JPH04363078A - Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材 - Google Patents
Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材Info
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- JPH04363078A JPH04363078A JP3050194A JP5019491A JPH04363078A JP H04363078 A JPH04363078 A JP H04363078A JP 3050194 A JP3050194 A JP 3050194A JP 5019491 A JP5019491 A JP 5019491A JP H04363078 A JPH04363078 A JP H04363078A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は励磁や減磁の速度が大き
い変動磁場中でも超電導状態の安定性に優れ、かつ磁気
シールド特性の高いＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
に関するものである。
い変動磁場中でも超電導状態の安定性に優れ、かつ磁気
シールド特性の高いＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、超電導を利用した磁気シールド材
として第１種超電導体及び第２種超電導体が用いられて
いた。両者は磁場の強さによって使い分けられ、第１種
超電導体はマイスナー効果によりかなり低い磁場までで
はあるが完全に磁気シールドすることができる。第２種
超電導体は下部臨界磁場Ｂｃ１と上部臨界磁場Ｂｃ２を
有し、Ｂｃ１まではかなり低い磁場ではあるがマイスナ
ー効果により完全磁気シールドすることができる。Ｂｃ
１からＢｃ２の間では超電導状態と常電導状態の混合状
態となり磁気シールドを行うことができるが、Ｂｃ２が
かなり高い材料を用いれば高磁場の磁気シールドも可能
である。
として第１種超電導体及び第２種超電導体が用いられて
いた。両者は磁場の強さによって使い分けられ、第１種
超電導体はマイスナー効果によりかなり低い磁場までで
はあるが完全に磁気シールドすることができる。第２種
超電導体は下部臨界磁場Ｂｃ１と上部臨界磁場Ｂｃ２を
有し、Ｂｃ１まではかなり低い磁場ではあるがマイスナ
ー効果により完全磁気シールドすることができる。Ｂｃ
１からＢｃ２の間では超電導状態と常電導状態の混合状
態となり磁気シールドを行うことができるが、Ｂｃ２が
かなり高い材料を用いれば高磁場の磁気シールドも可能
である。
【０００３】ここで第２種超電導体のうち最も多量に実
用化されているＮｂ−Ｔｉ系超電導材を用いた磁気シー
ルド材は、単独では超電導特性が不安定なためＣｕやＡ
ｌの高導電金属を被覆したり、交互に積層した構造を有
し、一般的にテープ状やシート状の形状をしていた。
用化されているＮｂ−Ｔｉ系超電導材を用いた磁気シー
ルド材は、単独では超電導特性が不安定なためＣｕやＡ
ｌの高導電金属を被覆したり、交互に積層した構造を有
し、一般的にテープ状やシート状の形状をしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｎｂ−Ｔｉ合金等の金
属系超電導材には、超電導特性を安定化させるためＣｕ
やＡｌ等の高導電金属を接合させることが望ましい。こ
れは、超電導層内部への磁束の急激な侵入によって発熱
が生じるが、高導電金属層が超電導層の両側に接合して
いることによってこの熱をすやみかに外部の液体Ｈｅ中
に放散させることができることによる。また、部分的に
超電導状態が破壊されて高抵抗部になったとしても、高
導電金属が超電導電流の非常に導電性の良いバイパスの
役目を果たし、超電導状態に再び復することを可能にす
る。また、第２種超電導体に特有の励減磁の際のヒステ
リシスロスをできるだけ小さくし、超電導状態の安定性
を増すために超電導層１層当りの厚さをできるだけ小さ
くする必要がある。したがって、これらの事情から必然
的に板状の超電導磁気シールド材は高導電金属層と超電
導金属層との交互多層構造を有することになる。
属系超電導材には、超電導特性を安定化させるためＣｕ
やＡｌ等の高導電金属を接合させることが望ましい。こ
れは、超電導層内部への磁束の急激な侵入によって発熱
が生じるが、高導電金属層が超電導層の両側に接合して
いることによってこの熱をすやみかに外部の液体Ｈｅ中
に放散させることができることによる。また、部分的に
超電導状態が破壊されて高抵抗部になったとしても、高
導電金属が超電導電流の非常に導電性の良いバイパスの
役目を果たし、超電導状態に再び復することを可能にす
る。また、第２種超電導体に特有の励減磁の際のヒステ
リシスロスをできるだけ小さくし、超電導状態の安定性
を増すために超電導層１層当りの厚さをできるだけ小さ
くする必要がある。したがって、これらの事情から必然
的に板状の超電導磁気シールド材は高導電金属層と超電
導金属層との交互多層構造を有することになる。
【０００５】このような考え方による技術としては、た
とえば特開平２−９４４９８号公報におけるＣｕ／Ｎｂ
／Ｎｂ−Ｔｉ多層複合板等が挙げられる。
とえば特開平２−９４４９８号公報におけるＣｕ／Ｎｂ
／Ｎｂ−Ｔｉ多層複合板等が挙げられる。
【０００６】しかしながら、この多層複合板においては
、変動磁場中にあっては高導電金属中の渦電流や磁束線
の方向にもよるがＮｂ−Ｔｉ層間に結合電流が生じ、超
電導不安定性の一因となる。
、変動磁場中にあっては高導電金属中の渦電流や磁束線
の方向にもよるがＮｂ−Ｔｉ層間に結合電流が生じ、超
電導不安定性の一因となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、Ｎｂ−
Ｔｉ系合金層と常電導金属層が厚さ方向に各々少なくと
も１層交互に積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層と常電
導金属層の間にはすべてＮｂもしくはＴａまたは両者の
合金のバリヤー層が存在するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シ
ールド材において、常電導金属層が高抵抗金属層からな
るか、または常電導金属層が高抵抗金属層と高導電金属
層が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層されてな
ることを特徴とするＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
である。
Ｔｉ系合金層と常電導金属層が厚さ方向に各々少なくと
も１層交互に積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層と常電
導金属層の間にはすべてＮｂもしくはＴａまたは両者の
合金のバリヤー層が存在するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シ
ールド材において、常電導金属層が高抵抗金属層からな
るか、または常電導金属層が高抵抗金属層と高導電金属
層が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層されてな
ることを特徴とするＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
である。
【０００８】図１に示すように、Ｎｂ−Ｔｉ系合金層１
と常電導金属層が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に
積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層１と常電導金属層の
間にはすべてＮｂもしくはＴａまたは両者の合金のバリ
ヤー層４が存在するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
において、常電導金属層がすべて高抵抗金属層２からな
るか、または図２に示すように、高抵抗金属層２と高導
電金属層３が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層
されて常電導金属層を形成する。
と常電導金属層が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に
積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層１と常電導金属層の
間にはすべてＮｂもしくはＴａまたは両者の合金のバリ
ヤー層４が存在するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
において、常電導金属層がすべて高抵抗金属層２からな
るか、または図２に示すように、高抵抗金属層２と高導
電金属層３が厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層
されて常電導金属層を形成する。
【０００９】この場合、Ｎｂ−Ｔｉ系合金層に接合され
る側が両方とも高導電金属層３で、それらに高抵抗金属
層２がはさまれたサンドイッチ構造が望ましい。また、
それとは逆に高導電金属層が高抵抗金属層にはさまれた
サンドイッチ構造でもよい。さらに、常電導金属層が上
記３層のサンドイッチ構造ではなく、単に両者の２層構
造であってもよい。
る側が両方とも高導電金属層３で、それらに高抵抗金属
層２がはさまれたサンドイッチ構造が望ましい。また、
それとは逆に高導電金属層が高抵抗金属層にはさまれた
サンドイッチ構造でもよい。さらに、常電導金属層が上
記３層のサンドイッチ構造ではなく、単に両者の２層構
造であってもよい。
【００１０】図３に示すように、上記常電導金属層中に
おける高導電金属層を、筋状の高抵抗金属帯２ａによっ
て複数の筋状の高導電金属帯３ａに分割してもよい。
おける高導電金属層を、筋状の高抵抗金属帯２ａによっ
て複数の筋状の高導電金属帯３ａに分割してもよい。
【００１１】この場合、１本の筋状高導電金属帯は、隣
接する他の筋状高導電金属帯とつながらないように筋状
高抵抗金属帯が配置されていればよい。したがって、筋
状高抵抗金属帯同士はお互いに交わる点がなく各一列ず
つであってもよいし、交叉点が各所にある、すなわち高
抵抗金属帯の壁によって高導電金属が細胞状（セル状）
に取り囲まれた構造であってもよい。ただし、この筋状
の高抵抗金属帯がその厚さ方向において一方の高抵抗金
属層から他方のＮｂ−Ｔｉ系合金層界面にあるバリヤー
層または高抵抗金属層に至るまで途切れることなくつな
がっていることが必要である。
接する他の筋状高導電金属帯とつながらないように筋状
高抵抗金属帯が配置されていればよい。したがって、筋
状高抵抗金属帯同士はお互いに交わる点がなく各一列ず
つであってもよいし、交叉点が各所にある、すなわち高
抵抗金属帯の壁によって高導電金属が細胞状（セル状）
に取り囲まれた構造であってもよい。ただし、この筋状
の高抵抗金属帯がその厚さ方向において一方の高抵抗金
属層から他方のＮｂ−Ｔｉ系合金層界面にあるバリヤー
層または高抵抗金属層に至るまで途切れることなくつな
がっていることが必要である。
【００１２】ここで、上記３層のサンドイッチ構造であ
りながら高導電金属層が筋状の高抵抗金属帯によって複
数の筋状の高導電金属帯に分割されている構造が望まし
いが、上記２層構造において同様に筋状に分割されてい
ても構わない。
りながら高導電金属層が筋状の高抵抗金属帯によって複
数の筋状の高導電金属帯に分割されている構造が望まし
いが、上記２層構造において同様に筋状に分割されてい
ても構わない。
【００１３】さらに、高抵抗金属はＣｕ−Ｎｉ合金、Ｃ
ｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｃｏ合金のうちいずれかとするこ
とができる。各Ｃｕ合金とも十分な高抵抗であるために
は、各第二元素が３ｗｔ％以上であることが望ましい。
ｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｃｏ合金のうちいずれかとするこ
とができる。各Ｃｕ合金とも十分な高抵抗であるために
は、各第二元素が３ｗｔ％以上であることが望ましい。
【００１４】
【作用】常電導金属層がすべて高抵抗金属である場合、
放熱媒体または超電導電流のバイパスとしての効果は低
下するものの、変動磁場によって生じる渦電流や超電導
層間の結合電流を相当に抑制することができ、変動磁場
用の磁気シールド材として効果を発揮することができる
。
放熱媒体または超電導電流のバイパスとしての効果は低
下するものの、変動磁場によって生じる渦電流や超電導
層間の結合電流を相当に抑制することができ、変動磁場
用の磁気シールド材として効果を発揮することができる
。
【００１５】常電導金属層が、高抵抗金属層と高導電金
属層とが厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層され
てなる場合、そのうち特にＮｂ−Ｔｉ系合金層界面のバ
リヤー層に接合される側が両方とも高導電金属層で、そ
れらに高抵抗金属層がはさまれたサンドイッチ構造であ
る場合、常電導金属層の断面積比が同じであれば大きな
渦電流の流れる領域が減り、かつＮｂ−Ｔｉ層間の結合
電流を高抵抗金属層によって大幅に低減することが可能
になる。また放熱媒体または超電導電流のバイパスとし
ての効果もある程度保持される。高抵抗金属と高導電金
属が入れ替わったサンドイッチ構造でも同様の理由で効
果が発揮される。
属層とが厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層され
てなる場合、そのうち特にＮｂ−Ｔｉ系合金層界面のバ
リヤー層に接合される側が両方とも高導電金属層で、そ
れらに高抵抗金属層がはさまれたサンドイッチ構造であ
る場合、常電導金属層の断面積比が同じであれば大きな
渦電流の流れる領域が減り、かつＮｂ−Ｔｉ層間の結合
電流を高抵抗金属層によって大幅に低減することが可能
になる。また放熱媒体または超電導電流のバイパスとし
ての効果もある程度保持される。高抵抗金属と高導電金
属が入れ替わったサンドイッチ構造でも同様の理由で効
果が発揮される。
【００１６】上記３層のサンドイッチ構造でなく、２層
であっても相当の効果はある。もちろん４層、５層と増
やすことも可能であり、高導電金属層がより細分化され
ることから、磁束の方向にもよるが特に渦電流の抑制に
効果がある。
であっても相当の効果はある。もちろん４層、５層と増
やすことも可能であり、高導電金属層がより細分化され
ることから、磁束の方向にもよるが特に渦電流の抑制に
効果がある。
【００１７】また、上記常電導金属層中における高導電
金属層が筋状の高抵抗金属帯によって複数の筋状の高導
電金属帯に分割されている場合、板の厚さ方向だけでな
く平面方向にも分割がなされることにより、特に渦電流
の抑制に対してより大きな効果がある。厚さ方向にも高
抵抗金属層があるので、もちろん結合電流に対する抑制
効果もある。
金属層が筋状の高抵抗金属帯によって複数の筋状の高導
電金属帯に分割されている場合、板の厚さ方向だけでな
く平面方向にも分割がなされることにより、特に渦電流
の抑制に対してより大きな効果がある。厚さ方向にも高
抵抗金属層があるので、もちろん結合電流に対する抑制
効果もある。
【００１８】
実施例１
図１に示すように、厚さ３０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金の高
抵抗金属層２を１１層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系
合金層１を１０層交互に積層し、両者のすべての層間に
バリヤーとして厚さ０．１μｍのＮｂ層を設けた厚さ０
．６３２ｍｍの板をクラッド圧延法により製作した。 また、これと比較のためＣｕ−Ｎｉ合金層をすべてＣｕ
層におきかえただけで、同一サイズ、構造の板も同一工
程によって製作した。
抵抗金属層２を１１層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系
合金層１を１０層交互に積層し、両者のすべての層間に
バリヤーとして厚さ０．１μｍのＮｂ層を設けた厚さ０
．６３２ｍｍの板をクラッド圧延法により製作した。 また、これと比較のためＣｕ−Ｎｉ合金層をすべてＣｕ
層におきかえただけで、同一サイズ、構造の板も同一工
程によって製作した。
【００１９】これらの板より切り出した円形の試料を変
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも５倍以上大きい励磁速度まで超電
導状態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可
能であった。
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも５倍以上大きい励磁速度まで超電
導状態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可
能であった。
【００２０】また、Ｃｕ−Ｎｉ合金のかわりにＣｕ−Ｍ
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
【００２１】実施例２
図２に示すように、厚さ１０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金の高
抵抗金属層２をはさんだ２層の厚さ１０μｍのＣｕの高
導電金属層３からなるサンドイッチ構造の常電導金属層
を９層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系合金層１を１０
層交互に積層し、両者のすべての層間にバリヤーとして
厚さ０．１μｍのＮｂ層を設け、最表面は両側とも厚さ
２０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金の高抵抗金属層２と厚さ１０
μｍのＣｕの高導電金属層３を積層した厚さ０．６３２
ｍｍの板をクラッド圧延法により製作した。また、これ
と比較のためＣｕ−Ｎｉ合金層をすべてＣｕにおきかえ
ただけで、同一サイズ、構造の板も同一工程によって製
作した。
抵抗金属層２をはさんだ２層の厚さ１０μｍのＣｕの高
導電金属層３からなるサンドイッチ構造の常電導金属層
を９層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系合金層１を１０
層交互に積層し、両者のすべての層間にバリヤーとして
厚さ０．１μｍのＮｂ層を設け、最表面は両側とも厚さ
２０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金の高抵抗金属層２と厚さ１０
μｍのＣｕの高導電金属層３を積層した厚さ０．６３２
ｍｍの板をクラッド圧延法により製作した。また、これ
と比較のためＣｕ−Ｎｉ合金層をすべてＣｕにおきかえ
ただけで、同一サイズ、構造の板も同一工程によって製
作した。
【００２２】これらの板より切り出した円形の試料を変
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも２倍以上大きい励磁速度まで超電
導状態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可
能であった。
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも２倍以上大きい励磁速度まで超電
導状態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可
能であった。
【００２３】また、Ｃｕ−Ｎｉ合金のかわりにＣｕ−Ｍ
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
【００２４】ＣｕのかわりにＡｌまたはＡｇを用いても
ほぼ同様の結果を得ることができた。
ほぼ同様の結果を得ることができた。
【００２５】実施例３
図３に示すように、厚さ１０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金の高
抵抗金属層２をはさみ、厚さ１０μｍで筋状のＣｕ−Ｎ
ｉ合金の高抵抗金属帯２ａによって分割細分化された筋
状のＣｕ高導電金属帯３ａからなるサンドイッチ構造の
常電導金属層９層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系合金
層１の１０層を交互に積層し、両者のすべての層間にバ
リヤーとして厚さ０．１μｍのＮｂ層を設け、最表面は
両側とも厚さ２０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金層と、厚さ１０
μｍのＣｕ−Ｎｉ合金帯およびＣｕ帯の混合層を積層し
た厚さ０．６３２ｍｍの板をクラッド圧延法により製作
した。また、これと比較のためＣｕ−Ｎｉ合金をすべて
Ｃｕにおきかえただけで、同一サイズ、構造の板も同一
工程によって製作した。
抵抗金属層２をはさみ、厚さ１０μｍで筋状のＣｕ−Ｎ
ｉ合金の高抵抗金属帯２ａによって分割細分化された筋
状のＣｕ高導電金属帯３ａからなるサンドイッチ構造の
常電導金属層９層と、厚さ３０μｍのＮｂ−Ｔｉ系合金
層１の１０層を交互に積層し、両者のすべての層間にバ
リヤーとして厚さ０．１μｍのＮｂ層を設け、最表面は
両側とも厚さ２０μｍのＣｕ−Ｎｉ合金層と、厚さ１０
μｍのＣｕ−Ｎｉ合金帯およびＣｕ帯の混合層を積層し
た厚さ０．６３２ｍｍの板をクラッド圧延法により製作
した。また、これと比較のためＣｕ−Ｎｉ合金をすべて
Ｃｕにおきかえただけで、同一サイズ、構造の板も同一
工程によって製作した。
【００２６】これらの板より切り出した円形の試料を変
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも３倍大きい励磁速度まで超電導状
態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可能で
あった。
動磁場中に置いて磁気シールド特性を評価したところ、
本発明品は比較品がフラックスジャンプによって超電導
状態が消失するよりも３倍大きい励磁速度まで超電導状
態を保持し、磁気シールド効果を発生することが可能で
あった。
【００２７】また、Ｃｕ−Ｎｉ合金のかわりにＣｕ−Ｍ
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
ｎ合金またはＣｕ−Ｃｏ合金を用いてもほぼ同様の結果
を得ることができた。
【００２８】ＣｕのかわりにＡｌまたはＡｇを用いても
ほぼ同様の結果を得ることができた。
ほぼ同様の結果を得ることができた。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の高導電金属層とのみ接合させていたＮｂ−Ｔｉ系
合金複合板では対応できなかった励磁や減磁の速度が大
きい変動磁場中でも、超電導状態の安定性に優れかつ磁
気シールド特性の高い磁気シールド材を得ることができ
、その工業的な利用価値は非常に高いものである。
従来の高導電金属層とのみ接合させていたＮｂ−Ｔｉ系
合金複合板では対応できなかった励磁や減磁の速度が大
きい変動磁場中でも、超電導状態の安定性に優れかつ磁
気シールド特性の高い磁気シールド材を得ることができ
、その工業的な利用価値は非常に高いものである。
【図１】Ｎｂ−Ｔｉ系合金層と高抵抗金属層が厚さ方向
に交互に積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層と常電導金
属層の間にはすべてバリヤー層が存在するＮｂ−Ｔｉ系
超電導磁気シールド材を示す図である。
に交互に積層され、かつＮｂ−Ｔｉ系合金層と常電導金
属層の間にはすべてバリヤー層が存在するＮｂ−Ｔｉ系
超電導磁気シールド材を示す図である。
【図２】高抵抗金属層と高導電金属層が厚さ方向に交互
に積層されて常電導金属層が形成される場合、Ｎｂ−Ｔ
ｉ系合金層界面のバリヤーに接合される側が両方とも高
導電金属層で、それらに高抵抗金属層がはさまれたサン
ドイッチ構造であるＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
を示す図である。
に積層されて常電導金属層が形成される場合、Ｎｂ−Ｔ
ｉ系合金層界面のバリヤーに接合される側が両方とも高
導電金属層で、それらに高抵抗金属層がはさまれたサン
ドイッチ構造であるＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材
を示す図である。
【図３】図２における常電導金属層中の高導電金属層が
、筋状の高抵抗金属帯によって複数の筋状高導電金属帯
に分割されている構造を有するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気
シールド材を示す図である。 １ Ｎｂ−Ｔｉ系合金層 ２ 高抵抗金属層 ２ａ 高抵抗金属帯 ３ 高導電金属層 ３ａ 高導電金属帯 ４ バリヤー層
、筋状の高抵抗金属帯によって複数の筋状高導電金属帯
に分割されている構造を有するＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気
シールド材を示す図である。 １ Ｎｂ−Ｔｉ系合金層 ２ 高抵抗金属層 ２ａ 高抵抗金属帯 ３ 高導電金属層 ３ａ 高導電金属帯 ４ バリヤー層
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｎｂ−Ｔｉ系合金層と常電導金属層が
厚さ方向に各々少なくとも１層交互に積層され、かつＮ
ｂ−Ｔｉ系合金層と常電導金属層の間にはすべてＮｂも
しくはＴａまたは両者の合金のバリヤー層が存在するＮ
ｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材において、常電導金属
層が高抵抗金属層からなるか、または常電導金属層が高
抵抗金属層と高導電金属層が厚さ方向に各々少なくとも
１層交互に積層されてなることを特徴とするＮｂ−Ｔｉ
系超電導磁気シールド材。 - 【請求項２】 高導電金属層が筋状の高抵抗金属帯に
よって複数の筋状に分割されていることを特徴とする請
求項１記載のＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材。 - 【請求項３】 高抵抗金属がＣｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−
Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｃｏ合金のうちいずれかであり、高導
電金属がＣｕ、Ａｌ、Ａｇのうちいずれかであることを
特徴とする請求項１または２記載のＮｂ−Ｔｉ系超電導
磁気シールド材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050194A JP2920844B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050194A JP2920844B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363078A true JPH04363078A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2920844B2 JP2920844B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=12852343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050194A Expired - Lifetime JP2920844B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920844B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135706A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 平面型フィルタ素子 |
| WO2024093998A1 (zh) * | 2022-10-31 | 2024-05-10 | 宁夏中色金航钛业有限公司 | 铌钛合金精密带材及其制造方法 |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3050194A patent/JP2920844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135706A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 平面型フィルタ素子 |
| WO2024093998A1 (zh) * | 2022-10-31 | 2024-05-10 | 宁夏中色金航钛业有限公司 | 铌钛合金精密带材及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920844B2 (ja) | 1999-07-19 |
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