JPH0445552A - 表面分析装置 - Google Patents
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- JPH0445552A JPH0445552A JP11772790A JP11772790A JPH0445552A JP H0445552 A JPH0445552 A JP H0445552A JP 11772790 A JP11772790 A JP 11772790A JP 11772790 A JP11772790 A JP 11772790A JP H0445552 A JPH0445552 A JP H0445552A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線光学装置を利用した半導体などの試料表
面の微小領域の構成元素の分析を行う表面分析装置に関
するものである。
面の微小領域の構成元素の分析を行う表面分析装置に関
するものである。
（従来の技術）
Ｘ線光学装置は、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線望遠鏡。
コリメータ等応用範囲が広いが、特に、半導体技術では
、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の微細化が進むにつれて
この微細加工に有利なＸ線光学システムが期待されるよ
うになってきた。この技術では１例えば、露光装置、表
面分析装置など、このシステムを必要とするところは多
い。
、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の微細化が進むにつれて
この微細加工に有利なＸ線光学システムが期待されるよ
うになってきた。この技術では１例えば、露光装置、表
面分析装置など、このシステムを必要とするところは多
い。
Ｘ線は、光のように反射、屈折させる物質がないためＸ
線を用いて像を結像させることは困難であるが１回折を
利用したり、斜め入射を行って全反射をさせれば不可能
ではない、また、Ｘ線は、面に斜めに入射するとき、入
射光線と反射面との為す斜入射角がある値より小さくな
ると全反射をする。その角度は、波長の長い程または表
面物質の単位面積当りの質量の重い程大きい、また、Ｘ
線で小さい物体を見るときにはその吸収係数が小さいと
全部透明になってしまう、そこで、その吸収係数を大き
くするためにはＸ線の波長は長い方が良いが、長い波長
はＸ線の全反射の臨界角を大きくする。したがって、た
とえば１０人前後の軟Ｘ線を用いると全反射を起こす斜
入角射角は１表面を金を用いて約６Ｘ１０−”ラジアン
になる。この程度の軟Ｘ線は空気に吸収されやすいため
ヘリウムや水素ガス等で光路を満たすか真空に抜いてし
まう必要がある。全反射を利用したＸ線光学装置として
は、たとえば、カークバトリック・バエズ型ミラーやウ
オルター型ミラーが知られている。とくにウォルターＩ
型ミラーは、非点収差や球面収差を補正し、また、Ｘ線
を単色化する必要がないので効率が高く、明るい像が得
られる。したがって、このミラーは、電子励起型のＸ線
源を用いたコンパクトなＸ線顕微鏡等に利用されるよう
になった。第２図は、ウォルター■型ミラーの中央断面
を示している。反射面は図の太線で示した部分２０９で
あり、回転双曲面２０１、 回転楕円面２０２より構成
されている。２０３．２０４は回転双曲面の焦点、２０
４、２０５は回転楕円面の焦点であり、これら焦点は、
光軸２０６を通る。回転双曲面２０１、回転楕円面２０
２は、この光軸２０６を回転中心とした回転体である。
線を用いて像を結像させることは困難であるが１回折を
利用したり、斜め入射を行って全反射をさせれば不可能
ではない、また、Ｘ線は、面に斜めに入射するとき、入
射光線と反射面との為す斜入射角がある値より小さくな
ると全反射をする。その角度は、波長の長い程または表
面物質の単位面積当りの質量の重い程大きい、また、Ｘ
線で小さい物体を見るときにはその吸収係数が小さいと
全部透明になってしまう、そこで、その吸収係数を大き
くするためにはＸ線の波長は長い方が良いが、長い波長
はＸ線の全反射の臨界角を大きくする。したがって、た
とえば１０人前後の軟Ｘ線を用いると全反射を起こす斜
入角射角は１表面を金を用いて約６Ｘ１０−”ラジアン
になる。この程度の軟Ｘ線は空気に吸収されやすいため
ヘリウムや水素ガス等で光路を満たすか真空に抜いてし
まう必要がある。全反射を利用したＸ線光学装置として
は、たとえば、カークバトリック・バエズ型ミラーやウ
オルター型ミラーが知られている。とくにウォルターＩ
型ミラーは、非点収差や球面収差を補正し、また、Ｘ線
を単色化する必要がないので効率が高く、明るい像が得
られる。したがって、このミラーは、電子励起型のＸ線
源を用いたコンパクトなＸ線顕微鏡等に利用されるよう
になった。第２図は、ウォルター■型ミラーの中央断面
を示している。反射面は図の太線で示した部分２０９で
あり、回転双曲面２０１、 回転楕円面２０２より構成
されている。２０３．２０４は回転双曲面の焦点、２０
４、２０５は回転楕円面の焦点であり、これら焦点は、
光軸２０６を通る。回転双曲面２０１、回転楕円面２０
２は、この光軸２０６を回転中心とした回転体である。
この光学装置を顕微鏡の拡大結像型として用いる場合は
、焦点２０３を含み光軸２０６に垂直な平面２０７（物
体平面）上にサンプルを置き、焦点２０５を含み光軸２
０６を垂直な平面２０８（像平面）上で拡大像を検出す
る。このサンプルより発生した（サンプルを透過した）
Ｘ線の一部は回転双曲面２０１、回転楕円面２０２でそ
れぞれ１回ずつ全反射して像平面２０８上で拡大結像す
る。尚、サンプルより発生して、または、（サンプルを
透過して）直接平面２０８（像平面）へ達するＸ線を遮
断するためストッパ２１０を設ける。また、２】１は、
結像に関与するＸ線の光路を示している。また、この光
学装置を顕微３Ｎ 鏡の縮少結像型として用いる場合は、平面２０８を物体
平面、平面２０７を像平面とすれば良い。すなわち、平
面２０８上にサンプルを置き、平面２０７上でノ４＼ 縮少像を検出する。
、焦点２０３を含み光軸２０６に垂直な平面２０７（物
体平面）上にサンプルを置き、焦点２０５を含み光軸２
０６を垂直な平面２０８（像平面）上で拡大像を検出す
る。このサンプルより発生した（サンプルを透過した）
Ｘ線の一部は回転双曲面２０１、回転楕円面２０２でそ
れぞれ１回ずつ全反射して像平面２０８上で拡大結像す
る。尚、サンプルより発生して、または、（サンプルを
透過して）直接平面２０８（像平面）へ達するＸ線を遮
断するためストッパ２１０を設ける。また、２】１は、
結像に関与するＸ線の光路を示している。また、この光
学装置を顕微３Ｎ 鏡の縮少結像型として用いる場合は、平面２０８を物体
平面、平面２０７を像平面とすれば良い。すなわち、平
面２０８上にサンプルを置き、平面２０７上でノ４＼ 縮少像を検出する。
このウォルター■型ミラーの分解能は使用波長、反射面
へのＸ線斜入射角、反射面の研磨精度の３つのパラメー
タで決定される。反射面の粗さがｈ〔人〕（山と谷の高
さの差）、斜入射角をθ［ｒａｄコとするとレイリーの
結像条件より、使用波長λ〔人〕は、 λ〉８ｈ −８ｉｎθ を満足する必要がある。従って短波長のＸ線を使用する
場合には、反射面の粗さｈを低減するか斜入射角θを小
さく設計する必要が生じる。なお、発明者は、たとえば
一つの回転楕円面と離心ネの異なる複数の回転双曲面を
組合せた反射面を有する一つの反射鏡を具備したＸ線結
像光学装置を開発したが、これは、ミラーの内径に対す
る物体平面、像平面間距離あるいは、ミラー・像平面間
距離の比率を小さく保ったまま斜入角を小さく設計でき
、しかも短波長のＸ線結像系が可能になる。
へのＸ線斜入射角、反射面の研磨精度の３つのパラメー
タで決定される。反射面の粗さがｈ〔人〕（山と谷の高
さの差）、斜入射角をθ［ｒａｄコとするとレイリーの
結像条件より、使用波長λ〔人〕は、 λ〉８ｈ −８ｉｎθ を満足する必要がある。従って短波長のＸ線を使用する
場合には、反射面の粗さｈを低減するか斜入射角θを小
さく設計する必要が生じる。なお、発明者は、たとえば
一つの回転楕円面と離心ネの異なる複数の回転双曲面を
組合せた反射面を有する一つの反射鏡を具備したＸ線結
像光学装置を開発したが、これは、ミラーの内径に対す
る物体平面、像平面間距離あるいは、ミラー・像平面間
距離の比率を小さく保ったまま斜入角を小さく設計でき
、しかも短波長のＸ線結像系が可能になる。
ところで、シリコン半導体基板などの試料に荷電粒子を
照射し、試料表面より発生するＸ線を検出することによ
って試料表面の微小領域の構成元素分析を行う手段とし
て、従来はＥＰＭＡ （ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｒｏｂｅ
Ｍｉｃｒｏ−＾ｎａｌｙｚｅｒ）を用いてきた。このＥ
ＰＭＡの装置構成は、第３図に示される。電子銃３０１
より放射する熱電子を５〜５０ｋＶで加速後、集束レン
ズ３０２と対物レンズ３０３で０．１〜１７ｍまで絞り
込み、試料３０４に照射する。試料３０４表面から発生
する特性Ｘ線をＸ線分光結晶３０５によって分光し、特
定の特性Ｘ線のみをＸ線検出器３０６で検出することに
より試料表面の構成元素の定性、定量分析を行う、試料
をＸ−Ｙステージ３０７によって２次元的に走査するこ
とにより、試料表面構成元素の２次元分布を示す画像を
形成することが出来る。
照射し、試料表面より発生するＸ線を検出することによ
って試料表面の微小領域の構成元素分析を行う手段とし
て、従来はＥＰＭＡ （ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｒｏｂｅ
Ｍｉｃｒｏ−＾ｎａｌｙｚｅｒ）を用いてきた。このＥ
ＰＭＡの装置構成は、第３図に示される。電子銃３０１
より放射する熱電子を５〜５０ｋＶで加速後、集束レン
ズ３０２と対物レンズ３０３で０．１〜１７ｍまで絞り
込み、試料３０４に照射する。試料３０４表面から発生
する特性Ｘ線をＸ線分光結晶３０５によって分光し、特
定の特性Ｘ線のみをＸ線検出器３０６で検出することに
より試料表面の構成元素の定性、定量分析を行う、試料
をＸ−Ｙステージ３０７によって２次元的に走査するこ
とにより、試料表面構成元素の２次元分布を示す画像を
形成することが出来る。
ＥＰＭＡの面内および深さ方向分解能は入射電子の試料
内での広がりに起因したＸ線の発生領域の広がりによっ
て決定される。入射電子のエネルギーをＥ ０（ｋｅｙ
） 、試料の励起エネルギー、密度、原子番号、原子量
をそれぞれＥｘ（ｋｅＶ）、ρ［ｇ／ｄ］、Ｚ、Ａ、と
すると特性Ｘ線の発生深さＲ８ｘ〔虜〕５面内広がりの
半径Ｒｓｖ［μｓ〕はそれぞれ、ただしγ＝０．１８７
２”” と記述される。つまり、入射電子をいくら細く絞り込ん
でもＸ線発生領域は上式で決定される広がりを持つ６例
えば、５ｉ（Ｅｚ＝１．７４ｋｅＶ、ｐ ＝２．３３ｇ
／ａ１． Ｚ＝１４、Ａ ＝ ２８．０８６）を試料と
して、電子の加速電圧Ｅ、を２０ｋＶとした場合、上式
に各数値を代入して、Ｒｓｘ＝３．４５４、Ｒｓ、＝１
．９８−となる。
内での広がりに起因したＸ線の発生領域の広がりによっ
て決定される。入射電子のエネルギーをＥ ０（ｋｅｙ
） 、試料の励起エネルギー、密度、原子番号、原子量
をそれぞれＥｘ（ｋｅＶ）、ρ［ｇ／ｄ］、Ｚ、Ａ、と
すると特性Ｘ線の発生深さＲ８ｘ〔虜〕５面内広がりの
半径Ｒｓｖ［μｓ〕はそれぞれ、ただしγ＝０．１８７
２”” と記述される。つまり、入射電子をいくら細く絞り込ん
でもＸ線発生領域は上式で決定される広がりを持つ６例
えば、５ｉ（Ｅｚ＝１．７４ｋｅＶ、ｐ ＝２．３３ｇ
／ａ１． Ｚ＝１４、Ａ ＝ ２８．０８６）を試料と
して、電子の加速電圧Ｅ、を２０ｋＶとした場合、上式
に各数値を代入して、Ｒｓｘ＝３．４５４、Ｒｓ、＝１
．９８−となる。
試料、加速電圧によって多少異なるものの、従来のＥＰ
ＭＡの面内および深さ方向分解能は１ｐ程度である。
ＭＡの面内および深さ方向分解能は１ｐ程度である。
（発明が解決しようとする課題）
前述のように従来のＥＰＭＡにあっては、試料の面内お
よび深さ方向の分解能はせいぜい１−程度である。この
種は入射電子の試料内での広がりに起因したＸ線の発生
領域の広がりによって決定されているため、これ以上の
分解能向上は原理的に不可能である。
よび深さ方向の分解能はせいぜい１−程度である。この
種は入射電子の試料内での広がりに起因したＸ線の発生
領域の広がりによって決定されているため、これ以上の
分解能向上は原理的に不可能である。
本発明は、上記事情によってなされたもので、従来のＥ
ＰＭＡより１桁以上高い面内分解能を有する微小領域構
成元素分析を行う表面分析装置を提供することを目的と
している。
ＰＭＡより１桁以上高い面内分解能を有する微小領域構
成元素分析を行う表面分析装置を提供することを目的と
している。
（１１題を解決するための手段）
本発明は、上記課題を解決するために、荷電粒子発生源
と、試料上の分析領域に該荷電粒子発生源より発生する
荷電粒子を均一に照射する荷電粒子照射手段と、この分
析領域より発生する特性Ｘ線の分布を拡大結像するＸ線
結像型光学素子と、このＸ線拡大結像型光学素子の像面
に位置するＸ線像検出手段とを備えたことを特徴とする
表面分析装置を提供する。なお、また上記記載の表面分
析装置において、位置分解能とエネルギー分解能のいず
れか一方あるいは両方を有するＸ線像検出手段を備えた
ことを特徴とする表面分析装置を用いる。
と、試料上の分析領域に該荷電粒子発生源より発生する
荷電粒子を均一に照射する荷電粒子照射手段と、この分
析領域より発生する特性Ｘ線の分布を拡大結像するＸ線
結像型光学素子と、このＸ線拡大結像型光学素子の像面
に位置するＸ線像検出手段とを備えたことを特徴とする
表面分析装置を提供する。なお、また上記記載の表面分
析装置において、位置分解能とエネルギー分解能のいず
れか一方あるいは両方を有するＸ線像検出手段を備えた
ことを特徴とする表面分析装置を用いる。
（作用）
本発明は、高分解能のＸ線拡大結像型光学素子を用いる
ことにより、入射電子の試料内部での広がりによる分解
能劣化から解放され、従来のＥＰＭＡより１桁以上高い
面内分解能を達成することができる。上記装置による表
面分析方法では、荷電粒子発生源より発生した荷電粒子
線を試料表面に照射して、該試料表面の該荷電粒子線照
射領域より発生した特性Ｘ線の分布を、Ｘ線拡大結像型
光学素子によ−クで拡大結像し、Ｘ線検出手段により該
拡大結像したＸ線像を検出することにより、試料表面の
構成元素分布を高空間分解能で得ることができる。
ことにより、入射電子の試料内部での広がりによる分解
能劣化から解放され、従来のＥＰＭＡより１桁以上高い
面内分解能を達成することができる。上記装置による表
面分析方法では、荷電粒子発生源より発生した荷電粒子
線を試料表面に照射して、該試料表面の該荷電粒子線照
射領域より発生した特性Ｘ線の分布を、Ｘ線拡大結像型
光学素子によ−クで拡大結像し、Ｘ線検出手段により該
拡大結像したＸ線像を検出することにより、試料表面の
構成元素分布を高空間分解能で得ることができる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の表面分析方法の実施例の装置構成図で
ある。電子銃１０１より放射する熱電子を５〜５０ｋＶ
で加速後、集束レンズ１０２で集束し、偏向器１０３に
て電子を偏向、対物レンズ１０４で１００゜〜１■まで
絞り、 Ｘ−Ｙステージ１０９に載置された試料１０
５に照射する。試料１０５には、たとえば、シリコン半
導体基板を用いる。 この電子照射は、Ｘ線光学系の視
野に相当する試料表面を励起する目的であるから、電子
の集束性は重要ではなくむしろ視野内を均一な強度で照
射することが望ましい、この電子照射領域より発生する
試料の特性Ｘ線の分布をＸ線拡大結像型光学素子１０６
によって２次元Ｘ線検出器１０７上に拡大結像する。Ｘ
線拡大結像型光学素子１０６としては色収差を生じない
全反射型ミラーを用いる。特にウォルター型ミラーは幾
何学的収差が小さいので有効である。２次元Ｘ線検出器
１０７としてマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）や
ＣＣＤを用いる場合はこれらの分解能が１０〜５０−程
度であるから、試料面上での分解能を０．１−以下にす
るためにはＸ線拡大結像型光学素子１０６の倍率を１０
０〜５００倍程度にする。
ある。電子銃１０１より放射する熱電子を５〜５０ｋＶ
で加速後、集束レンズ１０２で集束し、偏向器１０３に
て電子を偏向、対物レンズ１０４で１００゜〜１■まで
絞り、 Ｘ−Ｙステージ１０９に載置された試料１０
５に照射する。試料１０５には、たとえば、シリコン半
導体基板を用いる。 この電子照射は、Ｘ線光学系の視
野に相当する試料表面を励起する目的であるから、電子
の集束性は重要ではなくむしろ視野内を均一な強度で照
射することが望ましい、この電子照射領域より発生する
試料の特性Ｘ線の分布をＸ線拡大結像型光学素子１０６
によって２次元Ｘ線検出器１０７上に拡大結像する。Ｘ
線拡大結像型光学素子１０６としては色収差を生じない
全反射型ミラーを用いる。特にウォルター型ミラーは幾
何学的収差が小さいので有効である。２次元Ｘ線検出器
１０７としてマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）や
ＣＣＤを用いる場合はこれらの分解能が１０〜５０−程
度であるから、試料面上での分解能を０．１−以下にす
るためにはＸ線拡大結像型光学素子１０６の倍率を１０
０〜５００倍程度にする。
また５分解能が１ａｍ以下の検出器なら、Ｘ線拡大結像
型光学素子１０６の倍率は１０〜２０倍でよい。
型光学素子１０６の倍率は１０〜２０倍でよい。
この検出器およびＭＣＰやＣＣＤにはエネルギー分解能
がないので、Ｘ線の光路上にフィルター１０８を挿入す
る。例えば、シリコン（Ｓｉ）基板上のアルミニウム（
＾幻を観察したい場合にはフィルター１０８としてＳｉ
薄膜を用いる。Ｓｉに対するＳｉ−にα線とＡＱ−にα
線の吸収係数差が非常に大きいため、高コントラストの
検出像が得られる。また、両者の励起エネルギーの差が
大きい場合には、電子の加速電圧を両者の励起エネルギ
ーの間に設定することによって高コントラストの拡大像
が得られる。シリコン（Ｓｉ）基板上の炭素（Ｃ）を観
察したい場合、Ｓｉ、 Ｃの励起エネルギーはそれぞれ
１．７４ｋｅＶ、０．２７７ｋｅＶであるから、電子の
加速電圧をその中間の１ｋｅＶとすればＣのみが励起さ
れる。連続Ｘ線をカットする、たとえば、長波長用に炭
素フィルムのような、 フィルター１０８を挿入するこ
とによりコントラストを向上させる。
がないので、Ｘ線の光路上にフィルター１０８を挿入す
る。例えば、シリコン（Ｓｉ）基板上のアルミニウム（
＾幻を観察したい場合にはフィルター１０８としてＳｉ
薄膜を用いる。Ｓｉに対するＳｉ−にα線とＡＱ−にα
線の吸収係数差が非常に大きいため、高コントラストの
検出像が得られる。また、両者の励起エネルギーの差が
大きい場合には、電子の加速電圧を両者の励起エネルギ
ーの間に設定することによって高コントラストの拡大像
が得られる。シリコン（Ｓｉ）基板上の炭素（Ｃ）を観
察したい場合、Ｓｉ、 Ｃの励起エネルギーはそれぞれ
１．７４ｋｅＶ、０．２７７ｋｅＶであるから、電子の
加速電圧をその中間の１ｋｅＶとすればＣのみが励起さ
れる。連続Ｘ線をカットする、たとえば、長波長用に炭
素フィルムのような、 フィルター１０８を挿入するこ
とによりコントラストを向上させる。
この装置構成の場合、従来のＥＰＭＡと同じく入射電子
が試料中で散乱して広がるものの、発生するＸ線はＸ線
拡大結像型光学素子１０６によって拡大結像されるため
面内の分解能はＸ線拡大結像型光学素子１０６の結像特
性によって決定される。
が試料中で散乱して広がるものの、発生するＸ線はＸ線
拡大結像型光学素子１０６によって拡大結像されるため
面内の分解能はＸ線拡大結像型光学素子１０６の結像特
性によって決定される。
この光学素子１０６には、試料１０５より発生して直接
検出器１０７へ達するＸ線を遮蔽するためのストッパ１
１０が配置されている。 その材料にはたとえば、銅板
が用いられ、Ｘ線が長波長ならアルミニウム板を用いる
。
検出器１０７へ達するＸ線を遮蔽するためのストッパ１
１０が配置されている。 その材料にはたとえば、銅板
が用いられ、Ｘ線が長波長ならアルミニウム板を用いる
。
前述のように１本発明は、高分解能のＸ線拡大結像型光
学素子を用いることにより、入射電子の試料内部での広
がりによる分解能劣化の影響を無くす事が出来るので、
従来のＥＰＭＡ装置より１桁以上高い面内分解能を有す
る表面分析装置を得ることができる。
学素子を用いることにより、入射電子の試料内部での広
がりによる分解能劣化の影響を無くす事が出来るので、
従来のＥＰＭＡ装置より１桁以上高い面内分解能を有す
る表面分析装置を得ることができる。
第１図は１本発明の一実施例における表面分析装置の概
略断面図、第２図は、ウォルター■型ミラーを用いたＸ
線拡大結像型光学素子の概略断面図、第３図は、従来の
表面分析装置に使われるＥＰＭＡ装置の概略断面図であ
る。 １０１・・・電子銃、１０２・・・集束レンズ。 １０３・・・偏向器、 １０４・・・対物レ
ンズ。 １０５・・・試料、 １０６・・・Ｘ線拡大結像型光学素子、１０７・・・２
次元Ｘ線検出器、１０８・・・フィルター１０９・・・
Ｘ−Ｙステージ、 ２０１・・・回転双曲面、２０２
・・・回転楕円面、 ２０３、２０４・・・回転双曲面の焦点、２０４、２０
５・・・回転楕円面の焦点、２０６・・・光軸、 ２０８・・・像平面、 ２１０・・・ストッパ、 ３０１・・・電子銃、 ３０３・・・対物レンズ、 ３０５・・・Ｘ線分光結晶、 ３０７・・・Ｘ−Ｙステージ。 ２０７・・・物体平面、 ２０９・・・反射面、 ２１１・・・光路、 ３０２・・・集光レンズ、 ３０４・・・試料、 ３０６・・・Ｘ線検出器、 （８７３３）代理人 弁理士 猪股祥晃 （ほか１名） 第 図
略断面図、第２図は、ウォルター■型ミラーを用いたＸ
線拡大結像型光学素子の概略断面図、第３図は、従来の
表面分析装置に使われるＥＰＭＡ装置の概略断面図であ
る。 １０１・・・電子銃、１０２・・・集束レンズ。 １０３・・・偏向器、 １０４・・・対物レ
ンズ。 １０５・・・試料、 １０６・・・Ｘ線拡大結像型光学素子、１０７・・・２
次元Ｘ線検出器、１０８・・・フィルター１０９・・・
Ｘ−Ｙステージ、 ２０１・・・回転双曲面、２０２
・・・回転楕円面、 ２０３、２０４・・・回転双曲面の焦点、２０４、２０
５・・・回転楕円面の焦点、２０６・・・光軸、 ２０８・・・像平面、 ２１０・・・ストッパ、 ３０１・・・電子銃、 ３０３・・・対物レンズ、 ３０５・・・Ｘ線分光結晶、 ３０７・・・Ｘ−Ｙステージ。 ２０７・・・物体平面、 ２０９・・・反射面、 ２１１・・・光路、 ３０２・・・集光レンズ、 ３０４・・・試料、 ３０６・・・Ｘ線検出器、 （８７３３）代理人 弁理士 猪股祥晃 （ほか１名） 第 図
Claims (1)
- 荷電粒子発生源と、試料上の分析領域に前記荷電粒子
発生源より発生する荷電粒子を均一に照射する荷電粒子
照射手段と、この分析領域より発生する特性Ｘ線の分布
を拡大結像するＸ線拡大結像型光学素子と、このＸ線拡
大結像型光学素子の像面に位置するＸ線像検出手段とを
具備したことを特徴とする表面分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11772790A JPH0445552A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11772790A JPH0445552A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 表面分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445552A true JPH0445552A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=14718794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11772790A Pending JPH0445552A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132743A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Olympus Corp | 校正機能を有する赤外顕微鏡及び赤外顕微鏡の校正方法 |
| JP2008119623A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Ok Engineering:Kk | ループ流式バブル発生ノズル |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP11772790A patent/JPH0445552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132743A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Olympus Corp | 校正機能を有する赤外顕微鏡及び赤外顕微鏡の校正方法 |
| JP2008119623A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Ok Engineering:Kk | ループ流式バブル発生ノズル |
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