JPH0447655A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0447655A JPH0447655A JP2152202A JP15220290A JPH0447655A JP H0447655 A JPH0447655 A JP H0447655A JP 2152202 A JP2152202 A JP 2152202A JP 15220290 A JP15220290 A JP 15220290A JP H0447655 A JPH0447655 A JP H0447655A
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- ion beam
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- inert gas
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に係り、特に、イオンビームの照
射により基板に不純物を注入する際の方法に関し、 イオンビームの照射が基板に電荷の蓄積を生じさせない
ようにすることを目的とし、 イオンビームの照射により基板に不純物を注入するに際
して、該基板に向けて直進するイオンビームの進路の途
上に故意に真空度を低下させた領域を作り、該イオンビ
ームが該基板に達する前に該イオンビームを中性化する
ように構成する。
射により基板に不純物を注入する際の方法に関し、 イオンビームの照射が基板に電荷の蓄積を生じさせない
ようにすることを目的とし、 イオンビームの照射により基板に不純物を注入するに際
して、該基板に向けて直進するイオンビームの進路の途
上に故意に真空度を低下させた領域を作り、該イオンビ
ームが該基板に達する前に該イオンビームを中性化する
ように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、イオン
ビームの照射により基板に不純物を注入する際の方法に
関する。
ビームの照射により基板に不純物を注入する際の方法に
関する。
半導体装置の製造においては、半導体基板に不純物拡散
領域を形成することが多く、その形成方法として不純物
をイオンビームにして照射するイオン注入法が賞用され
ている。しかしながらイオンビームの持つ電荷が基板に
ダメージを与える場合があり、そのダメージを生しさせ
ないようにする工夫が望まれる。
領域を形成することが多く、その形成方法として不純物
をイオンビームにして照射するイオン注入法が賞用され
ている。しかしながらイオンビームの持つ電荷が基板に
ダメージを与える場合があり、そのダメージを生しさせ
ないようにする工夫が望まれる。
イオン注入法は、不純物をイオンビームにして基板に注
入するので、 ■ 磁場を利用した質量分析器により特定の不純物を選
択的に取り出して注入することができる。
入するので、 ■ 磁場を利用した質量分析器により特定の不純物を選
択的に取り出して注入することができる。
■ 加速エネルギの加減により不純物の注入深さを制御
することができる。
することができる。
■ イオンビーム電荷の積算モニターにより不純物の注
入量を正確に制御することができる。
入量を正確に制御することができる。
などの特徴を有している。
ところでこのイオン注入法は、例えば、表面に薄い絶縁
膜を有する半導体基板に大電流のイオンビームを照射し
て不純物を注入した際、イオンがもつ正電荷の蓄積によ
り上記絶縁膜が静電破壊を起こすといったように、基板
にダメージを与える場合がある。
膜を有する半導体基板に大電流のイオンビームを照射し
て不純物を注入した際、イオンがもつ正電荷の蓄積によ
り上記絶縁膜が静電破壊を起こすといったように、基板
にダメージを与える場合がある。
この正電荷の蓄積に対する対策として、イオンビームを
照射する際その照射領域に電子ビームを照射して、照射
領域に蓄積した正電荷を電子の負電荷で中和する方法が
あるが、照射領域を均一に中和することが困難である。
照射する際その照射領域に電子ビームを照射して、照射
領域に蓄積した正電荷を電子の負電荷で中和する方法が
あるが、照射領域を均一に中和することが困難である。
また、電子ビームを強くすると逆に負電荷の蓄積による
ダメージを与える危険性が大きい。
ダメージを与える危険性が大きい。
そこで本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、
イオンビームの照射により基板に不純物を注入する際の
方法に関し、イオンビームの照射が基板に電荷の蓄積を
生じさせないようにすることを目的とする。
イオンビームの照射により基板に不純物を注入する際の
方法に関し、イオンビームの照射が基板に電荷の蓄積を
生じさせないようにすることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の製造方法は、イオ
ンビームの照射により基板に不純物を注入するに際して
、該基板に向けて直進するイオンビームの進路の途上に
故意に真空度を低下させた領域を作り、該イオンビーム
が該基板に達する前に該イオンビームを中性化すること
を特徴としている。
ンビームの照射により基板に不純物を注入するに際して
、該基板に向けて直進するイオンビームの進路の途上に
故意に真空度を低下させた領域を作り、該イオンビーム
が該基板に達する前に該イオンビームを中性化すること
を特徴としている。
基板を照射するイオンビームは、上記真空度を低下させ
た領域を通過する際に、そのイオンと該領域のガス分子
との衝突により電荷交換が行われて中性化する。そして
、電荷を消失した状態で基板に達する。
た領域を通過する際に、そのイオンと該領域のガス分子
との衝突により電荷交換が行われて中性化する。そして
、電荷を消失した状態で基板に達する。
このことから本発明の方法にれば、基板に電荷の蓄積を
生ずることがない。
生ずることがない。
そして、先に説明したイオン注入法における■〜■は、
イオンビームが上記領域に入る前の措置とすることがで
きるので、その特徴を失うことはない。上記中性化で失
うエネルギは、通常の加速エネルギに比して極めて微小
であり実用上問題にならない。
イオンビームが上記領域に入る前の措置とすることがで
きるので、その特徴を失うことはない。上記中性化で失
うエネルギは、通常の加速エネルギに比して極めて微小
であり実用上問題にならない。
以下本発明の実施例について第１図の側面図を用いて説
明する。
明する。
同図に示す実施例は、イオン注入装置の一部を改造して
行うものであり、１はイオンビーム、２は基板、３はイ
オンビーム１を通すビーム導管、４は基板１を配置する
基板室、５は不活性ガス、６ば不活性ガス５供給用のガ
ス導入管、７は不活性ガス５排出用の排気管、８は不活
性ガス５による真空度低下領域、である。
行うものであり、１はイオンビーム、２は基板、３はイ
オンビーム１を通すビーム導管、４は基板１を配置する
基板室、５は不活性ガス、６ば不活性ガス５供給用のガ
ス導入管、７は不活性ガス５排出用の排気管、８は不活
性ガス５による真空度低下領域、である。
改造前のイオン注入装置は、ガス導入管６及び排気管７
がなくて、イオンビーム１をそのまま基板２に到達させ
る。
がなくて、イオンビーム１をそのまま基板２に到達させ
る。
ガス導入管６と排気管７は、その開口がイオンビーム１
の進路を挟んで対向するようにビーム導管３に貫通配置
され、ガス導入管６からの不活性ガス５導入と排気管７
の排気とにより局部的に不活性ガス５が存在する真空度
低下領域８を形成する。ビーム導管３及び基板室４の圧
力が１０−５〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度であるのに対し、
真空度低下領域８の圧力は１０−３〜１０〜’Ｔｏｒｒ
程度である。不活性ガス５にばＡｒまたばＮ２などを用
いる。また、イオンビーム１の進路方向における真空度
低下領域８の長さは５０〜１００ｍｍ程度である。そし
て、真空度低下領域８は、そこの不活性ガス５が基板２
に達しない距離に基板２から離し、その距離は３０〜５
０ｃｍ程度である。
の進路を挟んで対向するようにビーム導管３に貫通配置
され、ガス導入管６からの不活性ガス５導入と排気管７
の排気とにより局部的に不活性ガス５が存在する真空度
低下領域８を形成する。ビーム導管３及び基板室４の圧
力が１０−５〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度であるのに対し、
真空度低下領域８の圧力は１０−３〜１０〜’Ｔｏｒｒ
程度である。不活性ガス５にばＡｒまたばＮ２などを用
いる。また、イオンビーム１の進路方向における真空度
低下領域８の長さは５０〜１００ｍｍ程度である。そし
て、真空度低下領域８は、そこの不活性ガス５が基板２
に達しない距離に基板２から離し、その距離は３０〜５
０ｃｍ程度である。
このことにより、イオンビーム１は、真空度低下領域８
を通過する際に、そのイオンと不活性ガス５の分子との
衝突により電荷交換が行われて中性化して中性ビーム１
ａとなり、中性ビーム１ａの状態で基板２に到達する。
を通過する際に、そのイオンと不活性ガス５の分子との
衝突により電荷交換が行われて中性化して中性ビーム１
ａとなり、中性ビーム１ａの状態で基板２に到達する。
従って、イオンビーム１の電流を大きくしても、基板２
に電荷の蓄積を生ずることがなくなり、基板１に先に述
べたようなダメージを与えることがない。いうまでもな
く先に述べた電子ビームの照射が必要ないので、電子に
よるダメージの恐れもない。
に電荷の蓄積を生ずることがなくなり、基板１に先に述
べたようなダメージを与えることがない。いうまでもな
く先に述べた電子ビームの照射が必要ないので、電子に
よるダメージの恐れもない。
また、先に説明したイオン注入法における■〜■は、イ
オンビーム１が真空度低下領域８に入る前の部分（図示
より左側の部分）で措置されているので、その特徴を失
うことはない。上記中性化で失うエネルギは、高々数ｅ
Ｖ程度であって、イオンビーム１の通常の加速エネルギ
（３５〜１２０ＫｅＶ程度）に比して極めて微小であり
、不純物注入深さの制御などに対して実用上問題になら
ない。
オンビーム１が真空度低下領域８に入る前の部分（図示
より左側の部分）で措置されているので、その特徴を失
うことはない。上記中性化で失うエネルギは、高々数ｅ
Ｖ程度であって、イオンビーム１の通常の加速エネルギ
（３５〜１２０ＫｅＶ程度）に比して極めて微小であり
、不純物注入深さの制御などに対して実用上問題になら
ない。
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造
方法に係り、特に、イオンビームの照射により基板に不
純物を注入する際の方法に関し、イオンビームの照射が
基板に電荷の蓄積を生じさせないようにすることができ
て、イオンビームの電流を大きくしても基板にダメージ
を与えないことを可能にさせる効果がある。
方法に係り、特に、イオンビームの照射により基板に不
純物を注入する際の方法に関し、イオンビームの照射が
基板に電荷の蓄積を生じさせないようにすることができ
て、イオンビームの電流を大きくしても基板にダメージ
を与えないことを可能にさせる効果がある。
第１図は実施例を説明するための側面図、である。
図において、
１はイオンビーム、
１ａは中性ビーム、
２は基板、
３はビーム導管、
４は基板室、
５は不活性ガス、
６はガス導入管、
７は排気管、
８は真空度低下領域、
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオンビームの照射により基板に不純物を注入するに
際して、 該基板に向けて直進するイオンビームの進路の途上に故
意に真空度を低下させた領域を作り、該イオンビームが
該基板に達する前に該イオンビームを中性化することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152202A JPH0447655A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152202A JPH0447655A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447655A true JPH0447655A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15535295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152202A Pending JPH0447655A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002279928A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置の運転方法およびイオンビーム照射装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2152202A patent/JPH0447655A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002279928A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置の運転方法およびイオンビーム照射装置 |
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