JPH0445526A - Ｆｉｂ装置 - Google Patents
Ｆｉｂ装置Info
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- JPH0445526A JPH0445526A JP2154696A JP15469690A JPH0445526A JP H0445526 A JPH0445526 A JP H0445526A JP 2154696 A JP2154696 A JP 2154696A JP 15469690 A JP15469690 A JP 15469690A JP H0445526 A JPH0445526 A JP H0445526A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract description 5
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路等の故障解析装置、特に２系統のビー
ムにより加工とその加工の観察を行うようにしたＦＩＢ
装置に関する。
ムにより加工とその加工の観察を行うようにしたＦＩＢ
装置に関する。
ＦＩＢ装置は、半導体プロセス終了後のウニＡや集積回
路チップの保護膜への穴あけ、配線の切断接続、パッド
の形成および断面の加工等が可能である。
路チップの保護膜への穴あけ、配線の切断接続、パッド
の形成および断面の加工等が可能である。
例えば、断面の加工の際には、第２図に示すように、ま
ず、イオン源１からのビーム８のビーム径を決める可動
絞り４の径を大きくし、数ｎＡ流してエツチングレート
の高い状態で試料台１９上の試料２０の所定のエツチン
グ領域２１を荒掘りする。
ず、イオン源１からのビーム８のビーム径を決める可動
絞り４の径を大きくし、数ｎＡ流してエツチングレート
の高い状態で試料台１９上の試料２０の所定のエツチン
グ領域２１を荒掘りする。
次に可動絞り４の径を絞り、ビーム電流を数百ＰＡにし
、エツチングレートを落として断面が平坦になるまでエ
ツチングするが、可動絞り４を切換えると、非点がずれ
るので、ステイグメータ５を調節して非点補正が必要で
ある。尚、第２において、２は電流モニタ、３はレンズ
、６はレンズ、７は走査電極である。
、エツチングレートを落として断面が平坦になるまでエ
ツチングするが、可動絞り４を切換えると、非点がずれ
るので、ステイグメータ５を調節して非点補正が必要で
ある。尚、第２において、２は電流モニタ、３はレンズ
、６はレンズ、７は走査電極である。
一方、断面の加工が終わり、第３図に示すように、断面
を観察するためには、断面にビーム８が当たるように試
料台１９を所定の角度だけ傾けなければならない、実際
に断面形状を観察する場合には、分解能をよくするなめ
に可動絞り４を最小にしてビーム電流を数ｐＡにしてい
る。このときも可動絞り４を切換えるので非点がずれ、
ステイグメータ５を調節して非点補正をしなければなら
ない、最後に、断面の観察をして一連の操作は終わりと
なる。
を観察するためには、断面にビーム８が当たるように試
料台１９を所定の角度だけ傾けなければならない、実際
に断面形状を観察する場合には、分解能をよくするなめ
に可動絞り４を最小にしてビーム電流を数ｐＡにしてい
る。このときも可動絞り４を切換えるので非点がずれ、
ステイグメータ５を調節して非点補正をしなければなら
ない、最後に、断面の観察をして一連の操作は終わりと
なる。
上述した従来のＦＩＢ装置では、断面を観察する場合に
は、所定の断面加工を実施した後、試料台１９を所定の
角度傾けなければならないどう欠点がある。
は、所定の断面加工を実施した後、試料台１９を所定の
角度傾けなければならないどう欠点がある。
その上、実際に断面を観察するときにはビーム電流を数
ＰＡにするため、可動絞り４を切換える必要があり、非
点がずれるので、ステイグメータ５を調節して非点補正
をしなければならないという欠点がある。
ＰＡにするため、可動絞り４を切換える必要があり、非
点がずれるので、ステイグメータ５を調節して非点補正
をしなければならないという欠点がある。
また、実際に断面の観察をして断面の加工が不充分であ
ることが判明した場合には、断面の加工を追加するなめ
に試料台１９をもとの角度に戻さなければならない６次
に可動絞り４を切換えてビーム電流を数百１）Ａにして
非点補正を行った後、追加のエツチングを所定の時間実
施しなければならない、そして、再度断面の観察を行う
が、この場合も試料台１９を所定の角度傾け、可動絞り
４を切換え、ビーム１流を数ｐＡに設定して非点補正を
行ない、断面の観察を行うという操作を繰返さなければ
ならない。
ることが判明した場合には、断面の加工を追加するなめ
に試料台１９をもとの角度に戻さなければならない６次
に可動絞り４を切換えてビーム電流を数百１）Ａにして
非点補正を行った後、追加のエツチングを所定の時間実
施しなければならない、そして、再度断面の観察を行う
が、この場合も試料台１９を所定の角度傾け、可動絞り
４を切換え、ビーム１流を数ｐＡに設定して非点補正を
行ない、断面の観察を行うという操作を繰返さなければ
ならない。
また、同一試料で複数箇所、断面の観察を実施゛する場
合は、同様の操作を何度も繰返すことになる。
合は、同様の操作を何度も繰返すことになる。
本発明の目的は試着台を固定状態のままで断面加工、ｉ
面観察を行うことにより、従来の問題点を解決したＦＩ
Ｂ装置を提供することにある。
面観察を行うことにより、従来の問題点を解決したＦＩ
Ｂ装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るＦＩＢ装置にお
いては、加工装置と、断面形状観察装置とを有するＦＩ
Ｂ装置であって、 加工装置は、イオン源がらのビームレンズ系を介して試
料に照射することにより、半導体プロセス終了後のウェ
ハや集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切ＩＨ
接続、パッドの形成、断面の加工等を行うものであり、 断面形状観察装置は、前記加工装置のイオン源とは別個
独立のイオン源からのビームをレンズ系を介して試料に
照射することにより、試料上に加工された断面形状を観
察するものであり、前記加工装置と断面形状観察装置と
は、一の試料に対するビームの照射方向を興ならせて別
個独立に設置させたものである。
いては、加工装置と、断面形状観察装置とを有するＦＩ
Ｂ装置であって、 加工装置は、イオン源がらのビームレンズ系を介して試
料に照射することにより、半導体プロセス終了後のウェ
ハや集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切ＩＨ
接続、パッドの形成、断面の加工等を行うものであり、 断面形状観察装置は、前記加工装置のイオン源とは別個
独立のイオン源からのビームをレンズ系を介して試料に
照射することにより、試料上に加工された断面形状を観
察するものであり、前記加工装置と断面形状観察装置と
は、一の試料に対するビームの照射方向を興ならせて別
個独立に設置させたものである。
上述した従来のＦＩＢ装置は、半導体プロセス終了後の
ウェハや集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切
！７Ｆ接続、パッドの形成、断面の加工、および形状観
察が可能である、イオン源１、レンズ３，６、ステイグ
メータ５、走査電極７およびｔ流モニタ２等から構成さ
れる装置が一組しか装備されていないのに対し、本発明
は従来の装置の他に断面形状観察専用の数ρＡのビーム
電流を発生させることが可能な独立したイオン源１１、
レンズ１３．１６、ステイグメータ１５、走査な極１７
および電流モニタ１２等から構成される装置を装備して
いるという相違点を有する。これらの２系統の装置を選
択して使用することにより、断面加工と、断面形状観察
とを、試料台を固定状態のままで行つ。
ウェハや集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切
！７Ｆ接続、パッドの形成、断面の加工、および形状観
察が可能である、イオン源１、レンズ３，６、ステイグ
メータ５、走査電極７およびｔ流モニタ２等から構成さ
れる装置が一組しか装備されていないのに対し、本発明
は従来の装置の他に断面形状観察専用の数ρＡのビーム
電流を発生させることが可能な独立したイオン源１１、
レンズ１３．１６、ステイグメータ１５、走査な極１７
および電流モニタ１２等から構成される装置を装備して
いるという相違点を有する。これらの２系統の装置を選
択して使用することにより、断面加工と、断面形状観察
とを、試料台を固定状態のままで行つ。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
図において、本発明は、半導体プロセス終了後のウェハ
や集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切断接続
、パッドの形成、断面の加工、形状観察等が可能な加工
装置Ａと、試料上に加工された断面形状を観察する断面
形状観察装置Ｂとを別個独立に同一装置内に装備したも
のである。
や集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切断接続
、パッドの形成、断面の加工、形状観察等が可能な加工
装置Ａと、試料上に加工された断面形状を観察する断面
形状観察装置Ｂとを別個独立に同一装置内に装備したも
のである。
図において、加工装ＷＡは次のとおり構成されている、
すなわち、試料台１９上の試料２０の上方位置に、加工
用のイオン源１を下向きに設置し、イオン源１から試料
２０に至る光路上に電流モニタ２、レンズ３、可動絞り
４、ステイグメータ５、レンズ７、走査電極７を順に配
設する。
すなわち、試料台１９上の試料２０の上方位置に、加工
用のイオン源１を下向きに設置し、イオン源１から試料
２０に至る光路上に電流モニタ２、レンズ３、可動絞り
４、ステイグメータ５、レンズ７、走査電極７を順に配
設する。
一方、断面形状観察装置Ｂは次のとおり構成される。す
なわち、試料台１９上の試料２０に加工されるエツチン
グ領域２１に対し斜め上方位置に、断面形状観察用イオ
ン源１１を斜めに傾けて設置し、イオン源１１から試料
２０に至る斜めの光路上に電流モニタ２、レンズ１３、
較り１４、ステイグメータ１５、レンズ１６、走査を極
１７を順に配設する。
なわち、試料台１９上の試料２０に加工されるエツチン
グ領域２１に対し斜め上方位置に、断面形状観察用イオ
ン源１１を斜めに傾けて設置し、イオン源１１から試料
２０に至る斜めの光路上に電流モニタ２、レンズ１３、
較り１４、ステイグメータ１５、レンズ１６、走査を極
１７を順に配設する。
実施例において、断面加工用のイオン源１から出射され
るビーム電流が数ｎＡ流れるように可動絞り４を設定し
、二つのレンズ３．６を通過したビーム８が試料２０の
所定のエツチング領域２１に照射されるようにステイグ
メータ５を調節して所車の時間荒掘りをする。
るビーム電流が数ｎＡ流れるように可動絞り４を設定し
、二つのレンズ３．６を通過したビーム８が試料２０の
所定のエツチング領域２１に照射されるようにステイグ
メータ５を調節して所車の時間荒掘りをする。
次に、ビーム電流が数百ρＡ流れるよう可動絞り４を切
換え、二つのレンズ３．６を通過したビーム８が試料の
所定の領域２１に照射されるようにステイグメータ５を
調節して断面加工が終了するまでエツチングする。
換え、二つのレンズ３．６を通過したビーム８が試料の
所定の領域２１に照射されるようにステイグメータ５を
調節して断面加工が終了するまでエツチングする。
断面形状を観察する際には、断面形状観察専用の装置に
切換えて、ビーム電流が数ｐＡ流れるように絞り１４を
あらかじめ設定しておき、イオン源１１から出射され二
つのレンズ１３．１６を通過したビーム１８が試料の断
面に照射されるようステイグメータ５を調節して断面の
観察を行なう。
切換えて、ビーム電流が数ｐＡ流れるように絞り１４を
あらかじめ設定しておき、イオン源１１から出射され二
つのレンズ１３．１６を通過したビーム１８が試料の断
面に照射されるようステイグメータ５を調節して断面の
観察を行なう。
以上説明したように、本発明は半導体プロセス終了後の
ウェハや集積回路チップの保護膜への穴あけ配線の切断
接続、パッドの形成および断面の加工が可能である加工
装置と、断面形状観察専用の独立した装置を同一装置内
に装備しているので、従来のように断面の観察の際、試
料台を傾ける必要がなくなるという効果がある。その上
、ビーム電流設定用の絞りを切換えなくてもよいので、
度ステイグメータの調節をして非点の補正をしておけば
、その後は非点の補正をする必要がなくなＪという効果
がある。
ウェハや集積回路チップの保護膜への穴あけ配線の切断
接続、パッドの形成および断面の加工が可能である加工
装置と、断面形状観察専用の独立した装置を同一装置内
に装備しているので、従来のように断面の観察の際、試
料台を傾ける必要がなくなるという効果がある。その上
、ビーム電流設定用の絞りを切換えなくてもよいので、
度ステイグメータの調節をして非点の補正をしておけば
、その後は非点の補正をする必要がなくなＪという効果
がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
装置の断面加工時を示す断面図、第３図は従来装置の断
面形状観察時を示す断面図である。 Ａ・・・加工装置 Ｂ・・・断面形状観察装
置１．１１・・・イオン源 ２．１２・・・電流モ
ニタ３．１３・・・レンズ ４・・・可動絞り１
４・・・絞り ５１５・・・ステイグメータ ６．１６・・・レンズ ７．１７・・・走査Ｉ＆
極８．１８・・・ビーム １９・・・試料台２０
・・・試料 ２１・・・エツチング領域特
許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中１１／−−−イオ乙原 ２、ｔ２−（ｊな、モニタ ３．１３− しンス ４−−戸１１１り校ソ／４ ５．１５−−− ステイグメ−タ 乙、ん−−−レンズ′ Ｚ／７− 迭倉（＠！ ζｌδ−ど−ム ／ターーー ５．イ子台 ２０−−− 瓢科 ２／−工、チング４Ｒ瓜 第 ２・−ｔがし亡二り 第 図 第 図
装置の断面加工時を示す断面図、第３図は従来装置の断
面形状観察時を示す断面図である。 Ａ・・・加工装置 Ｂ・・・断面形状観察装
置１．１１・・・イオン源 ２．１２・・・電流モ
ニタ３．１３・・・レンズ ４・・・可動絞り１
４・・・絞り ５１５・・・ステイグメータ ６．１６・・・レンズ ７．１７・・・走査Ｉ＆
極８．１８・・・ビーム １９・・・試料台２０
・・・試料 ２１・・・エツチング領域特
許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中１１／−−−イオ乙原 ２、ｔ２−（ｊな、モニタ ３．１３− しンス ４−−戸１１１り校ソ／４ ５．１５−−− ステイグメ−タ 乙、ん−−−レンズ′ Ｚ／７− 迭倉（＠！ ζｌδ−ど−ム ／ターーー ５．イ子台 ２０−−− 瓢科 ２／−工、チング４Ｒ瓜 第 ２・−ｔがし亡二り 第 図 第 図
Claims (1)
- （１）加工装置と、断面形状観察装置とを有するＦＩＢ
装置であって、 加工装置は、イオン源からのビームレンズ系を介して試
料に照射することにより、半導体プロセス終了後のウェ
ハや集積回路チップの保護膜への穴あけ、配線の切断接
続、パッドの形成、断面の加工等を行うものであり、 断面形状観察装置は、前記加工装置のイオン源とは別個
独立のイオン源からのビームをレンズ系を介して試料に
照射することにより、試料上に加工された断面形状を観
察するものであり、 前記加工装置と断面形状観察装置とは、一の試料に対す
るビームの照射方向を異ならせて別個独立に設置させた
ものであることを特徴とするＦＩＢ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154696A JPH0445526A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Ｆｉｂ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154696A JPH0445526A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Ｆｉｂ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445526A true JPH0445526A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15589949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154696A Pending JPH0445526A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Ｆｉｂ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020151A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| JP2011054497A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sii Nanotechnology Inc | 断面加工観察方法および装置 |
| JP2014239060A (ja) * | 2014-08-06 | 2014-12-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法 |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154696A patent/JPH0445526A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020151A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| JP5410975B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2014-02-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法 |
| JP2015043343A (ja) * | 2007-08-08 | 2015-03-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合集束イオンビーム装置 |
| JP2011054497A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sii Nanotechnology Inc | 断面加工観察方法および装置 |
| JP2014239060A (ja) * | 2014-08-06 | 2014-12-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法 |
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