JPH0435028A - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法Info
- Publication number
- JPH0435028A JPH0435028A JP2142488A JP14248890A JPH0435028A JP H0435028 A JPH0435028 A JP H0435028A JP 2142488 A JP2142488 A JP 2142488A JP 14248890 A JP14248890 A JP 14248890A JP H0435028 A JPH0435028 A JP H0435028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- abrasive grains
- slurry
- manufacturing
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 12
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- -1 LiNb0i Inorganic materials 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えば弾性表面波デバイスの基板として使用
するウェーハの製造方法に関するものである。
するウェーハの製造方法に関するものである。
弾性表面波デバイスの基板として使用する圧電体単結晶
ウェーハは、−面が鏡面に研磨され、もう−面がバルク
波の反射防止のために粗面に加工されている。一般に粗
面加工は回転するラップ定盤と遊離砥粒を用いたラッピ
ングにより行なわれる。ラッピングには所望する面粗さ
に適した粒度の砥粒が選択され、水および少量の水溶性
分散剤と混合したスラリーとして使用される。ラップ定
盤の回転数は通常２０〜３０ｒｐｍ程度である。 ところがこの加工方法によれば、砥粒が粗くなるほどウ
ェーハに与えるダメージが大きくなるためにウェーハが
損傷し、いわゆるワレ、チップ。 キズなどの不良が発生し、歩留りが低下してしまう。 ウェーハのダメージは定盤の回転数を低下すれば抑えら
れるが、通常２０〜３０ｒｐｍである回転数を５〜１５
ｒｐｍに低下させると定盤上のスラリーに働く遠心力が
小さくなって流れが悪くなり、スラリーが定盤上に堆積
してしまう。盛り上がったスラリーにウェーハが乗り上
げるとワレなどの不良が多発することになる。
ウェーハは、−面が鏡面に研磨され、もう−面がバルク
波の反射防止のために粗面に加工されている。一般に粗
面加工は回転するラップ定盤と遊離砥粒を用いたラッピ
ングにより行なわれる。ラッピングには所望する面粗さ
に適した粒度の砥粒が選択され、水および少量の水溶性
分散剤と混合したスラリーとして使用される。ラップ定
盤の回転数は通常２０〜３０ｒｐｍ程度である。 ところがこの加工方法によれば、砥粒が粗くなるほどウ
ェーハに与えるダメージが大きくなるためにウェーハが
損傷し、いわゆるワレ、チップ。 キズなどの不良が発生し、歩留りが低下してしまう。 ウェーハのダメージは定盤の回転数を低下すれば抑えら
れるが、通常２０〜３０ｒｐｍである回転数を５〜１５
ｒｐｍに低下させると定盤上のスラリーに働く遠心力が
小さくなって流れが悪くなり、スラリーが定盤上に堆積
してしまう。盛り上がったスラリーにウェーハが乗り上
げるとワレなどの不良が多発することになる。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の課題を解決するためなされたもので、ウ
ェーハを損傷することなく所望する面粗さに加工出来る
歩留りの高いウェーハの製造方法を提供することを目的
とする。
ェーハを損傷することなく所望する面粗さに加工出来る
歩留りの高いウェーハの製造方法を提供することを目的
とする。
前記の課題を解決するために本発明者らは鋭意研究を進
めた結果、定盤の回転数が低い場合でも砥粒スラリーの
流動性を確保すればスラリーの堆積が回避可能なことを
見い出し、本発明を完成するに至った・ 本発明のウェーハの製造方法は、圧電体単結晶ウェーハ
とラップ定盤との間に、表面がパラフィンワックスで被
覆された砥粒と水とからなるスラリー状の遊離砥粒を入
れ、ラップ定盤を回転させてウェーハの表面を粗面加工
する工程を含んでいる。 ウェーハは、例えばＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂ０ｉや水晶
のような圧電体単結晶である。 ラップ定盤は外径が６００〜１１００ｍｍφのものを使
用する。外径が６００ｍｍφ未満の定盤は周速が低下す
るために所望の面粗さが得られない。１１００ｍｍφを
越える定盤は周速が大きくなるためにウェーハに与える
ダメージが大きく、ウェーハが損傷してしまう。 ラップ定盤の回転数は５〜１５ｒｐｍの範囲に設定する
ことが好ましい。回転数が５ ｒｐｍ未溝の場合はラッ
プ定盤に遊離砥粒が堆積し、１５ｒｐｍを越える場合は
ウェーハに与えるダメージが大きくなり、いずれの場合
もウェーハが損傷してしまう。 砥粒は、例えば主成分がＳｉＣのものが好ましい。この
他、主成分がＡｌ２Ｏ３のものも使用可能である。 砥粒は粒度がＪＩＳ Ｒ６００１規定の＃４００よりも
粗いものを使用した場合に効果が大である。さらにＪＩ
Ｓ Ｒ６００１規定の＃１８０または＃２４０の砥粒を
使用する場合には、粒径が１１００ｐ以上の砥粒を除去
することにより、除去しない場合に比べ、面粗さを低下
させることなくより高い歩留りが得られる。 なおパラフィンワックスは、例えば高砂貿易■から市販
されている商品名ｒＥＶＥＲＦＬＯＪなどが使用可能で
ある。 ・
めた結果、定盤の回転数が低い場合でも砥粒スラリーの
流動性を確保すればスラリーの堆積が回避可能なことを
見い出し、本発明を完成するに至った・ 本発明のウェーハの製造方法は、圧電体単結晶ウェーハ
とラップ定盤との間に、表面がパラフィンワックスで被
覆された砥粒と水とからなるスラリー状の遊離砥粒を入
れ、ラップ定盤を回転させてウェーハの表面を粗面加工
する工程を含んでいる。 ウェーハは、例えばＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂ０ｉや水晶
のような圧電体単結晶である。 ラップ定盤は外径が６００〜１１００ｍｍφのものを使
用する。外径が６００ｍｍφ未満の定盤は周速が低下す
るために所望の面粗さが得られない。１１００ｍｍφを
越える定盤は周速が大きくなるためにウェーハに与える
ダメージが大きく、ウェーハが損傷してしまう。 ラップ定盤の回転数は５〜１５ｒｐｍの範囲に設定する
ことが好ましい。回転数が５ ｒｐｍ未溝の場合はラッ
プ定盤に遊離砥粒が堆積し、１５ｒｐｍを越える場合は
ウェーハに与えるダメージが大きくなり、いずれの場合
もウェーハが損傷してしまう。 砥粒は、例えば主成分がＳｉＣのものが好ましい。この
他、主成分がＡｌ２Ｏ３のものも使用可能である。 砥粒は粒度がＪＩＳ Ｒ６００１規定の＃４００よりも
粗いものを使用した場合に効果が大である。さらにＪＩ
Ｓ Ｒ６００１規定の＃１８０または＃２４０の砥粒を
使用する場合には、粒径が１１００ｐ以上の砥粒を除去
することにより、除去しない場合に比べ、面粗さを低下
させることなくより高い歩留りが得られる。 なおパラフィンワックスは、例えば高砂貿易■から市販
されている商品名ｒＥＶＥＲＦＬＯＪなどが使用可能で
ある。 ・
本発明のウェーハの製造方法では、パラフィンワックス
で表面を被覆した砥粒と水とが混合されたスラリーをラ
ッピングに用いている。砥粒の分散性が高いため、定盤
の回転数が低い場合でも砥粒は遠心力で定盤上を円滑に
流動して均一に分布するため、ウェーハは損傷すること
なく所望の粗さに粗面加工される。
で表面を被覆した砥粒と水とが混合されたスラリーをラ
ッピングに用いている。砥粒の分散性が高いため、定盤
の回転数が低い場合でも砥粒は遠心力で定盤上を円滑に
流動して均一に分布するため、ウェーハは損傷すること
なく所望の粗さに粗面加工される。
以下、本発明の詳細な説明する。
・スラリーの調合
実施例１
緑色炭化けい素質砥粒ＧＣ＃１８０ （粒度＃１８０の
ＳｉＣ粉が主体の研磨剤） ｌｏｋｇおよびパラフィン
ワックス系分散剤（高砂貿易■販売のＥＶＥＲＦＬＯ）
５００ｃｃを十分に混練した後に水２５βと混合し、
スラリーを調合した。 実施例２ 実施例１と同一のＧＣ＃１８０砥粒をＪＩＳ Ｚ ８８
０１規定の呼び寸法１１０６１Ｉの標準ふるいを通し、
ＧＣ＃１８０砥粒に含まれる粒径がおよそ１００μｍ以
上の粒子を除去する。得られた砥粒１０ｋｇを上記パラ
フィンワックス系分散剤５００ｃｃと十分に混練した後
に水２５ρと混合し、スラリーを調合した。 比較例１ 実施例１と同一のＧＣ＃１８０砥粒１０ｋｇと、水溶性
分散剤（旭電化工業■製、アデカノール） ５００ｃｃ
と水２５℃とを混合し、スラリーを調合した。 ・ラッピング加工 次に、実施例１．２および比較例１で調合したスラリー
毎に直径３インチ、厚さ０．４ｍｍのＬｉＴａＯ３ウェ
ーハを １５０枚ずつ用意し、ラップ加工を行なう。 ラップ加工には第１図に示す研磨加工機を使用する。こ
の加工機は遊星ギアシステムを応用したものであり、回
転駆動源に連結した軸ｌに定盤２および太陽ギア３が取
り付けられ、ともに回転するようになっている。定盤２
の上面にはキャリア５が載せられる。キャリア５の外周
にはギア６が形成されており、太陽ギア３と噛み合って
いる。 方、周枠１０は本体フレーム（不図示）に回転可能に取
り付けられ、その内周にはキャリア５の遊星ギア６と噛
み合うインターナルギア１１が設けられている。ギヤリ
ア５にはワーク挿入穴７があけられており、ウェーハ８
が遊挿されて保持される。ウェーハ８は自重や基板（不
図示）などの重量で加圧される。 スラリー４は定盤２上方のノズル１２から供給され、定
盤２下方の排出管１３から排出される。 ノズル１２および排出管１３はスラリータンク（不図示
）に接続され、スラリー４の循環回路が形成さねている
。 加工機を稼動すると、キャリア５は定盤２上を遊星運動
をしながら回転し、キャリア５に担持されたウェーハ８
の下面は一定の加圧を受けつつラッピングされてゆ（。 実施例１・２および比較例１では外径が７７２ｍｍφの
ラップ定盤２を備えた加工機を使用し、１５０枚のウェ
ーハを３０枚ずっ５バツヂに分けて加工する。 スラリー供給量はＩｆｆ／分、荷重は２５ｇ／ｃｍ２に
設定した。ウェーハ取りしろはＩＯＩ＋ｍである。 加工終了後、ウェーハ８を取り出し、不良発生数を数え
て歩留りを算出した。また、触計弐表面粗さ計（■東京
精密製、ｓｕｒｆｃｏｍ ５５０Ａ）を用いて加工面の
面粗さを測定した。 第１表に実施例１．２および比較例１のスラノ一種、定
盤回転数、不良数、歩留りおよび面粗さを示す。 第 １ 表 以下の実施例３．４および比較例２は砥粒およびラップ
定盤２を変えた例である。 ・スラリーの調合 実施例３ 緑色炭化けい素質砥粒ＧＣ＃２４０ （粒度＃２４０の
ＳｉＣ粉が主体の研磨剤） ｌＯｋ、ｇおよびパラフィ
ンワックス系分散剤（高砂貿易■販売のＥＶＥＲＦＬＯ
） ５００ｃｃを十分に混練した後に水２５℃と混合し
、スラリーを調合した。 実施例４ 実施例３と同一のＧＣ＃２４０砥粒を、ＪＩＳ Ｚ ８
８０１規定の呼び寸法１０６μｍの標準ふるいを通し、
ＧＣ＃２４０砥粒に含まれる粒径がおよそ１００μｍ以
上の粒子を除去する。得られた砥粒１０ｋｇを上記パラ
フィンワックス系分散剤５００ｃｃと」−分に混練した
後に水２５Ｉ２．と混合し、スラリーを調合した。 比較例２ 実施例３と同一のＧＣ＃２４０砥粒１０ｋｇと、水溶性
分散剤（旭電化工業■製、アデカノール） ５００ｃｃ
と水２５℃とを混合し、スラリーを調合した。 ・ラッピング加工 次に、実施例３．４および比較例２で調合したスラリー
毎に直径３インチ、厚さ０．４ｍｍのＬｉＴａＯ３ウェ
ーハを１５０枚ずつ用意し、ラッピングを行なう。ラッ
ピングには外径が１０２２ｍｍφのラップ定盤２を備え
た加工機を使用し、１５０枚のウェーハを５０枚ずつ３
バツチに分けて加工する。スラリー供給量は１β／分、
ウェーハ８への荷重は２５ｇ／ｃｍ”に設定する。ウェ
ーハ取りしろはｌＯｐｍである。 加工終了後ウェーハ８を取り出し、不良発生数を数えて
歩留りを算出した。また、触針式表面粗さ計（■東京精
密製、ｓｕｒｆｃｏｍ ５５０Ａ）を用いて加工面の面
粗さを測定した。 第２表に実施例３．４および比較例２のスラリ一種、定
盤回転数、不良数、歩留りおよび面粗さを示す。 （以下余白） 第 ２ 表 第１表および第２表に示した測定結果によれば、本発明
の方法と従来の方法によってウェーハの表面を路間等の
面粗さに仕上げた場合、本発明の方法が不良数が少なく
歩留りが高いことがわかる。 また、実施例２および実施例４のように粒径が１００μ
ｍ以上の砥粒を除去したスラリーを使用した場合には、
未除去のスラリーを使用した場合と同様に所望の粗さの
面が得られる他、歩留りをさらに向上できることが確認
された。
ＳｉＣ粉が主体の研磨剤） ｌｏｋｇおよびパラフィン
ワックス系分散剤（高砂貿易■販売のＥＶＥＲＦＬＯ）
５００ｃｃを十分に混練した後に水２５βと混合し、
スラリーを調合した。 実施例２ 実施例１と同一のＧＣ＃１８０砥粒をＪＩＳ Ｚ ８８
０１規定の呼び寸法１１０６１Ｉの標準ふるいを通し、
ＧＣ＃１８０砥粒に含まれる粒径がおよそ１００μｍ以
上の粒子を除去する。得られた砥粒１０ｋｇを上記パラ
フィンワックス系分散剤５００ｃｃと十分に混練した後
に水２５ρと混合し、スラリーを調合した。 比較例１ 実施例１と同一のＧＣ＃１８０砥粒１０ｋｇと、水溶性
分散剤（旭電化工業■製、アデカノール） ５００ｃｃ
と水２５℃とを混合し、スラリーを調合した。 ・ラッピング加工 次に、実施例１．２および比較例１で調合したスラリー
毎に直径３インチ、厚さ０．４ｍｍのＬｉＴａＯ３ウェ
ーハを １５０枚ずつ用意し、ラップ加工を行なう。 ラップ加工には第１図に示す研磨加工機を使用する。こ
の加工機は遊星ギアシステムを応用したものであり、回
転駆動源に連結した軸ｌに定盤２および太陽ギア３が取
り付けられ、ともに回転するようになっている。定盤２
の上面にはキャリア５が載せられる。キャリア５の外周
にはギア６が形成されており、太陽ギア３と噛み合って
いる。 方、周枠１０は本体フレーム（不図示）に回転可能に取
り付けられ、その内周にはキャリア５の遊星ギア６と噛
み合うインターナルギア１１が設けられている。ギヤリ
ア５にはワーク挿入穴７があけられており、ウェーハ８
が遊挿されて保持される。ウェーハ８は自重や基板（不
図示）などの重量で加圧される。 スラリー４は定盤２上方のノズル１２から供給され、定
盤２下方の排出管１３から排出される。 ノズル１２および排出管１３はスラリータンク（不図示
）に接続され、スラリー４の循環回路が形成さねている
。 加工機を稼動すると、キャリア５は定盤２上を遊星運動
をしながら回転し、キャリア５に担持されたウェーハ８
の下面は一定の加圧を受けつつラッピングされてゆ（。 実施例１・２および比較例１では外径が７７２ｍｍφの
ラップ定盤２を備えた加工機を使用し、１５０枚のウェ
ーハを３０枚ずっ５バツヂに分けて加工する。 スラリー供給量はＩｆｆ／分、荷重は２５ｇ／ｃｍ２に
設定した。ウェーハ取りしろはＩＯＩ＋ｍである。 加工終了後、ウェーハ８を取り出し、不良発生数を数え
て歩留りを算出した。また、触計弐表面粗さ計（■東京
精密製、ｓｕｒｆｃｏｍ ５５０Ａ）を用いて加工面の
面粗さを測定した。 第１表に実施例１．２および比較例１のスラノ一種、定
盤回転数、不良数、歩留りおよび面粗さを示す。 第 １ 表 以下の実施例３．４および比較例２は砥粒およびラップ
定盤２を変えた例である。 ・スラリーの調合 実施例３ 緑色炭化けい素質砥粒ＧＣ＃２４０ （粒度＃２４０の
ＳｉＣ粉が主体の研磨剤） ｌＯｋ、ｇおよびパラフィ
ンワックス系分散剤（高砂貿易■販売のＥＶＥＲＦＬＯ
） ５００ｃｃを十分に混練した後に水２５℃と混合し
、スラリーを調合した。 実施例４ 実施例３と同一のＧＣ＃２４０砥粒を、ＪＩＳ Ｚ ８
８０１規定の呼び寸法１０６μｍの標準ふるいを通し、
ＧＣ＃２４０砥粒に含まれる粒径がおよそ１００μｍ以
上の粒子を除去する。得られた砥粒１０ｋｇを上記パラ
フィンワックス系分散剤５００ｃｃと」−分に混練した
後に水２５Ｉ２．と混合し、スラリーを調合した。 比較例２ 実施例３と同一のＧＣ＃２４０砥粒１０ｋｇと、水溶性
分散剤（旭電化工業■製、アデカノール） ５００ｃｃ
と水２５℃とを混合し、スラリーを調合した。 ・ラッピング加工 次に、実施例３．４および比較例２で調合したスラリー
毎に直径３インチ、厚さ０．４ｍｍのＬｉＴａＯ３ウェ
ーハを１５０枚ずつ用意し、ラッピングを行なう。ラッ
ピングには外径が１０２２ｍｍφのラップ定盤２を備え
た加工機を使用し、１５０枚のウェーハを５０枚ずつ３
バツチに分けて加工する。スラリー供給量は１β／分、
ウェーハ８への荷重は２５ｇ／ｃｍ”に設定する。ウェ
ーハ取りしろはｌＯｐｍである。 加工終了後ウェーハ８を取り出し、不良発生数を数えて
歩留りを算出した。また、触針式表面粗さ計（■東京精
密製、ｓｕｒｆｃｏｍ ５５０Ａ）を用いて加工面の面
粗さを測定した。 第２表に実施例３．４および比較例２のスラリ一種、定
盤回転数、不良数、歩留りおよび面粗さを示す。 （以下余白） 第 ２ 表 第１表および第２表に示した測定結果によれば、本発明
の方法と従来の方法によってウェーハの表面を路間等の
面粗さに仕上げた場合、本発明の方法が不良数が少なく
歩留りが高いことがわかる。 また、実施例２および実施例４のように粒径が１００μ
ｍ以上の砥粒を除去したスラリーを使用した場合には、
未除去のスラリーを使用した場合と同様に所望の粗さの
面が得られる他、歩留りをさらに向上できることが確認
された。
以上詳細に説明したように本発明のウェーハの製造方法
によれば、ウェーハの粗面ラッピング加工における不良
発生数が減少し、所望の面粗さのウェーハを歩留り良く
製造するととができる。
によれば、ウェーハの粗面ラッピング加工における不良
発生数が減少し、所望の面粗さのウェーハを歩留り良く
製造するととができる。
第】図は本発明の方法の一実施例に使用する研磨加工機
の要部斜視図である。
の要部斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハとラップ定盤との間に、表面がパラフィン
ワックスで被覆された砥粒と水とからなるスラリー状の
遊離砥粒を入れ、ラップ定盤を回転させてウェーハの表
面を粗面加工する工程を含むことを特徴とするウェーハ
の製造方法。 ２、前記ウェーハが圧電体単結晶であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のウェーハの製造方法。 ３、前記ウェーハがＬｉＴａＯ＿３、ＬｉＮｂＯ＿３ま
たは水晶であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のウェーハの製造方法。 ４、前記ラップ定盤の外径が６００〜１１００ｍｍφで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェ
ーハの製造方法。 ５、前記ラップ定盤の回転数が５〜１５ｒｐｍであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェーハの
製造方法。 ６、前記砥粒の主成分がＳｉＣであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のウェーハの製造方法。 ７、前記砥粒の粒度がＪＩＳＲ６００１規定の＃４００
より粗いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ウェーハの製造方法。 ８、前記砥粒は、粒度がＪＩＳＲ６００１規定の＃１８
０または＃２４０の砥粒から粒径が１００μｍ以上の砥
粒を除去したものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142488A JPH0435028A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142488A JPH0435028A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435028A true JPH0435028A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15316490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2142488A Pending JPH0435028A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7451587B2 (en) | 2003-05-08 | 2008-11-18 | Yanmar Co., Ltd. | Mower tractor |
| CN103692336A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 电子科技大学 | 一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法 |
| CN105619183A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-01 | 南京京晶光电科技有限公司 | 一种蓝宝石研磨加工超薄片系统及其方法 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2142488A patent/JPH0435028A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7451587B2 (en) | 2003-05-08 | 2008-11-18 | Yanmar Co., Ltd. | Mower tractor |
| CN103692336A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 电子科技大学 | 一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法 |
| CN105619183A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-01 | 南京京晶光电科技有限公司 | 一种蓝宝石研磨加工超薄片系统及其方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6114245A (en) | Method of processing semiconductor wafers | |
| JP5839783B2 (ja) | 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法 | |
| JP2004096112A (ja) | 半導体ウェーハの処理法 | |
| JP2002124490A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH10180624A (ja) | ラッピング装置及び方法 | |
| JPH0435028A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
| JPH05154760A (ja) | シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP2001332949A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP2001087998A (ja) | 板ガラスの研削方法及び研削装置 | |
| JP4220192B2 (ja) | 脆性材料用切刃の製造方法およびその製造方法で製造される脆性材料用切刃 | |
| JP2019111618A (ja) | 単結晶基板の加工方法 | |
| JP2004200240A (ja) | 片面鏡面ウェーハの製造方法 | |
| JP2002252189A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨液 | |
| JP2001007064A (ja) | 半導体ウエーハの研削方法 | |
| JPH11189500A (ja) | 酸化物単結晶基板の製造方法 | |
| JP3286020B2 (ja) | 単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JP4154683B2 (ja) | 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置 | |
| JP6111011B2 (ja) | 砥粒チャージ方法及び硬脆性基板の製造方法 | |
| JP3750466B2 (ja) | 半導体ウェーハの仕上げ研磨方法 | |
| JPS61226272A (ja) | ウエ−ハ研削用砥石 | |
| JPS61219570A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000216122A (ja) | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 | |
| JPS62251081A (ja) | 研削装置および研削砥石 | |
| JPH0321021A (ja) | 半導体基板の面取り方法及びその装置 | |
| JPH03220810A (ja) | 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 |