JPH0440425A - 調光フィルムとその製造方法 - Google Patents
調光フィルムとその製造方法Info
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- JPH0440425A JPH0440425A JP2147627A JP14762790A JPH0440425A JP H0440425 A JPH0440425 A JP H0440425A JP 2147627 A JP2147627 A JP 2147627A JP 14762790 A JP14762790 A JP 14762790A JP H0440425 A JPH0440425 A JP H0440425A
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Landscapes
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- Laminated Bodies (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は高分子材料膜の中に液晶の粒子を分散させた
高分子・液晶複合膜を導電性プラスチックフィルムで挟
んだ調光フィルムとその製造方法に関し、特に高分子材
料膜の導電率を大きくして、低周波における駆動電圧の
低下を図ったものである。
高分子・液晶複合膜を導電性プラスチックフィルムで挟
んだ調光フィルムとその製造方法に関し、特に高分子材
料膜の導電率を大きくして、低周波における駆動電圧の
低下を図ったものである。
「従来の技術及び発明が解決しようとする課題Ｊ高分子
・液晶複合膜において高分子膜の導電率が高い程、液晶
に印加される電界が大きくなり、低周波での低電圧駆動
が可能になることは、例えば乳用大学、高分子学会予稿
集、シｏＩ！、３８．Ｎｏ、３及びＮｏ、 ｌ ２．１
９８９等により公知である。出願人はこの公知の事項に
着目して特願平１−２６３６２０号によってｒ高分子・
液晶複合膜及びその製造方法」を提案した。その方法は
、電解重合法により高分子膜を形成し、その高分子膜か
ら電解質イオンを除去し、その高分子膜のイオンが抜け
た孔に液晶を含浸させるものであった。その発明によっ
て脱ドープ電解重合膜の導電率を従来の高分子膜より５
桁程度高くすることができ、低周波での低電圧駆動を可
能にすることができた。
・液晶複合膜において高分子膜の導電率が高い程、液晶
に印加される電界が大きくなり、低周波での低電圧駆動
が可能になることは、例えば乳用大学、高分子学会予稿
集、シｏＩ！、３８．Ｎｏ、３及びＮｏ、 ｌ ２．１
９８９等により公知である。出願人はこの公知の事項に
着目して特願平１−２６３６２０号によってｒ高分子・
液晶複合膜及びその製造方法」を提案した。その方法は
、電解重合法により高分子膜を形成し、その高分子膜か
ら電解質イオンを除去し、その高分子膜のイオンが抜け
た孔に液晶を含浸させるものであった。その発明によっ
て脱ドープ電解重合膜の導電率を従来の高分子膜より５
桁程度高くすることができ、低周波での低電圧駆動を可
能にすることができた。
しかしながら上記導電率はなおＩ Ｏ−”Ｓ／ｃｍ程度
のかなり小さなオーダーであり、必ずしも十分な値では
なく、なおいっそうの改良が望まれていた。
のかなり小さなオーダーであり、必ずしも十分な値では
なく、なおいっそうの改良が望まれていた。
この発明はこのような背景のもとになされたものである
。
。
「課題を解決するだめの手段」
（１） この発明の調光フィルムの製造方法は、電解
重合法により、可溶性電解重合膜を作製する工程と、 その可溶性電解重合膜から電解質イオンを除く脱ドープ
工程と、 その脱ドープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶
媒に溶解する工程と、 その溶液を導電性プラスチックフィルムの導電膜にコー
ティングし、上記溶媒を蒸発させて皮膜を形成する工程
と、 その皮膜に別の導電性プラスチックフィルムの導電膜を
接合する工程とより成る。
重合法により、可溶性電解重合膜を作製する工程と、 その可溶性電解重合膜から電解質イオンを除く脱ドープ
工程と、 その脱ドープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶
媒に溶解する工程と、 その溶液を導電性プラスチックフィルムの導電膜にコー
ティングし、上記溶媒を蒸発させて皮膜を形成する工程
と、 その皮膜に別の導電性プラスチックフィルムの導電膜を
接合する工程とより成る。
（２） この発明の調光フィルムは上記（１）項によ
り製造されるものである。
り製造されるものである。
「実施例」
この発明の調光フィルムの製造方法を図面を参照して工
程順に説明しよう。
程順に説明しよう。
（１） 第２図に示すように、容器１内にＩＴＯ又は
フェロ板（鉄板にクロツムメツキしたもの）より成る作
用電極２及び白金又はフェロ板より成る対電極３をほぼ
垂直に対向して設ける。炭酸プロピレンなどの溶媒１！
につき過塩素酸リチウムなどの電解質０．０５モルと、
ビロール又はチオフェンの３位の位置に長鎖アルキル基
を導入した３オクチルビロール又は３−オクチルチオフ
ェンなど可溶性の重合材料０．１モルとを溶解させた溶
液４を容器１内に注入する。直流電源５に必要に応じ電
流計６を直列につないで、電源の陽極を作用電極２に、
陰極を対電極３にそれぞれ接続し、アルゴン雰囲気中に
おいて、例えば重合電気量３クーロン／ａｌ！、電流密
度０．５ｍＡ／ｃｒＭＩ程度の電流を流して電解重合反
応を起させると、作用電極２の周面にポリ３−オクチル
ピロール又はポリ３−アルキルチオフェンなどより成る
高分子膜（可溶性電解重合膜）が形成される。上記の方
法で可溶性電解重合膜を形成する技術は乳用大学高分子
学会予稿集ｖｏｆｆ３８．Ｎｏ、３．ｐ、６３５．１９
８９などで公知となっている技術である。
フェロ板（鉄板にクロツムメツキしたもの）より成る作
用電極２及び白金又はフェロ板より成る対電極３をほぼ
垂直に対向して設ける。炭酸プロピレンなどの溶媒１！
につき過塩素酸リチウムなどの電解質０．０５モルと、
ビロール又はチオフェンの３位の位置に長鎖アルキル基
を導入した３オクチルビロール又は３−オクチルチオフ
ェンなど可溶性の重合材料０．１モルとを溶解させた溶
液４を容器１内に注入する。直流電源５に必要に応じ電
流計６を直列につないで、電源の陽極を作用電極２に、
陰極を対電極３にそれぞれ接続し、アルゴン雰囲気中に
おいて、例えば重合電気量３クーロン／ａｌ！、電流密
度０．５ｍＡ／ｃｒＭＩ程度の電流を流して電解重合反
応を起させると、作用電極２の周面にポリ３−オクチル
ピロール又はポリ３−アルキルチオフェンなどより成る
高分子膜（可溶性電解重合膜）が形成される。上記の方
法で可溶性電解重合膜を形成する技術は乳用大学高分子
学会予稿集ｖｏｆｆ３８．Ｎｏ、３．ｐ、６３５．１９
８９などで公知となっている技術である。
（２）作用電極２の周面に形成された可溶性電解重合膜
７を電極ごと、ｎ−へキサンを収容した容器内に例えば
２４４時間程ひたした後、取り出して１時間程度真空乾
燥させる。この脱ドープ工程により電解重合膜７から電
解質イオンの大部分が除かれる。
７を電極ごと、ｎ−へキサンを収容した容器内に例えば
２４４時間程ひたした後、取り出して１時間程度真空乾
燥させる。この脱ドープ工程により電解重合膜７から電
解質イオンの大部分が除かれる。
脱ドープ工程を設ける理由は、脱ドープしないと、次の
工程において可溶性電解重合膜７を溶媒に溶かすことが
できないからである。
工程において可溶性電解重合膜７を溶媒に溶かすことが
できないからである。
（３）脱ドープした可溶性電解重合膜７を作用電極２ご
と、クロロフォルムなどの溶媒を収容した容器に入れて
溶解させる。その溶液を第３図のガラス容器２０に入れ
、例えばシアノビフェニル系液晶、例えば米国、メルク
社のＥ−４４を加え、回転子１２を入れ、その容器１０
をマグネチソクスタラー１１にセットし、十分攪拌させ
て液晶を溶解させる。
と、クロロフォルムなどの溶媒を収容した容器に入れて
溶解させる。その溶液を第３図のガラス容器２０に入れ
、例えばシアノビフェニル系液晶、例えば米国、メルク
社のＥ−４４を加え、回転子１２を入れ、その容器１０
をマグネチソクスタラー１１にセットし、十分攪拌させ
て液晶を溶解させる。
なお、上述において脱ドープした可溶性電解重合膜７と
液晶とは重量比でほぼ４：６とし、これら電解重合膜７
と液晶とより成る溶質と上記溶媒（クロロフォルム）と
は重量比でほぼ６：４に設定される。またクロロフォル
ムなどの溶媒は、上記可溶性電解重合膜７と液晶との共
通の溶媒でなければならない。
液晶とは重量比でほぼ４：６とし、これら電解重合膜７
と液晶とより成る溶質と上記溶媒（クロロフォルム）と
は重量比でほぼ６：４に設定される。またクロロフォル
ムなどの溶媒は、上記可溶性電解重合膜７と液晶との共
通の溶媒でなければならない。
（４）第４図に示すように、方形状のガラス板２１の両
側端に所定の厚さのテープ２２を貼った用具を用い、そ
のガラス板２１上に導電性プラスチックフィルム２３を
、その導電膜を上にして載せ、その端部をセロテープ２
４等でガラス板２１に固定する。次にガラス製スポイト
２５等で（３）の工程で作った混合溶液１３を所定量取
込み、導電性フィルム２３の導電膜上に押し出し、ガラ
ス製丸棒２７をすばやくテープ２２上に移動させて、混
合溶液１３を広く均一にひきのばし、この状態で放置し
て溶媒を、蒸発させる。
側端に所定の厚さのテープ２２を貼った用具を用い、そ
のガラス板２１上に導電性プラスチックフィルム２３を
、その導電膜を上にして載せ、その端部をセロテープ２
４等でガラス板２１に固定する。次にガラス製スポイト
２５等で（３）の工程で作った混合溶液１３を所定量取
込み、導電性フィルム２３の導電膜上に押し出し、ガラ
ス製丸棒２７をすばやくテープ２２上に移動させて、混
合溶液１３を広く均一にひきのばし、この状態で放置し
て溶媒を、蒸発させる。
（５） （４）の工程でできた高分子・液晶複合Ｈ＃
３０の上に他の導電性プラスチックフィル３１の導電膜
３１ａを接合させると、第１図に示すような調光フィル
ム３２が得られる。（（５）順路り）電解重合法で作製
した、電解重合膜（高分子膜）は一般に分子がきちんと
配向している事とイオンが導入されている事とによって
導電率が大きくなる。特にイオンの寄与が大きい。しか
し通常行われているように、電界重合物作製時と逆の方
向に電界をかけて脱ドープすると、イオンは完全に除去
される。しかしこの発明の脱ドープ工程では、ｎ−ヘキ
サンに電界重合膜７を浸漬し、真空乾燥する方法を用い
ているので、除去されないイオンが存在する。この脱ド
ープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶媒に溶解
させ、その溶液を基板上にコーティングして成膜した時
にも、このイオンが膜中に残在し、導電率を大きくする
ことができる。この皮膜の導電率は数Ｓ／ｃｕ程度であ
り、従来のものより８桁程度大きくなっている。
３０の上に他の導電性プラスチックフィル３１の導電膜
３１ａを接合させると、第１図に示すような調光フィル
ム３２が得られる。（（５）順路り）電解重合法で作製
した、電解重合膜（高分子膜）は一般に分子がきちんと
配向している事とイオンが導入されている事とによって
導電率が大きくなる。特にイオンの寄与が大きい。しか
し通常行われているように、電界重合物作製時と逆の方
向に電界をかけて脱ドープすると、イオンは完全に除去
される。しかしこの発明の脱ドープ工程では、ｎ−ヘキ
サンに電界重合膜７を浸漬し、真空乾燥する方法を用い
ているので、除去されないイオンが存在する。この脱ド
ープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶媒に溶解
させ、その溶液を基板上にコーティングして成膜した時
にも、このイオンが膜中に残在し、導電率を大きくする
ことができる。この皮膜の導電率は数Ｓ／ｃｕ程度であ
り、従来のものより８桁程度大きくなっている。
「発明の効果」
この発明の調光フィルムに使用する高分子・液晶複合膜
の導電率は数Ｓ／ｃｍ程度であり、従来の既に提案され
ているものより８桁程度大きくされている。このため１
００Ｈｚ以下の周波数でＩＯＶ以下の低い電圧で駆動で
き、従来より駆動電圧を低減できる。従ってその駆動電
源を経済的に構成することが可能となる。
の導電率は数Ｓ／ｃｍ程度であり、従来の既に提案され
ているものより８桁程度大きくされている。このため１
００Ｈｚ以下の周波数でＩＯＶ以下の低い電圧で駆動で
き、従来より駆動電圧を低減できる。従ってその駆動電
源を経済的に構成することが可能となる。
第１図はこの発明の調光フィルムの縦断面図、第２図は
この発明で使用する電解重合膜作製装置の概要を示す図
、第３図はマグネチックスタラーを用いた溶液混合装置
の概要を示す図、第４図はこの発明の製造方法において
、脱ドープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶媒
に溶解させた混合溶液を導電性プラスチックフィルム上
にコーティングする工程を説明するための図である。
この発明で使用する電解重合膜作製装置の概要を示す図
、第３図はマグネチックスタラーを用いた溶液混合装置
の概要を示す図、第４図はこの発明の製造方法において
、脱ドープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶媒
に溶解させた混合溶液を導電性プラスチックフィルム上
にコーティングする工程を説明するための図である。
Claims (2)
- （１）電解重合法により可溶性電解重合膜を作製する工
程と、 その可溶性電解重合膜から電解質イオンを除く脱ドープ
工程と、 その脱ドープした可溶性電解重合膜と液晶とを共通の溶
媒に溶解する工程と、 その溶液を導電性プラスチックフィルムの導電膜にコー
ティングし、上記溶媒を蒸発させて皮膜を形成する工程
と、 その皮膜に別の導電性プラスチックフィルムの導電膜を
接合する工程とより成ることを特徴とする、 調光フィルムの製造方法。 - （２）請求項（１）により製造された調光フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147627A JPH0440425A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 調光フィルムとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147627A JPH0440425A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 調光フィルムとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440425A true JPH0440425A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15434605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147627A Pending JPH0440425A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 調光フィルムとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728251A (en) * | 1995-09-27 | 1998-03-17 | Research Frontiers Inc | Light modulating film of improved UV stability for a light valve |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2147627A patent/JPH0440425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728251A (en) * | 1995-09-27 | 1998-03-17 | Research Frontiers Inc | Light modulating film of improved UV stability for a light valve |
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