JPH04366813A - 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ型液晶表示装置Info
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- JPH04366813A JPH04366813A JP3141632A JP14163291A JPH04366813A JP H04366813 A JPH04366813 A JP H04366813A JP 3141632 A JP3141632 A JP 3141632A JP 14163291 A JP14163291 A JP 14163291A JP H04366813 A JPH04366813 A JP H04366813A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 18
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置に関するものである。
晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置（以下、「ＴＦＴ−ＬＣＤ」という）の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基板
」という）上には、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜とし
て機能する第１絶縁膜４９が形成されている。その上に
、半導体層４５が、オーミック接合層５０が所定のパタ
ーンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソース電
極４２，４３が形成されている。そして、その上に画素
電極４４が形成され、その上に保護膜５１が形成されて
いる。
示装置（以下、「ＴＦＴ−ＬＣＤ」という）の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基板
」という）上には、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜とし
て機能する第１絶縁膜４９が形成されている。その上に
、半導体層４５が、オーミック接合層５０が所定のパタ
ーンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソース電
極４２，４３が形成されている。そして、その上に画素
電極４４が形成され、その上に保護膜５１が形成されて
いる。
【０００３】また、対向電極基板上には配線部の光漏れ
を防ぐためにブラック層５２と、カラーフィルタ層５３
が形成されており、その上に保護膜５４が形成されてい
る。そして、その上に対向電極５５が形成されており、
この対向基板と先に示したＴＦＴ基板の両方に各々に配
向膜５６が形成され、配向膜５６間にセル間隔ｄが設け
られ、そこに液晶５７が封入されている。
を防ぐためにブラック層５２と、カラーフィルタ層５３
が形成されており、その上に保護膜５４が形成されてい
る。そして、その上に対向電極５５が形成されており、
この対向基板と先に示したＴＦＴ基板の両方に各々に配
向膜５６が形成され、配向膜５６間にセル間隔ｄが設け
られ、そこに液晶５７が封入されている。
【０００４】図６は従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいてセル
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率Ｔ（％）は電圧を印加して
いない時を１００としてある。また、電圧Ｖは最大５ボ
ルト程度である。 図６（Ａ）は、正面方向から見たときの特性を示す。２
０が第１セル間隔、２１が第２セル間隔の場合のものを
示しているが、第１，第２セル間隔ともほぼ同じ曲線と
なっている。これは、液晶材料が同じなので、わずかな
セル間隔の差（０．５〜０．８μｍ）ではＮＷ（ノーマ
リホワイト）表示の場合、透過率の電圧依存性の差は無
視できるほど小さいことによる。
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率Ｔ（％）は電圧を印加して
いない時を１００としてある。また、電圧Ｖは最大５ボ
ルト程度である。 図６（Ａ）は、正面方向から見たときの特性を示す。２
０が第１セル間隔、２１が第２セル間隔の場合のものを
示しているが、第１，第２セル間隔ともほぼ同じ曲線と
なっている。これは、液晶材料が同じなので、わずかな
セル間隔の差（０．５〜０．８μｍ）ではＮＷ（ノーマ
リホワイト）表示の場合、透過率の電圧依存性の差は無
視できるほど小さいことによる。
【０００５】図６（Ｂ）は、偏光板の偏光軸と配向膜の
ラビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、も
しくは平行の場合の左右方向の３０°視角から見たとき
の特性を示す。２２が第１セル間隔、２３が第２セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第１セル間隔の方が薄いので
、最小透過率を示す電圧は、第２セル間隔の場合に比べ
、やや小さくなる。これは、液晶が同じ場合、セル厚は
薄いほうが階調反転を起こす視角方向において、より低
電圧で最小透過率を示すという現象によって起きるもの
である。
ラビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、も
しくは平行の場合の左右方向の３０°視角から見たとき
の特性を示す。２２が第１セル間隔、２３が第２セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第１セル間隔の方が薄いので
、最小透過率を示す電圧は、第２セル間隔の場合に比べ
、やや小さくなる。これは、液晶が同じ場合、セル厚は
薄いほうが階調反転を起こす視角方向において、より低
電圧で最小透過率を示すという現象によって起きるもの
である。
【０００６】図６（Ｃ）は偏光板の偏光軸と配向膜のラ
ビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、もし
くは平行の場合の左右方向の６０°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。２４が第１セル間隔、２５
が第２セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図６（Ｂ）において第１，第２セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧のＶ４，Ｖ２とし、図６（Ｃ
）において第１セル，第２セル間隔の時の最小透過率を
Ｖ３，Ｖ１とすると、これらの大小関係はＶ１＜Ｖ２〜
Ｖ３＜Ｖ４となることがわかる。
ビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、もし
くは平行の場合の左右方向の６０°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。２４が第１セル間隔、２５
が第２セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図６（Ｂ）において第１，第２セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧のＶ４，Ｖ２とし、図６（Ｃ
）において第１セル，第２セル間隔の時の最小透過率を
Ｖ３，Ｖ１とすると、これらの大小関係はＶ１＜Ｖ２〜
Ｖ３＜Ｖ４となることがわかる。
【０００７】図７は従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて印加
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。 図７（Ａ）は、第１セル間隔の場合で、印加電圧が図６
のＶ３，Ｖ４の時の特性を示したものである。Ｖ３の時
６０°で最も暗く、Ｖ４の時３０°で最も暗い。また、
Ｖ３の曲線とＶ４の曲線が交差するため、ある角度以上
では低電圧であるＶ３の方が暗くなっている。これを階
調反転という。この交差する視角以上では画像が不自然
に見える。
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。 図７（Ａ）は、第１セル間隔の場合で、印加電圧が図６
のＶ３，Ｖ４の時の特性を示したものである。Ｖ３の時
６０°で最も暗く、Ｖ４の時３０°で最も暗い。また、
Ｖ３の曲線とＶ４の曲線が交差するため、ある角度以上
では低電圧であるＶ３の方が暗くなっている。これを階
調反転という。この交差する視角以上では画像が不自然
に見える。
【０００８】図７（Ｂ）は、第２セル間隔の場合で、印
加電圧がＶ１，Ｖ２の時の特性を示したもので、第１セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、Ｓ．ＭＩＹＡＫＥ ｅｔａｌ．，’
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’９０，ｐ３５２
−３５５に記載されるものがあった。
加電圧がＶ１，Ｖ２の時の特性を示したもので、第１セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、Ｓ．ＭＩＹＡＫＥ ｅｔａｌ．，’
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’９０，ｐ３５２
−３５５に記載されるものがあった。
【０００９】この文献では、この上記問題に対してＮＷ
（ノーマリホワイト）でしかも上下視角方向において、
最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔｎ・ｄを
ふって求め、Δｎ・ｄ＝０．３９が階調表示に最適であ
るとしている（なお、Δｎは液晶の屈折率異方性、ｄは
液晶セルの厚みである）。ここで、偏光板の偏光軸は、
配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直に配
置されている。
（ノーマリホワイト）でしかも上下視角方向において、
最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔｎ・ｄを
ふって求め、Δｎ・ｄ＝０．３９が階調表示に最適であ
るとしている（なお、Δｎは液晶の屈折率異方性、ｄは
液晶セルの厚みである）。ここで、偏光板の偏光軸は、
配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直に配
置されている。
【００１０】この配置の場合、図７に示したように、上
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献に示されるような方法では、実質的な階調表示の高視
野角化は図られているが、所定電圧・所定視角における
異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。すな
わち、この上記文献においては、下方向においてある中
間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明らか
であり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしまうと
いう問題点があった。
献に示されるような方法では、実質的な階調表示の高視
野角化は図られているが、所定電圧・所定視角における
異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。すな
わち、この上記文献においては、下方向においてある中
間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明らか
であり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしまうと
いう問題点があった。
【００１２】本発明は、前記問題点を解決して、階調表
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の液晶
表示装置を提供することを目的とする。
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、複数のゲート電極と、そのゲート電極
と交差する複数のドレイン電極と、その交差部に形成さ
れたＴＦＴと、ＴＦＴのソース電極に接続された画素電
極とを有するＴＦＴ基板と、液晶を挟んでＴＦＴ基板と
対向する対向電極基板と、ＴＦＴ基板及び対向電極基板
と液晶との間に形成された配向膜と、ＴＦＴ基板及び対
向電極基板に対して液晶と反対側に設けた偏光板とを備
えたＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ドレイン−ソース電極と
画素電極を絶縁する絶縁膜が、画素電極上においてその
面積の一部が形成されないようにすることによって、第
１セル間隔と第２セル間隔とを有するものとし、かつ、
偏光板の偏光軸と前記配向膜のラビング方向がほぼ垂直
か、ほぼ平行に構成した。
めに、本発明は、複数のゲート電極と、そのゲート電極
と交差する複数のドレイン電極と、その交差部に形成さ
れたＴＦＴと、ＴＦＴのソース電極に接続された画素電
極とを有するＴＦＴ基板と、液晶を挟んでＴＦＴ基板と
対向する対向電極基板と、ＴＦＴ基板及び対向電極基板
と液晶との間に形成された配向膜と、ＴＦＴ基板及び対
向電極基板に対して液晶と反対側に設けた偏光板とを備
えたＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ドレイン−ソース電極と
画素電極を絶縁する絶縁膜が、画素電極上においてその
面積の一部が形成されないようにすることによって、第
１セル間隔と第２セル間隔とを有するものとし、かつ、
偏光板の偏光軸と前記配向膜のラビング方向がほぼ垂直
か、ほぼ平行に構成した。
【００１４】
【作用】本発明によれば、以上のようにＴＦＴ−ＬＣＤ
を構成したので、１画素内において２つのセル間隔ｄ１
，ｄ２を有する構成とすることにより、液晶層のΔｎ・
ｄを２レベルに設定した。したがって、ＬＣＤの視野角
特性はΔｎ・ｄ１の液晶とΔｎ・ｄ２の液晶の平均にな
るので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が回
避される。
を構成したので、１画素内において２つのセル間隔ｄ１
，ｄ２を有する構成とすることにより、液晶層のΔｎ・
ｄを２レベルに設定した。したがって、ＬＣＤの視野角
特性はΔｎ・ｄ１の液晶とΔｎ・ｄ２の液晶の平均にな
るので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が回
避される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における
ＴＦＴ基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図である
。ＴＦＴの構成はゲート電極１とドレイン電極２の交差
部で半導体層５をチャネルとするトランジスタが設けら
れ、ソース電極３と画素電極４に所定の電圧が書き込ま
れるというもので、ごく一般的なものである。コンタク
トホール６及び第２セル間隔用ホール７は、後に述べる
絶縁膜のない部分を示している。コンタクトホール６は
ソース電極３と画素電極４を電気的に接続するものであ
り、第２セル間隔用ホール７は２番目のセル間隔として
規定するためのものである。図に示すように、画素のほ
ぼ半分はこの２番目のセル間隔となっている。本実施例
では、第１セル間隔と第２セル間隔とが画素のほぼ半分
ずつになるように構成しているが、これは左右方向又は
上下方向の輝度を等しくするためである。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における
ＴＦＴ基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図である
。ＴＦＴの構成はゲート電極１とドレイン電極２の交差
部で半導体層５をチャネルとするトランジスタが設けら
れ、ソース電極３と画素電極４に所定の電圧が書き込ま
れるというもので、ごく一般的なものである。コンタク
トホール６及び第２セル間隔用ホール７は、後に述べる
絶縁膜のない部分を示している。コンタクトホール６は
ソース電極３と画素電極４を電気的に接続するものであ
り、第２セル間隔用ホール７は２番目のセル間隔として
規定するためのものである。図に示すように、画素のほ
ぼ半分はこの２番目のセル間隔となっている。本実施例
では、第１セル間隔と第２セル間隔とが画素のほぼ半分
ずつになるように構成しているが、これは左右方向又は
上下方向の輝度を等しくするためである。
【００１６】図２は本発明の実施例におけるＴＦＴ基板
のＴＦＴチャネル部（図１中のＡ−Ａ′）の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極１の表面は陽極酸化され
、ゲート−ドレイン電極１，２間のショートを防ぐため
のゲート陽極酸化膜８が形成されている。そして、これ
らゲート電極１上にゲート絶縁膜として機能する第１絶
縁膜９が形成されている。さらに、第１絶縁膜９の上に
半導体層５が図１に示すようなパターンで形成されてい
る。そして、その上にオーミック接合層１０が所定のパ
ターンに形成され、その上にドレイン−ソース電極２，
３が図１に示すようなパターンに形成されている。 さらに、その上に第２絶縁膜１１がコンタクトホール６
以外の部分に形成され、その上に画素電極４が図１に示
すようなパターンに形成されている。
のＴＦＴチャネル部（図１中のＡ−Ａ′）の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極１の表面は陽極酸化され
、ゲート−ドレイン電極１，２間のショートを防ぐため
のゲート陽極酸化膜８が形成されている。そして、これ
らゲート電極１上にゲート絶縁膜として機能する第１絶
縁膜９が形成されている。さらに、第１絶縁膜９の上に
半導体層５が図１に示すようなパターンで形成されてい
る。そして、その上にオーミック接合層１０が所定のパ
ターンに形成され、その上にドレイン−ソース電極２，
３が図１に示すようなパターンに形成されている。 さらに、その上に第２絶縁膜１１がコンタクトホール６
以外の部分に形成され、その上に画素電極４が図１に示
すようなパターンに形成されている。
【００１７】図３は本発明の実施例におけるＴＦＴ−Ｌ
ＣＤの一部（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層１２が形成されており、その上にカラーフィルタ
層１３が形成されており、その上に保護膜１４が形成さ
れている。そして、その上に対向電極１５が形成されて
おり、この対向基板と先に示したＴＦＴ基板の両方に各
々、配向膜１６が形成され、液晶１７が封入されている
。ここで、先に述べた第２セル間隔用ホール７は第２絶
縁膜１１のない部分として得られるので、この図に示す
ように、画素電極４上は第１セル間隔１８、第２セル間
隔１９の２つのセル間隔を有することになる。すなわち
、第１，第２セル間隔差は、第２絶縁膜の厚みに相当す
る。この第１，第２セル間隔差は、液晶のΔｎ（屈折率
異方性）が大きいほうが小さくてよいという傾向がある
が、通常用いる第２絶縁膜の厚みは０．５〜０．８μｍ
であり、視野角特性を変え得るに十分な間隔である。 しかし、もしこの第２絶縁膜１１の厚みで足りない場合
は、第１絶縁膜９に第２セル間隔用のホールを形成すれ
ばよい。つまり、第１，第２セル間隔差は、第１，第２
絶縁膜９，１１のホールの深さによって、所望の値に制
御できるのである。ただし、第２絶縁膜１１は、コンタ
クトホール部はすべてエッチングされねばならないので
、第２絶縁膜１１の第２セル間隔用ホールはすべてエッ
チングされる方が好ましい。
ＣＤの一部（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層１２が形成されており、その上にカラーフィルタ
層１３が形成されており、その上に保護膜１４が形成さ
れている。そして、その上に対向電極１５が形成されて
おり、この対向基板と先に示したＴＦＴ基板の両方に各
々、配向膜１６が形成され、液晶１７が封入されている
。ここで、先に述べた第２セル間隔用ホール７は第２絶
縁膜１１のない部分として得られるので、この図に示す
ように、画素電極４上は第１セル間隔１８、第２セル間
隔１９の２つのセル間隔を有することになる。すなわち
、第１，第２セル間隔差は、第２絶縁膜の厚みに相当す
る。この第１，第２セル間隔差は、液晶のΔｎ（屈折率
異方性）が大きいほうが小さくてよいという傾向がある
が、通常用いる第２絶縁膜の厚みは０．５〜０．８μｍ
であり、視野角特性を変え得るに十分な間隔である。 しかし、もしこの第２絶縁膜１１の厚みで足りない場合
は、第１絶縁膜９に第２セル間隔用のホールを形成すれ
ばよい。つまり、第１，第２セル間隔差は、第１，第２
絶縁膜９，１１のホールの深さによって、所望の値に制
御できるのである。ただし、第２絶縁膜１１は、コンタ
クトホール部はすべてエッチングされねばならないので
、第２絶縁膜１１の第２セル間隔用ホールはすべてエッ
チングされる方が好ましい。
【００１８】図４は本発明の実施例において印加電圧を
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図７に
おけるＶ１，Ｖ２〜Ｖ３，Ｖ４の時の特性を示している
。１画素内で２つのセル間隔を有しているので、図７（
Ａ），（Ｂ）の平均となるような視角特性を表す。した
がって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他方
のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よって、
ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避される
。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減される
ことになる。つまり、どの電圧でも、どの視角からみて
も自然な画像が得られるのである。
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図７に
おけるＶ１，Ｖ２〜Ｖ３，Ｖ４の時の特性を示している
。１画素内で２つのセル間隔を有しているので、図７（
Ａ），（Ｂ）の平均となるような視角特性を表す。した
がって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他方
のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よって、
ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避される
。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減される
ことになる。つまり、どの電圧でも、どの視角からみて
も自然な画像が得られるのである。
【００１９】そして、この現象が得られるのは、Δｎ・
ｄがＮＢ（ノーマリブラック）表示の場合の１ｓｔ
ｍｉｎ条件程度の時のみではないが、一般的に１以上に
すると視野角自体が狭くなってしまうので、０．３〜０
．７程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第１セル間隔とΔｎの積と、第２セル間隔と
Δｎの積の差は、０．０２〜０．１程度の範囲内にあれ
ば十分効果が現れた。
ｄがＮＢ（ノーマリブラック）表示の場合の１ｓｔ
ｍｉｎ条件程度の時のみではないが、一般的に１以上に
すると視野角自体が狭くなってしまうので、０．３〜０
．７程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第１セル間隔とΔｎの積と、第２セル間隔と
Δｎの積の差は、０．０２〜０．１程度の範囲内にあれ
ば十分効果が現れた。
【００２０】また、本発明の実施例によれば、従来文献
で見られるようなＮＷ表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
で見られるようなＮＷ表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、２種類のセル間隔で駆動されるようにしたので
、どの視角からみても、特異的に発生する高遮光現象を
回避でき、また、著しい階調反転現象を和らげることが
できる。したがって、広視野角の階調表示が得られるの
で、自然な画像表示が可能で、高品位なＴＦＴ−ＬＣＤ
が実現できる。
よれば、２種類のセル間隔で駆動されるようにしたので
、どの視角からみても、特異的に発生する高遮光現象を
回避でき、また、著しい階調反転現象を和らげることが
できる。したがって、広視野角の階調表示が得られるの
で、自然な画像表示が可能で、高品位なＴＦＴ−ＬＣＤ
が実現できる。
【図１】本発明の実施例におけるＴＦＴ基板上の薄膜パ
ターンの構成を示す平面図である。
ターンの構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例におけるＴＦＴ基板のＴＦＴチ
ャネル部の断面図（図１中のＡ−Ａ′）である。
ャネル部の断面図（図１中のＡ−Ａ′）である。
【図３】本発明の実施例におけるＴＦＴ−ＬＣＤの一部
（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。
（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。
【図４】本発明の実施例において印加電圧をパラメータ
にしたときの視角−透過率特性図である。
にしたときの視角−透過率特性図である。
【図５】従来のＴＦＴ−ＬＣＤの一部断面図である。
【図６】従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいてセル間隔をパラ
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
【図７】従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて印加電圧をパラ
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
１ ゲート電極
２ ドレイン電極
３ ソース電極
４ 画素電極
５ 半導体層
６ コンタクトホール
７ 第２セル間隔用ホール
８ ゲート陽極酸化膜
９ 第１絶縁膜
１０ オーミック接合層
１１ 第２絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 複数のゲート電極と、該ゲート電極と
交差する複数のドレイン電極と、その交差部に形成され
た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電
極に接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基
板と、液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板及び対向電
極基板と液晶との間に形成された配向膜と、前記薄膜ト
ランジスタ基板及び対向電極基板に対して液晶と反対側
に設けた偏光板とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、（ａ）前記ドレイン−ソース電極と前記
画素電極を絶縁する絶縁膜が、前記画素電極上において
その面積の一部が形成されないようにすることによって
、第１セル間隔と第２セル間隔とを有するものとし、（
ｂ）前記偏光板の偏光軸と前記配向膜のラビング方向が
ほぼ垂直か、ほぼ平行にしたことを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁膜のほぼ半分が形成されないよう
にした請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置
。 - 【請求項３】 ゲート絶縁膜もその面積の一部を形成
されないようにするか、又は所定の深さまで取り除かれ
ていることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜トラ
ンジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項４】 ゲート絶縁膜のほぼ半分を形成されな
いようにするか、又は所定の深さまで取り除かれている
請求項３記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項５】 第１セル間隔、第２セル間隔と液晶の
屈折率異方性Δｎの積が０．３以上０．７以下である請
求項１〜４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置。 - 【請求項６】 第１セル間隔と液晶の屈折率異方性Δ
ｎの積と、第２セル間隔と液晶の屈折率異方性Δｎの積
の差が０．０２以上０．１以下である請求項１〜５のい
ずれかに記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366813A true JPH04366813A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2710874B2 JP2710874B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=15296557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14163291A Expired - Lifetime JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710874B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636917A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5777700A (en) * | 1993-07-14 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159830A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPH02171721A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH02219028A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14163291A patent/JP2710874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5953093A (en) * | 1993-07-17 | 1999-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having two or more spacings between electrodes |
| EP0636917A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5872611A (en) * | 1993-07-27 | 1999-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having two or more spacings between electrodes |
| US6141077A (en) * | 1993-07-27 | 2000-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including pixel electrode(s) designed to improve viewing characteristics |
| US6342939B1 (en) | 1993-07-27 | 2002-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including pixel electrode (S) designed to improve viewing characteristics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2710874B2 (ja) | 1998-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971014 |