JPH0442755U - - Google Patents

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JPH0442755U
JPH0442755U JP8399390U JP8399390U JPH0442755U JP H0442755 U JPH0442755 U JP H0442755U JP 8399390 U JP8399390 U JP 8399390U JP 8399390 U JP8399390 U JP 8399390U JP H0442755 U JPH0442755 U JP H0442755U
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injector
substrate
regions
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JP8399390U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例であるIL回路素
子の平面図、第2図は信号線がインジエクト配線
を跨がない場合のIL回路装置のレイアウトの
平面図、第3図は信号線がインジエクト配線を跨
ぐ場合のIL回路装置のレイアウトの平面図、
第4図は第3図にA−A′における断面図、第5
図は従来方式のI回路素子の平面図、第6図は
従来方式のIL回路装置のレイアウトの平面図
である。 1……出力用N拡散領域、2……入力用コンタ
クト、3……インジエクタ用P拡散領域、4……
素子分離用N拡散領域、5……出力用コンタクト
、6……P拡散領域、7……インジエクタ用コン
タクト、8……インジエクタ用P拡散領域、9…
…インジエクタ用コンタクト、10……信号線通
過領域、11……信号線、12……インジエクタ
配線、13……酸化膜。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 基板の横方向に並べられた素子分離用領域と、 該各素子分離用領域に基板の縦方向に並べられ
    た複数の出力用領域が形成された第1の領域と、 該第1の領域に対して基板の縦方向に配置され
    たインジエクタ用第2の領域とを設け、 該各インジエクタ用第2の領域に形成されるイ
    ンジエクタ用コンタクトをこの領域の横方向にず
    らして配置したことを特徴とする半導体集積回路
    装置。
JP8399390U 1990-08-10 1990-08-10 Pending JPH0442755U (ja)

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JPH0442755U true JPH0442755U (ja) 1992-04-10

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ID=31632119

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