JPH04359853A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPH04359853A JPH04359853A JP3134640A JP13464091A JPH04359853A JP H04359853 A JPH04359853 A JP H04359853A JP 3134640 A JP3134640 A JP 3134640A JP 13464091 A JP13464091 A JP 13464091A JP H04359853 A JPH04359853 A JP H04359853A
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- Japan
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- coaxial tube
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Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】本発明は半導体プロセス技術、表
面処理技術等の微細加工に用いるイオン源に関するもの
である。
面処理技術等の微細加工に用いるイオン源に関するもの
である。
【従来の技術】以下に従来の大口径イオン源(セイタロ
ー マツオ アンド ヨシオ アダチ:ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス 21冊 第1巻 1982 第4行
目)(Seitaro Matsuo and Yos
hio Adachi:Japanese Journ
al of Applied Physics,Vol
.21,No.1,(1982)p.L4)について説
明する。図4は従来のイオン源の構成図であり、共鳴室
1は、基本的には、真空中での円筒共振モードTE11
2形状をとっている。その共鳴室1に導波管2から真
空シールド窓3を通して2.45GHzのマイクロ波を
導入する。その共鳴室1内で、2.45GHzのマイク
ロ波に対して、ECR(Electron Cyclo
tron Resonance)条件を満足するように
、875Gの磁場強度を外部コイル4により印加してい
る。放電ガスとしてアルゴン等をガス導入口5から共鳴
室1内に入れる。共鳴室1の導波管2とは反対側にはプ
ラズマ制御電極6とビーム形成電極7が取り付けられて
いる。以上のように構成されたイオン源について、以下
その動作を説明する。放電ガスとしてアルゴンを用い、
10−4〜10−3Torrの圧力範囲で共鳴室1内に
プラズマを生成する。このとき、ビーム形成電極7に、
プラズマ制御電極6に対して負の電位を印加すると、両
電極の多孔からシャワー状のイオンビーム8が形成され
る。
ー マツオ アンド ヨシオ アダチ:ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス 21冊 第1巻 1982 第4行
目)(Seitaro Matsuo and Yos
hio Adachi:Japanese Journ
al of Applied Physics,Vol
.21,No.1,(1982)p.L4)について説
明する。図4は従来のイオン源の構成図であり、共鳴室
1は、基本的には、真空中での円筒共振モードTE11
2形状をとっている。その共鳴室1に導波管2から真
空シールド窓3を通して2.45GHzのマイクロ波を
導入する。その共鳴室1内で、2.45GHzのマイク
ロ波に対して、ECR(Electron Cyclo
tron Resonance)条件を満足するように
、875Gの磁場強度を外部コイル4により印加してい
る。放電ガスとしてアルゴン等をガス導入口5から共鳴
室1内に入れる。共鳴室1の導波管2とは反対側にはプ
ラズマ制御電極6とビーム形成電極7が取り付けられて
いる。以上のように構成されたイオン源について、以下
その動作を説明する。放電ガスとしてアルゴンを用い、
10−4〜10−3Torrの圧力範囲で共鳴室1内に
プラズマを生成する。このとき、ビーム形成電極7に、
プラズマ制御電極6に対して負の電位を印加すると、両
電極の多孔からシャワー状のイオンビーム8が形成され
る。
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
造のものでは磁場発生のためにコイルを使用しているた
めに装置が大きくなるという課題があった。また、イオ
ン源全体をアース電位に対して正電位にする必要があり
高電圧を印加するのが困難であった。そこで本発明は、
上記課題に鑑み、終端がドアノブ型の同軸管の開放端に
永久磁石を埋め込むことにより、開放端にプラズマを発
生することができ、また、開放端のみを正電位にするだ
けでよいイオン源の提供を目的とする。
造のものでは磁場発生のためにコイルを使用しているた
めに装置が大きくなるという課題があった。また、イオ
ン源全体をアース電位に対して正電位にする必要があり
高電圧を印加するのが困難であった。そこで本発明は、
上記課題に鑑み、終端がドアノブ型の同軸管の開放端に
永久磁石を埋め込むことにより、開放端にプラズマを発
生することができ、また、開放端のみを正電位にするだ
けでよいイオン源の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、本発明のイオン源は、マイクロ波発振器と、一端にマ
イクロ波発振器が設けられた空洞共振器と、前記空洞共
振器のマイクロ波発振器が設けられた側とは逆の端に設
けられ、終端が開口のドアノブ型である同軸管と、前記
同軸管の中心導体は空洞共振器の内部を突き抜けた構造
で、前記同軸管の途中に配されたマイクロ波が通過し真
空封じができるガラス板と、ドアノブ部と排気口が取り
付けられた真空槽と、前記同軸管の外部導体に開けられ
たガス導入口と、前記中心導体の平坦部に電気的に絶縁
された電極と、前記電極の下に埋め込まれた円柱形の永
久磁石と、前記同軸管の外部導体の開口部壁に埋め込ま
れたリング状の永久磁石と、開口部の出口をふたをする
ように外部導体の先端に取り付けられた多孔のプラズマ
制御電極と、プラズマ制御電極の上に電気的に絶縁され
多孔が重なるように取り付けられたビーム形成電極と、
同軸管に対し前記電極とプラズマ制御電極に正の電位が
印加できる手段と、同軸管に対しビーム形成電極に負の
電位が印加できる手段とを備えたイオン源である。
、本発明のイオン源は、マイクロ波発振器と、一端にマ
イクロ波発振器が設けられた空洞共振器と、前記空洞共
振器のマイクロ波発振器が設けられた側とは逆の端に設
けられ、終端が開口のドアノブ型である同軸管と、前記
同軸管の中心導体は空洞共振器の内部を突き抜けた構造
で、前記同軸管の途中に配されたマイクロ波が通過し真
空封じができるガラス板と、ドアノブ部と排気口が取り
付けられた真空槽と、前記同軸管の外部導体に開けられ
たガス導入口と、前記中心導体の平坦部に電気的に絶縁
された電極と、前記電極の下に埋め込まれた円柱形の永
久磁石と、前記同軸管の外部導体の開口部壁に埋め込ま
れたリング状の永久磁石と、開口部の出口をふたをする
ように外部導体の先端に取り付けられた多孔のプラズマ
制御電極と、プラズマ制御電極の上に電気的に絶縁され
多孔が重なるように取り付けられたビーム形成電極と、
同軸管に対し前記電極とプラズマ制御電極に正の電位が
印加できる手段と、同軸管に対しビーム形成電極に負の
電位が印加できる手段とを備えたイオン源である。
【作用】本発明によれば、ドアノブ型の同軸管を伝搬し
てきたマイクロ波が、ドアノブの開口に放射される。こ
のとき、中心導体とプラズマ制御板とに埋め込まれた磁
極が相反する一対の永久磁石の径を制御板のものを中心
導体のものよりも大きくすることにより、大口径のプラ
ズマを形成することができる。また、中心導体の開口部
に電極を設け、この電極とプラズマ制御板を正電位にす
ることにより、イオン源プラズマがアースに対して正電
位となり、この結果、手軽に大口径で、高エネルギーの
イオンビームを発生させることができる。
てきたマイクロ波が、ドアノブの開口に放射される。こ
のとき、中心導体とプラズマ制御板とに埋め込まれた磁
極が相反する一対の永久磁石の径を制御板のものを中心
導体のものよりも大きくすることにより、大口径のプラ
ズマを形成することができる。また、中心導体の開口部
に電極を設け、この電極とプラズマ制御板を正電位にす
ることにより、イオン源プラズマがアースに対して正電
位となり、この結果、手軽に大口径で、高エネルギーの
イオンビームを発生させることができる。
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづ
いて説明する。図1において、マグネトロン11より発
振されたたとえば2.45GHzのマイクロ波は方形空
洞共振器12へ導かれる。空洞共振器12の一端には空
洞共振器12の厚みを1/2から1/3にするための絞
り板13と可動短絡板14があり、同軸管15にマイク
ロ波を導くことができる。同軸管1は、円筒の外部導体
15bと、その中心軸と同心の円柱の中心導体15aと
からなっている。中心導体15aは方形空洞共振器12
の内部に挿入されており、先端は空洞共振器12の裏面
に突き出ている。同軸管の途中からは30度から45度
の勾配管になっており、所望の大きさのプラズマ16が
開放端キャビティ17に得られる径の同軸管15′につ
なぎ合わされている。中心導体15a′の平坦部には絶
縁体18に支持された電極19が設置されており、電極
19の下には円柱形の永久磁石20が埋め込まれている
。 また、外部導体15b′にはガス導入孔21が設けられ
ている。中心導体15aは中空になっており電線22が
通っている。開放端キャビティ17の外部導体15b′
が開放端キャビティ17を形成している壁面にはリング
永久磁石23が埋め込まれている。開放端キャビティ1
7の出口には複数の孔が開いたプラズマ制御電極24が
、外部導体15b′の先端に碍子25により電気的に絶
縁されて取り付けてある。また、プラズマ制御電極24
の上にはプラズマ制御電極24の多孔と重なるように孔
が開けられたビーム形成電極26が絶縁碍子27を介し
て取り付けられている。中心導体15aと外部導体15
bとの間には真空封じができるガラス板28が勾配部の
根元に取付けられている。外部導体15b′の周囲には
フランジ29が設置されており、真空封じができる絶縁
リング30を介して、真空チャンバー31に取付けられ
ている。チャンバー31には排気口32が付けてある。 このような構造において、マグネトロン11より発振さ
れた2.45GHzのマイクロ波は、たとえば109m
m×54.5mmの方形空洞共振器12を伝搬して、可
動短絡板14の位置を変化させてインピーダンスを変化
させることにより、たとえば内径18mm、外径42m
mの同軸管15に導入され、ガラス板28を通過して、
たとえば径100mmの開放端キャビティ17に放射さ
れる。このときガス導入口21からアルゴンガス等を導
入して、開放端キャビティ19内のガス圧力を2×10
−2Torrにすると放電が開始され、プラズマ16が
生成される。また、可動短絡板14の位置を適当に変化
させて、マイクロ波の反射波が最小になるようにする。 このとき、中心導体15a′の永久磁石20の径をたと
えば48mmとする。また、外部導体15b′のリング
永久磁石23の内径をたとえば110mmとし、永久磁
石20の電極19側の磁極と永久磁石23の内側の磁極
が相反するようにし、磁極中央付近での磁界を例えば8
75ガウスにすると、マイクロ波ECR放電が起こり、
10−4Torr台でも高密度のアルゴンプラズマ16
を生成することができる。そして、電極19とプラズマ
制御電極24に電源33から、たとえば、+200Vを
印加する。また、ビーム形成電極26に電源34から、
たとえば、−1,000Vを印加すると、イオンビーム
35が形成される。
いて説明する。図1において、マグネトロン11より発
振されたたとえば2.45GHzのマイクロ波は方形空
洞共振器12へ導かれる。空洞共振器12の一端には空
洞共振器12の厚みを1/2から1/3にするための絞
り板13と可動短絡板14があり、同軸管15にマイク
ロ波を導くことができる。同軸管1は、円筒の外部導体
15bと、その中心軸と同心の円柱の中心導体15aと
からなっている。中心導体15aは方形空洞共振器12
の内部に挿入されており、先端は空洞共振器12の裏面
に突き出ている。同軸管の途中からは30度から45度
の勾配管になっており、所望の大きさのプラズマ16が
開放端キャビティ17に得られる径の同軸管15′につ
なぎ合わされている。中心導体15a′の平坦部には絶
縁体18に支持された電極19が設置されており、電極
19の下には円柱形の永久磁石20が埋め込まれている
。 また、外部導体15b′にはガス導入孔21が設けられ
ている。中心導体15aは中空になっており電線22が
通っている。開放端キャビティ17の外部導体15b′
が開放端キャビティ17を形成している壁面にはリング
永久磁石23が埋め込まれている。開放端キャビティ1
7の出口には複数の孔が開いたプラズマ制御電極24が
、外部導体15b′の先端に碍子25により電気的に絶
縁されて取り付けてある。また、プラズマ制御電極24
の上にはプラズマ制御電極24の多孔と重なるように孔
が開けられたビーム形成電極26が絶縁碍子27を介し
て取り付けられている。中心導体15aと外部導体15
bとの間には真空封じができるガラス板28が勾配部の
根元に取付けられている。外部導体15b′の周囲には
フランジ29が設置されており、真空封じができる絶縁
リング30を介して、真空チャンバー31に取付けられ
ている。チャンバー31には排気口32が付けてある。 このような構造において、マグネトロン11より発振さ
れた2.45GHzのマイクロ波は、たとえば109m
m×54.5mmの方形空洞共振器12を伝搬して、可
動短絡板14の位置を変化させてインピーダンスを変化
させることにより、たとえば内径18mm、外径42m
mの同軸管15に導入され、ガラス板28を通過して、
たとえば径100mmの開放端キャビティ17に放射さ
れる。このときガス導入口21からアルゴンガス等を導
入して、開放端キャビティ19内のガス圧力を2×10
−2Torrにすると放電が開始され、プラズマ16が
生成される。また、可動短絡板14の位置を適当に変化
させて、マイクロ波の反射波が最小になるようにする。 このとき、中心導体15a′の永久磁石20の径をたと
えば48mmとする。また、外部導体15b′のリング
永久磁石23の内径をたとえば110mmとし、永久磁
石20の電極19側の磁極と永久磁石23の内側の磁極
が相反するようにし、磁極中央付近での磁界を例えば8
75ガウスにすると、マイクロ波ECR放電が起こり、
10−4Torr台でも高密度のアルゴンプラズマ16
を生成することができる。そして、電極19とプラズマ
制御電極24に電源33から、たとえば、+200Vを
印加する。また、ビーム形成電極26に電源34から、
たとえば、−1,000Vを印加すると、イオンビーム
35が形成される。
【発明の効果】本発明のイオン源によれば、中心導体と
外部導体とに埋め込まれた永久磁石で開放端に閉じ込め
られたプラズマに正電位を印加することにより、小型(
外径180mm)でも大口径(外径140mm)のプラ
ズマを成形することができる。また、このプラズマから
イオンをビーム(外径120mm、電流密度2mA/c
m2)として引き出すことができる。
外部導体とに埋め込まれた永久磁石で開放端に閉じ込め
られたプラズマに正電位を印加することにより、小型(
外径180mm)でも大口径(外径140mm)のプラ
ズマを成形することができる。また、このプラズマから
イオンをビーム(外径120mm、電流密度2mA/c
m2)として引き出すことができる。
【図1】本発明の第一の実施例のイオン源の断面図
【図
2】従来のイオン源の構成図
2】従来のイオン源の構成図
11 マグネトロン11
12 方形空洞共振器
13 絞り板
14 可動短絡板
15 同軸管
16 プラズマ
17 開放端キャビティ
18 絶縁体
19 電極
20 永久磁石
21 ガス導入孔
22 電線
23 リング永久磁石
24 プラズマ制御電極
26 ビーム形成電極
28 ガラス板
31 真空チャンバー
Claims (6)
- 【請求項1】 マイクロ波発振器と、一端にマイクロ
波発振器が設けられた空洞共振器と、前記空洞共振器の
マイクロ波発振器が設けられた側とは逆の端に設けられ
、終端が開口のドアノブ型である同軸管と、前記同軸管
の中心導体は空洞共振器の内部を突抜けた構造で、前記
同軸管の途中に配されたマイクロ波が通過し真空封じが
できるガラス板と、ドアノブ部と排気口が取り付けられ
た真空槽と、前記同軸管の外部導体に開けられたガス導
入口と、前記中心導体の平坦部に電気的に絶縁された電
極と、前記電極の下に埋め込まれた円柱形の永久磁石と
、前記同軸管の外部導体の開口部壁に埋め込まれたリン
グ状の永久磁石と、開口部の出口をふたをするように外
部導体の先端に取り付けられた多孔プラズマ制御電極と
、プラズマ制御電極の上に電気的に絶縁され多孔が重な
るように取り付けられたビーム形成電極と、同軸管に対
し前記電極とプラズマ制御電極に正の電位が印加できる
手段と、同軸管に対しビーム形成電極に負の電位が印加
できる手段とを備えたイオン源。 - 【請求項2】 空洞共振器は可動短絡板を有する請求
項1記載のイオン源。 - 【請求項3】 同軸管はドアノブの根元が勾配管にな
っている請求項1記載のイオン源。 - 【請求項4】 リング永久磁石の内周と外周が着磁さ
れており内周の磁極と円柱状の永久磁石のリング永久磁
石に対向する面の磁極とが相反する請求項1記載のイオ
ン源。 - 【請求項5】 マイクロ波は2.45GHzである請
求項1記載のイオン源。 - 【請求項6】 中心導体は空洞でその中に送電線と冷
却パイプが通してある請求項1記載のイオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3134640A JPH04359853A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3134640A JPH04359853A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04359853A true JPH04359853A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15133094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3134640A Pending JPH04359853A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04359853A (ja) |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3134640A patent/JPH04359853A/ja active Pending
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