JPH0447533A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH0447533A JPH0447533A JP15634290A JP15634290A JPH0447533A JP H0447533 A JPH0447533 A JP H0447533A JP 15634290 A JP15634290 A JP 15634290A JP 15634290 A JP15634290 A JP 15634290A JP H0447533 A JPH0447533 A JP H0447533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は先ピックアップ装置に関し、特にレーザビーム
を用いて光磁気ディスクなどの光学式記録媒体から情報
を読出し又は書込みをなす光ビ・ンクアップ装置に関す
る。
を用いて光磁気ディスクなどの光学式記録媒体から情報
を読出し又は書込みをなす光ビ・ンクアップ装置に関す
る。
背景技術
従来から第7図に概略を示す光ピ・ソファ・ノブ装置が
知られている。かかる装置は、その具備した光源からの
光を光学式記録媒体である光磁気ディスク1に照射して
反射光を抽出する光学系2と、この反射光の変化に基づ
いてフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及
び再生信号を発する信号発生手段3とから成る。
知られている。かかる装置は、その具備した光源からの
光を光学式記録媒体である光磁気ディスク1に照射して
反射光を抽出する光学系2と、この反射光の変化に基づ
いてフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及
び再生信号を発する信号発生手段3とから成る。
光学系2は、レーザビーム源である半導体レーザ11.
コリメータレンズ12.P偏光反射率RPが20%でか
つS偏光反射率Rsが100%のビームスプリッタ13
.及び対物レンズ14から構成されている。
コリメータレンズ12.P偏光反射率RPが20%でか
つS偏光反射率Rsが100%のビームスプリッタ13
.及び対物レンズ14から構成されている。
信号発生手段3は、1/2波長板20.P及びSの両部
光に分離する偏光ビームスブリ・ツタ(以下、PBSと
いう)21.検出レンズ22a、非点収差発生素子であ
る円柱レンズ23.直交する2線分によって4分割され
てなる4つの受光面を有する4分割光検出器24.検出
レンズ22b。
光に分離する偏光ビームスブリ・ツタ(以下、PBSと
いう)21.検出レンズ22a、非点収差発生素子であ
る円柱レンズ23.直交する2線分によって4分割され
てなる4つの受光面を有する4分割光検出器24.検出
レンズ22b。
及び1線分によって2分割されてなる2つの受光面を有
する2分割光検出器25から構成されている。ここで信
号発生手段3においては、1/2波長板20がその光学
軸をビームスジ1ルツク13の入射面に対して22.5
’傾けて配設して、PBS21によるP及び8両偏光の
分離が対応する両光検出器24.25に対して同等とな
るようにされである。また、このように1/2波長板2
0を設けないで、光学系2を入射する直線偏光に対して
45°の角度で回転させても1/2波長板20と同様の
効果が得られる。
する2分割光検出器25から構成されている。ここで信
号発生手段3においては、1/2波長板20がその光学
軸をビームスジ1ルツク13の入射面に対して22.5
’傾けて配設して、PBS21によるP及び8両偏光の
分離が対応する両光検出器24.25に対して同等とな
るようにされである。また、このように1/2波長板2
0を設けないで、光学系2を入射する直線偏光に対して
45°の角度で回転させても1/2波長板20と同様の
効果が得られる。
かかる装置の動作は、まず半導体レーザ11からのレー
ザビームはコリメータレンズ12で平行レーザビームに
され、ビームスブリ・ツタ13を透過して対物レンズ1
4で光磁気ディスク1に向けて集光される。光磁気ディ
スク1に集光された集束レーザビームは基板1aを介し
て垂直磁化膜3bで反射され、この反射レーザビームは
対物1ノンズ14で平行レーザビームにされてビームス
プリッタ13によって信号発生手段3の1/2波長板2
0を介してPBS21に向けられる。
ザビームはコリメータレンズ12で平行レーザビームに
され、ビームスブリ・ツタ13を透過して対物レンズ1
4で光磁気ディスク1に向けて集光される。光磁気ディ
スク1に集光された集束レーザビームは基板1aを介し
て垂直磁化膜3bで反射され、この反射レーザビームは
対物1ノンズ14で平行レーザビームにされてビームス
プリッタ13によって信号発生手段3の1/2波長板2
0を介してPBS21に向けられる。
PBS21はビームスプリッタ13からの光をP、8両
偏光に分離する。PBS21を透過したP偏光は検出レ
ンズ22aで集光され集束レーザビームとなり、非点収
差発生素子23を介して4分割光検出器24の受光面に
スポットを形成する。
偏光に分離する。PBS21を透過したP偏光は検出レ
ンズ22aで集光され集束レーザビームとなり、非点収
差発生素子23を介して4分割光検出器24の受光面に
スポットを形成する。
PBS21で反射されたS偏光は検出レンズ22bを介
して2分割光検出器25の受光面にスポットを形成する
。
して2分割光検出器25の受光面にスポットを形成する
。
4分割光検出器24におけるスポットの形状は、レーザ
ビームが光磁気ディスク1に合焦したときは円になり、
焦点が外れたときは非点収差により4分割の対角位置の
方向に伸びた楕円状になる。
ビームが光磁気ディスク1に合焦したときは円になり、
焦点が外れたときは非点収差により4分割の対角位置の
方向に伸びた楕円状になる。
また、2分割光検出器25の分割線は光学的にディスク
のトラック方向に一致されており、レーザビームがトラ
ックに乗っているときは2つの受光面の光量が同じにな
り、トラックから外れているときは2つの受光面の光量
に差が生じる。
のトラック方向に一致されており、レーザビームがトラ
ックに乗っているときは2つの受光面の光量が同じにな
り、トラックから外れているときは2つの受光面の光量
に差が生じる。
また、光磁気ディスク1に照射されるレーザビームは半
導体レーザ11の特性によって直線偏光にされており、
この直線偏光は垂直磁化膜1bの磁化方向(記録情報)
に応じて左右いずれかの方向に回転される。そして、こ
の回転方向は4分割光検出器24と2分割光検出器25
における受光量の差となって現れ、その受光量差から光
磁気再生信号が得られる。
導体レーザ11の特性によって直線偏光にされており、
この直線偏光は垂直磁化膜1bの磁化方向(記録情報)
に応じて左右いずれかの方向に回転される。そして、こ
の回転方向は4分割光検出器24と2分割光検出器25
における受光量の差となって現れ、その受光量差から光
磁気再生信号が得られる。
第8図は信号発生手段3における回路図であり、4分割
光検出器24の4つの受光面24a〜24dによる各受
光出力は、2対の対角位置の各々2つの受光面(24a
と24c、24bと24d)ごとに加算され、この加算
出力同士の差がフォーカスエラー信号として取り出され
る。また、2分割光検出器25の2つの受光面25a、
25bの各受光出力の差がトラッキングエラー信号とし
て取り出される。さらに、4分割光検出器24の総量光
出力と2分割光検出器25の総量光出力との差は光磁気
再生信号として取り出され、これによって同相のノイズ
成分が除去されるとともに、直線偏光の回転方向すなわ
ち光磁気ディスク1に記録された情報が差動検出される
。
光検出器24の4つの受光面24a〜24dによる各受
光出力は、2対の対角位置の各々2つの受光面(24a
と24c、24bと24d)ごとに加算され、この加算
出力同士の差がフォーカスエラー信号として取り出され
る。また、2分割光検出器25の2つの受光面25a、
25bの各受光出力の差がトラッキングエラー信号とし
て取り出される。さらに、4分割光検出器24の総量光
出力と2分割光検出器25の総量光出力との差は光磁気
再生信号として取り出され、これによって同相のノイズ
成分が除去されるとともに、直線偏光の回転方向すなわ
ち光磁気ディスク1に記録された情報が差動検出される
。
ところで、光磁気ディスク用の透明基板1aとしては、
光学均一性に優れたガラス基板が適しているが、量産性
やコストの面からプラスチック化が望まれており、コン
パクトディスクなどに使用されているポリカーボネート
基板が有力となっている。しかしながら、このポリカー
ボネートは複屈折か大きいため次のような現象が生じる
。
光学均一性に優れたガラス基板が適しているが、量産性
やコストの面からプラスチック化が望まれており、コン
パクトディスクなどに使用されているポリカーボネート
基板が有力となっている。しかしながら、このポリカー
ボネートは複屈折か大きいため次のような現象が生じる
。
ディスクに集光される集束レーザビームは円錐状に絞り
込まれるので、その集束レーザビームの波面の中心部で
は基板1aに対して垂直になるが、波面の周辺部になる
に従って基板1aに対する入射角が大きくなる。このた
め、反射したレーザビームの波面の周辺部分の光は基板
1aの複屈折によるリターディションを受けて楕円偏光
となる。
込まれるので、その集束レーザビームの波面の中心部で
は基板1aに対して垂直になるが、波面の周辺部になる
に従って基板1aに対する入射角が大きくなる。このた
め、反射したレーザビームの波面の周辺部分の光は基板
1aの複屈折によるリターディションを受けて楕円偏光
となる。
従って、楕円偏光成分により光検出器24,25の受光
面における強度分布が不均一になり、第9図に示したよ
うに、合焦位置におけるスポットSoを受ける4分割光
検出器24の4つの受光面のうち一方の対角対(24b
、24d)の受光量が他方の対角対(24a、 24
c)の受光量より多くなる部分Spが生じる。この現
象により、光検出器からのフォーカスエラー信号にオフ
セットが生じたり、光検出器上でのトラック横切り成分
がアンバランスとなる。
面における強度分布が不均一になり、第9図に示したよ
うに、合焦位置におけるスポットSoを受ける4分割光
検出器24の4つの受光面のうち一方の対角対(24b
、24d)の受光量が他方の対角対(24a、 24
c)の受光量より多くなる部分Spが生じる。この現
象により、光検出器からのフォーカスエラー信号にオフ
セットが生じたり、光検出器上でのトラック横切り成分
がアンバランスとなる。
このため、複屈折の大きなポリカーボネートを基板とし
た光磁気ディスクの記録再生を行う場合は、複屈折が殆
どないガラスやPMMA等を基板にした光磁気ディスク
を用いた場合よりも、ベストフォーカス位置がずれたり
フォーカスエラー信号へのトラック横切りノイズが増加
するという問題がある。
た光磁気ディスクの記録再生を行う場合は、複屈折が殆
どないガラスやPMMA等を基板にした光磁気ディスク
を用いた場合よりも、ベストフォーカス位置がずれたり
フォーカスエラー信号へのトラック横切りノイズが増加
するという問題がある。
発明の概要
[発明の目的コ
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは、ディスク基板の複屈折によるフ
ォーカスエラー信号への影響を低減した光ピックアップ
装置を提供することである。
の目的とするところは、ディスク基板の複屈折によるフ
ォーカスエラー信号への影響を低減した光ピックアップ
装置を提供することである。
[発明の構成]
本発明による光ピックアップ装置は、光源からの光を光
学式記録媒体に照射して反射光を抽出する光学系と、前
記反射光の変化に基づき少なくともフォーカスエラー信
号を発生する信号発生手段とを含む光ピックアップ装置
であって、前記信号発生手段は前記反射光を集束せしめ
る集束手段と、前記反射光の一部をその光路側方に反射
する反射手段と、前記反射手段を経た光を受光して前記
フォーカスエラー信号を生成する光検出器とを有するこ
とを特徴としている。
学式記録媒体に照射して反射光を抽出する光学系と、前
記反射光の変化に基づき少なくともフォーカスエラー信
号を発生する信号発生手段とを含む光ピックアップ装置
であって、前記信号発生手段は前記反射光を集束せしめ
る集束手段と、前記反射光の一部をその光路側方に反射
する反射手段と、前記反射手段を経た光を受光して前記
フォーカスエラー信号を生成する光検出器とを有するこ
とを特徴としている。
[発明の作用]
かかる構成の光ピックアップ装置においては、光学式記
録媒体からの反射光の例えば光軸中心部分が、反射手段
によってフォーカスエラー信号生成用の光検出器に導か
れる。
録媒体からの反射光の例えば光軸中心部分が、反射手段
によってフォーカスエラー信号生成用の光検出器に導か
れる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面を参照しつつ説明する
。
。
第1図に本発明の第1実施例としての先ピックアップ装
置を示す。
置を示す。
第1図に示す如く、当該光ピックアップ装置は、その具
備する光源からの光を光学式記録媒体である光磁気ディ
スク1に照射して反射光を抽出する光学系32と、光磁
気ディスク1からの反射光の変化に基づいてフォーカス
エラー信号、トラッキングエラー信号及び再生信号を発
する信号発生手段33とから成る。
備する光源からの光を光学式記録媒体である光磁気ディ
スク1に照射して反射光を抽出する光学系32と、光磁
気ディスク1からの反射光の変化に基づいてフォーカス
エラー信号、トラッキングエラー信号及び再生信号を発
する信号発生手段33とから成る。
光学系32は、レーザビームを発する光源としての半導
体レーザ35と、コリメータレンズ36と、プリズム3
7と、P偏光反射率RPが20%でS偏光反射率R8が
100%のビームスプリッタ38と対物レンズ39とに
より構成されている。
体レーザ35と、コリメータレンズ36と、プリズム3
7と、P偏光反射率RPが20%でS偏光反射率R8が
100%のビームスプリッタ38と対物レンズ39とに
より構成されている。
一方、信号発生手段33は、l/2波長板41と、検出
レンズ42と、非点収差付与手段としての透明な両面平
行板43と、P及びSの両部光に分離する偏光ビームス
プリッタ(以下、PBSと称する)44と、直交する2
線分によって4分割されてなる受光面を有する3つの4
分割光検出器46ないし48とを有している。そして、
両面平行板43のPBS44側の主面には、反射手段と
して金属膜から成る反射部材49が設けられている。
レンズ42と、非点収差付与手段としての透明な両面平
行板43と、P及びSの両部光に分離する偏光ビームス
プリッタ(以下、PBSと称する)44と、直交する2
線分によって4分割されてなる受光面を有する3つの4
分割光検出器46ないし48とを有している。そして、
両面平行板43のPBS44側の主面には、反射手段と
して金属膜から成る反射部材49が設けられている。
第2図に示すように、この反射部材49は、両面平行板
43の主面の中央部分に設けられており、例えば円形に
形成されている。両面平行板43は、これに入射するレ
ーザビームの光軸に対して所定角度で傾斜せしめること
によってレーザビームに非点収差を付与するものであり
、前述の検出レンズ42と共に光磁気ディスク1からの
反射光に集束圧を付与する集束手段を構成する。また、
各4分割光検出器のうち2つの4分割光検出器46及び
47はトラッキング方向における対物レンズ39の位置
ずれをトラッキングサーボ機構により自動制御するため
のトラッキングエラー信号と光磁気再生信号を得るもの
であり、他の4分割光検出器48はフォーカスサーボ機
構により光磁気ディスク1と対物レンズ39との距離を
自動制御するためのフォーカスエラー信号を非点収差を
有するレーザビームから検出するものである。
43の主面の中央部分に設けられており、例えば円形に
形成されている。両面平行板43は、これに入射するレ
ーザビームの光軸に対して所定角度で傾斜せしめること
によってレーザビームに非点収差を付与するものであり
、前述の検出レンズ42と共に光磁気ディスク1からの
反射光に集束圧を付与する集束手段を構成する。また、
各4分割光検出器のうち2つの4分割光検出器46及び
47はトラッキング方向における対物レンズ39の位置
ずれをトラッキングサーボ機構により自動制御するため
のトラッキングエラー信号と光磁気再生信号を得るもの
であり、他の4分割光検出器48はフォーカスサーボ機
構により光磁気ディスク1と対物レンズ39との距離を
自動制御するためのフォーカスエラー信号を非点収差を
有するレーザビームから検出するものである。
次いで、上記した構成の光ピックアップ装置の動作を説
明する。
明する。
まず、半導体レーザ35からのレーザビームはコリメー
タレンズ36で平行レーザビームにされ、プリズム37
により光路を屈曲された後、ビームスプリッタ38を透
過し、対物レンズ39により光磁気ディスク1に向けて
集光される。光磁気ディスク1に集光された集束レーザ
ビームは基板1aを介して垂直磁化膜1bで反射され、
この反射レーザビームは対物レンズ39にて平行レーザ
ビームにされてビームスプリッタ38によって信号発生
手段33の1/2波長板41を透過する。1/2波長板
41を経た平行レーザビームは検出レンズ42により集
束性を付与された後、両面平行板43に至る。両面平行
板43に至った集束レーザビームのうちその先軸中心部
分は該両面平行板にJり非点収差を与えられ、且つ、反
射部材49により光路側方に反射され、4分割光検出器
48に達する。
タレンズ36で平行レーザビームにされ、プリズム37
により光路を屈曲された後、ビームスプリッタ38を透
過し、対物レンズ39により光磁気ディスク1に向けて
集光される。光磁気ディスク1に集光された集束レーザ
ビームは基板1aを介して垂直磁化膜1bで反射され、
この反射レーザビームは対物レンズ39にて平行レーザ
ビームにされてビームスプリッタ38によって信号発生
手段33の1/2波長板41を透過する。1/2波長板
41を経た平行レーザビームは検出レンズ42により集
束性を付与された後、両面平行板43に至る。両面平行
板43に至った集束レーザビームのうちその先軸中心部
分は該両面平行板にJり非点収差を与えられ、且つ、反
射部材49により光路側方に反射され、4分割光検出器
48に達する。
一方、両面平行板43に至った集束レーザビームの残余
のもの、すなわち、ビームの外側部分は、反射部材49
に反射されることな(PBS44を経ることにより2つ
の4分割光検出器46及び47に向けて偏光分離される
。
のもの、すなわち、ビームの外側部分は、反射部材49
に反射されることな(PBS44を経ることにより2つ
の4分割光検出器46及び47に向けて偏光分離される
。
第3図及び第4図は第1図及び第2図に示した光ピック
アップ装置における回路図である。第3図に示すように
、第1の4分割光検出器46において、一方の対角位置
にある受光面46b及び46dの各受光比)jの加算出
力と、他方の対角位置にある受光面46a及び46cの
各受光出力の加算出力とか加算され、また、第2の4分
割光検出器47において、一方の対角位置にある受光面
47b及び47dの各受光出力の加算出力と、他方の対
角位置にある受光面47a及び47cの各受光出力の加
算出力とが加算される。そして、第1の4分割光検出器
46の各受光面46a〜46dの受光出力の総和から、
第2の4分割光検出器47の各受光面47a〜47dの
受光出力の総和が減算され、光磁気再生信号が差動検出
される。
アップ装置における回路図である。第3図に示すように
、第1の4分割光検出器46において、一方の対角位置
にある受光面46b及び46dの各受光比)jの加算出
力と、他方の対角位置にある受光面46a及び46cの
各受光出力の加算出力とか加算され、また、第2の4分
割光検出器47において、一方の対角位置にある受光面
47b及び47dの各受光出力の加算出力と、他方の対
角位置にある受光面47a及び47cの各受光出力の加
算出力とが加算される。そして、第1の4分割光検出器
46の各受光面46a〜46dの受光出力の総和から、
第2の4分割光検出器47の各受光面47a〜47dの
受光出力の総和が減算され、光磁気再生信号が差動検出
される。
また、第3図に示すように、第2の4分割光検出器47
の隣接する受光面47b及び47cの受光出力の加算出
力から、他の隣接する受光面47a及び47dの受光出
力の加算出力が減算され、トラッキングエラー信号が生
成される。
の隣接する受光面47b及び47cの受光出力の加算出
力から、他の隣接する受光面47a及び47dの受光出
力の加算出力が減算され、トラッキングエラー信号が生
成される。
一方、第4図に示すように、第3の4分割光検出器48
において、一方の対角位置にある受光面48b及び48
dの各受光出力の加算出力から、他の対角位置にある受
光面48a及び48cの各受光出力の加算出力が減算さ
れ、これによりフォーカスエラー信号が生成される。
において、一方の対角位置にある受光面48b及び48
dの各受光出力の加算出力から、他の対角位置にある受
光面48a及び48cの各受光出力の加算出力が減算さ
れ、これによりフォーカスエラー信号が生成される。
ところで、前述したように、第3の4分割光検出器48
に対しては、光磁気ディスク1からの反射光のうちその
先軸中心部分の光のみが導かれている。この部分の光は
、光磁気ディスク1の基板1aに対して垂直に反射した
ものであり、基板1aの複屈折による影響を受は難い。
に対しては、光磁気ディスク1からの反射光のうちその
先軸中心部分の光のみが導かれている。この部分の光は
、光磁気ディスク1の基板1aに対して垂直に反射した
ものであり、基板1aの複屈折による影響を受は難い。
よって、第3の4分割光検出器48の受光面に入射する
光の強度分布は、複屈折に基づく楕円偏光成分を含むこ
となく受光面全面に亘って均一となる。上記の実施例に
おいては、光磁気ディスク1からの反射光の一部をその
光路側方に反射する反射部材4つを非点収差発生用の両
面平行板49の主面に設ける構成を示したが、第5図及
び第6図に示す第2実施例の如き構成としても上記第1
実施例のものと同等の効果を奏することが出来る。なお
、第5図及び第6図に示す光ピックアップ装置は以下に
示す部分以外は第1図ないし第4図に示した第1実施例
の光ピックアップ装置と同様に構成されており、その作
用についても同様である故詳述はしない。また、以下の
説明において、第1図ないし第4図に示した光ピックア
ップ装置と同一の部分については同じ参照符号を用いて
示している。
光の強度分布は、複屈折に基づく楕円偏光成分を含むこ
となく受光面全面に亘って均一となる。上記の実施例に
おいては、光磁気ディスク1からの反射光の一部をその
光路側方に反射する反射部材4つを非点収差発生用の両
面平行板49の主面に設ける構成を示したが、第5図及
び第6図に示す第2実施例の如き構成としても上記第1
実施例のものと同等の効果を奏することが出来る。なお
、第5図及び第6図に示す光ピックアップ装置は以下に
示す部分以外は第1図ないし第4図に示した第1実施例
の光ピックアップ装置と同様に構成されており、その作
用についても同様である故詳述はしない。また、以下の
説明において、第1図ないし第4図に示した光ピックア
ップ装置と同一の部分については同じ参照符号を用いて
示している。
即ち、第6図に示す本発明の第2実施例としての光ピッ
クアップ装置においては、光磁気ディスク1からの反射
光の光軸中心部分を側方に反射する反射手段が、互いに
結合されてその相互結合面が該反射光の光軸に対して傾
斜するように該反射光の光路中に設けられた一対のプリ
ズム52及び53と、第6図にも示すように該相互結合
面間に設けられた金属膜から成る反射部材49とから成
る。そして、該反射手段により反射された光に非点収差
を付与する非点収差付与手段が、円柱レンズ54から成
る。なお、この円柱レンズ54は、検出レンズ42と共
に、光ディスク1からの反射光に集束性を付与する集束
手段を構成する。
クアップ装置においては、光磁気ディスク1からの反射
光の光軸中心部分を側方に反射する反射手段が、互いに
結合されてその相互結合面が該反射光の光軸に対して傾
斜するように該反射光の光路中に設けられた一対のプリ
ズム52及び53と、第6図にも示すように該相互結合
面間に設けられた金属膜から成る反射部材49とから成
る。そして、該反射手段により反射された光に非点収差
を付与する非点収差付与手段が、円柱レンズ54から成
る。なお、この円柱レンズ54は、検出レンズ42と共
に、光ディスク1からの反射光に集束性を付与する集束
手段を構成する。
かかる構成の光ピックアップ装置においては、対物レン
ズ39、ビームスブリ・ツタ38及び172波長板41
を経た後検出レンズ42によって集束レーザビームとさ
れた反射光は、プリズム52及び53に至る。この反射
光のうちその先軸中心部分は反射部材49により光路側
方に反射され、円柱レンズ54により非点収差を付与さ
れて4分割光検出器48に達する。そして、該集束レー
ザビムの外側部分は反射部材49に反射されず、PBS
44を経て2つの4分割光検出器46及び47に向けて
偏光分離される。
ズ39、ビームスブリ・ツタ38及び172波長板41
を経た後検出レンズ42によって集束レーザビームとさ
れた反射光は、プリズム52及び53に至る。この反射
光のうちその先軸中心部分は反射部材49により光路側
方に反射され、円柱レンズ54により非点収差を付与さ
れて4分割光検出器48に達する。そして、該集束レー
ザビムの外側部分は反射部材49に反射されず、PBS
44を経て2つの4分割光検出器46及び47に向けて
偏光分離される。
なお、前述したように、第1図に示した光ピックアップ
装置においては、反射光に対して非点収差を付与するた
めの両面平行板43が反射部材49を保持する保持部材
として活用されており、反射部材49の保持専用の部材
を設ける必要がなく、部品点数が少なく抑えられている
。
装置においては、反射光に対して非点収差を付与するた
めの両面平行板43が反射部材49を保持する保持部材
として活用されており、反射部材49の保持専用の部材
を設ける必要がなく、部品点数が少なく抑えられている
。
尚、上記した各実施例においては、トラッキングエラー
信号及び光磁気再生信号の生成用として、光磁気ディス
ク1からの反射光の外側部分のみを利用している。かか
る構成により、空間周波数特性(MTF)が向上する。
信号及び光磁気再生信号の生成用として、光磁気ディス
ク1からの反射光の外側部分のみを利用している。かか
る構成により、空間周波数特性(MTF)が向上する。
また、外側部分の光量は少ないので低周波数におけるキ
ャリアノイズレシオ(CNR)は低下するものの、MT
Fが問題となる様な高周波数におけるCNRは向上する
。
ャリアノイズレシオ(CNR)は低下するものの、MT
Fが問題となる様な高周波数におけるCNRは向上する
。
よって、従来の光ピックアップ装置に比して短いピット
の再生が可能となる。
の再生が可能となる。
発明の効果
以上詳述した如く、本発明による光ピックアップ装置に
おいては、光学式記録媒体からの反射光の変化に基づい
て少なくともフォーカスエラー信号を発する信号発生手
段が、該反射光を集束せしめる集束手段と、該反射光の
一部をその光路側方に反射する反射手段と、該反射手段
を経た光を受光してフォーカスエラー信号を生成する光
検出器とを有し、該反射手段の位置を設定することによ
り、反射光の光軸中心部分の光のみを該光検出器に案内
せしめ得るようになされている。
おいては、光学式記録媒体からの反射光の変化に基づい
て少なくともフォーカスエラー信号を発する信号発生手
段が、該反射光を集束せしめる集束手段と、該反射光の
一部をその光路側方に反射する反射手段と、該反射手段
を経た光を受光してフォーカスエラー信号を生成する光
検出器とを有し、該反射手段の位置を設定することによ
り、反射光の光軸中心部分の光のみを該光検出器に案内
せしめ得るようになされている。
かかる構成の故、集束性を有するが故にディスク基板の
複屈折の影響を受ける反射光外側部分の光が光検出器に
入射することがなく、よって光検出器の受光面に入射す
る光の強度分布か均一となり、ガラス基板のディスクや
ポリカーボネート基板のディスク等のように基板材料の
複屈折の大小に拘らず、ベストフォーカス位置のずれを
なくすと共にトラック横切りノイズを防止することが出
来るのである。
複屈折の影響を受ける反射光外側部分の光が光検出器に
入射することがなく、よって光検出器の受光面に入射す
る光の強度分布か均一となり、ガラス基板のディスクや
ポリカーボネート基板のディスク等のように基板材料の
複屈折の大小に拘らず、ベストフォーカス位置のずれを
なくすと共にトラック横切りノイズを防止することが出
来るのである。
第1図は本発明の第1実施例としての光ピックアップ装
置の概略線図、第2図は第1図に関する■−■矢視図、
第3図及び第4図は第1図に示した光ピックアップ装置
の回路図、第5図は本発明の第2実施例としての光ピッ
クアップ装置の概略線図、第6図は第5図におけるVl
−VI矢視図、第7図は従来の光ピックアップ装置の概
略線図、第8図は第7図に示した光ピックアップ装置の
回路図、第9図は複屈折によるレーザビームのスポット
の状態を示す光検出器の受光面の正面図であってスポッ
トの強度分布の不均一を説明する図である。 主要部分の符号の説明 32・・・・・・光学系 33・・・・・信号発生手段 35・・・・・・半導体レーザ 36・・・・・コリメータレンズ 37・・・・・・プリズム 38・・・・・・ビームスプリッタ 39・・・・・・対物レンズ 41・・・・・・1ノ2波長板 42・・・・・・検出レンズ 43・・・・・・両面平行板 44・・・・・・偏光ビームスプリッタ46.47.4
8・・・・・・4分割光検出器49・・・・・・反射部
材 52.53・・・・・・プリズム 出願人 パイオニア株式会社
置の概略線図、第2図は第1図に関する■−■矢視図、
第3図及び第4図は第1図に示した光ピックアップ装置
の回路図、第5図は本発明の第2実施例としての光ピッ
クアップ装置の概略線図、第6図は第5図におけるVl
−VI矢視図、第7図は従来の光ピックアップ装置の概
略線図、第8図は第7図に示した光ピックアップ装置の
回路図、第9図は複屈折によるレーザビームのスポット
の状態を示す光検出器の受光面の正面図であってスポッ
トの強度分布の不均一を説明する図である。 主要部分の符号の説明 32・・・・・・光学系 33・・・・・信号発生手段 35・・・・・・半導体レーザ 36・・・・・コリメータレンズ 37・・・・・・プリズム 38・・・・・・ビームスプリッタ 39・・・・・・対物レンズ 41・・・・・・1ノ2波長板 42・・・・・・検出レンズ 43・・・・・・両面平行板 44・・・・・・偏光ビームスプリッタ46.47.4
8・・・・・・4分割光検出器49・・・・・・反射部
材 52.53・・・・・・プリズム 出願人 パイオニア株式会社
Claims (4)
- (1)光源からの光を光学式記録媒体に照射して反射光
を抽出する光学系と、前記反射光の変化に基づき少なく
ともフォーカスエラー信号を発する信号発生手段とを含
む光ピックアップ装置であって、前記信号発生手段は前
記反射光を集束せしめる集束手段と、前記反射光の一部
をその光路側方に反射する反射手段と、前記反射手段を
経た光を受光して前記フォーカスエラー信号を生成する
光検出器とを有することを特徴とする光ピックアップ装
置。 - (2)前記集束手段は前記反射手段を経た光に非点収差
を付与する非点収差付与手段を含み、前記光検出器は直
交する2線分によって4分割された受光面を有すること
を特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。 - (3)前記非点収差付与手段は前記反射光の光路中に前
記反射光の光軸に対して傾斜して配設された両面平行透
明板から成り、前記反射手段は前記両面平行透明板の主
面に設けられた反射部材から成ることを特徴とする請求
項2記載の光ピックアップ装置。 - (4)前記非点収差付与手段は円柱レンズからなり、前
記反射手段は互いに結合されてその相互結合面が前記反
射光の光軸に対して傾斜するように前記反射光の光路中
に設けられた一対のプリズムと、前記相互結合面間に設
けられた反射部材とから成ることを特徴とする請求項1
記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15634290A JPH0447533A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15634290A JPH0447533A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光ピックアップ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0447533A true JPH0447533A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15625675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15634290A Pending JPH0447533A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0447533A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002001554A1 (fr) * | 2000-06-26 | 2002-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tete optique |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5439101A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-26 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focusing method |
JPS58147821A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-02 | Toshiba Corp | 光学式ヘツド |
JPS6145418A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Aiwa Co Ltd | 光学系装置 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15634290A patent/JPH0447533A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5439101A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-26 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focusing method |
JPS58147821A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-02 | Toshiba Corp | 光学式ヘツド |
JPS6145418A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Aiwa Co Ltd | 光学系装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002001554A1 (fr) * | 2000-06-26 | 2002-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tete optique |
US7304920B2 (en) | 2000-06-26 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head that detects tilt in an optical disk |
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