JPH04371580A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH04371580A JPH04371580A JP17306491A JP17306491A JPH04371580A JP H04371580 A JPH04371580 A JP H04371580A JP 17306491 A JP17306491 A JP 17306491A JP 17306491 A JP17306491 A JP 17306491A JP H04371580 A JPH04371580 A JP H04371580A
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板ホルダの搬送距離
を短くし、小型にし、成膜効率を向上するようにした薄
膜形成装置に関する。
を短くし、小型にし、成膜効率を向上するようにした薄
膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の薄膜形成装置は、図9に示すよう
に、基板ホルダ1に保持された基板2が、入口室用ゲー
ト弁3,入口室4,ゲート弁5,緩衝室6,ゲート弁7
,成膜室8,ゲート弁9,緩衝室10,ゲート弁11,
出口室12,出口室用ゲート弁13を経、成膜室8でイ
オン源14,ターゲット15,マスク16により基板2
に薄膜が形成される。
に、基板ホルダ1に保持された基板2が、入口室用ゲー
ト弁3,入口室4,ゲート弁5,緩衝室6,ゲート弁7
,成膜室8,ゲート弁9,緩衝室10,ゲート弁11,
出口室12,出口室用ゲート弁13を経、成膜室8でイ
オン源14,ターゲット15,マスク16により基板2
に薄膜が形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置の場合
、室が多くゲート弁も多いため、大型化し、かつ各室に
基板を搬送する搬送機構が複雑であり、各室の容積が大
となり、真空ポンプの数も大となり、その上、成膜室で
搬送機構やゲート弁に膜が付着し、トラブルを起しやす
く、高価になるという問題点がある。
、室が多くゲート弁も多いため、大型化し、かつ各室に
基板を搬送する搬送機構が複雑であり、各室の容積が大
となり、真空ポンプの数も大となり、その上、成膜室で
搬送機構やゲート弁に膜が付着し、トラブルを起しやす
く、高価になるという問題点がある。
【0004】本発明は、前記の点に留意し、構成を簡単
にして小型化し、安価にするとともに、成膜効率を向上
するようにした薄膜形成装置を提供することを目的とす
る。
にして小型化し、安価にするとともに、成膜効率を向上
するようにした薄膜形成装置を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の薄膜形成装置は、基板の移行室に隣接され
た基板の着脱室及び成膜室と、移行室と着脱室との間に
形成された着脱室開口と、移行室と成膜室との間に形成
された成膜室開口と、移行室において基板ホルダを着脱
室側と成膜室側との間に移行する移行手段と、基板ホル
ダの周縁を移行室側から着脱室開口及び成膜室開口の周
縁に押圧し,それぞれの開口を閉塞する閉塞手段と、着
脱室を開閉する扉とを備えたものである。
に、本発明の薄膜形成装置は、基板の移行室に隣接され
た基板の着脱室及び成膜室と、移行室と着脱室との間に
形成された着脱室開口と、移行室と成膜室との間に形成
された成膜室開口と、移行室において基板ホルダを着脱
室側と成膜室側との間に移行する移行手段と、基板ホル
ダの周縁を移行室側から着脱室開口及び成膜室開口の周
縁に押圧し,それぞれの開口を閉塞する閉塞手段と、着
脱室を開閉する扉とを備えたものである。
【0006】
【作用】前記のように構成された本発明の薄膜形成装置
は、移行手段により基板ホルダを着脱室側と成膜室側と
の間に移行させ、閉塞手段により基板ホルダの周縁を移
行室側において着脱室開口及び成膜室開口の周縁に押圧
して開口を閉塞するため、基板の搬送機構が簡単であり
、基板ホルダがゲート弁の機能を有し、従来のような種
々のゲート弁を要しなく、各室の容積が小となり、小型
化され、安価であり、かつ、成膜効率が向上し、成膜中
も搬送機構に膜が付着しない。
は、移行手段により基板ホルダを着脱室側と成膜室側と
の間に移行させ、閉塞手段により基板ホルダの周縁を移
行室側において着脱室開口及び成膜室開口の周縁に押圧
して開口を閉塞するため、基板の搬送機構が簡単であり
、基板ホルダがゲート弁の機能を有し、従来のような種
々のゲート弁を要しなく、各室の容積が小となり、小型
化され、安価であり、かつ、成膜効率が向上し、成膜中
も搬送機構に膜が付着しない。
【0007】
【実施例】実施例について図1ないし図8を参照して説
明する。まず、1実施例を示した図1ないし図4におい
て、17は基板2を移行する移行室、18,19は移行
室17の後側に隣接して並設された基板2の着脱室及び
成膜室、20は移行室17と着脱室18との間に形成さ
れた着脱室開口、21は移行室17と成膜室19との間
に形成された成膜室開口である。
明する。まず、1実施例を示した図1ないし図4におい
て、17は基板2を移行する移行室、18,19は移行
室17の後側に隣接して並設された基板2の着脱室及び
成膜室、20は移行室17と着脱室18との間に形成さ
れた着脱室開口、21は移行室17と成膜室19との間
に形成された成膜室開口である。
【0008】22は移行室17の前壁を貫通した移行軸
であり、回転自在かつ前後に移動自在に設けられている
。23は移行室17の内面と移行軸22との間に設けら
れた気密保持用のベローズ、24は移行軸22の先端に
垂直に形成された移行腕、25は移行腕24の先端に装
着された円板状の基板ホルダであり、基板2が着脱自在
に装着される。26は基板ホルダ25の周縁に環状に設
けられたOリング、27はイオン源、28はイオン源電
極、29はターゲット、30は着脱室18を開閉する扉
である。
であり、回転自在かつ前後に移動自在に設けられている
。23は移行室17の内面と移行軸22との間に設けら
れた気密保持用のベローズ、24は移行軸22の先端に
垂直に形成された移行腕、25は移行腕24の先端に装
着された円板状の基板ホルダであり、基板2が着脱自在
に装着される。26は基板ホルダ25の周縁に環状に設
けられたOリング、27はイオン源、28はイオン源電
極、29はターゲット、30は着脱室18を開閉する扉
である。
【0009】つぎに、成膜工程について説明する。移行
軸22を左回転して基板ホルダ25を着脱室側に移行し
、移行軸22を後方へ移行させて基板ホルダ25の周縁
のOリング26を着脱室開口20の周縁に押圧し、着脱
室開口20を閉塞する。扉30を開き、基板ホルダ25
の基板2を交換してセットし、扉30を閉じる。この間
、移行室17及び成膜室19を高真空に排気しておく。
軸22を左回転して基板ホルダ25を着脱室側に移行し
、移行軸22を後方へ移行させて基板ホルダ25の周縁
のOリング26を着脱室開口20の周縁に押圧し、着脱
室開口20を閉塞する。扉30を開き、基板ホルダ25
の基板2を交換してセットし、扉30を閉じる。この間
、移行室17及び成膜室19を高真空に排気しておく。
【0010】つぎに、移行軸22を前方に移行し、基板
2を移行室17に移行したのち、移行軸22を右回転し
て基板ホルダ25を成膜室側に移行し、移行軸22を後
方へ移行させ、図4に示すように、基板ホルダ25の周
縁のOリング26を成膜室開口21の周縁に押圧し、成
膜室開口21を閉塞し、基板2を自転させながらイオン
源27,イオン源電極28,ターゲット29等成膜源に
より、イオンビームスパッタ等の成膜を行う。
2を移行室17に移行したのち、移行軸22を右回転し
て基板ホルダ25を成膜室側に移行し、移行軸22を後
方へ移行させ、図4に示すように、基板ホルダ25の周
縁のOリング26を成膜室開口21の周縁に押圧し、成
膜室開口21を閉塞し、基板2を自転させながらイオン
源27,イオン源電極28,ターゲット29等成膜源に
より、イオンビームスパッタ等の成膜を行う。
【0011】成膜完了後、前記工程と逆の順に、移行軸
22を前方へ移行したのち左回転し、後方へ移行して基
板ホルダ25の周縁を着脱室開口20の周縁に押圧し、
着脱室開口20を閉塞し、扉30を開いて基板2を交換
し、扉30を閉じる。以上を繰り返す。
22を前方へ移行したのち左回転し、後方へ移行して基
板ホルダ25の周縁を着脱室開口20の周縁に押圧し、
着脱室開口20を閉塞し、扉30を開いて基板2を交換
し、扉30を閉じる。以上を繰り返す。
【0012】ここにおいて、基板ホルダ25を着脱室側
と成膜室側との間に移行する移行軸22の回転が移行手
段Aであり、基板ホルダ25の周縁を移行室側から着脱
室開口20及び成膜室開口21の周縁に押圧し、開口2
0,21を閉塞する移行軸22の後方への移行が閉塞手
段Bである。
と成膜室側との間に移行する移行軸22の回転が移行手
段Aであり、基板ホルダ25の周縁を移行室側から着脱
室開口20及び成膜室開口21の周縁に押圧し、開口2
0,21を閉塞する移行軸22の後方への移行が閉塞手
段Bである。
【0013】また、大気にさらされる着脱室18をきわ
めて小さい容積にすることができ、排気時間が短縮され
る。
めて小さい容積にすることができ、排気時間が短縮され
る。
【0014】他の実施例を示した図5及び図6について
説明する。この実施例は、基板ホルダ25の成膜室開口
21の閉塞に際し、完全な気密を必ずしも要しないため
、成膜室開口21の周縁の移行室17側にテーパ面31
を形成するとともに基板ホルダ25のOリング26の内
側にテーパ面32を形成し、両テーパ面31,32を当
接し、金属面のすり合せとしたものであり、この場合、
成膜材料が図4の隙間33が侵入し、Oリング26に付
着することを防止する。
説明する。この実施例は、基板ホルダ25の成膜室開口
21の閉塞に際し、完全な気密を必ずしも要しないため
、成膜室開口21の周縁の移行室17側にテーパ面31
を形成するとともに基板ホルダ25のOリング26の内
側にテーパ面32を形成し、両テーパ面31,32を当
接し、金属面のすり合せとしたものであり、この場合、
成膜材料が図4の隙間33が侵入し、Oリング26に付
着することを防止する。
【0015】また、図7は図6の両テーパ面31,32
のいずれかの面に、テフロン,フッ素ゴム等の高分子材
料或いはアルミ,銅等の低硬度金属材料からなるバルブ
シート34を取り付けたものである。
のいずれかの面に、テフロン,フッ素ゴム等の高分子材
料或いはアルミ,銅等の低硬度金属材料からなるバルブ
シート34を取り付けたものである。
【0016】さらに図8は、基板ホルダ25のテーパ面
32にOリング35を設けたものである。
32にOリング35を設けたものである。
【0017】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載する効果を奏する。移行手段A
により基板ホルダ25を着脱室側と成膜室側との間に移
行させ、閉塞手段Bにより基板ホルダ25の周縁を移行
室側において着脱室開口20及び成膜室開口21の周縁
に押圧して開口20,21を閉塞するため、基板2を確
実に搬送でき、搬送の信頼性が高く、基板2の搬送機構
を簡単にすることができ、基板ホルダ25がゲート弁の
機能を有し、従来のような種々のゲート弁を要しなく、
各室の容積を小とすることができ、小型化でき、安価で
あり、かつ、成膜効率が向上し、成膜中も搬送機構に膜
の付着を防止することができる。
ているので、以下に記載する効果を奏する。移行手段A
により基板ホルダ25を着脱室側と成膜室側との間に移
行させ、閉塞手段Bにより基板ホルダ25の周縁を移行
室側において着脱室開口20及び成膜室開口21の周縁
に押圧して開口20,21を閉塞するため、基板2を確
実に搬送でき、搬送の信頼性が高く、基板2の搬送機構
を簡単にすることができ、基板ホルダ25がゲート弁の
機能を有し、従来のような種々のゲート弁を要しなく、
各室の容積を小とすることができ、小型化でき、安価で
あり、かつ、成膜効率が向上し、成膜中も搬送機構に膜
の付着を防止することができる。
【図1】本発明の薄膜形成装置の1実施例の切断平面図
である。
である。
【図2】図1の切断左側面図である。
【図3】図1の切断正面図である。
【図4】図1の他の状態の一部の拡大図である。
【図5】他の実施例の切断平面図である。
【図6】図5の一部の拡大図である。
【図7】他の例の一部の拡大図である。
【図8】さらに他の例の一部の拡大図である。
【図9】従来例の平面図である。
2 基板
17 移行室
18 着脱室
19 成膜室
20 着脱室開口
21 成膜室開口
22 移行軸
24 移行腕
25 基板ホルダ
30 扉
A 移行手段
B 閉塞手段
Claims (1)
- 【請求項1】 基板の移行室に隣接された基板の着脱
室及び成膜室と、前記移行室と前記着脱室との間に形成
された着脱室開口と、前記移行室と前記成膜室との間に
形成された成膜室開口と、前記移行室において基板ホル
ダを着脱室側と成膜室側との間に移行する移行手段と、
前記基板ホルダの周縁を前記移行室側から前記着脱室開
口及び成膜室開口の周縁に押圧し,それぞれの前記開口
を閉塞する閉塞手段と、前記着脱室を開閉する扉とを備
えた薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17306491A JPH04371580A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17306491A JPH04371580A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04371580A true JPH04371580A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15953544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17306491A Pending JPH04371580A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04371580A (ja) |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP17306491A patent/JPH04371580A/ja active Pending
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