JPH04356559A - 光学用ポリカーボネート組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は光学用ポリカーボネート組
成物に関し、さらに詳しくは、成形時の着色が少なく、
透明性に優れた成形物を形成しうる光学用ポリカーボネ
ート組成物に関する。
成物に関し、さらに詳しくは、成形時の着色が少なく、
透明性に優れた成形物を形成しうる光学用ポリカーボネ
ート組成物に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年、光ディスクは大記録容量、
非接触読み出し、高速アクセスが可能などの利点を生か
し各種の多用な用途、例えばデジタルデータ用光ディス
ク、ＣＤ−ＲＯＭ、コンパクトディスク、ビデオディス
クなどに用いられている。
非接触読み出し、高速アクセスが可能などの利点を生か
し各種の多用な用途、例えばデジタルデータ用光ディス
ク、ＣＤ−ＲＯＭ、コンパクトディスク、ビデオディス
クなどに用いられている。
【０００３】このような光ディスクなどの光学基板、光
ファイバー、レンズ、照明器具用品などには透明性が要
求され、特に光学基板には再生レーザー光の波長領域で
高い光線透過性を有するだけでなく、可視光領域から近
赤外領域にいたる波長の光線を透過する特性が要求され
る。
ファイバー、レンズ、照明器具用品などには透明性が要
求され、特に光学基板には再生レーザー光の波長領域で
高い光線透過性を有するだけでなく、可視光領域から近
赤外領域にいたる波長の光線を透過する特性が要求され
る。
【０００４】また低吸水性、耐熱性などの特性が要求さ
れ、これらの特性を満足するプラスチック材料として［
Ａ］ポリカーボネート樹脂が多く使用されている。とこ
ろが従来の［Ａ］ポリカーボネート樹脂では、成形時に
着色することがあり、そのため得られた［Ａ］ポリカー
ボネート樹脂製基板、レンズなどが透明性に劣るなどの
問題があった。
れ、これらの特性を満足するプラスチック材料として［
Ａ］ポリカーボネート樹脂が多く使用されている。とこ
ろが従来の［Ａ］ポリカーボネート樹脂では、成形時に
着色することがあり、そのため得られた［Ａ］ポリカー
ボネート樹脂製基板、レンズなどが透明性に劣るなどの
問題があった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記のような問題を解決しよ
うとするものであって、成形時の着色が少なく、透明性
に優れた成形物を得ることができるような光学用ポリカ
ーボネート組成物を提供することを目的としている。
うとするものであって、成形時の着色が少なく、透明性
に優れた成形物を得ることができるような光学用ポリカ
ーボネート組成物を提供することを目的としている。
【０００６】
【発明の概要】本発明に係る第１の光学用ポリカーボネ
ート組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘
度が０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物が
０．００００１〜０．２重量部の量で配合されてなるこ
とを特徴としている。
ート組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘
度が０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物が
０．００００１〜０．２重量部の量で配合されてなるこ
とを特徴としている。
【０００７】また本発明に係る第１の光学用ポリカーボ
ネート組成物には、［Ｂ］ホウ素系化合物とともに、［
Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または
該酸性化合物から形成される誘導体が、０．００００１
〜０．２重量部の量で配合されてなることが好ましい。
ネート組成物には、［Ｂ］ホウ素系化合物とともに、［
Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または
該酸性化合物から形成される誘導体が、０．００００１
〜０．２重量部の量で配合されてなることが好ましい。
【０００８】本発明では、上記［Ｃ］ｐＫａ値が３以下
である酸性化合物および／または該酸性化合物から形成
される誘導体が、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるス
ルホン酸系化合物および／または該化合物から形成され
る誘導体であることが好ましい。
である酸性化合物および／または該酸性化合物から形成
される誘導体が、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるス
ルホン酸系化合物および／または該化合物から形成され
る誘導体であることが好ましい。
【０００９】本発明に係る第２の光学用ポリカーボネー
ト組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が、０．００００１〜０．０００５重
量部の量で配合されてなることを特徴としている。
ト組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が、０．００００１〜０．０００５重
量部の量で配合されてなることを特徴としている。
【００１０】さらに、上記第１、第２の光学用ポリカー
ボネート組成物において、［Ｃ−１］該スルホン酸系化
合物または該化合物から形成される誘導体が、下記一般
式［Ｉ］で表される化合物であることが好ましい。
ボネート組成物において、［Ｃ−１］該スルホン酸系化
合物または該化合物から形成される誘導体が、下記一般
式［Ｉ］で表される化合物であることが好ましい。
【００１１】
【化３】
【００１２】（式中、Ｒ０ は炭素数１〜２０の炭化水
素基（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり
、Ｒ１ は水素または炭素数１〜５０の炭化水素基（水
素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、ｎは０
〜３の整数である。） さらに、上記のような第１、第２の光学用ポリカーボネ
ート組成物は、［Ｄ］リン化合物および／または［Ｅ］
エポキシ化合物を配合してなることが好まし。
素基（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり
、Ｒ１ は水素または炭素数１〜５０の炭化水素基（水
素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、ｎは０
〜３の整数である。） さらに、上記のような第１、第２の光学用ポリカーボネ
ート組成物は、［Ｄ］リン化合物および／または［Ｅ］
エポキシ化合物を配合してなることが好まし。
【００１３】このような本発明に係る光学用ポリカーボ
ネート組成物は、成形時の着色が少なく、該組成物から
得られる成形物は、透明性、耐熱性、耐水性が優れるな
どの特徴を有しているので光学的用途に特に適している
。
ネート組成物は、成形時の着色が少なく、該組成物から
得られる成形物は、透明性、耐熱性、耐水性が優れるな
どの特徴を有しているので光学的用途に特に適している
。
【００１４】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光学用ポリカ
ーボネート組成物について具体的に説明する。
ーボネート組成物について具体的に説明する。
【００１５】まず本発明に係る第１、第２の光学用ポリ
カーボネート組成物を形成している［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂について説明する。本発明に係る［Ａ］ポリカ
ーボネート樹脂は、溶媒および脱酸剤の存在下において
芳香族系有機二水酸基化合物とホスゲンとを反応させる
方法、芳香族系有機二水酸基化合物とジフェニルカーボ
ネートなどの炭酸ジエステルとを加熱溶融し高温減圧下
で反応させる方法（溶融法）などによって製造すること
ができるが、後者の溶融法によって製造されたものが特
に好ましく用いられる。
カーボネート組成物を形成している［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂について説明する。本発明に係る［Ａ］ポリカ
ーボネート樹脂は、溶媒および脱酸剤の存在下において
芳香族系有機二水酸基化合物とホスゲンとを反応させる
方法、芳香族系有機二水酸基化合物とジフェニルカーボ
ネートなどの炭酸ジエステルとを加熱溶融し高温減圧下
で反応させる方法（溶融法）などによって製造すること
ができるが、後者の溶融法によって製造されたものが特
に好ましく用いられる。
【００１６】このような芳香族系有機二水酸基化合物と
しては、特に限定されないが、下記式［Ｉ］で示される
化合物を挙げることができる。
しては、特に限定されないが、下記式［Ｉ］で示される
化合物を挙げることができる。
【００１７】
【化４】
【００１８】Ｒ１ およびＲ２ は水素原子または１価
の炭化水素基であり、Ｒ３ は２価の炭化水素基である
。またＲ４ 、Ｒ５ は、ハロゲンまたは１価の炭化水
素基であり、これらは、同一であっても異なっていても
よい。 ｐ、ｑは０〜４の整数を表す。） 上記芳香族系有機二水酸基化合物としては、具体的には
、以下に示す化合物を挙げることができるビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニ
ルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１− メチ
ルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパンなどのビス
（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどのビス
（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４’−
ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロ
キシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテルなどのジヒ
ドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキ
シジアリールスルフィド類、４，４’− ジヒドロキシ
ジフェニルスルホキシド、４，４’− ジヒドロキシ−
３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシドなどのジヒ
ドロキシジアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒド
ロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジメチルジフェニルスルホンなどのジヒドロ
キシジアリールスルホン類。
の炭化水素基であり、Ｒ３ は２価の炭化水素基である
。またＲ４ 、Ｒ５ は、ハロゲンまたは１価の炭化水
素基であり、これらは、同一であっても異なっていても
よい。 ｐ、ｑは０〜４の整数を表す。） 上記芳香族系有機二水酸基化合物としては、具体的には
、以下に示す化合物を挙げることができるビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニ
ルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１− メチ
ルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパンなどのビス
（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどのビス
（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４’−
ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロ
キシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテルなどのジヒ
ドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキ
シジアリールスルフィド類、４，４’− ジヒドロキシ
ジフェニルスルホキシド、４，４’− ジヒドロキシ−
３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシドなどのジヒ
ドロキシジアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒド
ロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジメチルジフェニルスルホンなどのジヒドロ
キシジアリールスルホン類。
【００１９】これらのうちでは、特に２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましく用いられる
。また、芳香族系有機二水酸基化合物として、下記一般
式［ＩＩ］で表される化合物を用いることもできる。
−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましく用いられる
。また、芳香族系有機二水酸基化合物として、下記一般
式［ＩＩ］で表される化合物を用いることもできる。
【００２０】
【化５】
【００２１】式中、Ｒ６ は、それぞれ炭素数１〜１０
の炭化水素基またはそのハロゲン化物、またはハロゲン
であり、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜
４の整数である。
の炭化水素基またはそのハロゲン化物、またはハロゲン
であり、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜
４の整数である。
【００２２】上記一般式［ＩＩ］で表される芳香族系有
機二水酸基化合物としては、具体的に、 レゾルシン
および３−メチルレゾルシン、３−エチルレゾルシン、
３−プロピルレゾルシン、３−ブチルレゾルシン、３−
ｔ−ブチルレゾルシン、３−フェニルレゾルシン、３−
クミルレゾルシン、２，３，４，６−テトラフルオロレ
ゾルシン、２，３，４，６−テトラブロムレゾルシンな
どの置換レゾルシン、カテコール、ハイドロキノンおよ
び３−メチルハイドロキノン、３−エチルハイドロキノ
ン、３−プロピルハイドロキノン、３−ブチルハイドロ
キノン、３−ｔ−ブチルハイドロキノン、３−フェニル
ハイドロキノン、３−クミルハイドロキノン、２，３，
５，６−テトラメチルハイドロキノン、２，３，５，６
−テトラ−ｔ−ブチルハイドロキノン、２，３，５，６
−テトラフルオロハイドロキノン、２，３，５，６−テ
トラブロムハイドロキノンなどの置換ハイドロキノンを
挙げることができる。
機二水酸基化合物としては、具体的に、 レゾルシン
および３−メチルレゾルシン、３−エチルレゾルシン、
３−プロピルレゾルシン、３−ブチルレゾルシン、３−
ｔ−ブチルレゾルシン、３−フェニルレゾルシン、３−
クミルレゾルシン、２，３，４，６−テトラフルオロレ
ゾルシン、２，３，４，６−テトラブロムレゾルシンな
どの置換レゾルシン、カテコール、ハイドロキノンおよ
び３−メチルハイドロキノン、３−エチルハイドロキノ
ン、３−プロピルハイドロキノン、３−ブチルハイドロ
キノン、３−ｔ−ブチルハイドロキノン、３−フェニル
ハイドロキノン、３−クミルハイドロキノン、２，３，
５，６−テトラメチルハイドロキノン、２，３，５，６
−テトラ−ｔ−ブチルハイドロキノン、２，３，５，６
−テトラフルオロハイドロキノン、２，３，５，６−テ
トラブロムハイドロキノンなどの置換ハイドロキノンを
挙げることができる。
【００２３】また、本発明では芳香族系有機二水酸基化
合物として、下記一般式で表される２，２，２’，２’
−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−
１，１’−スピロビ−［ＩＨ−インデン］−６，６’−
ジオールを用いることもできる。
合物として、下記一般式で表される２，２，２’，２’
−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−
１，１’−スピロビ−［ＩＨ−インデン］−６，６’−
ジオールを用いることもできる。
【００２４】
【化６】
【００２５】これらの芳香族系有機二水酸基化合物は、
単独であるいは組み合わせて用いることができる。また
炭酸ジエステルとしては、具体的には、ジフェニルカー
ボネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェ
ニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナ
フチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート
、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブ
チルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなど
を挙げることができる。
単独であるいは組み合わせて用いることができる。また
炭酸ジエステルとしては、具体的には、ジフェニルカー
ボネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェ
ニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナ
フチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート
、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブ
チルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなど
を挙げることができる。
【００２６】これらのうち特にジフェニルカーボネート
が好ましく用いられる。これらの炭酸ジエステルは、単
独であるいは組み合わせて用いることができる。
が好ましく用いられる。これらの炭酸ジエステルは、単
独であるいは組み合わせて用いることができる。
【００２７】また上記のような炭酸ジエステルは、好ま
しくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以
下の量で、ジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステル
を含有していてもよい。
しくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以
下の量で、ジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステル
を含有していてもよい。
【００２８】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなど
の芳香族ジカルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバ
シン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェ
ニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニル
などの脂肪族ジカルボン酸類、シクロプロパンジカルボ
ン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，３−シ
クロブタンジカルボン酸、１，２−シクロペンタンジカ
ルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，
２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキ
サンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン
酸、シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、１，２−
シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロ
ブタンジカルボン酸ジフェニル、１，２−シクロペンタ
ンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロペンタンジ
カルボン酸ジフェニル、１，２−シクロヘキサンジカル
ボン酸ジフェニル、１，３−シクロヘキサンジカルボン
酸ジフェニル、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジ
フェニルなどの脂環族ジカルボン酸類を挙げることがで
きる。
ン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなど
の芳香族ジカルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバ
シン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェ
ニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニル
などの脂肪族ジカルボン酸類、シクロプロパンジカルボ
ン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，３−シ
クロブタンジカルボン酸、１，２−シクロペンタンジカ
ルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，
２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキ
サンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン
酸、シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、１，２−
シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロ
ブタンジカルボン酸ジフェニル、１，２−シクロペンタ
ンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロペンタンジ
カルボン酸ジフェニル、１，２−シクロヘキサンジカル
ボン酸ジフェニル、１，３−シクロヘキサンジカルボン
酸ジフェニル、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジ
フェニルなどの脂環族ジカルボン酸類を挙げることがで
きる。
【００２９】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルは、単独であるいは組み合わせて含有され
ていていてよい。上記のような炭酸ジエステルは、芳香
族系有機二水酸基化合物１モルに対して、通常、１．０
〜１．３０モル、好ましくは１．０１〜１．２０モルの
量で用いられることが望ましい。
ン酸エステルは、単独であるいは組み合わせて含有され
ていていてよい。上記のような炭酸ジエステルは、芳香
族系有機二水酸基化合物１モルに対して、通常、１．０
〜１．３０モル、好ましくは１．０１〜１．２０モルの
量で用いられることが望ましい。
【００３０】また本発明では、ポリカーボネートを製造
するに際して、上記のような芳香族系有機二水酸基化合
物と炭酸ジエステルとともに、１分子中に３個以上の官
能基を有する多官能化合物とを用いることもできる。
するに際して、上記のような芳香族系有機二水酸基化合
物と炭酸ジエステルとともに、１分子中に３個以上の官
能基を有する多官能化合物とを用いることもできる。
【００３１】このような多官能化合物としては、フェノ
ール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物が好
ましく、特にフェノール性水酸基を３個含有する化合物
が好ましい。具体的には、たとえば、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル） エタン、２，２’，２
”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ジイソプロピル
ベンゼン、α−メチル−α，α’，α’−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、α
， α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、フロログリシ
ン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロ
キシフェニル）−ヘプタン−２、１，３，５−トリ（４
−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、２，２−ビス−［４
，４−（４，４’−ジヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キシル］−プロパン、トリメリット酸、１，３，５−ベ
ンゼントリカルボン酸、ピロメリット酸などが挙げられ
る。
ール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物が好
ましく、特にフェノール性水酸基を３個含有する化合物
が好ましい。具体的には、たとえば、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル） エタン、２，２’，２
”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ジイソプロピル
ベンゼン、α−メチル−α，α’，α’−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、α
， α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、フロログリシ
ン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロ
キシフェニル）−ヘプタン−２、１，３，５−トリ（４
−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、２，２−ビス−［４
，４−（４，４’−ジヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キシル］−プロパン、トリメリット酸、１，３，５−ベ
ンゼントリカルボン酸、ピロメリット酸などが挙げられ
る。
【００３２】これらのうち、１，１，１−トリス（４−
ヒドロキシフェニル） エタン、α， α’，α”−ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイ
ソプロピルベンゼンなどが好ましく用いられる。
ヒドロキシフェニル） エタン、α， α’，α”−ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイ
ソプロピルベンゼンなどが好ましく用いられる。
【００３３】多官能化合物は、芳香族系有機二水酸基化
合物１モルに対して、通常は０．０３モル以下好ましく
は０．００１〜０．０２モルさらに好ましくは０．００
１〜０．０１モルの量で用いられる。
合物１モルに対して、通常は０．０３モル以下好ましく
は０．００１〜０．０２モルさらに好ましくは０．００
１〜０．０１モルの量で用いられる。
【００３４】また、ポリカーボネートを製造するに際し
ては、上記のような芳香族系有機二水酸基化合物、炭酸
ジエステルとともに、得られる［Ａ］ポリカーボネート
に下記のような末端基を導入可能な化合物を用いること
ができる。
ては、上記のような芳香族系有機二水酸基化合物、炭酸
ジエステルとともに、得られる［Ａ］ポリカーボネート
に下記のような末端基を導入可能な化合物を用いること
ができる。
【００３５】−ＯＨ
…［ＩＩＩ］で表される水酸基、および／または
…［ＩＩＩ］で表される水酸基、および／または
【００３６】
【化７】
【００３７】本発明では、得られるポリカーボネート分
子に上記のような末端基を導入しうる化合物として、具
体的に以下のような化合物を挙げることができる。なお
、以下に例示する化合物では、芳香族環または脂肪族環
は、ハロゲン、炭素原子数１〜９のアルキルで置換され
ていてもよい。
子に上記のような末端基を導入しうる化合物として、具
体的に以下のような化合物を挙げることができる。なお
、以下に例示する化合物では、芳香族環または脂肪族環
は、ハロゲン、炭素原子数１〜９のアルキルで置換され
ていてもよい。
【００３８】上記式［ＩＶ］で表されるフェノキシ基を
導入しうる化合物としては、たとえば、フェノールおよ
びジフェニルカーボネートなどを挙げることができる。 上記式［Ｖ］で表されるｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキ
シ基を導入しうる化合物としては、たとえば、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルフェニルカーボネート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルカーボネートなどを挙げることができる。
導入しうる化合物としては、たとえば、フェノールおよ
びジフェニルカーボネートなどを挙げることができる。 上記式［Ｖ］で表されるｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキ
シ基を導入しうる化合物としては、たとえば、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルフェニルカーボネート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルカーボネートなどを挙げることができる。
【００３９】上記式［ＶＩ］で表されるｐ−クミルフェ
ノキシ基を導入しうる化合物としては、たとえば、ｐ−
クミルフェノール、ｐ−クミルフェニルフェニルカーボ
ネートおよびｐ−クミルフェニルカーボネートなどを挙
げることができる。
ノキシ基を導入しうる化合物としては、たとえば、ｐ−
クミルフェノール、ｐ−クミルフェニルフェニルカーボ
ネートおよびｐ−クミルフェニルカーボネートなどを挙
げることができる。
【００４０】また、一般式［ＶＩＩ］で表わされるクロ
マニルフェノキシ基としては、さらに詳しくは下記のよ
うなクロマニルフェノキシ基を挙げることができる。
マニルフェノキシ基としては、さらに詳しくは下記のよ
うなクロマニルフェノキシ基を挙げることができる。
【００４１】
【化８】
【００４２】このような式［ＶＩＩＩ］で表わされるク
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
【００４３】２，２，４−トリメチル−４−（４−ヒド
ロキシフェニル）クロマン、２，２，４，６−テトラメ
チル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，３，４−トリメチル−２−エチル−
４−（３−ノニル−４−ヒドロキシフェニル）−７−ノ
ニル−クロマン、２，２，４−トリメチル−４−（３，
５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）−６−エチル
クロマン、２，２，４，６，８−ペンタメチル−４−（
３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）クロマン
、２，２，４−トリエチル−３−メチル−４−（４−ヒ
ドロキシフェニル）クロマン、２，２，４−トリメチル
−４−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）クロマ
ン、２，２，４−トリメチル−４−（３−ブロモ−４−
ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，２，
４−トリメチル−４−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，２，４−ト
リメチル−４−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフ
ェニル）−６，８−ジブロモクロマンなどを挙げること
ができる。
ロキシフェニル）クロマン、２，２，４，６−テトラメ
チル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，３，４−トリメチル−２−エチル−
４−（３−ノニル−４−ヒドロキシフェニル）−７−ノ
ニル−クロマン、２，２，４−トリメチル−４−（３，
５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）−６−エチル
クロマン、２，２，４，６，８−ペンタメチル−４−（
３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）クロマン
、２，２，４−トリエチル−３−メチル−４−（４−ヒ
ドロキシフェニル）クロマン、２，２，４−トリメチル
−４−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）クロマ
ン、２，２，４−トリメチル−４−（３−ブロモ−４−
ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，２，
４−トリメチル−４−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，２，４−ト
リメチル−４−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフ
ェニル）−６，８−ジブロモクロマンなどを挙げること
ができる。
【００４４】これらのうちでは、特に２，２，４−トリ
メチル−４−（４−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。また、上記のような式［ＩＸ］で表わされるク
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
メチル−４−（４−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。また、上記のような式［ＩＸ］で表わされるク
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
【００４５】２，２，３−トリメチル−３−（４−ヒド
ロキシフェニル）クロマン、２，２，３，６−テトラメ
チル−３−（３，５−ジメチル−４− ヒドロキシフェ
ニル）クロマン、２，３，４−トリメチル−２− エチ
ル−３−（３−ノニル−４−ヒドロキシフェニル）−７
−ノニル・クロマン、２，２，３−トリメチル−３−（
３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）−６−エ
チル−クロマン、２，２，３，６，８−ペンタメチル−
３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
クロマン、２，３，３−トリエチル−３メチル−３−（
４−ヒドロキシフェニル） クロマン、２，２，３−ト
リメチル−３−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル
）−６−ブロモクロマン、２，２，３−トリメチル−３
−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−６
−ブロモクロマン、２，２，３−トリメチル−３−（３
，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−６，８−
ジブロモクロマンなどを挙げることができる。
ロキシフェニル）クロマン、２，２，３，６−テトラメ
チル−３−（３，５−ジメチル−４− ヒドロキシフェ
ニル）クロマン、２，３，４−トリメチル−２− エチ
ル−３−（３−ノニル−４−ヒドロキシフェニル）−７
−ノニル・クロマン、２，２，３−トリメチル−３−（
３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）−６−エ
チル−クロマン、２，２，３，６，８−ペンタメチル−
３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
クロマン、２，３，３−トリエチル−３メチル−３−（
４−ヒドロキシフェニル） クロマン、２，２，３−ト
リメチル−３−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル
）−６−ブロモクロマン、２，２，３−トリメチル−３
−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−６
−ブロモクロマン、２，２，３−トリメチル−３−（３
，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−６，８−
ジブロモクロマンなどを挙げることができる。
【００４６】これらのうちでは、特に、２，２，３−ト
リメチル−３（４− ヒドロキシフェニル） クロマン
が好ましい。また、上記のような式［Ｘ］で表わされる
クロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、
具体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げるこ
とができる。
リメチル−３（４− ヒドロキシフェニル） クロマン
が好ましい。また、上記のような式［Ｘ］で表わされる
クロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、
具体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げるこ
とができる。
【００４７】２，４，４−トリメチル−２−（２−ヒド
ロキシフェニル）クロマン、２，４，４，６−テトラメ
チル−２−（３，５ージメチルー２ーヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，３，４−トリメチル−４−エチル−
２−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）−
７−ノニル−クロマン、２，４，４−トリメチル−２−
（３，５ージメチルー２ーヒドロキシフェニル）−６−
エチル−クロマン、２，４，４，６，８−ペンタメチル
−２−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）
−６−エチルクロマン、２，４，４−トリメチル−２−
（３−ブロモ−２−ヒドロキシフェニル）クロマン、２
，４，４−トリメチル−２−（３−ブロモー２ーヒドロ
キシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３，５ージブロモー２ーヒドロキシフ
ェニル）−６−ブロモクロマン２，４，４−トリメチル
−２−（３，５−ジブロモー２−ヒドロキシフェニル）
−６，８−ジブロモクロマンなどを挙げることができる
。
ロキシフェニル）クロマン、２，４，４，６−テトラメ
チル−２−（３，５ージメチルー２ーヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，３，４−トリメチル−４−エチル−
２−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）−
７−ノニル−クロマン、２，４，４−トリメチル−２−
（３，５ージメチルー２ーヒドロキシフェニル）−６−
エチル−クロマン、２，４，４，６，８−ペンタメチル
−２−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）
−６−エチルクロマン、２，４，４−トリメチル−２−
（３−ブロモ−２−ヒドロキシフェニル）クロマン、２
，４，４−トリメチル−２−（３−ブロモー２ーヒドロ
キシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３，５ージブロモー２ーヒドロキシフ
ェニル）−６−ブロモクロマン２，４，４−トリメチル
−２−（３，５−ジブロモー２−ヒドロキシフェニル）
−６，８−ジブロモクロマンなどを挙げることができる
。
【００４８】これらのうちでは、特に２，２，４−トリ
メチル−２−（２−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。さらに上記のような式［ＸＩ］で表わされるク
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
メチル−２−（２−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。さらに上記のような式［ＸＩ］で表わされるク
ロマニルフェノキシ基を導入しうる化合物としては、具
体的に、以下に示すようなクロマン化合物を挙げること
ができる。
【００４９】２，４，４−トリメチル−２−（４−ヒド
ロキシフェニル）クロマン、２，４，４，６−テトラメ
チル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，４，４−トリエチル−２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）クロマン、２，３，４−トリメチル
−４−エチル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）−７−ノニル−クロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−６−エチル−クロマン、２，４，４，６，８
−ペンタメチル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−エチルクロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル
）クロマン、２，４，４−トリメチル−２−（３−ブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、
２，４，４−トリメチル−２−（３，５−ジブロモ−４
−ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，４
，４−トリメチルー２ー（３，５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）−６，８−ジブロモクロマンを挙げる
ことができる。
ロキシフェニル）クロマン、２，４，４，６−テトラメ
チル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）クロマン、２，４，４−トリエチル−２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）クロマン、２，３，４−トリメチル
−４−エチル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）−７−ノニル−クロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−６−エチル−クロマン、２，４，４，６，８
−ペンタメチル−２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−エチルクロマン、２，４，４−ト
リメチル−２−（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル
）クロマン、２，４，４−トリメチル−２−（３−ブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、
２，４，４−トリメチル−２−（３，５−ジブロモ−４
−ヒドロキシフェニル）−６−ブロモクロマン、２，４
，４−トリメチルー２ー（３，５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）−６，８−ジブロモクロマンを挙げる
ことができる。
【００５０】これらのうちでは、特に２，４，４−トリ
メチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。上記のような各式で表される末端基を導入しう
る各化合物は、単独で使用することもできるし、組み合
わせて使用することもできる。
メチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）クロマンが好
ましい。上記のような各式で表される末端基を導入しう
る各化合物は、単独で使用することもできるし、組み合
わせて使用することもできる。
【００５１】また、前述の溶融法において使用される触
媒としては、たとえば本願出願人が特願平２−８５２１
８号明細書において提案した化合物を用いることができ
、具体的には、（ａ） アルカリ金属およびアルカリ土
類金属などの金属の有機酸塩、無機酸塩、酸化物、水酸
化物、水素化物あるいはアルコラートなどを好ましく用
いることができる。
媒としては、たとえば本願出願人が特願平２−８５２１
８号明細書において提案した化合物を用いることができ
、具体的には、（ａ） アルカリ金属およびアルカリ土
類金属などの金属の有機酸塩、無機酸塩、酸化物、水酸
化物、水素化物あるいはアルコラートなどを好ましく用
いることができる。
【００５２】このようなアルカリ金属化合物としては、
具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭
酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチ
ウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム
、ステアリン酸リチウム、水酸化ホウ素ナトリウム、水
酸化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安
息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウ
ム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、
リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリウ
ム塩、二カリウム塩、二リチウム塩、フェノールのナト
リウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが用いられる。
具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭
酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチ
ウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム
、ステアリン酸リチウム、水酸化ホウ素ナトリウム、水
酸化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安
息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウ
ム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、
リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリウ
ム塩、二カリウム塩、二リチウム塩、フェノールのナト
リウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが用いられる。
【００５３】また、アルカリ土類金属化合物としては、
具体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸
化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭
酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム
、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシ
ウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロン
チウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが用いられる。
具体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸
化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭
酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム
、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシ
ウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロン
チウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが用いられる。
【００５４】これら化合物は単独で、あるいは組み合わ
せて用いることができる。このような（ａ） アルカリ
金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、
芳香族系有機二水酸基化合物１モルに対して、１×１０
−８〜１×１０−３、好ましくは１×１０−７〜１×１
０−６モル、さらに好ましくは１×１０−７〜８×１０
−７の量で用いられる。
せて用いることができる。このような（ａ） アルカリ
金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、
芳香族系有機二水酸基化合物１モルに対して、１×１０
−８〜１×１０−３、好ましくは１×１０−７〜１×１
０−６モル、さらに好ましくは１×１０−７〜８×１０
−７の量で用いられる。
【００５５】また、触媒として、上記（ａ） アルカリ
金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物とと
もに（ｂ） 塩基性化合物を用いてもよい。このような
（ｂ） 塩基性化合物としては、たとえば含窒素化合物
、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（Ｍｅ４ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド（Ｅｔ４ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒド
ロキシド（Ｂｕ４ＮＯＨ）、トリメチルベンジルアンモ
ニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ２（Ｍｅ）ＮＯＨ）など
のアルキル、アリール、アルアリール基などを有するア
ンモニウムヒドロオキシド類、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、ジメチルベンジルジアミン、トリフェニ
ルアミンなどの三級アミン類、Ｒ２ＮＨ（式中、Ｒはメ
チル、エチルなどのアルキル、フェニル、トルイルなど
のアリール基である）で示される二級アミン類、ＲＮＨ
２ （式中Ｒは上記と同じである）で示される一級アミ
ン類、あるいはアンモニア、テトラメチルアンモニウム
ボロハイドライド（Ｍｅ４ＮＢＨ４） 、テトラブチル
アンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ４ＮＢＨ４） 、
テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Ｂ
ｕ４ＮＢＰｈ４）、テトラメチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｂｕ４ＮＢＰｈ４）などの塩基性塩な
どが用いられる。
金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物とと
もに（ｂ） 塩基性化合物を用いてもよい。このような
（ｂ） 塩基性化合物としては、たとえば含窒素化合物
、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（Ｍｅ４ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド（Ｅｔ４ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒド
ロキシド（Ｂｕ４ＮＯＨ）、トリメチルベンジルアンモ
ニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ２（Ｍｅ）ＮＯＨ）など
のアルキル、アリール、アルアリール基などを有するア
ンモニウムヒドロオキシド類、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、ジメチルベンジルジアミン、トリフェニ
ルアミンなどの三級アミン類、Ｒ２ＮＨ（式中、Ｒはメ
チル、エチルなどのアルキル、フェニル、トルイルなど
のアリール基である）で示される二級アミン類、ＲＮＨ
２ （式中Ｒは上記と同じである）で示される一級アミ
ン類、あるいはアンモニア、テトラメチルアンモニウム
ボロハイドライド（Ｍｅ４ＮＢＨ４） 、テトラブチル
アンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ４ＮＢＨ４） 、
テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Ｂ
ｕ４ＮＢＰｈ４）、テトラメチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｂｕ４ＮＢＰｈ４）などの塩基性塩な
どが用いられる。
【００５６】これらのうち、テトラアンモニウムヒドロ
キシド類が特に好ましく用いられる。本発明では触媒と
して、たとえば、（ａ） アルカリ金属化合物および／
またはアルカリ土類金属化合物 および（ｂ） 含窒
素塩基性化合物からなる組合せ、さらに、（ａ） アル
カリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物
、（ｂ） 含窒素塩基性化合物 および（ｃ） ホウ
酸またはホウ酸エステルの少なくともいずれか一方とか
らなる組合せを挙げることができる。
キシド類が特に好ましく用いられる。本発明では触媒と
して、たとえば、（ａ） アルカリ金属化合物および／
またはアルカリ土類金属化合物 および（ｂ） 含窒
素塩基性化合物からなる組合せ、さらに、（ａ） アル
カリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物
、（ｂ） 含窒素塩基性化合物 および（ｃ） ホウ
酸またはホウ酸エステルの少なくともいずれか一方とか
らなる組合せを挙げることができる。
【００５７】このような組合せからなる触媒を用いる場
合、（ａ） アルカリ金属化合物および／またはアルカ
リ土類金属化合物は上記したような量で用いられ、（ｂ
） 含窒素塩基性化合物は、芳香族系有機二水酸基化合
物１モルに対して、１×１０−６〜１×１０−１モル、
好ましくは１×１０−５〜１×１０−２モルの量で用い
られることが好ましい。
合、（ａ） アルカリ金属化合物および／またはアルカ
リ土類金属化合物は上記したような量で用いられ、（ｂ
） 含窒素塩基性化合物は、芳香族系有機二水酸基化合
物１モルに対して、１×１０−６〜１×１０−１モル、
好ましくは１×１０−５〜１×１０−２モルの量で用い
られることが好ましい。
【００５８】このように （ａ）アルカリ金属化合物お
よび／またはアルカリ土類金属化合物と、（ｂ） 含窒
素塩基性化合物とを組み合わせた触媒は、高分子量のポ
リカーボネートを高い重合活性で生産させることができ
る。
よび／またはアルカリ土類金属化合物と、（ｂ） 含窒
素塩基性化合物とを組み合わせた触媒は、高分子量のポ
リカーボネートを高い重合活性で生産させることができ
る。
【００５９】（ｃ） ホウ酸またはホウ酸エステルにつ
いては、［Ｂ］ホウ素系化合物として後述する。このよ
うな触媒を用いる芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジ
エステルとの重縮合反応は、従来知られている芳香族系
有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応と
同様な条件下で行うことできるが、具体的には、第一段
目の反応を８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２３０
℃、さらに好ましくは１２０〜１９０℃の温度で０〜５
時間、好ましくは０〜４時間、さらに好ましくは０．２
５〜３時間常圧で、両者を反応させる。
いては、［Ｂ］ホウ素系化合物として後述する。このよ
うな触媒を用いる芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジ
エステルとの重縮合反応は、従来知られている芳香族系
有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応と
同様な条件下で行うことできるが、具体的には、第一段
目の反応を８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２３０
℃、さらに好ましくは１２０〜１９０℃の温度で０〜５
時間、好ましくは０〜４時間、さらに好ましくは０．２
５〜３時間常圧で、両者を反応させる。
【００６０】次いで、反応系を減圧にしながら反応温度
を高めて芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステル
との反応を行い、最終的には０．０５〜５ｍｍＨｇの減
圧下で２４０〜３２０℃の温度で芳香族系有機二水酸基
化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応を行う。
を高めて芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステル
との反応を行い、最終的には０．０５〜５ｍｍＨｇの減
圧下で２４０〜３２０℃の温度で芳香族系有機二水酸基
化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応を行う。
【００６１】上記のような芳香族系有機二水酸基化合物
と炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよくま
たバッチ式で行ってもよい。また上記の反応を行うに際
して用いられる反応装置は、槽型であっても管型であっ
ても塔型であってもよい。
と炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよくま
たバッチ式で行ってもよい。また上記の反応を行うに際
して用いられる反応装置は、槽型であっても管型であっ
ても塔型であってもよい。
【００６２】このような［Ａ］ポリカーボネート樹脂で
は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度が、０．
３０〜０．６５ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３２〜０．６
２ｄｌ／ｇであることが望ましい。
は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度が、０．
３０〜０．６５ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３２〜０．６
２ｄｌ／ｇであることが望ましい。
【００６３】極限粘度があまり大きいと、流動性が低下
するため４００℃以上の樹脂温度で成形を行う必要があ
る。このため、樹脂の分解を避けることができず、シル
バーストリークを招くなど成形物の透明性を損なうよう
な問題が起きる。
するため４００℃以上の樹脂温度で成形を行う必要があ
る。このため、樹脂の分解を避けることができず、シル
バーストリークを招くなど成形物の透明性を損なうよう
な問題が起きる。
【００６４】また、極限粘度があまり低いと、耐熱性お
よび強度の低下、結晶化の起こり易さなど、物性上、成
形上などの問題を招く。また、［Ａ］ポリカーボネート
樹脂は、上述したように下記のような末端基を有してい
ることが好ましい。
よび強度の低下、結晶化の起こり易さなど、物性上、成
形上などの問題を招く。また、［Ａ］ポリカーボネート
樹脂は、上述したように下記のような末端基を有してい
ることが好ましい。
【００６５】−ＯＨ
…［ＩＩＩ］で表される水酸基、および／または
…［ＩＩＩ］で表される水酸基、および／または
【００６６】
【化９】
【００６７】本発明で用いられる［Ａ］ポリカーボネー
ト樹脂において、上記式［ＩＩＩ］、［ＩＶ］、［Ｖ］
、［ＶＩ］、［ＶＩＩ］で表される末端基の割合は任意
であるが、一般式［ＩＩ］で表される水酸基末端で封止
されている割合が、５０％以下であることが好ましく、
さらに３０％以下であることが好ましい。
ト樹脂において、上記式［ＩＩＩ］、［ＩＶ］、［Ｖ］
、［ＶＩ］、［ＶＩＩ］で表される末端基の割合は任意
であるが、一般式［ＩＩ］で表される水酸基末端で封止
されている割合が、５０％以下であることが好ましく、
さらに３０％以下であることが好ましい。
【００６８】本発明に係る第１の光学用ポリカーボネー
ト組成物は、上記のような［Ａ］ポリカーボネート樹脂
に［Ｂ］ホウ素系化合物が配合されてなる。また、本発
明に係る第２の光学用ポリカーボネート組成物は、［Ａ
］ポリカーボネート樹脂に［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が配合されてなる。
ト組成物は、上記のような［Ａ］ポリカーボネート樹脂
に［Ｂ］ホウ素系化合物が配合されてなる。また、本発
明に係る第２の光学用ポリカーボネート組成物は、［Ａ
］ポリカーボネート樹脂に［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が配合されてなる。
【００６９】このような［Ｂ］ホウ素系化合物としては
、下記一般式で表わされる化合物が好ましく用いられる
。 Ｂ（ＯＲ３）ｎ（ＯＨ）３−ｎ 式中、Ｒ３ は水素原子、脂肪族炭化水素基、脂環族炭
化水素基、または芳香族炭化水素基であり、ｎは１、２
または３である。
、下記一般式で表わされる化合物が好ましく用いられる
。 Ｂ（ＯＲ３）ｎ（ＯＨ）３−ｎ 式中、Ｒ３ は水素原子、脂肪族炭化水素基、脂環族炭
化水素基、または芳香族炭化水素基であり、ｎは１、２
または３である。
【００７０】第１の光学用ポリカーボネート組成物を形
成する［Ｂ］ホウ素系化合物としては、具体的には、ホ
ウ酸、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸ト
リブチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリヘプチル、
ホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸トリナ
フチルなどを挙げることができる。
成する［Ｂ］ホウ素系化合物としては、具体的には、ホ
ウ酸、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸ト
リブチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリヘプチル、
ホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸トリナ
フチルなどを挙げることができる。
【００７１】この中ではホウ酸トリフェニルが好ましく
用いられる。本発明に係る第１の光学用ポリカーボネー
ト組成物では、上記のような［Ｂ］ホウ素系化合物の配
合量は、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部あた
り、０．００００１〜０．２重量部、好ましくは０．０
０００５〜０．０２重量部であることが望ましい。
用いられる。本発明に係る第１の光学用ポリカーボネー
ト組成物では、上記のような［Ｂ］ホウ素系化合物の配
合量は、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部あた
り、０．００００１〜０．２重量部、好ましくは０．０
０００５〜０．０２重量部であることが望ましい。
【００７２】このような［Ｂ］ホウ素系化合物は、上述
したように重合時に触媒の一成分としてあらかじめ添加
して使用することができ、重合時に必要量を添加してお
けば重合後に添加する必要は特にない。
したように重合時に触媒の一成分としてあらかじめ添加
して使用することができ、重合時に必要量を添加してお
けば重合後に添加する必要は特にない。
【００７３】［Ｂ］ホウ素系化合物を、上記のような量
で触媒の一成分として重合前または重合後の［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂中に配合しておくと、成形時における
［Ａ］ポリカーボネート樹脂組成物の着色を防止するこ
とができる。
で触媒の一成分として重合前または重合後の［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂中に配合しておくと、成形時における
［Ａ］ポリカーボネート樹脂組成物の着色を防止するこ
とができる。
【００７４】本発明に係る第１の光学用ポリカーボネー
ト組成物には、上記［Ｂ］ホウ素系化合物とともに、［
Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または
該酸性化合物から形成される誘導体が配合されているこ
とが好ましい。
ト組成物には、上記［Ｂ］ホウ素系化合物とともに、［
Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または
該酸性化合物から形成される誘導体が配合されているこ
とが好ましい。
【００７５】このような［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である
酸性化合物としては、具体的には、リン酸化合物、スル
ホン酸系化合物、硫酸、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、
などを挙げることができ、該酸性化合物から形成される
誘導体としては、これら化合物から形成されるエステル
、塩を挙げることができる。
酸性化合物としては、具体的には、リン酸化合物、スル
ホン酸系化合物、硫酸、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、
などを挙げることができ、該酸性化合物から形成される
誘導体としては、これら化合物から形成されるエステル
、塩を挙げることができる。
【００７６】このようなリン酸化合物としては、リン酸
、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸など
を挙げることができる。これらの化合物は、単独である
いは組み合わせて用いることができる。
、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸など
を挙げることができる。これらの化合物は、単独である
いは組み合わせて用いることができる。
【００７７】本発明では、［Ｃ］ｐＫａ値が３以下であ
る酸性化合物および／または該酸性化合物から形成され
る誘導体として、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるス
ルホン酸化合物および／またはこの誘導体を好ましく挙
げることができる。
る酸性化合物および／または該酸性化合物から形成され
る誘導体として、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるス
ルホン酸化合物および／またはこの誘導体を好ましく挙
げることができる。
【００７８】第１の組成物に好ましく配合されるととも
に、第２の光学用ポリカーボネート組成物に配合される
［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるスルホン酸化合物お
よび／またはこの誘導体としては、以下のような下記一
般式［ＸＩＩ］で表わされる化合物を好ましく用いるこ
とができる。
に、第２の光学用ポリカーボネート組成物に配合される
［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるスルホン酸化合物お
よび／またはこの誘導体としては、以下のような下記一
般式［ＸＩＩ］で表わされる化合物を好ましく用いるこ
とができる。
【００７９】
【化１０】
【００８０】〔式中、Ｒ０は炭素数１〜２０の炭化水素
基（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、
Ｒ１ は水素または炭素数１〜５０の炭化水素基（水素
はハロゲンで置換されていてもよい）であり、ｎは０〜
３の整数である。〕 このようなスルホン酸系化合物およびこの誘導体として
は、以下のような化合物を挙げることができる。
基（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、
Ｒ１ は水素または炭素数１〜５０の炭化水素基（水素
はハロゲンで置換されていてもよい）であり、ｎは０〜
３の整数である。〕 このようなスルホン酸系化合物およびこの誘導体として
は、以下のような化合物を挙げることができる。
【００８１】ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸などのスルホン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベ
ンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、
ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェ
ニル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンス
ルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−
トルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トルエンスルホン酸
フェニルなどのスルホン酸エステルを挙げることができ
る。
ン酸などのスルホン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベ
ンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、
ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェ
ニル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンス
ルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−
トルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トルエンスルホン酸
フェニルなどのスルホン酸エステルを挙げることができ
る。
【００８２】さらに、トリフルオロメタンスルホン酸、
ナフタレンスルホン酸、スルホン化合物ポリスチレン、
アクリル酸メチル−スルホン化スチレン共重合体などの
スルホン酸化合物を挙げることができる。
ナフタレンスルホン酸、スルホン化合物ポリスチレン、
アクリル酸メチル−スルホン化スチレン共重合体などの
スルホン酸化合物を挙げることができる。
【００８３】これらの化合物は、単独で、あるいは組み
合わせて用いることができる。第１の組成物において、
［Ａ］ポリカーボネート樹脂に対する［Ｃ］ｐＫａ値が
３以下である酸性化合物および／または該酸性化合物か
ら形成される誘導体の配合量は、［Ａ］ポリカーボネー
ト樹脂１００重量部あたり、０．００００１〜０．２重
量部、好ましくは０．００００１〜０．０００５重量部
であることが望ましい。
合わせて用いることができる。第１の組成物において、
［Ａ］ポリカーボネート樹脂に対する［Ｃ］ｐＫａ値が
３以下である酸性化合物および／または該酸性化合物か
ら形成される誘導体の配合量は、［Ａ］ポリカーボネー
ト樹脂１００重量部あたり、０．００００１〜０．２重
量部、好ましくは０．００００１〜０．０００５重量部
であることが望ましい。
【００８４】第２の組成物において、［Ａ］ポリカーボ
ネート樹脂に対する［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下である
スルホン酸化合物および／またはこの誘導体の配合量は
、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部あたり、０
．００００１〜０．０００５重量部である。
ネート樹脂に対する［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下である
スルホン酸化合物および／またはこの誘導体の配合量は
、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部あたり、０
．００００１〜０．０００５重量部である。
【００８５】このような［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である
酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
誘導体、特に［Ｃ−１］スルホン酸化合物および／また
はこの誘導体を、上記のような量で配合された［Ａ］ポ
リカーボネート樹脂は、耐熱性が向上され、特に成形時
の分子量低下が抑制されている。
酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
誘導体、特に［Ｃ−１］スルホン酸化合物および／また
はこの誘導体を、上記のような量で配合された［Ａ］ポ
リカーボネート樹脂は、耐熱性が向上され、特に成形時
の分子量低下が抑制されている。
【００８６】本発明では、第１の光学用ポリカーボネー
ト組成物として、下記のような［Ｂ］ホウ素系化合物お
よび［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／
または該酸性化合物から形成される誘導体の組み合わせ
として、下記のような組み合わせが好ましく用いられる
。
ト組成物として、下記のような［Ｂ］ホウ素系化合物お
よび［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／
または該酸性化合物から形成される誘導体の組み合わせ
として、下記のような組み合わせが好ましく用いられる
。
【００８７】［Ｂ］ホウ素系化合物：ホウ酸、ホウ酸ト
リフェニル、［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物
：ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸あるい
はこれらのメチル、エチル、ブチル、オクチルエステル
。
リフェニル、［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物
：ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸あるい
はこれらのメチル、エチル、ブチル、オクチルエステル
。
【００８８】また、［Ｂ］ホウ素系化合物と、［Ｃ］ｐ
Ｋａ値が３以下である酸性化合物および／または該酸性
化合物から形成される誘導体とが組み合わせて配合され
た［Ａ］ポリカーボネート樹脂は、成形時におけるポリ
カーボネート組成物の着色が特に防止されるようになる
。
Ｋａ値が３以下である酸性化合物および／または該酸性
化合物から形成される誘導体とが組み合わせて配合され
た［Ａ］ポリカーボネート樹脂は、成形時におけるポリ
カーボネート組成物の着色が特に防止されるようになる
。
【００８９】しかし、上述した［Ｂ］ホウ素系化合物お
よび［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／
または該酸性化合物から形成される誘導体は、これらの
使用量を必要以上に多くすると、ポリカーボネート組成
物の耐水性が低下する。
よび［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／
または該酸性化合物から形成される誘導体は、これらの
使用量を必要以上に多くすると、ポリカーボネート組成
物の耐水性が低下する。
【００９０】本発明に係る第１、第２の光学用ポリカー
ボネート組成物には、プロセス安定剤（酸化防止剤）と
して、［Ｄ］リン系化合物が配合されていることが好ま
しい。 このような［Ｄ］リン系化合物としては、リ
ン酸エステルおよび亜リン酸エステルが用いられる。
ボネート組成物には、プロセス安定剤（酸化防止剤）と
して、［Ｄ］リン系化合物が配合されていることが好ま
しい。 このような［Ｄ］リン系化合物としては、リ
ン酸エステルおよび亜リン酸エステルが用いられる。
【００９１】このようなリン酸エステルとしては、具体
的に、たとえば、トリメチルホスフェート、トリエチル
ホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチル
ホスフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデ
シルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジ
ホスフェート、トリス（２−クロロエチル）ホスフェー
ト、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェート
などのトリアルキルホスフェート、トリシクロヘキシル
ホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフェート、
トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート
、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチル
フェニルジフェニルホスフェートなどのトリアリールホ
スフェートなどを挙げることができる。
的に、たとえば、トリメチルホスフェート、トリエチル
ホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチル
ホスフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデ
シルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジ
ホスフェート、トリス（２−クロロエチル）ホスフェー
ト、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェート
などのトリアルキルホスフェート、トリシクロヘキシル
ホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフェート、
トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート
、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチル
フェニルジフェニルホスフェートなどのトリアリールホ
スフェートなどを挙げることができる。
【００９２】また、亜リン酸エステルとしては、下記一
般式で表される化合物を挙げることができる。 Ｐ（ＯＲ）３ （式中、Ｒは脂環族炭化水素基、脂肪族炭化水素基また
は芳香族炭化水素基を表す。これらは同一であっても異
なっていてもよい。） このような式で表される化合物として、たとえば、トリ
メチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブ
チルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリス
（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリノニルホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシル
ホスファイト、トリステアリルホスファイト、トリス（
２−クロロエチル）ホスファイト、トリス（２，３−ジ
クロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホス
ファイト、トリシクロヘキシルホスファイトなどのトリ
シクロアルキルホスファイト、トリフェニルホスファイ
ト、トリクレジルホスファイト、トリス（エチルフェニ
ル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホス
ファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイト
などのトリアリールホスファイト、フェニルジデシルホ
スファイト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニ
ルイソオクチルホスファイト、フェニルイソオクチルホ
スファイト、２−エチルヘキシルジフェニルホスファイ
トなどのアリールアルキルホスファイトなどを挙げるこ
とができる。
般式で表される化合物を挙げることができる。 Ｐ（ＯＲ）３ （式中、Ｒは脂環族炭化水素基、脂肪族炭化水素基また
は芳香族炭化水素基を表す。これらは同一であっても異
なっていてもよい。） このような式で表される化合物として、たとえば、トリ
メチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブ
チルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリス
（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリノニルホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシル
ホスファイト、トリステアリルホスファイト、トリス（
２−クロロエチル）ホスファイト、トリス（２，３−ジ
クロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホス
ファイト、トリシクロヘキシルホスファイトなどのトリ
シクロアルキルホスファイト、トリフェニルホスファイ
ト、トリクレジルホスファイト、トリス（エチルフェニ
ル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホス
ファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイト
などのトリアリールホスファイト、フェニルジデシルホ
スファイト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニ
ルイソオクチルホスファイト、フェニルイソオクチルホ
スファイト、２−エチルヘキシルジフェニルホスファイ
トなどのアリールアルキルホスファイトなどを挙げるこ
とができる。
【００９３】さらに亜リン酸エステルとして、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホス
ファイトなどを挙げることができる。
リルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホス
ファイトなどを挙げることができる。
【００９４】これらの化合物は、単独で、あるいは組み
合わせて用いることができる。これらのうち、［Ｄ］リ
ン系化合物として、上記一般式で表される亜リン酸エス
テルが好ましく、さらに芳香族亜リン酸エステルが好ま
しく、特にトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ホスファイトが好ましく用いられる。
合わせて用いることができる。これらのうち、［Ｄ］リ
ン系化合物として、上記一般式で表される亜リン酸エス
テルが好ましく、さらに芳香族亜リン酸エステルが好ま
しく、特にトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ホスファイトが好ましく用いられる。
【００９５】本発明では、上記のような［Ｄ］リン系化
合物を、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部に対
して、０．１重量部以下の量で添加する。本発明に係る
第１、第２の光学用ポリカーボネート組成物は、さらに
［Ｅ］エポキシ系化合物を含有していることが好ましい
。
合物を、［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部に対
して、０．１重量部以下の量で添加する。本発明に係る
第１、第２の光学用ポリカーボネート組成物は、さらに
［Ｅ］エポキシ系化合物を含有していることが好ましい
。
【００９６】本発明では、［Ｅ］エポキシ系化合物とし
て、１分子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が用
いられる。その使用量は特に規制されないが、通常は、
上記ポリカーボネート１００重量部に対して、０．００
１〜０．１重量部、好ましくは０．００１〜０．０８重
量部の量で含有されていることが好ましい。
て、１分子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が用
いられる。その使用量は特に規制されないが、通常は、
上記ポリカーボネート１００重量部に対して、０．００
１〜０．１重量部、好ましくは０．００１〜０．０８重
量部の量で含有されていることが好ましい。
【００９７】このようなエポキシ系化合物として、具体
的には、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェ
ニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、
ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、３，４−エポ
キシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキ
サンカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシルメチル３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキサンカルボキシレート、２，３−エポキシシク
ロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカル
ボキシレート、４−（３，４−エポキシ−５−メチルシ
クロヘキシル）ブチル３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルエ
チレンオキシド、シクロヘキシルメチル３，４−エポキ
シシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキシルメチル−６−メチルシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ビスフェノール−Ａジグリ
シジルエーテル、テトラブロモビスフェノール−Ａグリ
シジルエーテル、フタル酸のジグリシジルエステル、ヘ
キサヒドロフタル酸のジグリシジルエステル、ビス−エ
ポキシジシクロペンタジエニルエーテル、ビス−エポキ
シエチレングリコール、ビス−エポキシシクロヘキシル
アジペート、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニル
エチレンエポキシド、オクチルエポキシタレート、エポ
キシ化ポリブタジエン、３，４−ジメチル−１，２−エ
ポキシシクロヘキサン、３，５−ジメチル−１，２−エ
ポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル−
１，２−エポキシシクロヘキサン、オクタデシル−２，
２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボ
キシレート、Ｎ−ブチル−２，２−ジメチル−３，４−
エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキ
シル−２− メチル−３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレート、Ｎ−ブチル−２−イソプロピル−３
，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキサンカルボキシ
レート、オクタデシル−３，４−エポキシシクロヘキサ
ンカルボキシレート、２−エチルヘキシル−３’，４’
−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４，６−
ジメチル−２，３−エポキシシクロヘキシル−３’，４
’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４，５
−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、３−ｔ−ブチル
−４，５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジエチ
ル４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキサンジ
カルボキシレート、ジ−ｎ−ブチル−３−ｔ−ブチル−
４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキサンジカ
ルボキシレート等が挙げられる。
的には、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェ
ニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、
ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、３，４−エポ
キシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキ
サンカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシルメチル３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキサンカルボキシレート、２，３−エポキシシク
ロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカル
ボキシレート、４−（３，４−エポキシ−５−メチルシ
クロヘキシル）ブチル３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルエ
チレンオキシド、シクロヘキシルメチル３，４−エポキ
シシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキシルメチル−６−メチルシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ビスフェノール−Ａジグリ
シジルエーテル、テトラブロモビスフェノール−Ａグリ
シジルエーテル、フタル酸のジグリシジルエステル、ヘ
キサヒドロフタル酸のジグリシジルエステル、ビス−エ
ポキシジシクロペンタジエニルエーテル、ビス−エポキ
シエチレングリコール、ビス−エポキシシクロヘキシル
アジペート、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニル
エチレンエポキシド、オクチルエポキシタレート、エポ
キシ化ポリブタジエン、３，４−ジメチル−１，２−エ
ポキシシクロヘキサン、３，５−ジメチル−１，２−エ
ポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル−
１，２−エポキシシクロヘキサン、オクタデシル−２，
２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボ
キシレート、Ｎ−ブチル−２，２−ジメチル−３，４−
エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキ
シル−２− メチル−３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレート、Ｎ−ブチル−２−イソプロピル−３
，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキサンカルボキシ
レート、オクタデシル−３，４−エポキシシクロヘキサ
ンカルボキシレート、２−エチルヘキシル−３’，４’
−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４，６−
ジメチル−２，３−エポキシシクロヘキシル−３’，４
’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４，５
−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、３−ｔ−ブチル
−４，５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジエチ
ル４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキサンジ
カルボキシレート、ジ−ｎ−ブチル−３−ｔ−ブチル−
４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキサンジカ
ルボキシレート等が挙げられる。
【００９８】これらは単独で配合されていても２種以上
組み合わせて配合されていてもよい。本発明において、
［Ａ］ポリカーボネート樹脂に、［Ｄ］リン系化合物、
［Ｅ］エポキシ系化合物を添加する方法に特に限定はな
く、たとえば［Ａ］ポリカーボネート樹脂を溶融法で製
造する場合、溶融状態にある［Ａ］ポリカーボネート樹
脂に、上記［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性化合
物と［Ｄ］リン系化合物、［Ｅ］エポキシ系化合物とを
加え混練してもよく、また、［Ａ］ポリカーボネート樹
脂の溶液に［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性化合
物と［Ｄ］リン系化合物、［Ｅ］エポキシ系化合物とを
添加して攪拌してもよい。さらに具体的には、重縮合反
応が終了して得られる溶融状態にある反応器内または押
出機内の反応生成物である［Ａ］ポリカーボネート樹脂
に、直接、上記［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性
化合物と、［Ｄ］、［Ｅ］とを別々にあるいは同時に加
え混練する方法、あるいは、得られた［Ａ］ポリカーボ
ネート樹脂をペレット化し、このペレットを［Ｂ］、［
Ｃ］の酸性化合物と［Ｄ］、［Ｅ］とともに一軸または
二軸押出機などに供給して溶融混練する方法、さらに、
得られたポリカーボネートを適当な溶媒、たとえば塩化
メチレン、クロロホルム、トルエン、テトラヒドロフラ
ンなどに溶解させて溶液を調製し、この溶液に［Ｂ］、
［Ｃ］の酸性化合物とエポキシ化合物とを別々にまたは
同時に加え攪拌する方法などを挙げることができる。
組み合わせて配合されていてもよい。本発明において、
［Ａ］ポリカーボネート樹脂に、［Ｄ］リン系化合物、
［Ｅ］エポキシ系化合物を添加する方法に特に限定はな
く、たとえば［Ａ］ポリカーボネート樹脂を溶融法で製
造する場合、溶融状態にある［Ａ］ポリカーボネート樹
脂に、上記［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性化合
物と［Ｄ］リン系化合物、［Ｅ］エポキシ系化合物とを
加え混練してもよく、また、［Ａ］ポリカーボネート樹
脂の溶液に［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性化合
物と［Ｄ］リン系化合物、［Ｅ］エポキシ系化合物とを
添加して攪拌してもよい。さらに具体的には、重縮合反
応が終了して得られる溶融状態にある反応器内または押
出機内の反応生成物である［Ａ］ポリカーボネート樹脂
に、直接、上記［Ｂ］、［Ｃ］または［Ｃ−１］の酸性
化合物と、［Ｄ］、［Ｅ］とを別々にあるいは同時に加
え混練する方法、あるいは、得られた［Ａ］ポリカーボ
ネート樹脂をペレット化し、このペレットを［Ｂ］、［
Ｃ］の酸性化合物と［Ｄ］、［Ｅ］とともに一軸または
二軸押出機などに供給して溶融混練する方法、さらに、
得られたポリカーボネートを適当な溶媒、たとえば塩化
メチレン、クロロホルム、トルエン、テトラヒドロフラ
ンなどに溶解させて溶液を調製し、この溶液に［Ｂ］、
［Ｃ］の酸性化合物とエポキシ化合物とを別々にまたは
同時に加え攪拌する方法などを挙げることができる。
【００９９】また、上記のような各化合物を［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂に添加する順序は問わない。このよう
にして酸性化合物と同時に［Ｅ］エポキシ系化合物が添
加されたポリカーボネート組成物では、ポリカーボネー
ト組成物中に過剰に残存する［Ｂ］または［Ｃ］酸性化
合物がエポキシ化合物と反応して中性化され、色調、耐
熱性、耐水性などに優れた成形体を形成しうるようにな
る。
カーボネート樹脂に添加する順序は問わない。このよう
にして酸性化合物と同時に［Ｅ］エポキシ系化合物が添
加されたポリカーボネート組成物では、ポリカーボネー
ト組成物中に過剰に残存する［Ｂ］または［Ｃ］酸性化
合物がエポキシ化合物と反応して中性化され、色調、耐
熱性、耐水性などに優れた成形体を形成しうるようにな
る。
【０１００】なお、上述したポリカーボネート組成物に
は、耐熱安定剤、耐候安定剤、離型剤、帯電防止剤、ス
リップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料
、顔料、天然油、合成油、ワックス、有機充填剤、無機
充填剤などを本発明の目的を損なわない範囲で配合する
ことができる。
は、耐熱安定剤、耐候安定剤、離型剤、帯電防止剤、ス
リップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料
、顔料、天然油、合成油、ワックス、有機充填剤、無機
充填剤などを本発明の目的を損なわない範囲で配合する
ことができる。
【０１０１】また本発明では、上記のようなポリカーボ
ネート組成物は、減圧処理を施されていることが好まし
い。このような減圧処理をするに際しては、処理装置は
特に限定されないが、たとえば、減圧装置付反応器が用
いられてもよく、減圧装置付押出機が用いられてもよい
。
ネート組成物は、減圧処理を施されていることが好まし
い。このような減圧処理をするに際しては、処理装置は
特に限定されないが、たとえば、減圧装置付反応器が用
いられてもよく、減圧装置付押出機が用いられてもよい
。
【０１０２】反応器が用いられる際は、縦型槽型反応器
、横型槽型反応器いずれでもよく、好ましくは横型槽型
反応器が好ましく用いられる。減圧処理を上記のような
反応器において行なう際は、圧力０．０５〜７５０ｍｍ
Ｈｇ、好ましくは０．０５〜５ｍｍＨｇの条件下で行な
われる。
、横型槽型反応器いずれでもよく、好ましくは横型槽型
反応器が好ましく用いられる。減圧処理を上記のような
反応器において行なう際は、圧力０．０５〜７５０ｍｍ
Ｈｇ、好ましくは０．０５〜５ｍｍＨｇの条件下で行な
われる。
【０１０３】このような減圧処理は、押出機を用いて行
なう場合には、１０秒〜１５分間程度、また反応器を用
いる場合には、５分〜３時間程度の時間で行なうことが
好ましい。また減圧処理は、２４０〜３５０℃程度の温
度で行なうことが好ましい。
なう場合には、１０秒〜１５分間程度、また反応器を用
いる場合には、５分〜３時間程度の時間で行なうことが
好ましい。また減圧処理は、２４０〜３５０℃程度の温
度で行なうことが好ましい。
【０１０４】また減圧処理が押出機においてなされる際
は、ベント付の一軸押出機、二軸押出機いずれが用いら
れてもよく、押出機で減圧処理をしながらペレタイズす
ることもできる。
は、ベント付の一軸押出機、二軸押出機いずれが用いら
れてもよく、押出機で減圧処理をしながらペレタイズす
ることもできる。
【０１０５】減圧処理が押出機においてなされる際は、
減圧処理は、圧力１〜７５０ｍｍＨｇ好ましくは５〜７
００ｍｍＨｇの条件下で行なわれる。このようにしてポ
リカーボネート組成物に、減圧処理を施すと、残留モノ
マーやオリゴマーを低減させたポリカーボネート組成物
を得ることができる。
減圧処理は、圧力１〜７５０ｍｍＨｇ好ましくは５〜７
００ｍｍＨｇの条件下で行なわれる。このようにしてポ
リカーボネート組成物に、減圧処理を施すと、残留モノ
マーやオリゴマーを低減させたポリカーボネート組成物
を得ることができる。
【０１０６】たとえば、炭酸ジエステルとしてジフェニ
ルカーボネートを用いて溶融重合を行なって［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂を製造する場合、該反応生成物である
［Ａ］ポリカーボネート樹脂にこのような減圧処理を施
すことによって、ジフェニルカーボネートの残留量を減
少させることができる。
ルカーボネートを用いて溶融重合を行なって［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂を製造する場合、該反応生成物である
［Ａ］ポリカーボネート樹脂にこのような減圧処理を施
すことによって、ジフェニルカーボネートの残留量を減
少させることができる。
【０１０７】本発明で用いられるポリカーボネート組成
物は、ポリカーボネート組成物中の［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂１００重量部あたり、このようなジフェニルカ
ーボネートを０．１重量部以下、好ましくは０．０１重
量部以下の量で含有（残留）していることが好ましい。
物は、ポリカーボネート組成物中の［Ａ］ポリカーボネ
ート樹脂１００重量部あたり、このようなジフェニルカ
ーボネートを０．１重量部以下、好ましくは０．０１重
量部以下の量で含有（残留）していることが好ましい。
【０１０８】なお、このような減圧処理は、［Ａ］ポリ
カーボネート樹脂に酸性化合物と必要に応じてエポキシ
化合物を添加する前に施してもよい。
カーボネート樹脂に酸性化合物と必要に応じてエポキシ
化合物を添加する前に施してもよい。
【０１０９】
【発明の効果】本発明に係る第１の光学用ポリカーボネ
ート樹脂組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極
限粘度０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボ
ネート樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物
が０．００００１〜０．２重量部の量で配合されてなる
。
ート樹脂組成物は、２０℃塩化メチレン中で測定した極
限粘度０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボ
ネート樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物
が０．００００１〜０．２重量部の量で配合されてなる
。
【０１１０】また、本発明に係る光学用ポリカーボネー
ト樹脂組成物は、［Ｂ］ホウ素系化合物とともに［Ｃ］
ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または該酸
性化合物から形成される誘導体が、０．００００１〜０
．２重量部の量で配合されていることが好ましい。
ト樹脂組成物は、［Ｂ］ホウ素系化合物とともに［Ｃ］
ｐＫａ値が３以下である酸性化合物および／または該酸
性化合物から形成される誘導体が、０．００００１〜０
．２重量部の量で配合されていることが好ましい。
【０１１１】本発明に係る第２の光学用ポリカーボネー
ト樹脂組成物は、上記のような［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸化合物および／またはこの誘導体が、
０．００００１〜０．０００５重量部の量で配合されて
なる。
ト樹脂組成物は、上記のような［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸化合物および／またはこの誘導体が、
０．００００１〜０．０００５重量部の量で配合されて
なる。
【０１１２】このような本発明に係る光学用ポリカーボ
ネート組成物では、成形時の着色が少なく、透明性、耐
熱性、耐水性に優れた成形物を形成しうるなどの特徴を
有しているので、光ディスクの基板、レンズなどの光学
用材料として最適である。
ネート組成物では、成形時の着色が少なく、透明性、耐
熱性、耐水性に優れた成形物を形成しうるなどの特徴を
有しているので、光ディスクの基板、レンズなどの光学
用材料として最適である。
【０１１３】以下、本発明を実施例により説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお
、本明細書において、［Ａ］ポリカーボネート樹脂組成
物の極限粘度〔ＩＶ〕、ＭＦＲ、色相〔ＹＩ〕、光線透
過率、ヘイズ、滞留安定性、耐水性は、以下のようにし
て測定される。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお
、本明細書において、［Ａ］ポリカーボネート樹脂組成
物の極限粘度〔ＩＶ〕、ＭＦＲ、色相〔ＹＩ〕、光線透
過率、ヘイズ、滞留安定性、耐水性は、以下のようにし
て測定される。
【０１１４】［極限粘度〔ＩＶ〕］塩化メチレン中、２
０℃でウベローデ粘度計を用いて測定した。［ＭＦＲ］
ＪＩＳ Ｋ−７２１０の方法に準拠し、温度３００℃
、荷重１．２Ｋｇで測定した。
０℃でウベローデ粘度計を用いて測定した。［ＭＦＲ］
ＪＩＳ Ｋ−７２１０の方法に準拠し、温度３００℃
、荷重１．２Ｋｇで測定した。
【０１１５】［色相］３ｍｍ厚の射出成形板をシリンダ
ー温度２９０℃、射出圧力１０００Ｋｇ／ｃｍ、１サイ
クル４５秒、金型温度１００℃で成形し、Ｘ、Ｙ、Ｚ値
を日本電色工業（株） 製の Ｃｏｌｏｒａｎｄ Ｃｏ
ｌｏｒ Ｄｅｆｆｅｒｅｎｃｅ Ｍｅｔｅｒ ＮＤ−１
００１ ＤＰ を用いて透過法で測定し、黄色度〔ＹＩ
〕を測定した。
ー温度２９０℃、射出圧力１０００Ｋｇ／ｃｍ、１サイ
クル４５秒、金型温度１００℃で成形し、Ｘ、Ｙ、Ｚ値
を日本電色工業（株） 製の Ｃｏｌｏｒａｎｄ Ｃｏ
ｌｏｒ Ｄｅｆｆｅｒｅｎｃｅ Ｍｅｔｅｒ ＮＤ−１
００１ ＤＰ を用いて透過法で測定し、黄色度〔ＹＩ
〕を測定した。
【０１１６】
ＹＩ＝１００（１．２７７Ｘ−１．０６０Ｚ）／Ｙ［光
線透過率］ＡＳＴＭ Ｄ １００３の方法に従い、
色相測定用の射出成形板を用いて測定した。
線透過率］ＡＳＴＭ Ｄ １００３の方法に従い、
色相測定用の射出成形板を用いて測定した。
【０１１７】［ヘイズ］日本電色工業（ 株） 製のＮ
ＤＨ−２００を用い、色相測定用の射出成形板のヘイズ
を測定した。
ＤＨ−２００を用い、色相測定用の射出成形板のヘイズ
を測定した。
【０１１８】［滞留安定性］３２０℃の温度で１５分間
射出成形機のシリンダー内に樹脂を滞留させた後、その
温度で射出成形を行い、その成形板のＭＦＲ、色相（Ｙ
Ｉ）、光線透過率を測定した。
射出成形機のシリンダー内に樹脂を滞留させた後、その
温度で射出成形を行い、その成形板のＭＦＲ、色相（Ｙ
Ｉ）、光線透過率を測定した。
【０１１９】［耐水性］色相測定用の射出成形板をオー
トクレーブ中の水に浸漬し、１２５℃のオーブン中に５
日間保持する。この試験片を用いてヘイズを測定した。
トクレーブ中の水に浸漬し、１２５℃のオーブン中に５
日間保持する。この試験片を用いてヘイズを測定した。
【０１２０】［金型汚れ］ニッケル製のスタンパーを用
いて、シリンダー温度３２０℃、１サイクル９秒、金型
温度９０℃で５００ショット連続して５インチのディス
クを成形した後、スタンパーを目視して、次いでアセト
ンに浸漬して１０ｃｃにメスアップして、高速クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ）にて、ＵＶ検出器で波長２５４
ｎｍの吸収を測定してモノマーとオリゴマーの量を測定
した。
いて、シリンダー温度３２０℃、１サイクル９秒、金型
温度９０℃で５００ショット連続して５インチのディス
クを成形した後、スタンパーを目視して、次いでアセト
ンに浸漬して１０ｃｃにメスアップして、高速クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ）にて、ＵＶ検出器で波長２５４
ｎｍの吸収を測定してモノマーとオリゴマーの量を測定
した。
【０１２１】［末端基構造］サンプル０．４ｇを、３ｍ
ｌのクロロホルムに溶解し、４０℃で、１３Ｃ−ＮＭＲ
（日本電子（株）製：ＧＸ−２７０）を用いて、末端基
の構造および割合を測定した。
ｌのクロロホルムに溶解し、４０℃で、１３Ｃ−ＮＭＲ
（日本電子（株）製：ＧＸ−２７０）を用いて、末端基
の構造および割合を測定した。
【０１２２】
【実施例１】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチ
ックス（株） 製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶融した。
ックス（株） 製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶融した。
【０１２３】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、ト
リフェニルボレート０．０１１モル添加し、３０分間攪
拌する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドを０．１１モルおよび水酸化ナトリウムを０．
０００４４モル添加し、温度を２４０℃まで昇温させる
と同時に除々に３０ｍｍＨｇまで下げた。温度圧力を一
定に保ち留出するフェノールの量を測定し、留出するフ
ェノールがなくなった時点で窒素にて大気圧に戻した。 反応に要した時間は２時間であった。
リフェニルボレート０．０１１モル添加し、３０分間攪
拌する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドを０．１１モルおよび水酸化ナトリウムを０．
０００４４モル添加し、温度を２４０℃まで昇温させる
と同時に除々に３０ｍｍＨｇまで下げた。温度圧力を一
定に保ち留出するフェノールの量を測定し、留出するフ
ェノールがなくなった時点で窒素にて大気圧に戻した。 反応に要した時間は２時間であった。
【０１２４】得られた反応物の極限粘度［η］は０．１
２ｄｌ／ｇであった。次にこの反応物をギヤポンプで昇
圧し、遠心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜
蒸発機の温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇに
コントロールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８
０℃、０．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪
拌重合槽（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内
容積８０リットル）に４０ｋ ｇ／時間で送り込み滞留
時間３０分にて重合させた。得られたポリマーの極限粘
度（ＩＶ）は０．３７ｄｌ／ｇであった。
２ｄｌ／ｇであった。次にこの反応物をギヤポンプで昇
圧し、遠心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜
蒸発機の温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇに
コントロールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８
０℃、０．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪
拌重合槽（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内
容積８０リットル）に４０ｋ ｇ／時間で送り込み滞留
時間３０分にて重合させた。得られたポリマーの極限粘
度（ＩＶ）は０．３７ｄｌ／ｇであった。
【０１２５】なお、ポリマー中のトリフェニルボレート
は仕込組成から算出した。結果を表１に示す。
は仕込組成から算出した。結果を表１に示す。
【０１２６】
【実施例２】実施例１の［Ａ］ポリカーボネート樹脂１
００重量部に対して５０％の亜リン酸水溶液０．０００
６重量部（亜リン酸として０．０００３ 重量部、３
ｐｐｍ ／［Ａ］ポリカーボネート樹脂）配合して一軸
押出機（Ｌ／Ｄ＝３１、温度：２８０℃）で混合してペ
レットを得た。
００重量部に対して５０％の亜リン酸水溶液０．０００
６重量部（亜リン酸として０．０００３ 重量部、３
ｐｐｍ ／［Ａ］ポリカーボネート樹脂）配合して一軸
押出機（Ｌ／Ｄ＝３１、温度：２８０℃）で混合してペ
レットを得た。
【０１２７】結果を表１に示す。
【０１２８】
【実施例３】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチ
ックス（株） 製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４５キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶解した。
ックス（株） 製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４５キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶解した。
【０１２９】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、ト
リフェニルボレート０．００１１モル添加し、３０分間
攪拌する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドを０．１１モルおよび水酸化ナトリウムを０
．０００４４モル添加し、温度を２４０℃まで昇温させ
ると同時に除々に３０ｍｍＨｇまで下げた。温度圧力を
一定に保ち留出するフェノールの量を測定し、留出する
フェノールがなくなった時点で窒素にて大気圧に戻した
。反応に要した時間は２時間であった。得られた反応物
の極限粘度［η］は０．１２ｄｌ／ｇであった。
リフェニルボレート０．００１１モル添加し、３０分間
攪拌する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドを０．１１モルおよび水酸化ナトリウムを０
．０００４４モル添加し、温度を２４０℃まで昇温させ
ると同時に除々に３０ｍｍＨｇまで下げた。温度圧力を
一定に保ち留出するフェノールの量を測定し、留出する
フェノールがなくなった時点で窒素にて大気圧に戻した
。反応に要した時間は２時間であった。得られた反応物
の極限粘度［η］は０．１２ｄｌ／ｇであった。
【０１３０】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、遠
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２９５℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて３００℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋ ｇ／時間で送り込み滞留時間３０
分にて重合させた。
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２９５℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて３００℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋ ｇ／時間で送り込み滞留時間３０
分にて重合させた。
【０１３１】得られたポリマーの極限粘度〔ＩＶ〕は０
．５４ｄｌ／ｇであった。この［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部に対して５０％の亜リン酸水溶液０．
０００６重量部（亜リン酸として０．０００３重量部、
３ｐｐｍ ／［Ａ］ポリカーボネート樹脂）配合して実
施例２と同様の方法で一軸押出機（温度：２８０℃）で
混合してペレットを得た。
．５４ｄｌ／ｇであった。この［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部に対して５０％の亜リン酸水溶液０．
０００６重量部（亜リン酸として０．０００３重量部、
３ｐｐｍ ／［Ａ］ポリカーボネート樹脂）配合して実
施例２と同様の方法で一軸押出機（温度：２８０℃）で
混合してペレットを得た。
【０１３２】結果を表１に示す。
【０１３３】
【実施例４〜５】実施例３において酸性化合物として表
１に記載の化合物を表１に記載した量用いた他は実施例
３と同様の方法によってペレットを得た。
１に記載の化合物を表１に記載した量用いた他は実施例
３と同様の方法によってペレットを得た。
【０１３４】結果を表１に示す。
【０１３５】
【実施例６】実施例３においてトリフェニルボレートお
よびｐ−トルエンスルホン酸を表１に記載した量添加し
てペレタイズを行った他は実施例３に記載の方法と同様
の方法でペレットを得た。
よびｐ−トルエンスルホン酸を表１に記載した量添加し
てペレタイズを行った他は実施例３に記載の方法と同様
の方法でペレットを得た。
【０１３６】結果を表１に示す
【０１３７】
【比較例１】実施例１において、トリフェニルボレート
を使用することなく、実施例１に記載の方法と同様の方
法でポリマーを製造した。
を使用することなく、実施例１に記載の方法と同様の方
法でポリマーを製造した。
【０１３８】結果を表１に示す
【０１３９】
【比較例２】実施例３において、トリフェニルボレート
、亜リン酸を使用することなく、実施例３に記載の方法
と同様の方法でペレットを製造した。
、亜リン酸を使用することなく、実施例３に記載の方法
と同様の方法でペレットを製造した。
【０１４０】結果を表１に示す
【０１４１】
【表１】
【０１４２】
【実施例７】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチ
ックス（株）製）０．４４キロモルと、ジフェニルカー
ボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０リ
ットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶融した。
ックス（株）製）０．４４キロモルと、ジフェニルカー
ボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０リ
ットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶融した。
【０１４３】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、触
媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを０．
１１モル（２．５×１０−４モル／モル−ビスフェノー
ルＡ）および水酸化ナトリウムを０．０００４４モル（
１×１０−６モル／モル−ビスフェノールＡ）添加し、
３０分間攪拌する。
媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを０．
１１モル（２．５×１０−４モル／モル−ビスフェノー
ルＡ）および水酸化ナトリウムを０．０００４４モル（
１×１０−６モル／モル−ビスフェノールＡ）添加し、
３０分間攪拌する。
【０１４４】次に、温度を２１０℃まで昇温させると同
時に除々に２００ｍｍＨｇまで下げて３０分後、温度を
２４０℃まで昇温させると同時に除々に１５ｍｍＨｇま
で下げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量
を測定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素
にて大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であっ
た。 得られた反応物の極限粘度［η］は０．１２ｄｌ／ｇで
あった。
時に除々に２００ｍｍＨｇまで下げて３０分後、温度を
２４０℃まで昇温させると同時に除々に１５ｍｍＨｇま
で下げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量
を測定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素
にて大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であっ
た。 得られた反応物の極限粘度［η］は０．１２ｄｌ／ｇで
あった。
【０１４５】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、遠
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８０℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋｇ／時間で送り込み、滞留時間３０
分にて重合させた。
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８０℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋｇ／時間で送り込み、滞留時間３０
分にて重合させた。
【０１４６】次に、溶融状態のままで、このポリマーを
ギヤポンプにて２軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル
温度２８０℃）に送入し、樹脂に対して、ｐ−トルエン
スルホン酸ブチル２ｐｐｍを混練し、ダイを通してスト
ランド状とし、カッターで切断してペレットとした。
ギヤポンプにて２軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル
温度２８０℃）に送入し、樹脂に対して、ｐ−トルエン
スルホン酸ブチル２ｐｐｍを混練し、ダイを通してスト
ランド状とし、カッターで切断してペレットとした。
【０１４７】得られたポリマーの極限粘度（ＩＶ）は０
．３６ｄｌ／ｇであった。結果を第２表に示す。
．３６ｄｌ／ｇであった。結果を第２表に示す。
【０１４８】
【実施例８〜１３】実施例７において第２表に記載した
触媒の種類と量、及び添加剤の種類と量を用いた以外は
実施例７と同様の方法でペレットを得た。
触媒の種類と量、及び添加剤の種類と量を用いた以外は
実施例７と同様の方法でペレットを得た。
【０１４９】結果を第２表に示す。ただし、実施例９〜
１２では最終重合温度を２８０℃から２８２℃に、実施
例１３では最終重合温度を２８０℃から２８３℃にして
、重合を行った。
１２では最終重合温度を２８０℃から２８２℃に、実施
例１３では最終重合温度を２８０℃から２８３℃にして
、重合を行った。
【０１５０】なお、ポリマー中の添加剤、触媒量は仕込
組成より算出した。
組成より算出した。
【０１５１】
【実施例１４】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラス
チックス（株）製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置換をした後に、１
４０℃で溶融した。
チックス（株）製）０．４４キロモルと、ジフェニルカ
ーボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０
リットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置換をした後に、１
４０℃で溶融した。
【０１５２】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、ト
リフェニルボレート０．１１モル添加し、３０分間攪拌
する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドを０．１１モル（２．５×１０−４モル／モル−
ビスフェノールＡ）および水酸化ナトリウムを０．００
０４４モル（１×１０−６モル／モル−ビスフェノール
Ａ）添加し、３０分間攪拌する。
リフェニルボレート０．１１モル添加し、３０分間攪拌
する。次に触媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドを０．１１モル（２．５×１０−４モル／モル−
ビスフェノールＡ）および水酸化ナトリウムを０．００
０４４モル（１×１０−６モル／モル−ビスフェノール
Ａ）添加し、３０分間攪拌する。
【０１５３】次に、温度を２１０℃まで昇温させると同
時に除々に２００ｍｍＨｇまで下げて３０分後、温度を
２４０℃まで昇温させると同時に除々に１５ｍｍＨｇま
で下げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量
を測定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素
にて大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であっ
た。 得られた反応物の極限粘度［η］は０．１５ｄｌ／ｇで
あった。
時に除々に２００ｍｍＨｇまで下げて３０分後、温度を
２４０℃まで昇温させると同時に除々に１５ｍｍＨｇま
で下げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量
を測定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素
にて大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であっ
た。 得られた反応物の極限粘度［η］は０．１５ｄｌ／ｇで
あった。
【０１５４】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、遠
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８０℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋｇ／時間で送り込み、滞留時間３０
分にて重合させた。
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２８０℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋｇ／時間で送り込み、滞留時間３０
分にて重合させた。
【０１５５】その後、ｐ−トルエンスルホン酸ブチルを
２ｐｐｍ添加して、２８０℃、０．２ｍｍＨｇでさらに
３０分間攪拌を続行した。（減圧処理） 得られたポリマーの極限粘度（ＩＶ）は、０．３６ｄｌ
／ｇであった。
２ｐｐｍ添加して、２８０℃、０．２ｍｍＨｇでさらに
３０分間攪拌を続行した。（減圧処理） 得られたポリマーの極限粘度（ＩＶ）は、０．３６ｄｌ
／ｇであった。
【０１５６】
【実施例１５】実施例１４において、ｐ−トルエンスル
ホン酸ブチルを２ｐｐｍ添加して、減圧処理を施した後
、溶融状態のままで、このポリマーをギヤポンプにて２
軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル温度２８５℃）に
送入し、樹脂に対して、リン化合物とエポキシ化合物を
第２表に記載の量になるよう混練し、ダイを通してスト
ランド状とし、カッターで切断してペレットを得た。
ホン酸ブチルを２ｐｐｍ添加して、減圧処理を施した後
、溶融状態のままで、このポリマーをギヤポンプにて２
軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル温度２８５℃）に
送入し、樹脂に対して、リン化合物とエポキシ化合物を
第２表に記載の量になるよう混練し、ダイを通してスト
ランド状とし、カッターで切断してペレットを得た。
【０１５７】得られたポリマーの極限粘度（ＩＶ）は０
．３６ｄｌ／ｇであった。結果を第２表に示す。
．３６ｄｌ／ｇであった。結果を第２表に示す。
【０１５８】
【実施例１６】実施例１１において、ビスフェノールＡ
とジフェニルカーボネートを仕込む際、ｐ−クミルフェ
ノール（三井テキサコ社製）を０．０２２キロモル仕込
み、最終重合温度を２８７℃にした以外は、実施例１１
と同様の方法でペレットを得た。
とジフェニルカーボネートを仕込む際、ｐ−クミルフェ
ノール（三井テキサコ社製）を０．０２２キロモル仕込
み、最終重合温度を２８７℃にした以外は、実施例１１
と同様の方法でペレットを得た。
【０１５９】結果を第２表に示す。
【０１６０】
【実施例１７】実施例１６において、ｐ−クミルフェノ
ールのかわりに、２，２，４−トリメチル−４−（４−
ヒドロキシフェニル）クロマン（日本ジーイープラスチ
ックス（株）製；クロマンＩ）０．０２２キロモル仕込
んだ以外は、実施例１６と同様の方法でペレットを得た
。
ールのかわりに、２，２，４−トリメチル−４−（４−
ヒドロキシフェニル）クロマン（日本ジーイープラスチ
ックス（株）製；クロマンＩ）０．０２２キロモル仕込
んだ以外は、実施例１６と同様の方法でペレットを得た
。
【０１６１】結果を第２表に示す。
【０１６２】
【実施例１８〜２１】実施例１１、１２、１５、１７で
得た樹脂組成物を用いて、金型汚れ試験を行った。
得た樹脂組成物を用いて、金型汚れ試験を行った。
【０１６３】結果を表３に示す。
【０１６４】
【参考例１】日本ジーイープラスチックス（株）製のフ
ェノールを末端封止剤としたホスゲン法のポリカーボネ
ートパウダー（ＩＶ；０．３６ｄｌ／ｇ）に対して、第
２表に示すような添加剤を第２表に示す量になるよう配
合して、一軸押出機（Ｌ／Ｄ＝３１、温度：２８０℃）
で混練してペレットを得た。
ェノールを末端封止剤としたホスゲン法のポリカーボネ
ートパウダー（ＩＶ；０．３６ｄｌ／ｇ）に対して、第
２表に示すような添加剤を第２表に示す量になるよう配
合して、一軸押出機（Ｌ／Ｄ＝３１、温度：２８０℃）
で混練してペレットを得た。
【０１６５】結果を第２表に示す。
【０１６６】
【参考例２】参考例１の樹脂組成物を用いて、金型汚れ
試験を行った。結果を第３表に示す。
試験を行った。結果を第３表に示す。
【０１６７】
【表２】
【０１６８】
【表３】
【０１６９】
【表４】
Claims (15)
- 【請求項１】２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物が０．
００００１〜０．２重量部の量で配合されてなることを
特徴とする光学用ポリカーボネート組成物。 - 【請求項２】２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物が０．
００００１〜０．２重量部の量で、かつ［Ｃ］ｐＫａ値
が３以下である酸性化合物および／または該酸性化合物
から形成される誘導体が、０．００００１〜０．２重量
部の量で配合されてなることを特徴とする光学用ポリカ
ーボネート組成物。 - 【請求項３】２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｂ］ホウ素系化合物が０．
００００１〜０．２重量部の量で、かつ［Ｃ］ｐＫａ値
が３以下である酸性化合物および／または該酸性化合物
から形成される誘導体が、０．００００１〜０．２重量
部の量で配合されているとともに、［Ｄ］リン系化合物
が、０．１重量部以下の量で、および／または［Ｅ］エ
ポキ系化合物が、０．００１〜０．１重量部の量で配合
されてなることを特徴とする光学用ポリカーボネート組
成物。 - 【請求項４】２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が、０．００００１〜０．０００５重
量部の量で配合されてなることを特徴とする光学用ポリ
カーボネート組成物。 - 【請求項５】２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度
０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇの［Ａ］ポリカーボネート
樹脂１００重量部あたり、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下
であるスルホン酸系化合物および／または該化合物から
形成される誘導体が、０．００００１〜０．０００５重
量部の量で配合されているとともに、［Ｄ］リン系化合
物が、０．１重量部以下の量で、および／または［Ｅ］
エポキ系化合物が、０．００１〜０．１重量部の量で配
合されてなることを特徴とする光学用ポリカーボネート
組成物。 - 【請求項６】上記［Ａ］ポリカーボネート樹脂が、下記
一般式で表わされる末端基を有することを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載のポリカーボネート組成物
。 【化１】 - 【請求項７】上記［Ａ］ポリカーボネート樹脂が、芳香
族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとを溶融重縮
合させて得られるポリカーボネートであることを特徴と
する請求項１〜５のいずれかに記載のポリカーボネート
組成物。 - 【請求項８】上記［Ａ］ポリカーボネート樹脂が、芳香
族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとを、芳香族
系有機二水酸基化合物１モルに対して１×１０−８〜１
×１０−３モルの量の（ａ） アルカリ金属化合物およ
び／またはアルカリ土類金属化合物を含有する触媒の存
在下に、溶融重縮合させて得られるポリカーボネートで
あることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
ポリカーボネート組成物。 - 【請求項９】上記［Ａ］ポリカーボネート樹脂が、芳香
族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとを、芳香族
系有機二水酸基化合物１モルに対して、１×１０−７〜
２×１０−６モルの量の（ａ） アルカリ金属化合物お
よび／またはアルカリ土類金属化合物を含有する触媒の
存在下に、溶融重縮合させて得られるポリカーボネート
であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
のポリカーボネート組成物。 - 【請求項１０】上記［Ｂ］ホウ素系化合物が、下記一般
式で表わされる化合物であることを特徴とする請求項１
、２または３に記載の光学用ポリカーボネート組成物。 Ｂ（ＯＲ３）ｎ（ＯＨ）３−ｎ （式中、Ｒ３ は水素原子、脂肪族炭化水素基、脂環族
炭化水素基、または芳香族炭化水素基であり、ｎは１、
２または３である。） - 【請求項１１】［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合
物および／または該酸性化合物から形成される誘導体が
、［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるスルホン酸系化合
物および／または該化合物から形成される誘導体であり
、かつ［Ａ］ポリカーボネート樹脂１００重量部あたり
、０．００００１〜０．０００５重量部の量で配合され
てなることを特徴とする請求項２または３に記載の光学
用ポリカーボネート組成物。 - 【請求項１２】［Ｃ］ｐＫａ値が３以下である酸性化合
物および／または該酸性化合物から形成される誘導体が
、下記一般式［Ｉ］で表される化合物であることを特徴
とする請求項２または３に記載の光学用ポリカーボネー
ト組成物。 【化２】 〔式中、Ｒ０ は炭素数１〜２０の炭化水素基（水素は
ハロゲンで置換されていてもよい）であり、Ｒ１ は水
素または炭素数１〜５０の炭化水素基（水素はハロゲン
で置換されていてもよい）であり、ｎは０〜３の整数で
ある。〕 - 【請求項１３】式［Ｉ］で表される［Ｃ］スルホン酸系
化合物または該化合物から形成される誘導体が、ベンゼ
ンスルホン酸またはｐ−トルエンスルホン酸、あるいは
これらのメチル、エチル、ブチル、オクチルエステルで
あることを特徴とする請求項１２に記載の光学用ポリカ
ーボネート組成物。 - 【請求項１４】［Ｃ−１］ｐＫａ値が３以下であるスル
ホン酸系化合物または該化合物から形成される誘導体が
、上記一般式［Ｉ］で表される化合物であることを特徴
とする請求項４または５に記載の光学用ポリカーボネー
ト組成物。 - 【請求項１５】式［Ｉ］で表される［Ｃ−１］スルホン
酸系化合物または該化合物から形成される誘導体が、ベ
ンゼンスルホン酸またはｐ−トルエンスルホン酸、ある
いはこれらのメチル、エチル、ブチル、オクチルエステ
ルであることを特徴とする請求項１４に記載の光学用ポ
リカーボネート組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15914791A JP3171876B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-06-28 | 光学用ポリカーボネート組成物 |
| US07/903,698 US5276109A (en) | 1991-06-28 | 1992-06-24 | Optical polycarbonate compositions |
| EP9292305880A EP0520806A3 (en) | 1991-06-28 | 1992-06-25 | Optical polycarbonate compositions |
| EP00123211A EP1070743A3 (en) | 1991-06-28 | 1992-06-25 | Optical polycarbonate compositions |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20559890 | 1990-08-02 | ||
| JP2-205598 | 1990-08-02 | ||
| JP15914791A JP3171876B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-06-28 | 光学用ポリカーボネート組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356559A true JPH04356559A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3171876B2 JP3171876B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=26486030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15914791A Expired - Fee Related JP3171876B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-06-28 | 光学用ポリカーボネート組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171876B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018229730A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Sabic Global Technologies B.V. | Use of sulfonic acid as stabilizer in polycarbonate |
| US11155695B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-10-26 | Sabic Global Technologies B.V. | Abusively molded article including UV-stable polycarbonate |
| EP3472236B1 (en) * | 2016-06-17 | 2023-09-06 | SABIC Global Technologies B.V. | Method for forming polycarbonate molded articles |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15914791A patent/JP3171876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11155695B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-10-26 | Sabic Global Technologies B.V. | Abusively molded article including UV-stable polycarbonate |
| EP3472236B1 (en) * | 2016-06-17 | 2023-09-06 | SABIC Global Technologies B.V. | Method for forming polycarbonate molded articles |
| WO2018229730A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Sabic Global Technologies B.V. | Use of sulfonic acid as stabilizer in polycarbonate |
| CN110621733A (zh) * | 2017-06-16 | 2019-12-27 | 沙特基础工业全球技术有限公司 | 磺酸在聚碳酸酯中作为稳定剂的用途 |
| CN110621733B (zh) * | 2017-06-16 | 2021-11-09 | 沙特基础工业全球技术有限公司 | 磺酸在聚碳酸酯中作为稳定剂的用途 |
| US11692076B2 (en) | 2017-06-16 | 2023-07-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Interfacial polymerization process for polycarbonate in injection molding manufacturing with use of sulfonic acid as a stabilizer |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3171876B2 (ja) | 2001-06-04 |
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