JPH0442933Y2 - - Google Patents
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- JPH0442933Y2 JPH0442933Y2 JP1986066635U JP6663586U JPH0442933Y2 JP H0442933 Y2 JPH0442933 Y2 JP H0442933Y2 JP 1986066635 U JP1986066635 U JP 1986066635U JP 6663586 U JP6663586 U JP 6663586U JP H0442933 Y2 JPH0442933 Y2 JP H0442933Y2
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- JP
- Japan
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- glass sleeve
- electrode
- end surface
- glass
- electrodes
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案はリードレス型のダイオードに関す
る。[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field This invention relates to a leadless diode.
従来の技術
最近の、プリント基板での電子部品の高密度実
装化の要求に従い、電子部品は部品本体からリー
ド線を省略したリードレス型のものが多用される
傾向にある。リードレス型のダイオードとして
は、ガラススリーブでダイオードの半導体ペレツ
トを挾んだ一対の電極を封着したものが一般的で
あり、その具体的一例を第7図を参照して次に説
明する。2. Description of the Related Art In accordance with the recent demand for high-density mounting of electronic components on printed circuit boards, there is a tendency for leadless electronic components, in which lead wires are omitted from the component body, to be frequently used. A typical leadless type diode is one in which a pair of electrodes sandwiching a semiconductor pellet of the diode are sealed with a glass sleeve, and a specific example thereof will be described below with reference to FIG.
第7図のダイオード1において、2は半導体ペ
レツト、3,4は半導体ペレツト2を挾持する一
対の電極、5は電極3,4の外周に溶着されて半
導体ペレツト2を気密封止するガラススリーブで
ある。一対の電極3,4は、鉄ニツケル線を被覆
した鋼層にボレーシヨン層を形成したジユメツト
線を所定の長さに切断したもので、各々は円柱部
3a,4aと、その一端部を圧潰により大径に形
成した頭部3b,4bより成り、円柱部3a,4
aの端面で半導体ペレツト2を挾持して、円柱部
3a,4aの外周にガラススリーブ5が溶着され
る。 In the diode 1 shown in FIG. 7, 2 is a semiconductor pellet, 3 and 4 are a pair of electrodes that sandwich the semiconductor pellet 2, and 5 is a glass sleeve that is welded to the outer periphery of the electrodes 3 and 4 to hermetically seal the semiconductor pellet 2. be. The pair of electrodes 3 and 4 are made by cutting a wire made of a steel layer coated with an iron-nickel wire and forming a volition layer into a predetermined length. It consists of heads 3b, 4b formed with a large diameter, and cylindrical parts 3a, 4.
A glass sleeve 5 is welded to the outer periphery of the cylindrical portions 3a, 4a while holding the semiconductor pellet 2 between the end faces of the cylindrical portions 3a and 4a.
このようなダイオード1は、例えば第8図に示
すような治具6〜8を使つて、次のように製造さ
れる。治具6〜8は例えばステンレス製で、下治
具6、中間治具7、上治具8で構成され、下治具
6は上面にダイオード1の一方の電極4をその頭
部4bを下にして収納保持する凹部9を有し、中
間治具7は前記凹部9と対向する部分にガラスス
リーブ5を収納保持する穴10を有し、凹部9に
電極4を供給してから、穴10より電極4の頭部
4b上にガラススリーブ5が供給され、ガラスス
リーブ5内に半導体ペレツト2と他方の電極3の
円柱部3aが挿入される。上治具8は下面にガラ
ススリーブ5から突出する電極3の頭部3bを収
納保持する凹部11と、この凹部11の天面を貫
通するガイド穴12を有し、ガイド穴12に挿入
された重り13が電極3上に載置され、電極3を
半導体ペレツト2に所定の荷重で押し付ける。こ
の第8図の状態で全体を加熱し、ガラススリーブ
5を上下の電極3,4の円柱部3a,4aの外周
面に溶着して、第7図のダイオード1が製造され
る。 Such a diode 1 is manufactured as follows using, for example, jigs 6 to 8 as shown in FIG. The jigs 6 to 8 are made of stainless steel, for example, and are composed of a lower jig 6, an intermediate jig 7, and an upper jig 8. The intermediate jig 7 has a hole 10 for storing and holding the glass sleeve 5 in a portion facing the recess 9. After supplying the electrode 4 to the recess 9, the intermediate jig 7 has a hole 10 for storing and holding the glass sleeve 5. A glass sleeve 5 is then supplied onto the head 4b of the electrode 4, and the semiconductor pellet 2 and the cylindrical portion 3a of the other electrode 3 are inserted into the glass sleeve 5. The upper jig 8 has a recess 11 on the lower surface for storing and holding the head 3b of the electrode 3 protruding from the glass sleeve 5, and a guide hole 12 passing through the top surface of the recess 11. A weight 13 is placed on the electrode 3 and presses the electrode 3 against the semiconductor pellet 2 with a predetermined load. The diode 1 shown in FIG. 7 is manufactured by heating the whole in the state shown in FIG. 8 and welding the glass sleeve 5 to the outer peripheral surfaces of the cylindrical parts 3a, 4a of the upper and lower electrodes 3, 4.
考案が解決しようとする問題点
上記ダイオード1はガラススリーブ5が電極
3,4の円柱部3a,4aの外周面に溶着する時
に、ガラススリーブ5の端面が電極3,4の頭部
3b,4bに接触して固着することがある。この
ように、ガラススリーブ5端面と電極頭部3b,
4bの端面とが固着した場合、ガラススリーブ5
と電極3,4の熱膨張係数の差でもつて、封着後
の冷却時にガラススリーブ5の端面部で直径方向
に応力が発生し、この応力でガラススリーブ5の
端面部分にクラツクが入り、気密が損なわれるこ
とがあつた。Problems to be Solved by the Invention In the diode 1, when the glass sleeve 5 is welded to the outer peripheral surface of the cylindrical portions 3a, 4a of the electrodes 3, 4, the end surface of the glass sleeve 5 is It may come in contact with and stick to the surface. In this way, the end surface of the glass sleeve 5 and the electrode head 3b,
If the end surface of glass sleeve 5 is stuck,
Due to the difference in coefficient of thermal expansion between the electrodes 3 and 4, stress is generated in the diametrical direction at the end surface of the glass sleeve 5 during cooling after sealing, and this stress causes cracks in the end surface of the glass sleeve 5, resulting in airtightness. was sometimes damaged.
そこで、ガラススリーブ5の封着時に、ガラス
スリーブ5の端面と電極3,4の頭部3b,4b
との間に隙間を設けて、ガラススリーブ5が電極
頭部3b,4bに直接的に接触しないようにして
いるが、これは実際問題として実行が難しく、特
に封着時における下部の電極4上にガラススリー
ブ5が載置される関係から、下部の電極4の頭部
4bにガラススリーブ5が強固に接着して、ガラ
ススリーブ5の下部端面部分でのクラツク発生率
が高く、これがダイオードの製造歩留り、信頼性
の改善を難しくしている。 Therefore, when sealing the glass sleeve 5, the end surface of the glass sleeve 5 and the heads 3b, 4b of the electrodes 3, 4
Although a gap is provided between the glass sleeve 5 and the electrode heads 3b and 4b to prevent the glass sleeve 5 from coming into direct contact with the electrode heads 3b and 4b, this is difficult to implement in practice. Since the glass sleeve 5 is placed on the top 4b of the lower electrode 4, the glass sleeve 5 adheres firmly to the head 4b of the lower electrode 4, resulting in a high crack occurrence rate at the lower end surface of the glass sleeve 5. This makes it difficult to improve yield and reliability.
また、頭部を有さない柱状電極であつても、電
極端面には半田層による外部電極を形成するた
め、外部電極形成後、熱が加わつた場合、半田層
とガラススリーブの熱膨脹係数の差でもつて冷却
時にガラススリーブの端面部で直径方向に応力が
発生し、この応力でガラススリーブの端面部分に
クラツクが入り気密性が損なわれることがある。 In addition, even if the columnar electrode does not have a head, an external electrode is formed by a solder layer on the electrode end surface, so if heat is applied after the external electrode is formed, the difference in thermal expansion coefficient between the solder layer and the glass sleeve As a result, stress is generated in the diametrical direction at the end surface of the glass sleeve during cooling, and this stress may cause cracks in the end surface of the glass sleeve, impairing airtightness.
それ故に、本考案の目的は、ガラススリーブ端
面部分でのクラツク発生を少なくした歩留り、信
頼性の良いリードレス型ダイオードを提供するに
ある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a leadless diode with good yield and reliability in which the occurrence of cracks at the end face portion of a glass sleeve is reduced.
問題点を解決するための手段
本考案は、ガラススリーブ内に半導体ペレツト
を挾んで収納された一対の柱状電極の外周に前記
ガラススリーブを固着すると共に、前記ガラスス
リーブの端面に樹脂からなるガラスとの濡れ性に
劣る中間層を形成し、この中間層上と前記電極の
ガラススリーブより露呈する端面上に導電層を被
着形成したことを特徴とするダイオードにて、上
記目的を達成するようにしたものである。Means for Solving the Problems The present invention fixes the glass sleeve to the outer periphery of a pair of columnar electrodes that sandwich a semiconductor pellet in the glass sleeve, and also attaches a glass made of resin to the end surface of the glass sleeve. The above object is achieved by a diode characterized in that an intermediate layer having poor wettability is formed, and a conductive layer is formed on the intermediate layer and on the end surface of the electrode exposed from the glass sleeve. This is what I did.
作 用
一対の電極の外周に封着されたガラススリーブ
の端面にガラスとの濡れ性に劣る中間層を形成し
て、その上に外部引出し電極としての導電層を形
成した構造は、導電層を銅や半田などで多層に形
成しても、中間層が導電層とガラススリーブ端面
との固着を防げて、ガラススリーブ端面部分のク
ラツク発生を防止する。Function A structure in which an intermediate layer with poor wettability with glass is formed on the end face of a glass sleeve sealed around the outer periphery of a pair of electrodes, and a conductive layer as an external extraction electrode is formed on top of the intermediate layer. Even when multi-layered with copper, solder, etc., the intermediate layer prevents the conductive layer from adhering to the end surface of the glass sleeve, thereby preventing the occurrence of cracks at the end surface of the glass sleeve.
実施例
以下、本考案の一実施例を第1図乃至第6図を
参照して説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 6.
第1図は本考案実施例のダイオード14の断面
図、第2図はその側面図で、同図において、15
はダイオードの半導体ペレツト、16,17は半
導体ペレツト15を挾持する円柱状の一対の電
極、18は電極16,17の外周面に溶着された
ガラススリーブである。19,19はガラススリ
ーブ18の両端面に被着形成された樹脂からなる
ガラスとの濡れ性に劣る中間層、20,20はガ
ラススリーブ18両端の中間層19,19上と、
ガラススリーブ18より露呈する電極16,17
の端面とに被着形成された銅などの導電層であ
る。21,21は導電層20,20上にメツキ法
や蒸着法等で被着形成された半田層で、外部電極
として使用される。 FIG. 1 is a cross-sectional view of the diode 14 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view thereof.
1 is a semiconductor pellet of a diode, 16 and 17 are a pair of cylindrical electrodes that sandwich the semiconductor pellet 15, and 18 is a glass sleeve welded to the outer peripheral surfaces of the electrodes 16 and 17. Reference numerals 19 and 19 indicate an intermediate layer made of resin that is formed on both end surfaces of the glass sleeve 18 and has poor wettability with glass; 20 and 20 indicate intermediate layers 19 and 19 on both ends of the glass sleeve 18;
Electrodes 16 and 17 exposed from glass sleeve 18
A conductive layer of copper or the like is deposited on the end faces of the 21, 21 are solder layers formed on the conductive layers 20, 20 by a plating method, a vapor deposition method, etc., and are used as external electrodes.
一対の電極16,17は同一長さのジユメツト
線で、この両者はガラススリーブ18の両端より
少し内側に入つた位置でガラススリーブ18に固
着される。ガラススリーブ18による封着は、例
えば第6図に示すようなステンレス製の下治具2
2,中間治具23、上治具24、及び重り25を
使つて次のように行われる。下治具22はフラツ
トな上面に電極16,17より小径の凸部26を
有し、中間治具23は凸部26と対向する部分に
ガラススリーブ18が挿通される穴27を有し、
この穴27から下治具22の凸部26の周辺部上
にガラススリーブ18が供給され、次にガラスス
リーブ18内に一方の電極16と半導体ペレツト
15と他方の電極17が順次に供給される。先に
供給された電極16は凸部26上に載置されて、
ガラススリーブ18の下端面から一定の距離だけ
浮き上がり、この電極16上に半導体ペレツト1
5を押圧する他の電極17の上端面は、ガラスス
リーブ18の上端より所定の距離だけ低い位置い
在る。中間治具23上に在る上治具24に電極1
7と対向する部分にガイド穴28を有し、このガ
イド穴28に挿入された重り25が電極17上に
載置される。この第6図の状態を保持して、全体
を加熱すると、ガラススリーブ18が上下の電極
16,17の外周面に溶着されて、第3図に示す
ようなダイオードのサブアツセンブル体29が得
られる。 The pair of electrodes 16 and 17 are made of a uniform wire of the same length, and both are fixed to the glass sleeve 18 at a position slightly inside both ends of the glass sleeve 18. Sealing with the glass sleeve 18 is performed using a lower jig 2 made of stainless steel as shown in FIG. 6, for example.
2. Using the intermediate jig 23, the upper jig 24, and the weight 25, it is carried out as follows. The lower jig 22 has a convex portion 26 having a smaller diameter than the electrodes 16 and 17 on its flat upper surface, and the intermediate jig 23 has a hole 27 in a portion opposite to the convex portion 26 into which the glass sleeve 18 is inserted.
The glass sleeve 18 is supplied from this hole 27 onto the periphery of the protrusion 26 of the lower jig 22, and then one electrode 16, the semiconductor pellet 15, and the other electrode 17 are sequentially supplied into the glass sleeve 18. . The previously supplied electrode 16 is placed on the convex portion 26,
The semiconductor pellet 1 is lifted up by a certain distance from the lower end surface of the glass sleeve 18 and placed on this electrode 16.
The upper end surface of the other electrode 17 that presses the glass sleeve 18 is located at a position lower than the upper end of the glass sleeve 18 by a predetermined distance. The electrode 1 is placed on the upper jig 24 located on the intermediate jig 23.
A guide hole 28 is provided in a portion facing the electrode 7 , and a weight 25 inserted into the guide hole 28 is placed on the electrode 17 . When the state shown in FIG. 6 is maintained and the whole is heated, the glass sleeve 18 is welded to the outer peripheral surfaces of the upper and lower electrodes 16, 17, and a diode sub-assembly body 29 as shown in FIG. 3 is obtained. It will be done.
このようなサブアツセンブル体29に対し、本
考案は、先ず、第4図に示すようにガラススリー
ブ18の両端面に、ガラスとの濡れ性の悪い樹脂
を塗布して中間層19,19を形成する。この中
間層19,19の形成はガラススリーブ18の端
面が電極16,17の端面より突出しているの
で、スタンプ式塗布法などでもつて簡単に行え
る。次に、第5図に示すように、中間層19,1
9上と電極16,17の露出端面上とに銅などを
メツキ等して導電層20,20を形成する。この
導電層20,20は銀や金などの金属を多層に積
層して形成してもよい。その後、導電層20,2
0上に半田層21,21を形成する。 For such a sub-assembled body 29, the present invention first coats both end surfaces of the glass sleeve 18 with a resin having poor wettability with glass to form the intermediate layers 19, 19. Form. Since the end surfaces of the glass sleeve 18 protrude from the end surfaces of the electrodes 16, 17, the intermediate layers 19, 19 can be easily formed by a stamp coating method or the like. Next, as shown in FIG.
Conductive layers 20, 20 are formed by plating copper or the like on 9 and the exposed end surfaces of electrodes 16, 17. The conductive layers 20, 20 may be formed by laminating multiple layers of metal such as silver or gold. After that, conductive layers 20,2
0, solder layers 21, 21 are formed.
このような導電層20,20や半田層21,2
1の形成時において、ガラススリーブ18の端面
と半田層21,21の間に熱による応力が生じて
も、ガラススリーブ18の端面にガラスとの濡れ
性に劣る中間層19,19が介在していて、これ
が上記応力を吸収し、ガラススリーブ18にクラ
ツクが入るのを防止する。 Such conductive layers 20, 20 and solder layers 21, 2
1, even if stress due to heat is generated between the end surface of the glass sleeve 18 and the solder layers 21, 21, the intermediate layers 19, 19 having poor wettability with glass are interposed on the end surface of the glass sleeve 18. This absorbs the stress and prevents cracks in the glass sleeve 18.
尚、ガラススリーブ18の端面と電極16,1
7への端面の位置関係は上記実施例に限らず、ガ
ラススリーブ18の端面から電極16,17の端
面が少し突出したものであつても、本考案は同様
に適用できる。 Note that the end surface of the glass sleeve 18 and the electrodes 16,1
The positional relationship of the end faces to the glass sleeve 18 is not limited to the above embodiment, and the present invention can be similarly applied even if the end faces of the electrodes 16 and 17 slightly protrude from the end face of the glass sleeve 18.
考案の効果
本考案によれば、ガラススリーブ端面に形成し
た中間層により、ガラススリーブのクラツク発生
が大幅に抑制されて、ガラススリーブの気密性が
一段と向上し、歩留りの良い、信頼性の高いダイ
オードが提供できる。Effects of the invention According to the invention, the intermediate layer formed on the end surface of the glass sleeve greatly suppresses the occurrence of cracks in the glass sleeve, further improving the airtightness of the glass sleeve, and producing high-yield and highly reliable diodes. can be provided.
また、中間層がガラススリーブの端面のみに形
成されるので、導電性部材である必要はなく樹脂
材で良く、安価であり、かつスタンプ式塗布法な
どで簡単に行える。さらに電極の引き出しは中間
層上と柱状電極の端面上に形成される導電層によ
つて、容易に半田付け可能に構成することができ
る。 Further, since the intermediate layer is formed only on the end surface of the glass sleeve, it does not need to be a conductive member and may be made of a resin material, is inexpensive, and can be easily applied using a stamp coating method or the like. Furthermore, the electrode can be easily soldered by a conductive layer formed on the intermediate layer and the end face of the columnar electrode.
第1図及び第2図は本考案に係るダイオードの
一実施例を示す断面図及び側面図、第3図乃至第
5図は第1図のダイオードの各製造工程での断面
図、第6図は第1図のダイオードを製造する封着
治具における部分断面図である。第7図は従来の
リードレス型ダイオードの断面図、第8図は第7
図のダイオードを製造する封着治具における部分
断面図である。
15……半導体ペレツト、16,17……電
極、18……ガラススリーブ、19……中間層、
20……導電層。
1 and 2 are cross-sectional views and side views showing one embodiment of the diode according to the present invention, FIGS. 3 to 5 are cross-sectional views of the diode shown in FIG. 1 at various manufacturing steps, and FIG. 2 is a partial sectional view of a sealing jig for manufacturing the diode shown in FIG. 1. FIG. Figure 7 is a cross-sectional view of a conventional leadless diode, and Figure 8 is a cross-sectional view of a conventional leadless diode.
It is a partial sectional view of the sealing jig which manufactures the diode of a figure. 15... Semiconductor pellet, 16, 17... Electrode, 18... Glass sleeve, 19... Intermediate layer,
20... Conductive layer.
Claims (1)
納された一対の柱状電極の外周に前記ガラススリ
ーブを固着すると共に、前記ガラススリーブの端
面に樹脂からなるガラスとの濡れ性に劣る中間層
を形成し、この中間層上と前記電極のガラススリ
ーブより露呈する端面上に導電層を被着形成した
ことを特徴とするダイオード。 The glass sleeve is fixed to the outer periphery of a pair of columnar electrodes that are housed with semiconductor pellets sandwiched between them, and an intermediate layer made of resin and having poor wettability with glass is formed on the end surface of the glass sleeve. A diode characterized in that a conductive layer is formed on the intermediate layer and on the end surface of the electrode exposed from the glass sleeve.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U JPH0442933Y2 (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U JPH0442933Y2 (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62178541U JPS62178541U (en) | 1987-11-12 |
| JPH0442933Y2 true JPH0442933Y2 (en) | 1992-10-12 |
Family
ID=30904824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U Expired JPH0442933Y2 (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442933Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828859A (en) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Matsushita Electronics Corp | Leadless glass sealing diode |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP1986066635U patent/JPH0442933Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62178541U (en) | 1987-11-12 |
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