JPH0448642U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448642U JPH0448642U JP9083690U JP9083690U JPH0448642U JP H0448642 U JPH0448642 U JP H0448642U JP 9083690 U JP9083690 U JP 9083690U JP 9083690 U JP9083690 U JP 9083690U JP H0448642 U JPH0448642 U JP H0448642U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance layer
- conductivity type
- layer formed
- impurity
- low concentration
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図と第２図は本考案に係る半導体集積回路
用抵抗の実施例を示す側断面図と等価回路図、第
３図は従来の半導体集積回路用抵抗の一具体例を
示す側断面図である。 １……半導体基板、Ｒ１……拡散抵抗層、Ｒ２
……バツフア抵抗層。
用抵抗の実施例を示す側断面図と等価回路図、第
３図は従来の半導体集積回路用抵抗の一具体例を
示す側断面図である。 １……半導体基板、Ｒ１……拡散抵抗層、Ｒ２
……バツフア抵抗層。
Claims (1)
- 低濃度一導電型半導体基板中に低濃度他導電型
不純物を選択拡散して形成したバツフア抵抗層と
、上記バツフア抵抗層内に高濃度他導電型不純物
を選択拡散して形成した拡散抵抗層とを具備した
ことを特徴とする半導体集積回路用抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083690U JPH0448642U (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083690U JPH0448642U (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448642U true JPH0448642U (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=31825917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9083690U Pending JPH0448642U (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448642U (ja) |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP9083690U patent/JPH0448642U/ja active Pending
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