JPH04368010A - マイクロ波発振器 - Google Patents

マイクロ波発振器

Info

Publication number
JPH04368010A
JPH04368010A JP14434191A JP14434191A JPH04368010A JP H04368010 A JPH04368010 A JP H04368010A JP 14434191 A JP14434191 A JP 14434191A JP 14434191 A JP14434191 A JP 14434191A JP H04368010 A JPH04368010 A JP H04368010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
effect transistor
source
gate
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14434191A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Tsunoda
角田 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP14434191A priority Critical patent/JPH04368010A/ja
Publication of JPH04368010A publication Critical patent/JPH04368010A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波発振器に関
し、特に電界効果トランジスタの負性抵抗を用いてマイ
クロ波発振器の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】衛星放送受信用コンバータの屋外ユニッ
トや、衛星通信装置のコンバータの局部発振回路等には
、小型で周波数が安定な誘導体共振器を装荷したマイク
ロ波発振器が使用されている。
【0003】従来の帯域反射型マイクロ波発振器の一例
を図3に示す。マイクロ波発振器では、電界効果トラン
ジスタQ1のゲートに接続される結合線路4に負性抵抗
があらわれるように、正電源1と接続されたドレイン電
極を高周波的に高周波短絡コンデンサC2により短絡し
、ソース電極に容量性リアクタンスC4を付加して、イ
ンダクタンスの高周波チョークL1と共振するようにし
ている。このトランジスタQ1のゲート電極に接続され
る結合線路4に誘導体共振器5を空間的に結合させると
、その共振周波数で発振エネルギーが反射され電界効果
トランジスタQ1に戻り、ソース電極から出力ポート3
に発振出力が出力される。
【0004】また、結合線路4は、直流阻止コンデンサ
C1を介して終端抵抗R1で終端され、電界効果トラン
ジスタQ1のゲートには負電源2から抵抗R2を介して
バイアスが供給されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来のマイクロ波
発振器では、図示のように発振を持続するさせる回路条
件として、電界効果トランジスタQ1のドレイン電極が
高周波的短絡され、ソース電極には容量性リアクタンス
C4を付加し、さらに電界効果トランジスタQ1を動作
させるために、直流的にはソース電極を高周波チョーク
L1により接地しなければならない。
【0006】このため、発振周波数では高いインピーダ
ンスとなる大きなインダクタンスL1を使う必要がある
。従って、この回路を半導体集積回路化する場合に広い
面積を要し、コストが上昇するという問題点があった。
【0007】本発明の目的は、このような問題を解決し
、回路の高周波チョークを除去することにより、小面積
に集積でき、IC化を可能としたマイクロ波発振器を提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、ドレイ
ン電極及びソース電極の一方を高周波的に短絡し、他方
を容量性リアクタンスに接続し、ゲート電極に負性抵抗
を発生させた共振回路により一定周波数の発振出力を得
る第1の電界効果トランジスタを用いたマイクロ波発振
器において、前記容量性リアクタンスとして、ゲート・
ソース電極間を短絡し接地した第2の電界効果トランジ
スタのドレインを接続したことを特徴とする。
【0009】
【実施例】図1は本発明の一実施例の等価回路図である
。図において、電界効果トランジスタQ1のドレインは
、高周波短絡用キャパシタC2により発振周波数におい
ては接地され、バイアスの正電源1が接続されている。 この電界効果トランジスタQ1のソースには第2の電界
効果トランジスタQ2のドレインが接続され、この電界
効果トランジスタQ2のゲートとソースは短絡され接地
されている。電界効果トランジスタQ1のゲートは結合
線路4を介して誘導体共振器5と電磁的に結合している
【0010】例えば、10GHzの発振器の場合、これ
ら電界効果トランジスタQ1,Q2のゲート幅をそれぞ
れ280μm、直流阻止キャパシタC1,C2及び高周
波短絡用キャパシタC2をそれぞれ2pFとすれば、電
界効果トランジスタQ2のドレインのインピーダンスは
数百オームと高く、電界効果トランジスタQ1のソース
に対して容量性リアクタンス(C3)として効果がある
。従って、結合線路4には8〜11GHzで負性抵抗を
得ることができ、誘導体共振器5の共振周波数を10G
Hzに選べば、10GHzの安定した発振を得ることが
できる。
【0011】図2は本発明の第二の実施例の等価回路図
である。本実施例では、電界効果トランジスタQ1のソ
ースには電界効果トランジスタQ2及びキャパシタC5
が付加され、さらに発振出力ポート3をゲートに設けて
いる。
【0012】例えば、電界効果トランジスタQ2のゲー
ト幅を280μmとすれば、発振条件となる容量分は0
.2pF程度であり、10GHz近辺の発振には適当で
あるが、さらに低い周波数での発振を起こすには不足す
る。そこで電界効果トランジスタQ2で得られない容量
性リアクタンスをキャパシタC5で補うことができる。 また、これら2つのエレメントで決定した発振条件に対
する負荷の影響を軽減するために、出力ポート3はトラ
ンジスタQ1のゲートを選び、これで出力整合をとりや
すくすることができる。例えば、キャパシタC5の容量
を0.1pFとすれば6〜9GHzの発振が可能となる
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波発振器は、発振周波数において容量性リアクタンスと
して働き、かつ直流的には低抵抗で接地することができ
るので、従来必要としていた高いインピーダンスを実現
する大きなインダクタンスが不要となり、容易に小型化
することができ、半導体集積回路化が可能となるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のマイクロ波発振器の回路図
【図2】本発明の第2の実施例の回路図。
【図3】従来の帯域反射型マイクロ波発振器の一例の回
路図。
【符号の説明】
1    正電源 2    負電源 3    出力ポート 4    結合線路 5    誘導体共振器 C1,C2    直流阻止キャパシタC2    高
周波短絡キャパシタ C4    容量性リアクタンス C5    キャパシタ L1    高周波チョーク(インダクタンス)Q1,
Q2    電界効果トランジスタR1    終端抵
抗 R2    抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ドレイン電極及びソース電極の一方を
    高周波的に短絡し、他方を容量性リアクタンスに接続し
    、ゲート電極に負性抵抗を発生させた共振回路により一
    定周波数の発振出力を得る第1の電界効果トランジスタ
    を用いたマイクロ波発振器において、前記容量性リアク
    タンスとして、ゲート・ソース電極間を短絡し接地した
    第2の電界効果トランジスタのドレインを接続したこと
    を特徴とするマイクロ波発振器。
  2. 【請求項2】  発振出力が、第1の電界効果トランジ
    スタのゲート電極またはソース電極からキャパシタを介
    して得られるものである請求項1記載のマイクロ波発振
    器。
JP14434191A 1991-06-17 1991-06-17 マイクロ波発振器 Pending JPH04368010A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14434191A JPH04368010A (ja) 1991-06-17 1991-06-17 マイクロ波発振器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14434191A JPH04368010A (ja) 1991-06-17 1991-06-17 マイクロ波発振器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04368010A true JPH04368010A (ja) 1992-12-21

Family

ID=15359855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14434191A Pending JPH04368010A (ja) 1991-06-17 1991-06-17 マイクロ波発振器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04368010A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0803972B1 (en) Dual band oscillator circuit
US5231361A (en) Voltage controlled push-push oscillator with parallel resonant tank circuits
US5942950A (en) Varactor tuned strip line resonator and VCO using same
JPS6047764B2 (ja) 集積回路化マイクロ波発振器
US4868526A (en) Frequency-doubling oscillator, tuned by varactors
JPH0618290B2 (ja) マイクロ波発振器
EP0064323B1 (en) An electronic circuit, such as an electronically tunable oscillator circuit, including an lc resonant circuit
US4783638A (en) Frequency doubling oscillator working at ultra-high frequencies
US5748051A (en) Low phase noise UHF and microwave oscillator
US4754236A (en) Frequency-doubling voltage-controlled oscillator
JPH05275924A (ja) 高周波発振回路
US6489853B1 (en) Low phase noise oscillator
US6208214B1 (en) Multifunction high frequency integrated circuit structure
JP2004505532A (ja) 高周波発振回路
US6628174B2 (en) Voltage-controlled oscillator and communication device
JP3005416B2 (ja) マイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路
JPH04368010A (ja) マイクロ波発振器
US6172577B1 (en) Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator
US8547181B2 (en) Oscillator with ohmically adjustable oscillation frequency
JPH104315A (ja) 高周波発振回路
US6960964B2 (en) Oscillator
KR900009190B1 (ko) 마이크로파 발진기
EP1892826A1 (en) Oscillator
DE19721186C2 (de) Feldeffekttransistor-Oszillatorvorrichtung
JPS6229210A (ja) 電圧制御マイクロ波発振器