JPH0442927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0442927A JPH0442927A JP14808890A JP14808890A JPH0442927A JP H0442927 A JPH0442927 A JP H0442927A JP 14808890 A JP14808890 A JP 14808890A JP 14808890 A JP14808890 A JP 14808890A JP H0442927 A JPH0442927 A JP H0442927A
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、ＭＯＳ型半導体装置の製造方法に関し、特に
ゲート絶縁膜の形成方法に関するものである。
ゲート絶縁膜の形成方法に関するものである。
〔従来の技術］
従来のＭ ＯＳ型半導体装置のゲート絶縁膜の形成方法
は、所望の膜厚を得るために、酸化工程を２回以上に分
Ｇプで行なうことなく、ある継続しｔ：時間をかけて行
なっていた。
は、所望の膜厚を得るために、酸化工程を２回以上に分
Ｇプで行なうことなく、ある継続しｔ：時間をかけて行
なっていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、この製造方法では、半導体基板上に酸化シリコ
ン膜を形成する際、シリコン基板と二酸化シリコン膜の
境界面の凹凸や欠陥が存在する。
ン膜を形成する際、シリコン基板と二酸化シリコン膜の
境界面の凹凸や欠陥が存在する。
そのため、ゲート絶縁膜の絶縁破壊などが起こり易いと
いう課題がある８ そこで、本発明は、このような課題を解決するもので、
その目的とするところは、シリコン基板と二酸化シリコ
ン膜の境界面の凹凸を緩和させ、欠陥を除くことによっ
て、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が起こり難くし、半導体装
置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供す
るところにある。
いう課題がある８ そこで、本発明は、このような課題を解決するもので、
その目的とするところは、シリコン基板と二酸化シリコ
ン膜の境界面の凹凸を緩和させ、欠陥を除くことによっ
て、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が起こり難くし、半導体装
置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供す
るところにある。
［課題を解決するだめの手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、ＭＯ３型半導体装置
のゲート絶縁膜の形成において、熱酸化によって所望の
膜厚より薄い二酸化シリコン膜を形成する工程と、窒素
ガス雰囲気中で熱処理を行なう工程と、その後、少なく
とも一回以上の熱酸化を行なう工程により、所望の膜厚
を得ることを特徴とする。
のゲート絶縁膜の形成において、熱酸化によって所望の
膜厚より薄い二酸化シリコン膜を形成する工程と、窒素
ガス雰囲気中で熱処理を行なう工程と、その後、少なく
とも一回以上の熱酸化を行なう工程により、所望の膜厚
を得ることを特徴とする。
［作 用］
本発明の上記の製造方法は、半導体基板上に熱酸化によ
り、所望の膜厚より薄い二酸化シリコン膜を形成した後
、アニール処理を行なうことにより半導体基板表面と二
酸化シリコンの境界面の凹凸を緩和させるとともに、欠
陥を恢復させることができる。このため、ゲート絶縁膜
の絶縁破壊の不良が発生し難い。
り、所望の膜厚より薄い二酸化シリコン膜を形成した後
、アニール処理を行なうことにより半導体基板表面と二
酸化シリコンの境界面の凹凸を緩和させるとともに、欠
陥を恢復させることができる。このため、ゲート絶縁膜
の絶縁破壊の不良が発生し難い。
［実 施 例］
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例における半導
体基板の断面であり、以下にゲート絶縁膜を形成する工
程について詳細に説明する。
体基板の断面であり、以下にゲート絶縁膜を形成する工
程について詳細に説明する。
先ず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板上にＬＯ
ＣＯ３とストッパーにより活性化領域と非活性化領域を
区分した断面図を示す、この半導体基板を温度９００℃
で３０％に希釈された酸素雰囲気中で３分間のドライ酸
化を行なって約８０人の二酸化シリコン膜を形成した後
、１０５０℃のＮ２ （窒素）ガス雰囲気中で、１２０
分間のアニールを行なう。
ＣＯ３とストッパーにより活性化領域と非活性化領域を
区分した断面図を示す、この半導体基板を温度９００℃
で３０％に希釈された酸素雰囲気中で３分間のドライ酸
化を行なって約８０人の二酸化シリコン膜を形成した後
、１０５０℃のＮ２ （窒素）ガス雰囲気中で、１２０
分間のアニールを行なう。
すると、アニール前の半導体基板と二酸化シリコン膜の
状態は、第２図（ａ）に示されるとおりであったが、ア
ニールを行なった後の半導体基板と二酸化シリコン膜の
状態は、第２図（ｂ）に示されるものとなる。
状態は、第２図（ａ）に示されるとおりであったが、ア
ニールを行なった後の半導体基板と二酸化シリコン膜の
状態は、第２図（ｂ）に示されるものとなる。
それから、更に温度９００℃の３０％に希釈された酸素
雰囲気中で、約１０分間のドライ酸化を行ない、所望の
１５０人の二酸化シリコン膜を得る。
雰囲気中で、約１０分間のドライ酸化を行ない、所望の
１５０人の二酸化シリコン膜を得る。
その後、１０５０℃のＮ２ （窒素）雰囲気中で３０
分間のアニールを行なう、このようにして得られたゲー
ト絶縁膜は、第２図（ｂ）に示されるように、半導体基
板と二酸化シリコン膜の境界面の凹凸は、所望膜厚に達
する前にアニールを施さないものに比べて少ない、これ
は、境界面に現われる欠陥が発生し難い。
分間のアニールを行なう、このようにして得られたゲー
ト絶縁膜は、第２図（ｂ）に示されるように、半導体基
板と二酸化シリコン膜の境界面の凹凸は、所望膜厚に達
する前にアニールを施さないものに比べて少ない、これ
は、境界面に現われる欠陥が発生し難い。
そのため、本発明のゲート絶縁膜は、絶縁破壊を起こし
難い、更に、この絶縁膜に電圧を印加し続けた場合の経
時的な不良についても、同様に、絶縁破壊を起こし難い
。
難い、更に、この絶縁膜に電圧を印加し続けた場合の経
時的な不良についても、同様に、絶縁破壊を起こし難い
。
したがって、本発明のゲート絶縁膜の製造方法によれば
、半導体基板と二酸化シリコン膜の境界面は、凹凸や欠
陥が少なく、ゲート絶縁膜としての経時的な不良が起こ
り難く、膜質が向上する。
、半導体基板と二酸化シリコン膜の境界面は、凹凸や欠
陥が少なく、ゲート絶縁膜としての経時的な不良が起こ
り難く、膜質が向上する。
［発明の効果］
以上、述べたように、本発明によれば、ゲート絶縁膜の
不良を軽減できる。
不良を軽減できる。
そのため、半導体装置としての信頼性を向上させること
が可能である。
が可能である。
形成した時の半導体基板と二酸化シリコン膜の境界面を
拡大した断面図。
拡大した断面図。
Ｏ１，
０２・
０３ ・
０４．
２０１ ・
１０５、
・・シリコン基板
・ＬＯＧＯ５
・・ストッパ
２０２．２０４
・ ・ゲート絶縁１莫
以上
Claims (1)
- ＭＯＳ型半導体装置のゲート絶縁膜の形成において、
熱酸化によって所望の膜厚より薄い二酸化シリコン膜を
形成する工程と、窒素ガス雰囲気中で熱処理を行なう工
程と、その後、少なくとも一回以上の熱酸化を行なう工
程とにより、所望の膜厚を得ることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14808890A JPH0442927A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14808890A JPH0442927A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442927A true JPH0442927A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15444969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14808890A Pending JPH0442927A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685777A (en) * | 1994-11-11 | 1997-11-11 | Lohr & Bromkamp Gmbh | Constant velocity universal ball joint |
| US6299543B1 (en) | 1996-06-28 | 2001-10-09 | Ntn Corporation | Plunging type constant velocity joint |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14808890A patent/JPH0442927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685777A (en) * | 1994-11-11 | 1997-11-11 | Lohr & Bromkamp Gmbh | Constant velocity universal ball joint |
| US6299543B1 (en) | 1996-06-28 | 2001-10-09 | Ntn Corporation | Plunging type constant velocity joint |
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