JPH04358333A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH04358333A JPH04358333A JP3133899A JP13389991A JPH04358333A JP H04358333 A JPH04358333 A JP H04358333A JP 3133899 A JP3133899 A JP 3133899A JP 13389991 A JP13389991 A JP 13389991A JP H04358333 A JPH04358333 A JP H04358333A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ−光を用いて反
射率を変化させることにより信号を記録する追記型光デ
ィスク(WORM)に関するものである。
射率を変化させることにより信号を記録する追記型光デ
ィスク(WORM)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】レ−ザ−ビ−ムを用いる情報記録媒体は
大容量デ−タメモリ−として実用化されている。特に音
楽、画像や各種デ−タ−ベ−スの再生専用メモリ−とし
てROM型光情報記録媒体(コンパクトディスク:CD
)はCD規格に基ずいて再生プレ−ヤとのマッチングも
安定になされ広く一般に普及し使用されている。しかし
ながら、再生専用系のため、利用者が自由に音楽情報等
を記録することは不可能であった。一方、従来の追記型
情報記録媒体ではTe,Sn,Bi等の半金族やシアニ
ン、フタロシアニンン等の有機色素等を記録層として開
発されているが、媒体構造的に記録層背後に空間層を設
けた貼り合わせ構造が一般的には必須であること、また
媒体反射率、記録感度等での媒体特性の多様性から使用
する媒体ごとに設計されたプレ−ヤ(ドライブ)で情報
を記録再生することから民生用途として汎用性に乏しい
欠点があつた。
大容量デ−タメモリ−として実用化されている。特に音
楽、画像や各種デ−タ−ベ−スの再生専用メモリ−とし
てROM型光情報記録媒体(コンパクトディスク:CD
)はCD規格に基ずいて再生プレ−ヤとのマッチングも
安定になされ広く一般に普及し使用されている。しかし
ながら、再生専用系のため、利用者が自由に音楽情報等
を記録することは不可能であった。一方、従来の追記型
情報記録媒体ではTe,Sn,Bi等の半金族やシアニ
ン、フタロシアニンン等の有機色素等を記録層として開
発されているが、媒体構造的に記録層背後に空間層を設
けた貼り合わせ構造が一般的には必須であること、また
媒体反射率、記録感度等での媒体特性の多様性から使用
する媒体ごとに設計されたプレ−ヤ(ドライブ)で情報
を記録再生することから民生用途として汎用性に乏しい
欠点があつた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】そこで、市販のCDプ
レ−ヤ−を有効に利用しつつ、利用者が自由に情報を記
録しえる追記可能な媒体の実用化が強く望まれる。この
追記型媒体では記録後の信号特性で再生専用CDとの互
換が必須であり一般に広く普及しているCDプレ−ヤ−
で確実に再生できる必要がある。そのためには追記型媒
体にEFM信号の記録を行い、記録した情報を再生した
際、CDの規格を満足する信号変調度を獲得し、且つ信
号ジッタ−特性に優れた媒体を見い出し本発明を達成し
た。
レ−ヤ−を有効に利用しつつ、利用者が自由に情報を記
録しえる追記可能な媒体の実用化が強く望まれる。この
追記型媒体では記録後の信号特性で再生専用CDとの互
換が必須であり一般に広く普及しているCDプレ−ヤ−
で確実に再生できる必要がある。そのためには追記型媒
体にEFM信号の記録を行い、記録した情報を再生した
際、CDの規格を満足する信号変調度を獲得し、且つ信
号ジッタ−特性に優れた媒体を見い出し本発明を達成し
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に従え
ば、トラッキング用グル−ブが形成された基板上にレ−
ザ−光により情報の書き込みが可能な色素を含有する記
録層が設けられ、さらに該記録層上に金属反射層が積層
されてなる高反射率情報記録媒体であって、この記録媒
体の基板側からのレ−ザ−照射により光記録層が変形し
、それにともない隣接する金属反射層が変形し、その変
形量Δdが2nm以上であることを特徴とする光情報記
録媒体が提供される。
ば、トラッキング用グル−ブが形成された基板上にレ−
ザ−光により情報の書き込みが可能な色素を含有する記
録層が設けられ、さらに該記録層上に金属反射層が積層
されてなる高反射率情報記録媒体であって、この記録媒
体の基板側からのレ−ザ−照射により光記録層が変形し
、それにともない隣接する金属反射層が変形し、その変
形量Δdが2nm以上であることを特徴とする光情報記
録媒体が提供される。
【0005】本発明を添付図面にもとづいて説明すれば
、図1に示すようにトラッキング用案内溝が形成されて
いる透明性基板1の上にレ−ザ−光を吸収する記録層2
が形成され、その上に反射率を増大させるための金属反
射層3が設けられている。ここで記録に際して、透明性
基板側からのレ−ザ−光の照射によって記録層が光を吸
収し記録層の温度が上昇する。そして記録層は溶融や/
又は分解することにより体積膨張を起こし、記録層に変
形が生じる。しかして、本発明は、このとき、図2に示
すように隣接する金属反射層も変形を受け、しかも、そ
の変形量Δdが2nm以上となるようなものであること
を特徴とするものである。このとき金属層の変形の仕方
は凹型、凸型いずれであってもよい。又、この際記録部
の基板の変形は特に限定するものではなく、基板は変形
しても、しなくても良い。この金属反射層の変形量Δd
が2nm未満の場合は再生信号変調度がCD規格を満た
さず好ましくない。
、図1に示すようにトラッキング用案内溝が形成されて
いる透明性基板1の上にレ−ザ−光を吸収する記録層2
が形成され、その上に反射率を増大させるための金属反
射層3が設けられている。ここで記録に際して、透明性
基板側からのレ−ザ−光の照射によって記録層が光を吸
収し記録層の温度が上昇する。そして記録層は溶融や/
又は分解することにより体積膨張を起こし、記録層に変
形が生じる。しかして、本発明は、このとき、図2に示
すように隣接する金属反射層も変形を受け、しかも、そ
の変形量Δdが2nm以上となるようなものであること
を特徴とするものである。このとき金属層の変形の仕方
は凹型、凸型いずれであってもよい。又、この際記録部
の基板の変形は特に限定するものではなく、基板は変形
しても、しなくても良い。この金属反射層の変形量Δd
が2nm未満の場合は再生信号変調度がCD規格を満た
さず好ましくない。
【0006】本発明の情報記録媒体の場合、反射光量変
化で信号検出がなされるため、その光量反射を大きく支
配する界面としての金属反射層/記録層界面の形状変化
の有無は、充分な信号変調度の獲得のための必要条件と
なっていると推定される。さらに、このとき変形した記
録層が部分的にも光学特性的に変化していたり、記録層
内に空隙を生じている場合もある。一方、金属反射層変
位( 変形 )は信号変調度の獲得とともに信号のジッ
タ−特性にも影響を及ぼす。EFM信号入力に対して良
好なピット形成を与えるためには、該変形量△dは10
0nm以下が望ましい。ここで変形Δdが100nmを
越すと、形成ピットの横方向への拡張が無視しえず半径
方向での信号クロスト−クの増大や、トラック方向での
ピット干渉が生じ良好な信号獲得のためには好ましくな
い。
化で信号検出がなされるため、その光量反射を大きく支
配する界面としての金属反射層/記録層界面の形状変化
の有無は、充分な信号変調度の獲得のための必要条件と
なっていると推定される。さらに、このとき変形した記
録層が部分的にも光学特性的に変化していたり、記録層
内に空隙を生じている場合もある。一方、金属反射層変
位( 変形 )は信号変調度の獲得とともに信号のジッ
タ−特性にも影響を及ぼす。EFM信号入力に対して良
好なピット形成を与えるためには、該変形量△dは10
0nm以下が望ましい。ここで変形Δdが100nmを
越すと、形成ピットの横方向への拡張が無視しえず半径
方向での信号クロスト−クの増大や、トラック方向での
ピット干渉が生じ良好な信号獲得のためには好ましくな
い。
【0007】上記基板1に用いられる材料としては、半
導体レ−ザ−の光を実質的に透過し、通常の光記録媒体
に用いられる高分子材料ならばいかなるものでも使用で
きる。たとえば、ポリカ−ボネイト樹脂、アクリル樹脂
、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、またはアモルファ
スポリオレフィン樹脂などが挙げられる。記録層2に用
いられる色素としては、半導体レ−ザ−の波長域に吸収
を有し、一定以上のエネルギ−をもつレ−ザ−光を吸収
した際に分解・発熱する色素であれば特に限定されない
。ただしCD規格での光学諸要件を鑑みれば屈折率2.
0以上の以下のような各種有機色素を用いることが好ま
しい。即ち、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン
系色素、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリ
リウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系
色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、N
i,Crなどの金属塩系色素、インドフェノ−ル系色素
、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、イン
ダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色
素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン
系色素、オキサジン系色素、アゾ系色素などを挙げるこ
とができる。なかでも、耐光性、耐湿熱性の観点からフ
タロシアニン系色素が好ましい。これらの各種色素は一
種類ずつ用いてもよいし、多種類のものを混合、あるい
は積層して用いてもよい。記録層の厚みは通常30〜1
000nm程度である。
導体レ−ザ−の光を実質的に透過し、通常の光記録媒体
に用いられる高分子材料ならばいかなるものでも使用で
きる。たとえば、ポリカ−ボネイト樹脂、アクリル樹脂
、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、またはアモルファ
スポリオレフィン樹脂などが挙げられる。記録層2に用
いられる色素としては、半導体レ−ザ−の波長域に吸収
を有し、一定以上のエネルギ−をもつレ−ザ−光を吸収
した際に分解・発熱する色素であれば特に限定されない
。ただしCD規格での光学諸要件を鑑みれば屈折率2.
0以上の以下のような各種有機色素を用いることが好ま
しい。即ち、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン
系色素、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリ
リウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系
色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、N
i,Crなどの金属塩系色素、インドフェノ−ル系色素
、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、イン
ダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色
素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン
系色素、オキサジン系色素、アゾ系色素などを挙げるこ
とができる。なかでも、耐光性、耐湿熱性の観点からフ
タロシアニン系色素が好ましい。これらの各種色素は一
種類ずつ用いてもよいし、多種類のものを混合、あるい
は積層して用いてもよい。記録層の厚みは通常30〜1
000nm程度である。
【0008】金属反射層3に用いられる材料としては半
導体レ−ザ−の波長域において十分高い反射率を有すも
の、即ちAu,Ag,Cu,Al,Cr,Niなどの金
属またはこれらを用いた合金が挙げられる。とりわけ、
Au,Al等の金属膜はスパッタ法等で高反射率膜が容
易に形成されるので望ましい。反射層の厚みは、通常3
0〜1000nm程度である。本発明に於いては、記録
層及び反射層を保護するために反射層の上に直接保護層
を設けたり、又は反射層の上にエア−ギャップを設けな
がら薄膜の保護フィルムを張り合わせても良い。保護層
に用いられる材料としては主として高分子材料、なかで
も紫外線硬化樹脂は容易に保護層が形成できるので最適
である。保護層の膜厚は通常2〜50μm程度である。 一方、保護フィルムとしてはポリカ−ボネ−トフィルム
、アクリルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリエ
ステルフィルム等が挙げられる。保護フィルムの膜厚は
20〜100μm程度が好ましく、この保護フィルムの
膜厚があまり厚くなると媒体の厚みが大きくなり過ぎC
Dとの互換性の点で好ましくない。
導体レ−ザ−の波長域において十分高い反射率を有すも
の、即ちAu,Ag,Cu,Al,Cr,Niなどの金
属またはこれらを用いた合金が挙げられる。とりわけ、
Au,Al等の金属膜はスパッタ法等で高反射率膜が容
易に形成されるので望ましい。反射層の厚みは、通常3
0〜1000nm程度である。本発明に於いては、記録
層及び反射層を保護するために反射層の上に直接保護層
を設けたり、又は反射層の上にエア−ギャップを設けな
がら薄膜の保護フィルムを張り合わせても良い。保護層
に用いられる材料としては主として高分子材料、なかで
も紫外線硬化樹脂は容易に保護層が形成できるので最適
である。保護層の膜厚は通常2〜50μm程度である。 一方、保護フィルムとしてはポリカ−ボネ−トフィルム
、アクリルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリエ
ステルフィルム等が挙げられる。保護フィルムの膜厚は
20〜100μm程度が好ましく、この保護フィルムの
膜厚があまり厚くなると媒体の厚みが大きくなり過ぎC
Dとの互換性の点で好ましくない。
【0009】本発明において記録時に用いられるレーザ
ー光としては、発信波長770〜840nmの半導体レ
ーザーが好ましい。そして、記録する際は、レーザーの
出力を記録層面で5〜10mW程度にし、読み出す際は
レーザー出力をその1/10程度にすればよい。本発明
においては、前記したように、レーザー照射により光記
録層が変形し、それに伴い、隣接する金属反射層が変形
し、その変形量Δdが2nm以上であればよいが、記録
層はレーザーの照射による発熱により色素が分解するこ
とによって容易に変形する。一方、金属反射層は、記録
層の発熱と色素の分解による分解ガスの発生などにより
加圧状態になりその圧力が金属反射層にかかり変形する
。この際の変形量は、用いる色素の種類、記録時のレー
ザー出力、金属反射層の種類及び膜厚更には保護層の有
無及び保護層の種類と膜厚によって異なるので、金属反
射層の変形量Δdが2nm以上となるように、前記諸条
件を適切に選択すればよい。なお、この際、記録時の圧
力によって基板は変形してもしなくても差支えない。
ー光としては、発信波長770〜840nmの半導体レ
ーザーが好ましい。そして、記録する際は、レーザーの
出力を記録層面で5〜10mW程度にし、読み出す際は
レーザー出力をその1/10程度にすればよい。本発明
においては、前記したように、レーザー照射により光記
録層が変形し、それに伴い、隣接する金属反射層が変形
し、その変形量Δdが2nm以上であればよいが、記録
層はレーザーの照射による発熱により色素が分解するこ
とによって容易に変形する。一方、金属反射層は、記録
層の発熱と色素の分解による分解ガスの発生などにより
加圧状態になりその圧力が金属反射層にかかり変形する
。この際の変形量は、用いる色素の種類、記録時のレー
ザー出力、金属反射層の種類及び膜厚更には保護層の有
無及び保護層の種類と膜厚によって異なるので、金属反
射層の変形量Δdが2nm以上となるように、前記諸条
件を適切に選択すればよい。なお、この際、記録時の圧
力によって基板は変形してもしなくても差支えない。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。
実施例1
Pd−テトラ(1,3−ジメチルブトキシ)フタロシア
ニンを1分子当り平均2.5のクロル化したフタロシア
ニン色素の3.5重量%オクタン溶液をグル−ブが設け
られた円盤状のポリカ−ボネイト基板(外径:120m
m,内径:15mm、トラックピッチ:1.6μm、グ
ル−ブの表面幅:0.52μm、グル−ブ深さ:125
0Å)上にスピンコ−ト(回転数700rpmの速度で
塗布後3000rpmで乾燥)し、溝上/溝間での平均
膜厚が1200Å( 120nm ) の記録層を成膜
した。この記録層上にAuをスパッタリングして膜厚が
800Å( 80nm )の反射層を形成した。更にこ
の反射層上に、保護層としてUV硬化性樹脂SD−17
(大日本インキ化学工業(株)製)をスピンコ−ト後、
紫外線を照射し硬化させ厚さ4μmの保護層を形成した
。
ニンを1分子当り平均2.5のクロル化したフタロシア
ニン色素の3.5重量%オクタン溶液をグル−ブが設け
られた円盤状のポリカ−ボネイト基板(外径:120m
m,内径:15mm、トラックピッチ:1.6μm、グ
ル−ブの表面幅:0.52μm、グル−ブ深さ:125
0Å)上にスピンコ−ト(回転数700rpmの速度で
塗布後3000rpmで乾燥)し、溝上/溝間での平均
膜厚が1200Å( 120nm ) の記録層を成膜
した。この記録層上にAuをスパッタリングして膜厚が
800Å( 80nm )の反射層を形成した。更にこ
の反射層上に、保護層としてUV硬化性樹脂SD−17
(大日本インキ化学工業(株)製)をスピンコ−ト後、
紫外線を照射し硬化させ厚さ4μmの保護層を形成した
。
【0011】上記で得られた光情報記録媒体を、光ディ
スク評価装置DDU−1000(パルステック工業製、
レーザー波長781nm、NA=0.50)とEFMエ
ンコーダー(KENWOOD製)を用いて線速度1.4
m/s、記録レーザーパワー7.5mWでEFM変調信
号を記録した。これをDDU−1000機にて再生し記
録長3T及び11Tの直流再生成分から記録変調度(I
3、I11 )、及び3Tマークのジッター値をジッタ
ーメーターLJM−1850機(リーダー電子製)を用
いて測定した。結果は表1に纏めた。次に、この記録済
み媒体の保護層を硝酸にて溶融除去した後記録部の反射
層表面変形量を走査型トンネル顕微鏡(STM)にて観
察したところ記録ピット部に3nmの変形( Δd )
(凸型)が観測された。
スク評価装置DDU−1000(パルステック工業製、
レーザー波長781nm、NA=0.50)とEFMエ
ンコーダー(KENWOOD製)を用いて線速度1.4
m/s、記録レーザーパワー7.5mWでEFM変調信
号を記録した。これをDDU−1000機にて再生し記
録長3T及び11Tの直流再生成分から記録変調度(I
3、I11 )、及び3Tマークのジッター値をジッタ
ーメーターLJM−1850機(リーダー電子製)を用
いて測定した。結果は表1に纏めた。次に、この記録済
み媒体の保護層を硝酸にて溶融除去した後記録部の反射
層表面変形量を走査型トンネル顕微鏡(STM)にて観
察したところ記録ピット部に3nmの変形( Δd )
(凸型)が観測された。
【0012】実施例2
実施例1に於ける基板の代わりにグル−ブ付きガラス基
板上(ピッチ1.6μm、グル−ブ幅0.7μm、グル
−ブ深800Å)を用いる以外は実施例1と同じように
して媒体を作り、10mWのレ−ザ−パワ−でEFM変
調信号の記録を行い、実施例1と同じようにして変調度
とジッタ−値を測定した。結果は表1に纏めた。次に、
記録部の反射層表面の変形量をSTMにて観察したとこ
ろ記録ピット部で20nm(凸型)の変形( Δd )
が観測された。
板上(ピッチ1.6μm、グル−ブ幅0.7μm、グル
−ブ深800Å)を用いる以外は実施例1と同じように
して媒体を作り、10mWのレ−ザ−パワ−でEFM変
調信号の記録を行い、実施例1と同じようにして変調度
とジッタ−値を測定した。結果は表1に纏めた。次に、
記録部の反射層表面の変形量をSTMにて観察したとこ
ろ記録ピット部で20nm(凸型)の変形( Δd )
が観測された。
【0013】比較例1
1、1’−ジエチル−3、3、3’、3’−テトラ
メチル−ベンゾインドリン−ジカ−ボシアニン−テトラ
(p−フロロフェニル)ボレ−ト色素の3.3重量%メ
チルセロソルブ溶液を実施例1で用いた基板上にスピン
コ−ト(回転数800rpmの速度で20秒回転成膜乾
燥)し、溝上/溝間での平均膜厚が1200Å( 12
0nm ) の記録層を成膜した。この記録層の上にA
uをスパッタリングして膜厚800Å( 80nm )
の反射層を形成し、更にこの反射層の上に保護層として
UV硬化性樹脂SD−17をスピンコ−ト後、紫外線照
射して4μmの保護層を形成し情報記録媒体を作った。 この媒体を用いてレ−ザ−パワ−8mWで実施例1と同
じようにしてEFM信号を記録し評価した。信号変調度
、ジッタ−値の測定結果を表1に纏めた。この時保護層
を除去してAu反射層の変形( Δd ) をSTMに
て計測したが変形は見られなかった。
メチル−ベンゾインドリン−ジカ−ボシアニン−テトラ
(p−フロロフェニル)ボレ−ト色素の3.3重量%メ
チルセロソルブ溶液を実施例1で用いた基板上にスピン
コ−ト(回転数800rpmの速度で20秒回転成膜乾
燥)し、溝上/溝間での平均膜厚が1200Å( 12
0nm ) の記録層を成膜した。この記録層の上にA
uをスパッタリングして膜厚800Å( 80nm )
の反射層を形成し、更にこの反射層の上に保護層として
UV硬化性樹脂SD−17をスピンコ−ト後、紫外線照
射して4μmの保護層を形成し情報記録媒体を作った。 この媒体を用いてレ−ザ−パワ−8mWで実施例1と同
じようにしてEFM信号を記録し評価した。信号変調度
、ジッタ−値の測定結果を表1に纏めた。この時保護層
を除去してAu反射層の変形( Δd ) をSTMに
て計測したが変形は見られなかった。
【0014】比較例2
実施例1において、Au反射層上のUV保護層を成膜し
ていない情報記録媒体を実施例1と同じようにしに作り
評価した。但し、レ−ザ−パワ−は6.0mWで記録し
た。変調度とジッタ−値の測定結果を表1に纏めた。こ
のとき記録部の反射層表面変形( Δd ) は、保護
層による制圧がないため300nmと観測された。
ていない情報記録媒体を実施例1と同じようにしに作り
評価した。但し、レ−ザ−パワ−は6.0mWで記録し
た。変調度とジッタ−値の測定結果を表1に纏めた。こ
のとき記録部の反射層表面変形( Δd ) は、保護
層による制圧がないため300nmと観測された。
【0015】
【表1】
【0016】
【発明の効果】以上のごとく、本発明の光情報記録媒体
によれば、CD規格を満足するところのEFM信号再生
特性において信号変調度が十分獲得でき、低ジッタ−特
性、が確証しえた安定なCDプレ−ヤ互換記録媒体が容
易に得られる効果がある。
によれば、CD規格を満足するところのEFM信号再生
特性において信号変調度が十分獲得でき、低ジッタ−特
性、が確証しえた安定なCDプレ−ヤ互換記録媒体が容
易に得られる効果がある。
図1は、図2は該光情報記録媒体で記録後のトラックに
沿ったピット形成部の断面を示す。
沿ったピット形成部の断面を示す。
【図1】光情報記録媒体のトラックに沿った断面構造の
拡大図である。
拡大図である。
【図2】光情報記録媒体の記録後のトラックに沿ったピ
ット形成部の断面図である。
ット形成部の断面図である。
1 基板
2 記録層
3 金属反射層
4 保護層
5 基板
6 記録後変形色素記録層
7 記録後変形反射層
8 保護層
Claims (3)
- 【請求項1】 トラッキング用グル−ブが形成された
基板上にレ−ザ−光により情報の書き込みが可能な色素
を含有する記録層が設けられ、さらに該記録層上に金属
反射層が積層されてなる高反射率情報記録媒体であって
、この記録媒体の基板側からのレ−ザ−照射により光記
録層が変形し、それにともない隣接する金属反射層が変
形し、その変形量Δdが2nm以上であることを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項2】 変形した記録層が局部的にも光学特性
変化をきたしている請求項1記載の光情報記録媒体。 - 【請求項3】 光記録層にフタロシアニン系有機色素
を用いる請求項1または2記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3133899A JPH04358333A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3133899A JPH04358333A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04358333A true JPH04358333A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15115710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3133899A Pending JPH04358333A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04358333A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008062675A1 (fr) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Support de disque optique dédié à la reproduction uniquement et son procédé de fabrication |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP3133899A patent/JPH04358333A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008062675A1 (fr) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Support de disque optique dédié à la reproduction uniquement et son procédé de fabrication |
JP2008130191A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Sony Corp | 再生専用型光ディスク媒体及びその製造方法 |
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