリメートレンズ、3
・・・ウォラストンプリズム、4・・・ビームスプリッ
タ、5・・・偏光子、6・・・対物レンズ、7・・・デ
ィスク、8・・・受光レンズ、9・・・スリット板、1
0・・・ビンホトダイオード、11・・・二分割ビンホ
トダイオード、12.15・・・回折格子。 区 ぐ 区 区 α)
の構成を示す側面図、第2図は本発明の第2実施例によ
る光学式読取り装置の構成を示す側面図、第3図は本発
明の第3実施例による光学式読取り装置の構成を示す側
面図、第4図は本発明の光学式読取り装置の具体例とし
て光デイスク用のピックアップの構成を示す側面図、第
5図と第6図は回折格子の構造を実施個別に示す側面図
、第7図は単独光束と二光束干渉とのビームスポット径
の違いを示す線図、第8図は従来の光学式読取り装置の
構成を示す側面図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・コリメートレンズ、3
・・・ウォラストンプリズム、4・・・ビームスプリッ
タ、5・・・偏光子、6・・・対物レンズ、7・・・デ
ィスク、8・・・受光レンズ、9・・・スリット板、1
0・・・ビンホトダイオード、11・・・二分割ビンホ
トダイオード、12.15・・・回折格子。 区 ぐ 区 区 α)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、発光素子と、この発光素子から発せられる検知光を
互いに干渉する二光束に分けてこの干渉により生じる2
つの微小スポットを記録媒体に形成する光学系と、記録
媒体からの前記2つの微小スポットの戻り光のうちの少
なくとも一方を検知する受光素子と、が設けられている
ことを特徴とする光学式読取り装置 2、発光素子から発せられる検知光を互いに干渉する二
光束に分ける光学素子として回折格子が使用されている
請求項1記載の光学式読取り装置 3、回折格子には、検知光を互いに干渉する二光束に分
けるピッチならびに深さを有する格子溝と、発光素子か
ら発せられる検知光を3ビームに分ける格子とが共に形
成されている請求項2記載の光学式読取り装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160383A JP3044667B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 光学式読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160383A JP3044667B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 光学式読取り装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0449535A true JPH0449535A (ja) | 1992-02-18 |
JP3044667B2 JP3044667B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=15713779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2160383A Expired - Fee Related JP3044667B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 光学式読取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3044667B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60156644A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-08-16 | チバ‐ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | 立体障害性ヒドロキシフエニルカルボン酸エステルの製造方法 |
JPH06333259A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-12-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学的記録情報再生装置及び光多層記録媒体 |
US5519685A (en) * | 1992-11-12 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup head apparatus capable of suppressing crosstalk from adjacent tracks and in the recording line density direction |
WO2002077906A1 (fr) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Sony Corporation | Lecteur de code a barres, miroir mobile pour lecteur de code a barres, et son procede de fabrication |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6376119A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160383A patent/JP3044667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6376119A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60156644A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-08-16 | チバ‐ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | 立体障害性ヒドロキシフエニルカルボン酸エステルの製造方法 |
JPH066553B2 (ja) * | 1983-12-22 | 1994-01-26 | チバ‐ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | 立体障害性ヒドロキシフエニルカルボン酸エステルの製造方法 |
US5519685A (en) * | 1992-11-12 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup head apparatus capable of suppressing crosstalk from adjacent tracks and in the recording line density direction |
JPH06333259A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-12-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学的記録情報再生装置及び光多層記録媒体 |
WO2002077906A1 (fr) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Sony Corporation | Lecteur de code a barres, miroir mobile pour lecteur de code a barres, et son procede de fabrication |
US7007850B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-03-07 | Sony Corporation | Bar code reading apparatus, moving mirror for bar code reading apparatus, and manufacturing thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3044667B2 (ja) | 2000-05-22 |
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