JPH0447972B2 - - Google Patents

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JPH0447972B2
JPH0447972B2 JP58042211A JP4221183A JPH0447972B2 JP H0447972 B2 JPH0447972 B2 JP H0447972B2 JP 58042211 A JP58042211 A JP 58042211A JP 4221183 A JP4221183 A JP 4221183A JP H0447972 B2 JPH0447972 B2 JP H0447972B2
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wire
bonding
semiconductor device
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capillary
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Hiromichi Suzuki
Wahei Kitamura
Hiroshi Mikino
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は製品の薄型化とコストの低減を図つた
半導体装置に関するものである。
〔背景技術〕
IC、LSI等の半導体素子ペレツトを実装して半
導体装置を構成する場合には、リードフレームや
プリント回路基板等の装置基板上に素子ペレツト
を固着した上で、この素子ペレツトと装置基板と
をワイヤ接続して電気的配線を行ない、レジンや
キヤツプ部材にて素子ペレツトを封止する構造が
採られうる。例えば、第１図に示すものはプリン
ト回路基板１の表面凹部２内に接着剤３を用いて
素子ペレツト４を固着し、この素子ペレツト４と
プリント回路基板１の配線回路５とを極細ワイヤ
６にて接続しかつこれらをレジン７にて封止した
ものである。
ところで、この種の半導体装置においては、装
置の薄型化が種々工夫されているが、薄型化の障
害になつているのは所謂ループ高さである。即
ち、第１図に示すように、ワイヤ６は素子ペレツ
ト４への第１ボンデイング部位B1上において若
干の高さ（ループ高さ）H1だけ略垂直に延長さ
れ、そこから曲げられてプリント回路基板１の第
２ボンデイング部位B2にまでループ状に曲設し
た構成とされているため、このループ高さH1が
装置の厚さを規制することになる。
したがつて、このループ高さH1を低減するた
めに第１ボンデイングから第２ボンデイングへの
ワイヤ張設時におけるワイヤ張力を増大すること
が考えられるが、これでは第１ボンデイング部位
B1に過大な張力が加わつてボンデイング部位が
破壊される危険がある。また、ワイヤ６のループ
を横方向に形成してループ高さを低減することも
考えられるが、これでは隣接するワイヤ相互間で
短絡事故が発生するおそれもある。
更に、ループ高さH1が大きいことはそれだけ
第１、第２ボンデイング間におけるワイヤ６が長
くなることになり、ワイヤの使用量が多くなつて
コスト高になる。特に、Auワイヤを使用する場
合には装置が高価なものになる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は所謂ループ高さを低減すること
により、その薄型化を達成することができる半導
体装置を提供することにある。
また、本発明の目的はループ高さの低減に伴な
つてワイヤ長を低減することにより、ワイヤ使用
量を低減してコストの低下を図ることができる半
導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、ワイヤボンデイングの第１ボンデイ
ング部位の直上でワイヤを曲げ加工し、これを張
設して第２ボンデイングを行なう構成とすること
により、ワイヤのループ高さの低減を図つて装置
の薄型化を達成するものである。
〔実施例〕
第２図は本発明の一実施例を示しており、表面
に所定の配線回路１１を形成したプリント回路基
板１０の表面一部に方形の凹部１２を形成し、こ
の凹部１２内に接着剤１３を用いて半導体素子ペ
レツト１４を固着している。そして、この素子ペ
レツト１４の電極パツド１５と前記配線回路１１
との間にワイヤ１６を接続して両者を電気的に接
続し、その上でレジン１７を用いてペレツト１
４、ワイヤ１６を封止している。
前記ワイヤ１６はAlに所要の金属を混合した
Al合金の極細線からなり、第１ボンデイング部
位B1はAlボールを形成してこれを電極パツド１
５に超音波熱圧着し、第２ボンデイング部位B2
はワイヤ１６の一部を配線回路１１に超音波熱圧
着している。そして、第１ボンデイング部位B1
の直上箇所でワイヤ１６を略直角に曲げ加工し、
その上でこれを張設状態で第２ボンデイング部位
B2まで延設して第２ボンデイングを行なつてい
る。この結果、ワイヤ１６は第１ボンデイング部
位B1の上方に延長されることはない。
第２図は前記したワイヤオンデイングを行なう
ためのワイヤボンダ２０を示す。このワイヤボン
ダ２０は、XYテーブル２１上に搭載したボンデ
イングヘツド２２からボンデイングアーム２３を
突設し、先端にキヤピラリ２４を固設すると共
に、このアーム２３をカム機構２５によつて上下
に揺動できるようにしている。また、前記アーム
２３の上部にはフランパ２６を設け、図外のプー
リから引き出されて前記キヤピラリ２４を挿通さ
れるAlワイヤ１６の一部をクランプできる。
一方、前記キヤピラリ２４の下方位置にはボン
デイングステージ２７を配設し、被ボンデイング
物である半導体装置を載置している。また、この
ボンデイングステージ２７の上部位置には、揺動
アーム２８によつて前記キヤピラリ２４の下側に
進退可能な可動電極２９を設け、前記キヤピラリ
２４或いはワイヤ１６と可動電極２９との間に高
電流を印加し得るようになつている。
したがつて、このワイヤボンダ２０を使用すれ
ば、キヤピラリ２４の下側に可動電極２９を位置
させてこれをキヤピラリ２４を挿通させたAlワ
イヤ１６の先端に対向させ、両者間に高電流を通
じて放電を発生させることにより、放電エネルギ
によつてAlワイヤ１６の先端にAlボールを形成
できる。そして、このAlボールを電極パツド１
５に超音波熱圧着すれば第１ボンデイングが完了
される。このとき、可動電極２９は退避される。
第１ボンデイングの完了後に、XYテーブル２
１とカム機構２５の作用によつてキヤピラリ２４
を殆んど上動させることなく横方向へ移動させ
る。これにより、ワイヤ１６は第１ボンデイング
部位B1の直上で曲げ加工される。この場合、Al
ワイヤ１６はAl合金から形成されて熱伝導率が
小さくされているので、前述のAlボール形成時
にAlボール近傍部位のみがアニール（焼き戻し）
されることになり、この第１ボンデイング部位直
上の曲げ加工を容易なものにできる。
曲げ加工後にクランパ２６の協働によりワイヤ
１６を水平方向に張設し、その上で従前と同様に
配線回路１１上に第２ボンデイングを完了すれば
ワイヤボンデイングが完成される。なお、このと
きワイヤ１６の張設力は必要以上に大きくしなく
ともよい。
以上のようにして構成された半導体装置によれ
ば、ワイヤを第１ボンデイング部位B1の直上で
曲げ加工しているので、ワイヤのループ高さH2
を低減でき、これに伴なつて半導体装置全体を薄
型化できる。因みに、第１図の従来構造のループ
高さH1が250μｍであるのに対し、第２図のもの
では100〜130μｍと略半分にできる。また、この
場合、ワイヤ１６にAl合金を使用しているので、
第１ボンデイング部位直上でのワイヤの曲げ加工
を極めて容易に行なうことができる。
一方、ループ高さを低減してワイヤを張設して
いるので、ボンデイングに必要とされるワイヤ長
を短かくすることができ、これによりワイヤ使用
量を低減してコストの低減を図り得る。特にAl
合金はAuよりも低価格であり、コストの低減を
一層促進できる。
なお、ワイヤボンダ２０はカム機構２５やクラ
ンパ２６の仕様を若干変更し或いは各部の設定値
を調節するだけでこれに対応することができる。
〔効果〕
(1) ワイヤを第１ボンデイング部位の直上で曲げ
加工して張設しているので、ループ高さを低減
でき、半導体装置の薄型化を達成できる。
(2) ループ高さを低減しかつワイヤを張設するこ
とにより、第１、第２ボンデイング部位間のワ
イヤ長を低減でき、ワイヤボンデイングのワイ
ヤ使用量の低減を図つて低コスト化を図ること
ができる。
(3) ワイヤにAl合金を使用することにより、第
１ボンデイング直上での曲げ加工を容易にする
と共に、Auを使用するものに対して低コスト
化を実現できる。
(4) キヤピラリの移動制御はワイヤボンダのカム
機構等、その一部の仕様の変更、設定の調節で
よいので、大幅な設計変更は必要としない。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば、装置基板としてリードフレーム
を使用する半導体装置やセラミツクベースを使用
するものにも同様に適用することができる。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野であるボー
ルボンデイング方式の半導体装置に適用した場合
について説明したが、これ以外のボンデイング方
式、例えば超音波ボンデイング方式のワイヤボン
デイングの半導体装置にも適用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は考えられる半導体装置の断面図、第２
図は本発明の半導体装置の断面図、第３図はワイ
ヤボンダの概略構成図である。 １０……プリント回路基板、１４……素子ペレ
ツト、１６……Alワイヤ、１７……レジン、２
０……ワイヤボンダ、２４……キヤピラリ、２５
……カム機構、２６……クランパ、２９……可動
電極、B1……第１ボンデイング部位、B2……第
２ボンデイング部位。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置基板に固着した半導体素子ペレツ
    トと、前記基板とをボンデイングワイヤにて電気
    接続してなる半導体装置において、前記ワイヤは
    第１ボンデイングの直上において曲げ加工しかつ
    これを張設して第２ボンデイングしてなることを
    特徴とする半導体装置。 ２ 第１ボンデイングにボールボンデイング方式
    を用いてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。 ３ ボンデイングワイヤにAl合金を用いてなる
    特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装
    置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49100566A (ja) * 1973-01-30 1974-09-24
JPS5730206A (en) * 1980-06-24 1982-02-18 Heraeus Gmbh W C Contact extra fine conductor for semiconductor constituent element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49100566A (ja) * 1973-01-30 1974-09-24
US3908184A (en) * 1973-01-30 1975-09-23 Nippon Electric Co Ceramic substrate assembly for electronic circuits having ceramic films thereon for intercepting the flow of brazing agents
JPS5730206A (en) * 1980-06-24 1982-02-18 Heraeus Gmbh W C Contact extra fine conductor for semiconductor constituent element

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