JPH043931A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH043931A JPH043931A JP10604890A JP10604890A JPH043931A JP H043931 A JPH043931 A JP H043931A JP 10604890 A JP10604890 A JP 10604890A JP 10604890 A JP10604890 A JP 10604890A JP H043931 A JPH043931 A JP H043931A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に係り、特に、基板に塗布したス
ピン・オン・グラス（ＳＯＣ）を加熱固化する方法に関
し、 形成されるｓｏｃｍが均質に脱ガスされたものとなるよ
うにすることを目的とし、 上記加熱固化を、波長分布の主体が遠赤外領域にある輻
射線の照射によって行うように構成する。
ピン・オン・グラス（ＳＯＣ）を加熱固化する方法に関
し、 形成されるｓｏｃｍが均質に脱ガスされたものとなるよ
うにすることを目的とし、 上記加熱固化を、波長分布の主体が遠赤外領域にある輻
射線の照射によって行うように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、基板に
塗布したＳＯＧを加熱固化する方法に関する。
塗布したＳＯＧを加熱固化する方法に関する。
半導体装置の製造においては、前工程で凹凸が生した基
板表面の平坦化などのために、ＳＯＧを利用することが
屡ある。
板表面の平坦化などのために、ＳＯＧを利用することが
屡ある。
ＳＯＧは、液状のものを塗布し加熱固化してＳＯＣ膜と
するものであり、均質に固化されることが望まれる。
するものであり、均質に固化されることが望まれる。
〔従来の技術］
基板に塗布したＳＯＧを加熱固化する従来の方法は、通
常の加熱炉を用いて加熱するか、または赤外線ランプか
らの輻射線を照射するものである。
常の加熱炉を用いて加熱するか、または赤外線ランプか
らの輻射線を照射するものである。
しかしながら上記従来方法では、ＳＯＧの表面が先に加
熱されて脱ガス固化し、固化した表面が内部の脱ガスを
阻害するために、内部の脱ガスが不十分なＳＯＣ膜が形
成される。
熱されて脱ガス固化し、固化した表面が内部の脱ガスを
阻害するために、内部の脱ガスが不十分なＳＯＣ膜が形
成される。
そして、このようなＳＯＣ膜は、表面と内部でエツチン
グレートが異なるために平坦化エツチングが思うように
行かなかったり、場合によっては後工程で脱ガスが起こ
り上層膜の膜質に悪影響を与えたりする問題がある。
グレートが異なるために平坦化エツチングが思うように
行かなかったり、場合によっては後工程で脱ガスが起こ
り上層膜の膜質に悪影響を与えたりする問題がある。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、基板に
塗布したＳＯＧを加熱固化する方法において、形成され
るＳＯＣ膜が均質に脱ガスされたものとなるようにする
ことを目的とする。
塗布したＳＯＧを加熱固化する方法において、形成され
るＳＯＣ膜が均質に脱ガスされたものとなるようにする
ことを目的とする。
上記目的は、基板に塗布したＳＯＧの加熱固化を、波長
分布の主体が遠赤外領域にある輻射線の照射によって行
う本発明の製造方法によって達成される。
分布の主体が遠赤外領域にある輻射線の照射によって行
う本発明の製造方法によって達成される。
遠赤外線の照射は、食品その他の技術で周知であるよう
に、最初からＳＯＧの表面及び内部を均一に加熱する。
に、最初からＳＯＧの表面及び内部を均一に加熱する。
このことから、脱ガスは表面と内部が共々に同時に行わ
れて、形成されるＳＯＣ膜は均質に脱ガスされたものと
なる。
れて、形成されるＳＯＣ膜は均質に脱ガスされたものと
なる。
Ｃ実施例〕
以下本発明の第１及び第２実施例について第１図及び第
２図を用いて説明する。
２図を用いて説明する。
第１実施例を示す第１図において、この実施例は、基板
ｌに塗布した５ＯＧ２の加熱固化を、遠赤外線ヒータ３
からの輻射線の照射によって行うものである。
ｌに塗布した５ＯＧ２の加熱固化を、遠赤外線ヒータ３
からの輻射線の照射によって行うものである。
遠赤外線ヒータ３は、通電による発熱体がセラミックス
であり、出射する輻射線の波長分布の主体が１〜５０μ
−の領域にある。
であり、出射する輻射線の波長分布の主体が１〜５０μ
−の領域にある。
本発明者は、厚さ０．５μ−のＳＯＣ＃を形成し、その
厚さの全域に渡りエンチングレートが均一であることを
確認した。
厚さの全域に渡りエンチングレートが均一であることを
確認した。
また、第２実施例を示す第２図において、この実施例は
、基板１に塗布した５ＯＧ２の加熱固化を、板状の遠赤
外線放射体４からの輻射線の照射によって行うものであ
る。
、基板１に塗布した５ＯＧ２の加熱固化を、板状の遠赤
外線放射体４からの輻射線の照射によって行うものであ
る。
遠赤外線放射体４は、コープライト系セラミックスを黒
色にしたものであり、背面側から通常のヒータ５により
約４００°Ｃに加熱されて、出射する輻射線の波長分布
の主体が５〜２５μｍの領域にある。
色にしたものであり、背面側から通常のヒータ５により
約４００°Ｃに加熱されて、出射する輻射線の波長分布
の主体が５〜２５μｍの領域にある。
そして、先の第１実施例の場合と同様なＳＯＣ膜を形成
することができた。
することができた。
なお、本発明は、上述の説明から理解されるように遠赤
外線の特質を利用したものであり、照射する輻射線の波
長分布の主体が遠赤外領域となるようにするならば、そ
の輻射線の形成に上記実施例以外の方法を用いても良い
。
外線の特質を利用したものであり、照射する輻射線の波
長分布の主体が遠赤外領域となるようにするならば、そ
の輻射線の形成に上記実施例以外の方法を用いても良い
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造
方法に係り、特に、基板に塗布したＳＯＣを加熱固化す
る方法において、形成されるＳＯＣ膜が均質に脱ガスさ
れたものとなるようにすることができて、ＳＯＧを利用
して製造する半導体装置の品質向上を可能にさせる効果
がある。
方法に係り、特に、基板に塗布したＳＯＣを加熱固化す
る方法において、形成されるＳＯＣ膜が均質に脱ガスさ
れたものとなるようにすることができて、ＳＯＧを利用
して製造する半導体装置の品質向上を可能にさせる効果
がある。
第１図は第１実施例の説明図、
第２図は第２実施例の説明図、
である。
図において、
ｌは基板、
２はＳＯＣ。
３は遠赤外線ヒータ、
４は遠赤外線放射体、
５はヒータ、
である。
Claims (1)
- 基板に塗布したスピン・オン・グラスの加熱固化を、
波長分布の主体が遠赤外領域にある輻射線の照射によっ
て行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10604890A JPH043931A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10604890A JPH043931A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043931A true JPH043931A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14423748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10604890A Pending JPH043931A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266141A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | 基板の熱処理方法 |
| US9560858B2 (en) | 2009-06-26 | 2017-02-07 | Technican Co., Ltd. | Continuous food freezing device and continuous food freezing method |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10604890A patent/JPH043931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266141A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | 基板の熱処理方法 |
| US9560858B2 (en) | 2009-06-26 | 2017-02-07 | Technican Co., Ltd. | Continuous food freezing device and continuous food freezing method |
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