JPH0446913B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0446913B2 JPH0446913B2 JP59051548A JP5154884A JPH0446913B2 JP H0446913 B2 JPH0446913 B2 JP H0446913B2 JP 59051548 A JP59051548 A JP 59051548A JP 5154884 A JP5154884 A JP 5154884A JP H0446913 B2 JPH0446913 B2 JP H0446913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- increase
- heat treatment
- coating
- hydrogen gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
この発明は、経年変化による伝送損失の増加現
象をたいへん小さく抑えることのできる光フアイ
バの製造方法に関するものである。 背景と目的 光フアイバケーブルにおいて、時間の経過とと
もに伝送損失の増加することが、最近判明した。
その原因としては、現在以下のように考えられて
いる。 １ 光フアイバの構成材料であるプラスチツクの
加水分解や熱酸化などにより水素ガスが発生
し、その水素ガスが光フアイバ内に拡散するこ
とにより損失増加現象が起きる。 ２ 拡散した水素ガスの一部は ‐ ‐Si‐ ‐Ｏと結合し
て ‐ ‐Si‐ ‐OHとなり、また一部は水素分子とし
てガラスの網目構造中に保持される。 ３ 水素ガスの発生源としては、上記のプラスチ
ツクだけでなく、異種金属で構成している光フ
アイバケーブル内に水が入つた場合には、電池
を構成して、水素ガスが発生する。 ４ 同一量の水素ガスが発生する場合でも、光フ
アイバの組成および組成比によつて損失の増加
特性は異なる。つまりOH基の増加にたいして
は、あらかじめガラス中にタングリングボンド
を有する欠陥酸素が存在していないと、水素と
結合しない。 ５ 欠陥の数および種類は、光フアイバの組成お
よび組成比だけでなく、製造方法および製造条
件に強く依存する。 この発明は、とくに上記１）の点を考慮して、
光フアイバの構成材料から発生する水素ガスの量
を極力少なくすることができるような製造方法の
提供を目的とするものである。 発明の構成 光フアイバを製造するときに、紡糸した光フア
イバに一次と二次の被覆を施すが、少なくとも二
次被覆を施す前に、一次被覆をした光フアイバ
をいつたん巻きとり、巻きとつた当該光フアイバ
を加熱炉内に入れて加熱処理を施すこと、その
熱処理によつて、前記一次被覆に含まれる低分子
量物質を揮散させること、を特徴とする 構成のより詳しい説明 光フアイバを製造するとき、紡糸直後の光フア
イバに一次被覆（一般に変成シリコーン樹脂と通
常のシリコーン樹脂との２層構造）を施してから
いつたん巻きとり、それからナイロンなどの二次
被覆を押出し被覆する。 この発明においては、二次被覆を施す前の、す
なわち一次被覆を施して巻きとつた光フアイバ
を、加熱炉の中にいれ、熱処理を行なう。 温度は150〜200℃ていど、時間は５時間くらい
が適当である。なお温度を250℃以上にすると、
プラスチツクの変質がおこり、また加熱時間も５
時間を越えると、プラスチツクの劣化が生じる。 また熱処理を真空下で行なうと、さらに効果的
である。なおその際の真空度は数Torrでいどで
ある。 このように熱処理をすると、一次被覆のなかに
含まれている反応性の高い低分子量のものが揮散
し、ケーブルになつてから時間が経過しても、水
素ガスの発生がたいへん少なくなり、したがつて
時間の経過にともなう損失の増加が少なくなる。 なお、二次被覆したのちに、さらにもう１回熱
処理をすれば、さらに水素ガスの発生が少なくな
り、損失増加がより少なくなる。 実施例 １ 紡糸した光フアイバに変成シリコーン樹脂と通
常のシリコーン樹脂の２層の一次被覆を施してい
つたんボビンに巻きとり、それをオーブンの中に
入れ、150℃および200℃の加熱をした。その後ナ
イロンの二次被覆をしてフアイバ心線とした。そ
の諸元と伝送損失特性は次の「第１表」のとおり
である。
象をたいへん小さく抑えることのできる光フアイ
バの製造方法に関するものである。 背景と目的 光フアイバケーブルにおいて、時間の経過とと
もに伝送損失の増加することが、最近判明した。
その原因としては、現在以下のように考えられて
いる。 １ 光フアイバの構成材料であるプラスチツクの
加水分解や熱酸化などにより水素ガスが発生
し、その水素ガスが光フアイバ内に拡散するこ
とにより損失増加現象が起きる。 ２ 拡散した水素ガスの一部は ‐ ‐Si‐ ‐Ｏと結合し
て ‐ ‐Si‐ ‐OHとなり、また一部は水素分子とし
てガラスの網目構造中に保持される。 ３ 水素ガスの発生源としては、上記のプラスチ
ツクだけでなく、異種金属で構成している光フ
アイバケーブル内に水が入つた場合には、電池
を構成して、水素ガスが発生する。 ４ 同一量の水素ガスが発生する場合でも、光フ
アイバの組成および組成比によつて損失の増加
特性は異なる。つまりOH基の増加にたいして
は、あらかじめガラス中にタングリングボンド
を有する欠陥酸素が存在していないと、水素と
結合しない。 ５ 欠陥の数および種類は、光フアイバの組成お
よび組成比だけでなく、製造方法および製造条
件に強く依存する。 この発明は、とくに上記１）の点を考慮して、
光フアイバの構成材料から発生する水素ガスの量
を極力少なくすることができるような製造方法の
提供を目的とするものである。 発明の構成 光フアイバを製造するときに、紡糸した光フア
イバに一次と二次の被覆を施すが、少なくとも二
次被覆を施す前に、一次被覆をした光フアイバ
をいつたん巻きとり、巻きとつた当該光フアイバ
を加熱炉内に入れて加熱処理を施すこと、その
熱処理によつて、前記一次被覆に含まれる低分子
量物質を揮散させること、を特徴とする 構成のより詳しい説明 光フアイバを製造するとき、紡糸直後の光フア
イバに一次被覆（一般に変成シリコーン樹脂と通
常のシリコーン樹脂との２層構造）を施してから
いつたん巻きとり、それからナイロンなどの二次
被覆を押出し被覆する。 この発明においては、二次被覆を施す前の、す
なわち一次被覆を施して巻きとつた光フアイバ
を、加熱炉の中にいれ、熱処理を行なう。 温度は150〜200℃ていど、時間は５時間くらい
が適当である。なお温度を250℃以上にすると、
プラスチツクの変質がおこり、また加熱時間も５
時間を越えると、プラスチツクの劣化が生じる。 また熱処理を真空下で行なうと、さらに効果的
である。なおその際の真空度は数Torrでいどで
ある。 このように熱処理をすると、一次被覆のなかに
含まれている反応性の高い低分子量のものが揮散
し、ケーブルになつてから時間が経過しても、水
素ガスの発生がたいへん少なくなり、したがつて
時間の経過にともなう損失の増加が少なくなる。 なお、二次被覆したのちに、さらにもう１回熱
処理をすれば、さらに水素ガスの発生が少なくな
り、損失増加がより少なくなる。 実施例 １ 紡糸した光フアイバに変成シリコーン樹脂と通
常のシリコーン樹脂の２層の一次被覆を施してい
つたんボビンに巻きとり、それをオーブンの中に
入れ、150℃および200℃の加熱をした。その後ナ
イロンの二次被覆をしてフアイバ心線とした。そ
の諸元と伝送損失特性は次の「第１表」のとおり
である。
【表】
【表】
伝送損失の増加特性は、加速試験方法によつて
求めた。すなわち、作成した光フアイバ心線を
200℃のオーブンの中に２時間保持し、オーブン
前後の損失波長特性をモノクロメータにより測定
した。損失増加の値は、OH基による損失増加が
著しい波長1.39μmにおける増加値により求めた。 その損失増加の値を、熱処理をしないで作成し
た従来の光フアイバの値とともに、次の「第２
表」に示した。
求めた。すなわち、作成した光フアイバ心線を
200℃のオーブンの中に２時間保持し、オーブン
前後の損失波長特性をモノクロメータにより測定
した。損失増加の値は、OH基による損失増加が
著しい波長1.39μmにおける増加値により求めた。 その損失増加の値を、熱処理をしないで作成し
た従来の光フアイバの値とともに、次の「第２
表」に示した。
【表】
この実験から、熱処理を行なうと、反応性の高
い低分子量のシロキサンが揮散し、そのために
200℃の高温試験においても水素ガスの発生量が
少なく、その結果、損失増加特性の小さい光フア
イバ心線を作製できることがわかつた。 実施例 ２ 紡糸した光フアイバに「実施例１」と同様に一
次被覆を施していつたんボビンに巻きとり、それ
をオーブンの中に入れ、数Torrの条件で真空引
きしながら150℃および200℃の加熱をした。その
後ナイロンの二次被覆をしてフアイバ心線とし
た。その諸元と伝送損失特性は前記の「第１表」
と同一である。 そして「実施例１」と同様な方法で伝送損失の
増加特性を調べた。 その損失増加の値は、次の「第３表」のとおり
である。
い低分子量のシロキサンが揮散し、そのために
200℃の高温試験においても水素ガスの発生量が
少なく、その結果、損失増加特性の小さい光フア
イバ心線を作製できることがわかつた。 実施例 ２ 紡糸した光フアイバに「実施例１」と同様に一
次被覆を施していつたんボビンに巻きとり、それ
をオーブンの中に入れ、数Torrの条件で真空引
きしながら150℃および200℃の加熱をした。その
後ナイロンの二次被覆をしてフアイバ心線とし
た。その諸元と伝送損失特性は前記の「第１表」
と同一である。 そして「実施例１」と同様な方法で伝送損失の
増加特性を調べた。 その損失増加の値は、次の「第３表」のとおり
である。
【表】
この実験から、真空引きしながら熱処理を行な
うと、単に熱処理するよりもさらに損失増加特性
の小さい光フアイバ心線を作製できることがわか
つた。 実施例 ３ 一次被覆をした光フアイバを上記のように真空
熱処理し、その上にナイロンの二次被覆をした光
フアイバ心線（第１表のもの）に、さらに真空熱
処理を施した。 その結果を次の「第４表」に示す。
うと、単に熱処理するよりもさらに損失増加特性
の小さい光フアイバ心線を作製できることがわか
つた。 実施例 ３ 一次被覆をした光フアイバを上記のように真空
熱処理し、その上にナイロンの二次被覆をした光
フアイバ心線（第１表のもの）に、さらに真空熱
処理を施した。 その結果を次の「第４表」に示す。
【表】
【表】
発明の効果
この発明は、光フアイバケーブルの経年変化に
よる伝送損失の増加が、光フアイバの被覆から発
生する水素ガスに起因するという原因の解明にも
とづいてなされたものである。 そして、前記二次被覆を行なう前に、一次被覆
をした光フアイバをいつたん巻きとり、巻きとつ
た当該光フアイバを加熱炉内に入れ、加熱処理を
施して、前記一次被覆に含まれる低分子量物質を
揮散させるので、 布設してから長い時間が経過しても、光フアイ
バに接している被覆からの水素ガス発生がきわめ
て少なくなる。 そのため、伝送損失増加のたいへん少ない光フ
アイバが作製される。
よる伝送損失の増加が、光フアイバの被覆から発
生する水素ガスに起因するという原因の解明にも
とづいてなされたものである。 そして、前記二次被覆を行なう前に、一次被覆
をした光フアイバをいつたん巻きとり、巻きとつ
た当該光フアイバを加熱炉内に入れ、加熱処理を
施して、前記一次被覆に含まれる低分子量物質を
揮散させるので、 布設してから長い時間が経過しても、光フアイ
バに接している被覆からの水素ガス発生がきわめ
て少なくなる。 そのため、伝送損失増加のたいへん少ない光フ
アイバが作製される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 紡糸した光フアイバの上に一次被覆を行な
い、その後二次被覆を行なう工程を含む光フアイ
バの製造方法において、 少なくとも前記二次被覆を行なう前に、一次被
覆をした光フアイバをいつたん巻きとり、巻きと
つた当該光フアイバを加熱炉内に入れ、加熱処理
を施して、前記一次被覆に含まれる低分子量物質
を揮散させることを特徴とする、光フアイバの製
造方法。 ２ 加熱処理を真空下で行なうことを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項に記載の光フアイバの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051548A JPS60195039A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051548A JPS60195039A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195039A JPS60195039A (ja) | 1985-10-03 |
| JPH0446913B2 true JPH0446913B2 (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=12890068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051548A Granted JPS60195039A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195039A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345150A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバの２次被覆方法および装置 |
| JPH06656B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1994-01-05 | 株式会社フジクラ | 耐放射線性光ファイバの製造法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713505A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-23 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Controller |
| JPS58211707A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 被覆光フアイバ |
-
1984
- 1984-03-17 JP JP59051548A patent/JPS60195039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60195039A (ja) | 1985-10-03 |
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