JPH0438652U - - Google Patents

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JPH0438652U
JPH0438652U JP8041890U JP8041890U JPH0438652U JP H0438652 U JPH0438652 U JP H0438652U JP 8041890 U JP8041890 U JP 8041890U JP 8041890 U JP8041890 U JP 8041890U JP H0438652 U JPH0438652 U JP H0438652U
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liquid metal
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  • Particle Accelerators (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の液体金属イオン源チツプ保持
装置が使用される半導体素子製造装置の一例の概
略構成図、第2図a,bは本考案の液体金属イオ
ン源チツプ保持装置の一実施例を示す平面図及び
側面図、第3図は同保持装置の作用を示す説明図
、第4図a,bはチツプ保持装置の他の例を示す
平面図及び側面図、第5図a,bは従来のチツプ
保持装置の部分断面平面図及び側面図である。 1……イオン源チツプ、21,22……チツプ
保持具。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 液体金属イオン源となるチツプを、複数個の弾
    性的な変形が生じ得る形状に製作したチツプ保持
    具により保持し、チツプ保持具が熱膨脹したとき
    該保持具自身が弾性により撓むことにより、その
    熱膨脹を吸収するようにしたことを特徴とする液
    体金属イオン源チツプ保持装置。
JP8041890U 1990-07-27 1990-07-27 Pending JPH0438652U (ja)

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