JPH04349191A - シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法Info
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- JPH04349191A JPH04349191A JP15108891A JP15108891A JPH04349191A JP H04349191 A JPH04349191 A JP H04349191A JP 15108891 A JP15108891 A JP 15108891A JP 15108891 A JP15108891 A JP 15108891A JP H04349191 A JPH04349191 A JP H04349191A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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-
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
-
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- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/24—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with nitrogen, e.g. silicon oxy-nitride glasses
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン単結晶の引き上
げに用いる石英ルツボに関する。
げに用いる石英ルツボに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの基板に用いられるシリ
コン単結晶は、多結晶シリコン原料をルツボ中で溶融し
、これに種結晶を浸して引き上げながら成長させるＣＺ
法により製造するのが主流となっている。この場合、ル
ツボとしては従来石英ガラスルツボが主に使用されてい
るが、得られるシリコン単結晶の電子材料としての特性
に悪影響を与えないよう石英ガラスルツボの内表面層に
含まれる不純物をできる限り少なくする努力がなされて
いる（特公昭５８−４９５１９号、特開昭６０−１３７
８９２号、特開昭６２−９６３８８号、特開昭６３−１
６６７９１号、特開昭６３−２１５６００号等）。例え
ば、シリコン単結晶の引き上げ時に石英ルツボから不純
物が混入すると酸化誘因積層欠陥（ＯＩＳＦ）を生じ、
シリコン素子の信頼性が大幅に低下する。
コン単結晶は、多結晶シリコン原料をルツボ中で溶融し
、これに種結晶を浸して引き上げながら成長させるＣＺ
法により製造するのが主流となっている。この場合、ル
ツボとしては従来石英ガラスルツボが主に使用されてい
るが、得られるシリコン単結晶の電子材料としての特性
に悪影響を与えないよう石英ガラスルツボの内表面層に
含まれる不純物をできる限り少なくする努力がなされて
いる（特公昭５８−４９５１９号、特開昭６０−１３７
８９２号、特開昭６２−９６３８８号、特開昭６３−１
６６７９１号、特開昭６３−２１５６００号等）。例え
ば、シリコン単結晶の引き上げ時に石英ルツボから不純
物が混入すると酸化誘因積層欠陥（ＯＩＳＦ）を生じ、
シリコン素子の信頼性が大幅に低下する。
【０００３】
【発明の解決課題】以上のように従来の石英ルツボは種
々改良されているが、引き上げた単結晶の酸化誘因積層
欠陥について満足できるものが少ない。本発明は、この
ような従来の石英ルツボの問題を解決し、酸化誘因積層
欠陥の少ないシリコン単結晶を製造できる石英ルツボを
提供することを目的とする。
々改良されているが、引き上げた単結晶の酸化誘因積層
欠陥について満足できるものが少ない。本発明は、この
ような従来の石英ルツボの問題を解決し、酸化誘因積層
欠陥の少ないシリコン単結晶を製造できる石英ルツボを
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題の解決手段：発明の構成】本発明によれば、内表
面層の窒素含有量が１００ 〜４，０００ｐｐｍである
シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ、ないしは内表面
層の窒素含有量が１００ 〜４，０００ｐｐｍであり、
かつ炭素含有量が３０〜１，０００ｐｐｍのシリコン単
結晶引き上げ用石英ルツボが提供される。
面層の窒素含有量が１００ 〜４，０００ｐｐｍである
シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ、ないしは内表面
層の窒素含有量が１００ 〜４，０００ｐｐｍであり、
かつ炭素含有量が３０〜１，０００ｐｐｍのシリコン単
結晶引き上げ用石英ルツボが提供される。
【０００５】石英ルツボはシリコン単結晶を溶融して引
き上げる際に、ルツボ内表面から深さ約０．３ 〜１．
０ｍｍ 程度の内表面層が溶融し肉厚が減少する。本発
明は、このルツボ内表面層に窒素を微量含有させ、好ま
しくは窒素と共に微量の炭素を含有させることにより、
引き上げたシリコン単結晶の酸化誘因積層欠陥を減少さ
せる。窒素や炭素をルツボ内表面層に含有させることに
よりシリコン単結晶の酸化誘因積層欠陥が低減する理由
は明らかではないが、従来はルツボ内表面層の不純物元
素の混入をできるだけ排除することで酸化誘因積層欠陥
を低減しようとしており、この点本発明は従来とは全く
異なった知見に基づいている。
き上げる際に、ルツボ内表面から深さ約０．３ 〜１．
０ｍｍ 程度の内表面層が溶融し肉厚が減少する。本発
明は、このルツボ内表面層に窒素を微量含有させ、好ま
しくは窒素と共に微量の炭素を含有させることにより、
引き上げたシリコン単結晶の酸化誘因積層欠陥を減少さ
せる。窒素や炭素をルツボ内表面層に含有させることに
よりシリコン単結晶の酸化誘因積層欠陥が低減する理由
は明らかではないが、従来はルツボ内表面層の不純物元
素の混入をできるだけ排除することで酸化誘因積層欠陥
を低減しようとしており、この点本発明は従来とは全く
異なった知見に基づいている。
【０００６】内表面層の窒素の好適な濃度は１００ 〜
４，０００ｐｐｍである。窒素が１００ｐｐｍ以下では
ド−プの効果が現われない。また窒素の濃度が４，００
０ｐｐｍを越えると、ド−プの効果より不純物としての
作用が強くなり好ましくない。
４，０００ｐｐｍである。窒素が１００ｐｐｍ以下では
ド−プの効果が現われない。また窒素の濃度が４，００
０ｐｐｍを越えると、ド−プの効果より不純物としての
作用が強くなり好ましくない。
【０００７】窒素を内表面層に含有させるには、例えば
、ア−ク溶融回転モ−ルド法による石英ルツボの製作に
おいて、炉内の雰囲気を窒素雰囲気とし、ア−ク焔を直
接ルツボ内表面に当てることにより窒素がルツボに取り
込まれる。このようにして酸素の侵入を排除して窒素濃
度を調節することにより窒素のド−プ量を調整すること
ができる。従来の空気雰囲気中では酸素が石英中への窒
素の取り込みを阻害していると考えられる。
、ア−ク溶融回転モ−ルド法による石英ルツボの製作に
おいて、炉内の雰囲気を窒素雰囲気とし、ア−ク焔を直
接ルツボ内表面に当てることにより窒素がルツボに取り
込まれる。このようにして酸素の侵入を排除して窒素濃
度を調節することにより窒素のド−プ量を調整すること
ができる。従来の空気雰囲気中では酸素が石英中への窒
素の取り込みを阻害していると考えられる。
【０００８】なお窒素含有内表面を有するルツボとして
、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）ルツボの使用も考え
られるが、ルツボの製作が困難で高価であり、かつ窒化
ケイ素の針状結晶が溶湯中に生成してシリコンの単結晶
化を阻害し、収率低下をきたすばかりでなく、シリコン
単結晶中に限界以上の窒素が取り込まれ、品質的にも好
ましくない。またこの場合はシリコン単結晶中の酸素量
が低くなり過ぎる。本発明の窒素ガス雰囲気下でド−プ
された窒素は少量であるため、窒化ケイ素の結晶を生成
せず、シリコン単結晶の引上げに悪影響を与えない。
、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）ルツボの使用も考え
られるが、ルツボの製作が困難で高価であり、かつ窒化
ケイ素の針状結晶が溶湯中に生成してシリコンの単結晶
化を阻害し、収率低下をきたすばかりでなく、シリコン
単結晶中に限界以上の窒素が取り込まれ、品質的にも好
ましくない。またこの場合はシリコン単結晶中の酸素量
が低くなり過ぎる。本発明の窒素ガス雰囲気下でド−プ
された窒素は少量であるため、窒化ケイ素の結晶を生成
せず、シリコン単結晶の引上げに悪影響を与えない。
【０００９】窒素をド−プすると共に、さらに炭素を少
量ド−プすると、引き上げるシリコン単結晶のＯＩＳＦ
の低減に一層効果的である。好適な炭素の濃度は３０〜
１、０００ｐｐｍである。３０ｐｐｍ より少ないと炭
素をド−プした効果が発現せず、また１，０００ｐｐｍ
を越えると不純物としての影響が強くなるので好ましく
ない。炭素のド−プ方法としては、窒素雰囲気中にＣＯ
２ガスを混入し、窒素ド−プの場合と同様に、ア−ク焔
を直接ルツボ内表面に当てることにより窒素と同時に炭
素をルツボ内表面層に含有させることができる。このと
きのＣＯ２濃度は ５〜２０ｖｏｌ％が好適である。
５％未満では炭素がルツボに取り込まれ難く、２０％を
越えるとルツボ内表面層の炭素濃度が１，０００ｐｐｍ
を越えるため好ましくない。雰囲気の窒素ガスと炭酸ガ
スとの混合比を変えることにより、ルツボ内表面層にド
−プされる窒素と炭素の割合を調整することができる。
量ド−プすると、引き上げるシリコン単結晶のＯＩＳＦ
の低減に一層効果的である。好適な炭素の濃度は３０〜
１、０００ｐｐｍである。３０ｐｐｍ より少ないと炭
素をド−プした効果が発現せず、また１，０００ｐｐｍ
を越えると不純物としての影響が強くなるので好ましく
ない。炭素のド−プ方法としては、窒素雰囲気中にＣＯ
２ガスを混入し、窒素ド−プの場合と同様に、ア−ク焔
を直接ルツボ内表面に当てることにより窒素と同時に炭
素をルツボ内表面層に含有させることができる。このと
きのＣＯ２濃度は ５〜２０ｖｏｌ％が好適である。
５％未満では炭素がルツボに取り込まれ難く、２０％を
越えるとルツボ内表面層の炭素濃度が１，０００ｐｐｍ
を越えるため好ましくない。雰囲気の窒素ガスと炭酸ガ
スとの混合比を変えることにより、ルツボ内表面層にド
−プされる窒素と炭素の割合を調整することができる。
【００１０】なお炭素含有内表面を有するルツボとして
、例えば炭化ケイ素ルツボの使用が考えられるが、この
場合は、引上げるシリコン単結晶中に多量の炭素が随伴
し、ウェハ−の品質を悪くする。更にシリコン単結晶中
に炭素が１ ×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上入ると、
酸素の異常析出を起すため好ましくない。本発明の方法
でド−プされる炭素は少量であるため、シリコン単結晶
に悪影響を与えない。
、例えば炭化ケイ素ルツボの使用が考えられるが、この
場合は、引上げるシリコン単結晶中に多量の炭素が随伴
し、ウェハ−の品質を悪くする。更にシリコン単結晶中
に炭素が１ ×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上入ると、
酸素の異常析出を起すため好ましくない。本発明の方法
でド−プされる炭素は少量であるため、シリコン単結晶
に悪影響を与えない。
【００１１】実施例１
炉内を窒素ガス雰囲気とし（表１）、アーク溶解回転モ
ールド法により、アーク焔を直接内面にあてながら石英
ガラスルツボを製作した。このルツボの内表面層の厚さ
１ｍｍの部分の窒素および炭素の分析値はそれぞれ２０
０ｐｐｍおよび３０ｐｐｍ 以下であった。この石英ル
ツボを用いてＮ型シリコン単結晶を引き上げ、シリコン
ウェハーを製造した。単結晶の中央部に該当するシリコ
ウェハーについてＯＩＳＦを測定したところ６００個／
ｃｍ２ であった。この結果を表１に示した。
ールド法により、アーク焔を直接内面にあてながら石英
ガラスルツボを製作した。このルツボの内表面層の厚さ
１ｍｍの部分の窒素および炭素の分析値はそれぞれ２０
０ｐｐｍおよび３０ｐｐｍ 以下であった。この石英ル
ツボを用いてＮ型シリコン単結晶を引き上げ、シリコン
ウェハーを製造した。単結晶の中央部に該当するシリコ
ウェハーについてＯＩＳＦを測定したところ６００個／
ｃｍ２ であった。この結果を表１に示した。
【００１２】実施例２〜４
炉内のガス組織を変えたほかは実施例１と同様にして、
内面を窒素および炭素でドープした石英ルツボを制作し
た。ガス組成および製作された各ルツボの内表面層の窒
素および炭素の分析値を表１に示した。これらのルツボ
を用い、実施例１と同様にしてＮ型シリコン単結晶を引
き上げ、それぞれの単結晶の中央部に相当するシリコン
ウェハーについてＯＩＳＦを測定した。この結果を表１
に示した。
内面を窒素および炭素でドープした石英ルツボを制作し
た。ガス組成および製作された各ルツボの内表面層の窒
素および炭素の分析値を表１に示した。これらのルツボ
を用い、実施例１と同様にしてＮ型シリコン単結晶を引
き上げ、それぞれの単結晶の中央部に相当するシリコン
ウェハーについてＯＩＳＦを測定した。この結果を表１
に示した。
【００１３】比較例１
従来の石英ガラスルツボを使用して実施例と同条件でシ
リコン単結晶を引き上げ、ウェハーを採取してＯＩＳＦ
を測定した。この結果をルツボ内表面層の分析値ととも
に表１に示した。
リコン単結晶を引き上げ、ウェハーを採取してＯＩＳＦ
を測定した。この結果をルツボ内表面層の分析値ととも
に表１に示した。
【００１４】比較例２
実施例１と同様窒素雰囲気中で製作した石英ルツボのな
かで、内表面層の窒素含有量６，０００ｐｐｍのルツボ
を用いてシリコン単結晶を引き上げたところ、引き上げ
中に窒化ケイ素が発生したため引き上げを中断した。
かで、内表面層の窒素含有量６，０００ｐｐｍのルツボ
を用いてシリコン単結晶を引き上げたところ、引き上げ
中に窒化ケイ素が発生したため引き上げを中断した。
【００１５】比較例３
ルツボ製作時の雰囲気ガス組織をＮ２ガス６０％ ，Ｃ
Ｏ２ガス４０ｖｏｌ％として製作した石英ルツボ内表面
層の窒素および炭素の含有量は各々４，０００ｐｐｍお
よび１，２００ｐｐｍであった。 このルツボを用いて引き上げたシリコン単結晶中には酸
素の異常析出が発生し、採取されたシリコンウェハーの
ＯＩＳＦは１，０００個／ｃｍ２に達し不良品であった
。
Ｏ２ガス４０ｖｏｌ％として製作した石英ルツボ内表面
層の窒素および炭素の含有量は各々４，０００ｐｐｍお
よび１，２００ｐｐｍであった。 このルツボを用いて引き上げたシリコン単結晶中には酸
素の異常析出が発生し、採取されたシリコンウェハーの
ＯＩＳＦは１，０００個／ｃｍ２に達し不良品であった
。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明の石英ルツボは、
引き上げたシリコン単結晶のＯＩＳＦの発生率が格段に
少なく、ウェハーの製造歩留まりが向上し、かつデバイ
スの信頼性が向上する。
引き上げたシリコン単結晶のＯＩＳＦの発生率が格段に
少なく、ウェハーの製造歩留まりが向上し、かつデバイ
スの信頼性が向上する。
Claims (2)
- 【請求項１】 内表面層の窒素含有量が１００ 〜４
，０００ｐｐｍであるシリコン単結晶引き上げ用石英ル
ツボ。 - 【請求項２】 内表面層の窒素含有量が１００ 〜４
，０００ｐｐｍであり、かつ炭素含有量が３０〜１，０
００ｐｐｍである請求項１の石英ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15108891A JPH0791148B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15108891A JPH0791148B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349191A true JPH04349191A (ja) | 1992-12-03 |
| JPH0791148B2 JPH0791148B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=15511068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15108891A Expired - Lifetime JPH0791148B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791148B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999040242A1 (en) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crucible and method of preparation thereof |
| DE102008033945B4 (de) * | 2008-07-19 | 2012-03-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotiertem Quarzglas sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Quarzglaskörnung, Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasstrangs und Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels |
| KR20230163459A (ko) | 2021-05-25 | 2023-11-30 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 및 실리콘 단결정의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP15108891A patent/JPH0791148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| WO1999040242A1 (en) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crucible and method of preparation thereof |
| DE102008033945B4 (de) * | 2008-07-19 | 2012-03-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotiertem Quarzglas sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Quarzglaskörnung, Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasstrangs und Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels |
| KR20230163459A (ko) | 2021-05-25 | 2023-11-30 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 및 실리콘 단결정의 제조 방법 |
| DE112022002801T5 (de) | 2021-05-25 | 2024-04-04 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel, herstellungsverfahren dafür und herstellungsverfahren für silicium-einkristall |
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| JPH0791148B2 (ja) | 1995-10-04 |
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