JPH04355980A - 超伝導素子搭載装置 - Google Patents

超伝導素子搭載装置

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JPH04355980A
JPH04355980A JP3036734A JP3673491A JPH04355980A JP H04355980 A JPH04355980 A JP H04355980A JP 3036734 A JP3036734 A JP 3036734A JP 3673491 A JP3673491 A JP 3673491A JP H04355980 A JPH04355980 A JP H04355980A
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JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
cryostat
superconducting element
circuit boards
board
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Withdrawn
Application number
JP3036734A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatake Kotani
誠剛 小谷
Shigeo Nakajima
中島 茂生
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP3036734A priority Critical patent/JPH04355980A/ja
Publication of JPH04355980A publication Critical patent/JPH04355980A/ja
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  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はジョセフソン接合素子等
の超伝導素子を搭載する超伝導素子搭載装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ジョセフソン接合素子はきわめて高速で
動作する超伝導素子として知られているが、本出願人は
先にこのジョセフソン素子を搭載して使用する集積回路
装置の構成例を示した(特開平2−123774号公報
)。図4はこのジョセフソン素子を搭載した従来装置を
示す。ジョセフソン素子は液体ヘリウム温度で動作する
から、この装置では図のようにデュワー瓶構造を有する
クライオスタット10内に超伝導素子12を収納し、超
伝導素子12を液体ヘリウムに浸漬して低温に維持して
いる。クライオスタット10は断熱性を高めるため外壁
を真空の断熱筺体14で形成するが、超伝導素子12と
外部回路とを接続するためフィルムケーブル16を断熱
筺体14を貫通して配置する。超伝導素子12は回路基
板18に搭載され、フィルムケーブル16は一端が回路
基板18に接続され他端が断熱筺体14に形成したスリ
ットをとおして外部に引き出されて外部の配線基板20
に接続される。フィルムケーブル16と真空断熱筺体1
4に設けたスリットとの間は接着剤で真空シールされる
【0003】フィルムケーブル16はポリイミド等の電
気的絶縁性を有するフィルムに超伝導素子12と外部回
路とを接続するための導体パターンを形成したもので、
薄厚に形成される。フィルムケーブル16を上記のよう
に断熱筺体14を貫通して設置するのは、超伝導素子1
2と外部回路とをできるだけ接近させ、ケーブルを伝達
する際の信号遅延をできるだけ抑えるようにするためで
ある。また、薄厚のフィルムケーブル16を用いること
によって外部からの熱伝導をできるだけ抑えて断熱性を
維持しようとするためである。図5はフィルムケーブル
16の回路基板18との接続状態を示す平面図である。 この例では回路基板18の4つの外縁部でフィルムケー
ブル16によって外部回路と接続している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように超伝導素
子搭載装置は超伝導素子を作動温度に冷却して保持する
という条件が必要であるため、クライオスタットを用い
て超伝導素子を所要温度に冷却する構成を採用している
が、超伝導素子搭載装置を実際の電子装置に実装する段
階の問題としてクライオスタットの小形化、および装置
の効率的な構成が必要となる。従来の超伝導素子搭載装
置では回路基板はクライオスタット内に1枚設置するも
のであるが、大容量化に備えて、クライオスタット内に
複数枚の回路基板をセットできるようにすることは装置
を効率的に構成するうえで有効である。本発明は上記問
題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、クライオスタット内に複数枚の回路基板を設置す
ることを可能とし、よりコンパクトで効率的に超伝導素
子を搭載することができる超伝導素子搭載装置を提供す
るにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、超伝導素子を作
動温度に冷却するクライオスタット内に超伝導素子を支
持する回路基板を収納し、クライオスタットの断熱筺体
を貫通するフィルムケーブルにより前記回路基板とクラ
イオスタットの外部の外部回路とを接続した超伝導素子
搭載装置において、前記クライオスタット内に複数枚の
回路基板を上下方向に所定間隔をあけて多段に配置し、
該回路基板間を電気的に接続したことを特徴とする。前
記回路基板としては回路基板の上面または下面からコン
タクトプローブを突出させて設け、該コンタクトプロー
ブが当接する上段あるいは下段の回路基板面に接続パッ
ドを設けたものが効果的であり、また、上段と下段の回
路基板の中間に、上面あるいは下面からコンタクトプロ
ーブを突出させた接続用基板を介在させ、該接続用基板
の前記コンタクトプローブを前記回路基板の基板面に設
けた接続パッドに当接して回路基板間を電気的に接続し
たものが効果的である。
【0006】
【作用】クライオスタット内に超伝導素子を搭載する回
路基板を上下方向に所定間隔をあけて多段に配置し、回
路基板間を電気的に接続する。回路基板間を電気的に接
続する方法としては回路基板の基板面からコンタクトプ
ローブを突出させ、コンタクトプローブを回路基板に設
けた接続パッドに当接する方法、上下の回路基板間に接
続用基板を配置し、接続用基板に立設したコンタクトプ
ローブを回路基板の接続パッドに当接する方法がある。
【0007】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る超伝導素子
搭載装置の一実施例を示す断面図である。超伝導素子搭
載装置は上述した従来装置と同様にクライオスタット1
0内に超伝導素子12を収納し、断熱筺体14を貫通さ
せてフィルムケーブル16を設置することによって超伝
導素子12と外部の配線基板20とを接続する。21は
配線基板20に搭載した半導体素子である。本実施例の
超伝導素子搭載装置は図のようにクライオスタット10
内に超伝導素子12を搭載する回路基板18を複数枚収
納するもので、回路基板18を上下に所定間隔をあけて
多段に設置することを特徴とする。実施例では回路基板
18を4枚設置している。
【0008】クライオスタット10の底面にはスペーサ
22を設置し、スペーサ22上に矩形枠状のサポート2
4を支持し、さらにサポート24上で回路基板18を支
持する。前記フィルムケーブル16は最下段の回路基板
18とサポート24との間で挟圧することにより回路基
板18との電気的なコンタクトをとる。サポート24の
四つのコーナー部にはガイドピン26を立設する。各回
路基板18のコーナー部近傍にはガイドピン26を挿入
するガイド孔を設け、ガイド孔にガイドピン26を挿入
することによって上下の回路基板18を相互に位置決め
する。なお、ガイドピン26の上端にはねじを設け、最
上段の回路基板18をナット28でねじ止めすることに
よって回路基板18全体をサポート24に支持する。
【0009】多段に設置した回路基板18間の電気的接
続は各々の回路基板18にコンタクトプローブ30を設
け、コンタクトプローブ30を下段の回路基板18の接
続パッドに当接することによって行う。回路基板18に
は超伝導素子12に接続する信号線あるいは接地層等の
所要の配線パターンが形成されており、コンタクトプロ
ーブ30はこれら配線パターンと電気的に接続して形成
する。図2はコンタクトプローブ30および接続パッド
の設置例を説明的に示している。コンタクトプローブ3
0は上下の回路基板18間に所定間隔をあけるため回路
基板18の下面から突出させて設け、各コンタクトプロ
ーブ30の延出端位置に合わせて下段の回路基板18の
上面に接続パッド32を設ける。接続パッド32はコン
タクトプローブ30の突端部がはいり込む凹部状に形成
する。接続パッド32の凹部の内底面には回路基板18
の配線パターンと電気的に接続した金めっき層を設け、
コンタクトプローブ30の突端の端面を平坦に形成して
接続パッド32とのコンタクトが確実にとれるようにす
る。図2の例では上下の回路基板18でコンタクトプロ
ーブ30の位置を一致させているが、コンタクトプロー
ブ30の配置位置は必ずしも各回路基板18で同一であ
る必要はない。回路基板18のの組み合わせにしたがっ
て各回路基板18に設けるコンタクトプローブ30と接
続パッド32の位置を設定すればよい。なお、コンタク
トプローブ30を回路基板18に対して突出入自在に設
け、回路基板18から突出する方向に付勢して設けるこ
ともできる。このようにコンタクトプローブ30を付勢
して可動に形成した場合は、回路基板18を上下に多段
に組み合わせてナット28で締めつけ固定することによ
ってコンタクトプローブ30と接続パッド32とのコン
タクトが確実にできるという利点がある。
【0010】上記のようにして多段に配置した各回路基
板18間の電気的接続をとることによって最終的に回路
基板18に搭載したすべての超伝導素子12とフィルム
ケーブル16とが電気的に接続し、フィルムケーブル1
6を介してクライオスタット10に収納された超伝導素
子12と外部回路とが電気的に接続される。なお、上記
実施例では回路基板18の下面からコンタクトプローブ
30を突出させているが、上下の回路基板18間で相互
に接続をとる目的であるから、下段の回路基板18の上
面から上方にコンタクトプローブ30を突出させて設け
、上段の回路基板18の下面にコンタクトプローブ30
が当接する接続パッド32を設けるように構成してもも
ちろんかまわない。
【0011】上記実施例では最下段の回路基板18でフ
ィルムケーブル16が接続されているが、最下段で接続
する他に上段の回路基板18でフィルムケーブル16と
接続してもよい。上段で接続したフィルムケーブルは最
下段のフィルムケーブル16とは高さ位置が異なる別の
位置から断熱筺体14を貫通させて外部に引き出して外
部回路と接続する。実施例の装置のように回路基板18
を多段に設置すると外部回路との接続端子数が必然的に
増大するから、最下段のフィルムケーブル16のみでは
十分な数のコンタクト端子を得ることができない場合が
ある。このような場合にはこのように上段の回路基板1
8にフィルムケーブル16を接続して接続端子数を確保
する必要がある。
【0012】図2で19は回路基板18を上下に貫通し
て設けた貫通孔である。貫通孔19は回路基板18の上
下方向に寒剤を流通させるために設けるもので、超伝導
素子12のコーナー部の外側付近に形成する。図1のよ
うに回路基板18の上下面に一定の間隔をとるとともに
上記貫通孔19を設けることによって超伝導素子12を
所定の作動温度に効果的に冷却できるようにする。
【0013】図3は超伝導素子搭載装置で多段に回路基
板を設置する他の実施例を示す。この実施例では、多段
に回路基板18を設置する際に、上下の回路基板18の
中間に接続用基板40を設置することを特徴とする。接
続用基板40は回路基板18と外形サイズが等しい矩形
枠状に形成し、基板の上下面にコンタクトプローブ30
を立設している。コンタクトプローブ30は上記実施例
でのコンタクトプローブ30と同様に回路基板18に形
成した接続パッドに当接して回路基板18とコンタクト
をとるためのものである。接続用基板40は回路基板1
8とは異なり超伝導素子12を搭載せず、コンタクトプ
ローブ30に接続する所要の配線パターンとコンタクト
プローブ30を有する。
【0014】回路基板18と接続用基板40は図3に示
すように、回路基板18と接続用基板40に設けたガイ
ド孔にガイドピン26を挿入することによって位置合わ
せし、ナット28で締めつけることによって回路基板1
8と接続用基板40との間の電気的接続をとる。接続用
基板40に設けるコンタクトプローブ30は回路基板1
8に形成する接続パッドに合わせて配置すればよく、接
続用基板40に設けるコンタクトプローブ30は適宜任
意位置に設定することができる。また、コンタクトプロ
ーブ30は接続用基板40の基板面から所定長さ突出さ
せて設置するが、前述したように接続用基板40からコ
ンタクトプローブ30を突出入自在に設け、突出方向に
付勢して設けてもよい。
【0015】図3に示す実施例の場合は、上下の回路基
板18の中間に上記の接続用基板40を設けて回路基板
18間の接続をとるから、回路基板18側ではコンタク
トプローブ30が当接する接続パッドを形成すればよく
、回路基板18の製造を容易にすることができる。回路
基板18には超伝導素子12を搭載する関係上、信号線
あるいは接地層等の配線パターンを高密度で形成する必
要があり、基板内にさらにコンタクトプローブ30を形
成することが困難になる場合がある。接続用基板40に
コンタクトプローブ40を設ける方法によると、この回
路基板18の製造上の困難さを回避することができ、コ
ンタクトプローブ30を接続用基板40にもたせること
によって回路基板18の高密度化を達成することが可能
となる。また、接続用基板40を使用することによって
上下の回路基板18間の間隔をひろくとることができ、
寒剤を十分に通流させることができて超伝導素子12の
冷却性を向上させることができる。なお、前述したよう
に、回路基板18とフィルムケーブル16とを接続する
方法としては、図3に示すように最下段の回路基板18
との間でコンタクトをとって接続する方法、あるいは上
段の回路基板18との間でコンタクトをとる方法が利用
できる。以上、本発明について好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんのことである。
【0016】
【発明の効果】本発明に係る超伝導素子搭載装置によれ
ば、上述したように、クライオスタット内に複数枚の回
路基板を収納することができるから、クライオスタット
をコンパクト化することができ、かつ超伝導素子の収納
が効率的に行えて大容量の電子装置等に対する要請に応
えることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る超伝導素子搭載装置の一実施例を
示す断面図である。
【図2】コンタクトプローブおよび接続パッドの設置例
を示す説明図であるる。
【図3】超伝導素子搭載装置での回路基板の他の設置例
を示す説明図である。
【図4】超伝導素子搭載装置の従来例を示す断面図であ
る。
【図5】超伝導素子搭載装置でのフィルムケーブルの配
置例を示す説明図である。
【符号の説明】
10  クライオスタット 12  超伝導素子 16  フィルムケーブル 18  回路基板 19  貫通孔 20  配線基板 24  サポート 26  ガイドピン 30  コンタクトプローブ 32  接続パッド 40  接続用基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  超伝導素子を作動温度に冷却するクラ
    イオスタット内に超伝導素子を支持する回路基板を収納
    し、クライオスタットの断熱筺体を貫通するフィルムケ
    ーブルにより前記回路基板とクライオスタットの外部の
    外部回路とを接続した超伝導素子搭載装置において、前
    記クライオスタット内に複数枚の回路基板を上下方向に
    所定間隔をあけて多段に配置し、該回路基板間を電気的
    に接続したことを特徴とする超伝導素子搭載装置。
  2. 【請求項2】  回路基板の上面または下面からコンタ
    クトプローブを突出させて設け、該コンタクトプローブ
    が当接する上段あるいは下段の回路基板面に接続パッド
    を設けたことを特徴とする請求項1記載の超伝導素子搭
    載装置。
  3. 【請求項3】  上段と下段の回路基板の中間に、上面
    あるいは下面からコンタクトプローブを突出させた接続
    用基板を介在させ、該接続用基板の前記コンタクトプロ
    ーブを前記回路基板の基板面に設けた接続パッドに当接
    して回路基板間を電気的に接続したことを特徴とする請
    求項1記載の超伝導素子搭載装置。
JP3036734A 1991-02-06 1991-02-06 超伝導素子搭載装置 Withdrawn JPH04355980A (ja)

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JP3036734A JPH04355980A (ja) 1991-02-06 1991-02-06 超伝導素子搭載装置

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JP3036734A JPH04355980A (ja) 1991-02-06 1991-02-06 超伝導素子搭載装置

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