JPH04363040A - 半導体装置のはんだ被覆方法及びその装置 - Google Patents
半導体装置のはんだ被覆方法及びその装置Info
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- JPH04363040A JPH04363040A JP3215259A JP21525991A JPH04363040A JP H04363040 A JPH04363040 A JP H04363040A JP 3215259 A JP3215259 A JP 3215259A JP 21525991 A JP21525991 A JP 21525991A JP H04363040 A JPH04363040 A JP H04363040A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
- B05C3/02—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
- B05C3/12—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating work of indefinite length
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- H01L21/4814—Conductive parts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のアウター
リードにはんだを被覆するはんだ被覆方法及びその装置
に関するものである。
リードにはんだを被覆するはんだ被覆方法及びその装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィ
ルムに半導体素子を搭載し、その電極にフィルムに設け
たリードを接続してなるＴＡＢ式半導体装置は、多量生
産に適する、小形化できる、ファインパターン化が可能
であるなど種々特長を有するため、現在では広く使用さ
れている。
ルムに半導体素子を搭載し、その電極にフィルムに設け
たリードを接続してなるＴＡＢ式半導体装置は、多量生
産に適する、小形化できる、ファインパターン化が可能
であるなど種々特長を有するため、現在では広く使用さ
れている。
【０００３】図５はＴＡＢ式半導体装置の製造過程の一
例を示す平面図で、１は長尺のフィルム、２はフィルム
１の長さ方向に一定の間隔で設けられたデバイスホール
、３はフィルム１上に設けられた銅箔の如き導電率の高
い材料からなるリードで、その先端部はデバイスホール
２内に突出してインナーリード３ａを形成している。 ４はフィルム１を搬送するためのスプロケット穴である
。５はデバイスホール２内に配設され、その電極６がイ
ンナーリード３ａに接続された半導体素子である。
例を示す平面図で、１は長尺のフィルム、２はフィルム
１の長さ方向に一定の間隔で設けられたデバイスホール
、３はフィルム１上に設けられた銅箔の如き導電率の高
い材料からなるリードで、その先端部はデバイスホール
２内に突出してインナーリード３ａを形成している。 ４はフィルム１を搬送するためのスプロケット穴である
。５はデバイスホール２内に配設され、その電極６がイ
ンナーリード３ａに接続された半導体素子である。
【０００４】このようにして半導体素子５が接続された
フィルム１は、プレス等により切断線７で切断され、個
々の半導体装置となる。このときの半導体素子５の外側
のリードをアウターリード３ｂと呼んでいる。なお、切
断する前に半導体素子５及びインナーリード３ａの一部
を合成樹脂でパッケージする場合もある。
フィルム１は、プレス等により切断線７で切断され、個
々の半導体装置となる。このときの半導体素子５の外側
のリードをアウターリード３ｂと呼んでいる。なお、切
断する前に半導体素子５及びインナーリード３ａの一部
を合成樹脂でパッケージする場合もある。
【０００５】上記のような半導体装置は、基板やリード
フレームに実装されるが、このとき基板の導電パターン
やリードフレームのリードへの接続を容易かつ確実に行
なうため、通常図５に斜線で示すようにアウターリード
３ｂに予備はんだを被覆している。
フレームに実装されるが、このとき基板の導電パターン
やリードフレームのリードへの接続を容易かつ確実に行
なうため、通常図５に斜線で示すようにアウターリード
３ｂに予備はんだを被覆している。
【０００６】図７、図８は従来のＴＡＢ式半導体装置の
予備はんだ被覆方法を示す説明図である。両図において
、８は長さ方向の両側に吐出口９，９ａを有し、底部に
噴出口８ａが設けられたはんだ槽で、このはんだ槽８に
は噴出口８ａから溶融はんだ１０が噴出し、吐出口９，
９ａからオーバーフローして循環している。溶融はんだ
１０内には、フィルム１の一方の側のアウターリード３
ｂ部分が浸漬され、フィルム１を長さ方向に移動させて
アウターリード３ｂにはんだ１０を被覆する。一方の側
のアウターリード３ｂのはんだ被覆が終ると、フィルム
１の上下を逆にして他方の側のアウターリード３ｂをは
んだ１０内に浸漬し、同様にしてフィルム１を移動させ
てはんだ１０を被覆する。
予備はんだ被覆方法を示す説明図である。両図において
、８は長さ方向の両側に吐出口９，９ａを有し、底部に
噴出口８ａが設けられたはんだ槽で、このはんだ槽８に
は噴出口８ａから溶融はんだ１０が噴出し、吐出口９，
９ａからオーバーフローして循環している。溶融はんだ
１０内には、フィルム１の一方の側のアウターリード３
ｂ部分が浸漬され、フィルム１を長さ方向に移動させて
アウターリード３ｂにはんだ１０を被覆する。一方の側
のアウターリード３ｂのはんだ被覆が終ると、フィルム
１の上下を逆にして他方の側のアウターリード３ｂをは
んだ１０内に浸漬し、同様にしてフィルム１を移動させ
てはんだ１０を被覆する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなはんだ被
覆方法は、設備が比較的簡単である、被覆速度が速いな
どの特長を有するので広く実用化されているが、図６に
示すように半導体素子５の四辺にリード３が接続された
半導体装置の場合は、上記従来の方法でははんだの被覆
が不可能である。
覆方法は、設備が比較的簡単である、被覆速度が速いな
どの特長を有するので広く実用化されているが、図６に
示すように半導体素子５の四辺にリード３が接続された
半導体装置の場合は、上記従来の方法でははんだの被覆
が不可能である。
【０００８】本発明は、上記の課題を解決すべくなされ
たもので、半導体素子の四辺にリードが接続された半導
体装置も、容易にはんだを被覆することのできる半導体
装置のはんだ被覆方法及びその装置を得ることを目的と
したものである。
たもので、半導体素子の四辺にリードが接続された半導
体装置も、容易にはんだを被覆することのできる半導体
装置のはんだ被覆方法及びその装置を得ることを目的と
したものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
のはんだ被覆方法は、上面が半導体素子とほぼ同じかそ
れより若干大きく形成された柱状部を有し、この柱状部
の外側の対向する二方又は四方に溶融はんだの吐出口が
設けられたはんだ槽の上方に半導体素子が実装されたフ
ィルムを搬送し、半導体素子が柱状部上に達するとフィ
ルムを停止して吐出口から溶融はんだを噴出させ、フィ
ルムに設けたアウターリードにはんだを被覆するように
しものである。
のはんだ被覆方法は、上面が半導体素子とほぼ同じかそ
れより若干大きく形成された柱状部を有し、この柱状部
の外側の対向する二方又は四方に溶融はんだの吐出口が
設けられたはんだ槽の上方に半導体素子が実装されたフ
ィルムを搬送し、半導体素子が柱状部上に達するとフィ
ルムを停止して吐出口から溶融はんだを噴出させ、フィ
ルムに設けたアウターリードにはんだを被覆するように
しものである。
【００１０】また、上記の方法を実施するための装置は
、加熱手段、上部が開口され下部にはんだの吸込口が設
けられた吐出槽、上面が半導体素子とほぼ同じか僅かに
大きく形成され吐出槽の開口部から僅かに突出して吐出
槽内に周囲にすき間を隔てて配設された角柱、及び吐出
槽の吸込口に近接して配置されたはんだの圧送手段が収
容されたはんだ槽と、フィルムを間欠的に停止させる搬
送手段と、少なくとも加熱手段、はんだの圧送手段及び
フィルムの搬送手段を制御する制御器とを備えたもので
ある。
、加熱手段、上部が開口され下部にはんだの吸込口が設
けられた吐出槽、上面が半導体素子とほぼ同じか僅かに
大きく形成され吐出槽の開口部から僅かに突出して吐出
槽内に周囲にすき間を隔てて配設された角柱、及び吐出
槽の吸込口に近接して配置されたはんだの圧送手段が収
容されたはんだ槽と、フィルムを間欠的に停止させる搬
送手段と、少なくとも加熱手段、はんだの圧送手段及び
フィルムの搬送手段を制御する制御器とを備えたもので
ある。
【００１１】さらに、角柱と吐出槽との間の対向する二
方のみにすき間を設けたものである。
方のみにすき間を設けたものである。
【００１２】
【作用】フィルムが巻取られてこれに実装された半導体
素子が角柱上に達すると、制御器からの指令により巻取
りリールが停止して半導体素子は角柱上に保持される。 ついで圧送手段を作動させてはんだ槽内の溶融はんだを
吐出槽内に圧送し、角柱と吐出槽の間から噴出させては
んだ槽内に戻す。このとき、噴出した溶融はんだは吐出
槽上に位置するアウターリードに当って付着し、はんだ
層を形成する。
素子が角柱上に達すると、制御器からの指令により巻取
りリールが停止して半導体素子は角柱上に保持される。 ついで圧送手段を作動させてはんだ槽内の溶融はんだを
吐出槽内に圧送し、角柱と吐出槽の間から噴出させては
んだ槽内に戻す。このとき、噴出した溶融はんだは吐出
槽上に位置するアウターリードに当って付着し、はんだ
層を形成する。
【００１３】溶融はんだを所定の時間噴出させると圧送
手段を停止させ、ついで巻取りリールを駆動してフィル
ムを巻取り、次の半導体素子を角柱上に停止させて再び
溶融はんだを噴出させる。このような操作を順次繰返し
、長尺のフィルムに実装された多数の半導体素子のアウ
ターリードにはんだを被覆する。
手段を停止させ、ついで巻取りリールを駆動してフィル
ムを巻取り、次の半導体素子を角柱上に停止させて再び
溶融はんだを噴出させる。このような操作を順次繰返し
、長尺のフィルムに実装された多数の半導体素子のアウ
ターリードにはんだを被覆する。
【００１４】また、角柱と吐出槽間の対向する二方のみ
に間隙を設け、二方のみにアウターリードを有するフィ
ルムにはんだを被覆する。
に間隙を設け、二方のみにアウターリードを有するフィ
ルムにはんだを被覆する。
【００１５】
【実施例】図１は本発明に係るはんだ被覆方法の説明図
、図２は本発明に使用するはんだ槽の実施例を模式的に
示した平面図である。図において、１１ははんだ槽で、
中心部には断面四角形状の角柱１２が立設され、角柱１
２の周囲には吐出槽１３が開口して両者の間にすき間ｇ
が形成されており、吐出槽１３の底部には噴出口１４が
設けられている。角柱１２の上面の大きさは、ほぼ図６
の半導体装置の半導体素子５の大きさ、又はインナーリ
ード３ａを含む大きさに形成されており、また、吐出槽
１３の開口部は、ほぼアウターリード３ｂの外端部まで
の大きさに形成されている。なお、角柱１２の断面形状
は四角形に限定するものではなく、フィルム１に実装さ
れた半導体素子５と相似形状であればよい。
、図２は本発明に使用するはんだ槽の実施例を模式的に
示した平面図である。図において、１１ははんだ槽で、
中心部には断面四角形状の角柱１２が立設され、角柱１
２の周囲には吐出槽１３が開口して両者の間にすき間ｇ
が形成されており、吐出槽１３の底部には噴出口１４が
設けられている。角柱１２の上面の大きさは、ほぼ図６
の半導体装置の半導体素子５の大きさ、又はインナーリ
ード３ａを含む大きさに形成されており、また、吐出槽
１３の開口部は、ほぼアウターリード３ｂの外端部まで
の大きさに形成されている。なお、角柱１２の断面形状
は四角形に限定するものではなく、フィルム１に実装さ
れた半導体素子５と相似形状であればよい。
【００１６】上記のように構成したはんだ槽１１におい
ては、槽内に入れられた溶融はんだ１０は、吐出槽１３
に設けた噴出口１４から噴出し、角柱１２と吐出槽１３
の間からオーバーフローしてはんだ槽１１に戻り循環し
ている。
ては、槽内に入れられた溶融はんだ１０は、吐出槽１３
に設けた噴出口１４から噴出し、角柱１２と吐出槽１３
の間からオーバーフローしてはんだ槽１１に戻り循環し
ている。
【００１７】次に、図１により本発明の作用を説明する
。例えば矢印方向に搬送されたフィルム１は、半導体素
子５が角柱１２上に達するとその位置に停止する。この
状態ではんだ槽１１にポンプ等（図示せず）を作用させ
て噴出口１４から溶融はんだ１０を噴出させると、溶融
はんだ１０は角柱１２の外壁と吐出槽１３の内壁に沿っ
て四方に噴出し、吐出槽１３からオーバーフローしては
んだ槽１１へ戻るが、その一部はフィルム１に衝突し、
四方に設けたアウターリード３ａに付着する。所定の時
間経過すると溶融はんだ１０の噴出を停止し、フィルム
１を矢印方向に搬送して次の半導体素子５を角柱１２上
で停止させ、上記と同様の方法によりそのアウターリー
ド３ｂにはんだを被覆する。
。例えば矢印方向に搬送されたフィルム１は、半導体素
子５が角柱１２上に達するとその位置に停止する。この
状態ではんだ槽１１にポンプ等（図示せず）を作用させ
て噴出口１４から溶融はんだ１０を噴出させると、溶融
はんだ１０は角柱１２の外壁と吐出槽１３の内壁に沿っ
て四方に噴出し、吐出槽１３からオーバーフローしては
んだ槽１１へ戻るが、その一部はフィルム１に衝突し、
四方に設けたアウターリード３ａに付着する。所定の時
間経過すると溶融はんだ１０の噴出を停止し、フィルム
１を矢印方向に搬送して次の半導体素子５を角柱１２上
で停止させ、上記と同様の方法によりそのアウターリー
ド３ｂにはんだを被覆する。
【００１８】実施例によれば、１２ｍｍ×９ｍｍの半導
体素子５が搭載されたフィルム１を１２０ｃｍ／ｍｉｎ
の送り速度で送り、上面が１３．５ｍｍ×１０．５ｍｍ
の方形の角柱１２上で停止させ、角柱１２の外壁と吐出
槽１３の内壁の間から２５０℃±５℃に加熱された溶融
はんだ１０を４８０ｃｍ３ ／ｍｉｎの吐出量で１秒間
噴出させたところ、アウターリード３ａに厚さ２０μｍ
のはんだが均一に付着し、きわめて良好な結果が得られ
た。なお、吐出槽１３と角柱１２間のすき間ｇは１５ｍ
ｍであった。
体素子５が搭載されたフィルム１を１２０ｃｍ／ｍｉｎ
の送り速度で送り、上面が１３．５ｍｍ×１０．５ｍｍ
の方形の角柱１２上で停止させ、角柱１２の外壁と吐出
槽１３の内壁の間から２５０℃±５℃に加熱された溶融
はんだ１０を４８０ｃｍ３ ／ｍｉｎの吐出量で１秒間
噴出させたところ、アウターリード３ａに厚さ２０μｍ
のはんだが均一に付着し、きわめて良好な結果が得られ
た。なお、吐出槽１３と角柱１２間のすき間ｇは１５ｍ
ｍであった。
【００１９】上記の説明ではＴＡＢ式半導体装置のアウ
ターリードにはんだを被覆する方法につい説明したが、
リードフレームにワイヤボンディングにより半導体素子
を搭載した半導体装置にも本発明を実施することができ
る。
ターリードにはんだを被覆する方法につい説明したが、
リードフレームにワイヤボンディングにより半導体素子
を搭載した半導体装置にも本発明を実施することができ
る。
【００２０】また、はんだ槽１１に設けた角柱１２の外
周の四方から溶融はんだ１０を噴出させ、図６に示すよ
うな四方に設けられたアウターリード３ｂにはんだを被
覆する場合について述べたが、角柱１２の外周の対向す
る二方からのみ溶融はんだ１０を噴出させるようにすれ
ば、図５に示すような二方にアウターリード３ｂが設け
られたフィルム１にも本発明を実施することができる。
周の四方から溶融はんだ１０を噴出させ、図６に示すよ
うな四方に設けられたアウターリード３ｂにはんだを被
覆する場合について述べたが、角柱１２の外周の対向す
る二方からのみ溶融はんだ１０を噴出させるようにすれ
ば、図５に示すような二方にアウターリード３ｂが設け
られたフィルム１にも本発明を実施することができる。
【００２１】図３は本発明に係るはんだ被覆方法を実施
する装置の実施例を模式的に示した断面図、図４はその
平面図である。図において、１５は装置本体で、上部が
開口し溶融はんだ１０が入れられるはんだ槽１１が据付
けられていおり、はんだ槽１１内には上部が開口し、下
部に溶融はんだ１０の吸込口１４ａを有するほぼＬ字状
の吐出槽１３が設置されている。そして、この吐出槽１
３内にはその上面が吐出槽１３の開口部から僅かに突出
して角柱１２が配設され、角柱１２の外壁と吐出槽１３
の内壁との間にはすき間ｇが形成されている。１６はは
んだ槽１１の下部に設けられたヒータ、１７は一部が吐
出槽１３の吸込口１４ａ内に位置して配置された溶融は
んだ１０の圧送スクリューで、モータ１８によりベルト
１８ａを介して駆動される。１９ははんだ槽１１内に設
置された温度検出器である。
する装置の実施例を模式的に示した断面図、図４はその
平面図である。図において、１５は装置本体で、上部が
開口し溶融はんだ１０が入れられるはんだ槽１１が据付
けられていおり、はんだ槽１１内には上部が開口し、下
部に溶融はんだ１０の吸込口１４ａを有するほぼＬ字状
の吐出槽１３が設置されている。そして、この吐出槽１
３内にはその上面が吐出槽１３の開口部から僅かに突出
して角柱１２が配設され、角柱１２の外壁と吐出槽１３
の内壁との間にはすき間ｇが形成されている。１６はは
んだ槽１１の下部に設けられたヒータ、１７は一部が吐
出槽１３の吸込口１４ａ内に位置して配置された溶融は
んだ１０の圧送スクリューで、モータ１８によりベルト
１８ａを介して駆動される。１９ははんだ槽１１内に設
置された温度検出器である。
【００２２】２０は装置本体１５に設けた腕２２に回転
可能に軸支された製品リール、２１は同じく腕２３に軸
支され、モータ２４に駆動される巻取りリールである。 ２５，１６，２７は装置本体１５上に配設されたガイド
リールで、半導体素子５が搭載され製品リール２０に巻
かれたフィルム１は、ガイドリール２５，２６，２７を
介して巻取りリール２１に巻取られる。
可能に軸支された製品リール、２１は同じく腕２３に軸
支され、モータ２４に駆動される巻取りリールである。 ２５，１６，２７は装置本体１５上に配設されたガイド
リールで、半導体素子５が搭載され製品リール２０に巻
かれたフィルム１は、ガイドリール２５，２６，２７を
介して巻取りリール２１に巻取られる。
【００２３】２８は制御器で、温度検出器１９の出力信
号が入力し、これに基いて溶融はんだ１０の温度を所定
の温度（例えば２５０℃±５℃）に維持するように、ヒ
ータ１６の入力電力を制御する。また、吐出槽１３から
溶融はんだ１０を間欠的に吐出させ、かつ吐出量が所定
量（例えば４８０ｃｍ３ ／ｍｉｎ）になるようにモー
タ１８を制御し、さらに巻取リール２１によるテープ１
の巻取速度を所定の速度（例えば１２０ｃｍ／ｍｉｎ）
に維持し、かつテープ１に搭載した半導体素子５が吐出
槽１３上に所定時間停止するように制御する。なお、２
９はフィルム１に搭載された半導体素子５の検出器で、
その出力信号は制御器２８に加えられる。次に、上記の
ように構成したはんだ被覆装置の作用を説明する。半導
体素子５が各デバイスホール２内に配置され、その電極
６がインナーリード３ａに接続されたフィルム１は製品
リール２０に巻かれて腕２２に装着され、ガイドリレー
ル２５，２６，２７を介して矢印方向に所定の速度で移
動し、巻取りリール２１に巻取られる。一方、はんだ槽
１１内のはんだはヒータ１６に加熱されて２５０℃±５
℃程度の溶融状態になっている。いま、フィルム１が搬
送されて半導体素子５が角柱１２上に達すると、検出器
２９がこれを検出してその出力信号を制御器２８に送り
、制御器２８はこの信号を受けて巻取りリール２１のモ
ータ２４に停止信号を送って巻取りリール２１を停止さ
せ、半導体素子５を角柱１２上に停止させる。
号が入力し、これに基いて溶融はんだ１０の温度を所定
の温度（例えば２５０℃±５℃）に維持するように、ヒ
ータ１６の入力電力を制御する。また、吐出槽１３から
溶融はんだ１０を間欠的に吐出させ、かつ吐出量が所定
量（例えば４８０ｃｍ３ ／ｍｉｎ）になるようにモー
タ１８を制御し、さらに巻取リール２１によるテープ１
の巻取速度を所定の速度（例えば１２０ｃｍ／ｍｉｎ）
に維持し、かつテープ１に搭載した半導体素子５が吐出
槽１３上に所定時間停止するように制御する。なお、２
９はフィルム１に搭載された半導体素子５の検出器で、
その出力信号は制御器２８に加えられる。次に、上記の
ように構成したはんだ被覆装置の作用を説明する。半導
体素子５が各デバイスホール２内に配置され、その電極
６がインナーリード３ａに接続されたフィルム１は製品
リール２０に巻かれて腕２２に装着され、ガイドリレー
ル２５，２６，２７を介して矢印方向に所定の速度で移
動し、巻取りリール２１に巻取られる。一方、はんだ槽
１１内のはんだはヒータ１６に加熱されて２５０℃±５
℃程度の溶融状態になっている。いま、フィルム１が搬
送されて半導体素子５が角柱１２上に達すると、検出器
２９がこれを検出してその出力信号を制御器２８に送り
、制御器２８はこの信号を受けて巻取りリール２１のモ
ータ２４に停止信号を送って巻取りリール２１を停止さ
せ、半導体素子５を角柱１２上に停止させる。
【００２４】ついで、制御器２８からモータ１８に信号
を送り、圧送スクリュー１７を駆動してはんだ槽１１内
の溶融はんだ１０を吐出槽１３内に圧送する。これによ
り溶融はんだ１０は角柱１２の外壁と吐出槽１３の内壁
との間に形成されたすき間から四方に噴出し、吐出槽１
３からオーバーフローしてはんだ槽１１に戻るが、この
とき溶融はんだ１０の一部はフィルム１０に衝突し、四
方に設けたアウターリード３ｂに付着する。
を送り、圧送スクリュー１７を駆動してはんだ槽１１内
の溶融はんだ１０を吐出槽１３内に圧送する。これによ
り溶融はんだ１０は角柱１２の外壁と吐出槽１３の内壁
との間に形成されたすき間から四方に噴出し、吐出槽１
３からオーバーフローしてはんだ槽１１に戻るが、この
とき溶融はんだ１０の一部はフィルム１０に衝突し、四
方に設けたアウターリード３ｂに付着する。
【００２５】所定の時間経過すると制御器２８からモー
タ１８に信号を送って圧送スクリュー１７を停止させ、
溶融はんだ１０の圧送を中止させる。ついでモータ２４
に信号を送って巻取りリール２１を駆動し、フィルム１
を巻取る。以下上記の動作を間欠的に繰返して半導体素
子５が搭載されたフィルム１のアウターリード３ｂに順
次はんだを付着させる。
タ１８に信号を送って圧送スクリュー１７を停止させ、
溶融はんだ１０の圧送を中止させる。ついでモータ２４
に信号を送って巻取りリール２１を駆動し、フィルム１
を巻取る。以下上記の動作を間欠的に繰返して半導体素
子５が搭載されたフィルム１のアウターリード３ｂに順
次はんだを付着させる。
【００２６】上記の説明では、半導体素子が角柱１２上
に達したことを検出器２９で検出する例について説明し
たが、フィルム１上の半導体素子５間の距離をあらかじ
め制御器２８に記憶させておき、巻取りリール２１にこ
の距離に相当した長さだけ巻取らせるようにしてもよい
。また、溶融はんだ１０を吐出槽１３に圧送するために
圧送スクリュー１７を用いた例を示したが、他の手段を
用いてもよい。
に達したことを検出器２９で検出する例について説明し
たが、フィルム１上の半導体素子５間の距離をあらかじ
め制御器２８に記憶させておき、巻取りリール２１にこ
の距離に相当した長さだけ巻取らせるようにしてもよい
。また、溶融はんだ１０を吐出槽１３に圧送するために
圧送スクリュー１７を用いた例を示したが、他の手段を
用いてもよい。
【００２７】さらに、本装置により図５に示すような二
方にアウターリード３ｂが設けられているフィルム１の
アウターリード３ｂにはんだ被覆する場合は、図４の角
柱１２と吐出槽１３との間に設けられた左右のすき間を
閉塞し、上下のすき間だけを開放しておけばよい。また
、本装置により半導体素子が搭載されたリードフレーム
のアウターリードにはんだを被覆する場合は、リードフ
レームは製品リールに巻けないので、平板の状態で搬送
し、間欠的に停止しうるような搬送手段を設ければよい
。
方にアウターリード３ｂが設けられているフィルム１の
アウターリード３ｂにはんだ被覆する場合は、図４の角
柱１２と吐出槽１３との間に設けられた左右のすき間を
閉塞し、上下のすき間だけを開放しておけばよい。また
、本装置により半導体素子が搭載されたリードフレーム
のアウターリードにはんだを被覆する場合は、リードフ
レームは製品リールに巻けないので、平板の状態で搬送
し、間欠的に停止しうるような搬送手段を設ければよい
。
【００２８】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明ははんだ槽
から二方又は四方に溶融はんだを噴出させ、半導体素子
が実装されたフィルムのアウターリードに一工程ではん
だを被覆するようにしたので、はんだの被覆時間を短縮
して作業能率を向上できるばかりでなく、四方にアウタ
ーリードが設けられたフィルムのアウターリードにも容
易かつ確実にはんだを被覆することができる。
から二方又は四方に溶融はんだを噴出させ、半導体素子
が実装されたフィルムのアウターリードに一工程ではん
だを被覆するようにしたので、はんだの被覆時間を短縮
して作業能率を向上できるばかりでなく、四方にアウタ
ーリードが設けられたフィルムのアウターリードにも容
易かつ確実にはんだを被覆することができる。
【００２９】また、搬送されるフィルムに実装された半
導体素子を角柱上で停止させ、角柱と吐出槽の間に形成
されたすき間から溶融はんだを噴出させてアウターリー
ドにはんだを付着させ、所定時間経過したときは溶融は
んだの噴出を中止してフィルムを搬送し、次の半導体素
子が角柱上に達すると再びフィルムの搬送を停止した溶
融はんだを噴射させ、これら一連の操作を制御器により
制御するようにしたので、迅速かかつ正確にアウターリ
ードにはんだを被覆することができ、作業能率を向上す
ることができる。
導体素子を角柱上で停止させ、角柱と吐出槽の間に形成
されたすき間から溶融はんだを噴出させてアウターリー
ドにはんだを付着させ、所定時間経過したときは溶融は
んだの噴出を中止してフィルムを搬送し、次の半導体素
子が角柱上に達すると再びフィルムの搬送を停止した溶
融はんだを噴射させ、これら一連の操作を制御器により
制御するようにしたので、迅速かかつ正確にアウターリ
ードにはんだを被覆することができ、作業能率を向上す
ることができる。
【図１】本発明に係るはんだ被覆方法の実施例の説明図
。
。
【図２】図１のはんだ槽の実施例の平面図。
【図３】本発明に係るはんだ被覆装置の実施例の模式図
。
。
【図４】図３の平面模式図。
【図５】ＴＡＢ式半導体装置の製作過程の一例を示す平
面図。
面図。
【図６】ＴＡＢ式半導体装置の製作過程の他の例を示す
平面図。
平面図。
【図７】従来のはんだ被覆に使用するはんだ槽の一例の
斜視図。
斜視図。
【図８】従来のはんだ被覆方法の一例を示す斜視図。
１ フィルム
３ リード
３ｂ アウターリード
５ 半導体素子
１０ 溶融はんだ
１１ はんだ槽
１２ 角柱
１３ 吐出槽
１５ 装置本体
１６ ヒータ
１７ 圧送スクリュー
１９ 温度検出器
２０ 製品リール
２１ 巻取りリール
２８ 制御器
Claims (3)
- 【請求項１】 上面が半導体素子とほぼ同じかそれよ
り若干大きく形成された柱状部を有し、該柱状部の外側
の対向する二方又は四方に溶融はんだの吐出口が設けら
れたはんだ槽の上方に前記半導体素子が実装されたフィ
ルムを搬送し、前記半導体素子が前記柱状部上に達する
と前記フィルムを停止して前記吐出口から溶融はんだを
噴出させ、前記フィルムに設けたアウターリードにはん
だを被覆することを特徴とする半導体装置のはんだ被覆
方法。 - 【請求項２】 加熱手段、上部が開口され下部にはん
だの吸込口が設けられた吐出槽、上面が半導体素子とほ
ぼ同じか若干大きく形成され前記吐出槽の開口部から僅
かに突出して該吐出槽内に周囲にすき間を隔てて配設さ
れた角柱、及び前記吐出槽の吸込口に近接して配置され
たはんだの圧送手段が収容されたはんだ槽と、フィルム
を間欠的に停止させる搬送手段と、少なくとも前記加熱
手段、はんだの圧送手段及びフィルムの搬送手段を制御
する制御器とを備えたことを特徴とする半導体装置のは
んだ被覆装置。 - 【請求項３】 角柱と吐出槽との間の対向する二方の
みにすき間を設けたことを特徴とする請求項２記載の半
導体装置のはんだ被覆装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215259A JPH04363040A (ja) | 1990-10-02 | 1991-08-27 | 半導体装置のはんだ被覆方法及びその装置 |
| US07/759,506 US5164010A (en) | 1990-10-02 | 1991-09-13 | Solder coating method and apparatus for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26296290 | 1990-10-02 | ||
| JP2-262962 | 1990-10-02 | ||
| JP3215259A JPH04363040A (ja) | 1990-10-02 | 1991-08-27 | 半導体装置のはんだ被覆方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363040A true JPH04363040A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=26520772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3215259A Pending JPH04363040A (ja) | 1990-10-02 | 1991-08-27 | 半導体装置のはんだ被覆方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164010A (ja) |
| JP (1) | JPH04363040A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2265101B (en) * | 1992-03-17 | 1995-05-10 | Sun Ind Coatings | Soldering apparatus and method |
| US6040205A (en) * | 1997-08-05 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling the depth of immersion of a semiconductor element in an exposed surface of a viscous fluid |
| US6336973B1 (en) * | 1997-08-05 | 2002-01-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for modifying the configuration of an exposed surface of a viscous fluid |
| US6013535A (en) * | 1997-08-05 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Method for applying adhesives to a lead frame |
| CN111842051B (zh) * | 2020-06-20 | 2021-08-13 | 科顺防水科技股份有限公司 | 一种沥青防水卷材涂布用溢料机构 |
| CN116690399B (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-26 | 烟台一诺电子材料有限公司 | 一种键合丝抛光涂层一体化装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BG31621A1 (en) * | 1980-01-18 | 1982-02-15 | Minchev | Apparatus for soldering the winding to the collector of an electrical machines |
| SU1359089A1 (ru) * | 1982-06-02 | 1987-12-15 | Институт По Металлознание И Технология На Металите (Инопредприятие) | Устройство дл пайки обмотки к коллектору электрических машин |
| DE3639427A1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-26 | Rasselstein Ag | Vorrichtung zum aufbringen eines zaehfluessigen dichtungsmaterials in ringform auf eine im wesentlichen ebene oberflaeche, insbesondere einen dosendeckel |
| US4942997A (en) * | 1987-09-03 | 1990-07-24 | Ford Motor Company | Solder flow well for reflowing solder of multipin components |
| FR2629272B1 (fr) * | 1988-03-22 | 1990-11-09 | Bull Sa | Support de circuit integre de haute densite et appareil d'etamage selectif des conducteurs du support |
| US4890781A (en) * | 1988-08-04 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Automated flow solder machine |
| JPH02277753A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-14 | Senju Metal Ind Co Ltd | はんだメッキ方法およびその装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP3215259A patent/JPH04363040A/ja active Pending
- 1991-09-13 US US07/759,506 patent/US5164010A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5164010A (en) | 1992-11-17 |
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