JPH0434625B2 - - Google Patents
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- JPH0434625B2 JPH0434625B2 JP61153411A JP15341186A JPH0434625B2 JP H0434625 B2 JPH0434625 B2 JP H0434625B2 JP 61153411 A JP61153411 A JP 61153411A JP 15341186 A JP15341186 A JP 15341186A JP H0434625 B2 JPH0434625 B2 JP H0434625B2
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- electroless copper
- copper plating
- plating solution
- resist
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 82
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 2
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- -1 PH adjuster Substances 0.000 claims 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は無電解銅めつき法に関する。
（従来の技術）
無電解銅めつき液を用いてプリント配線板を製
造する方法として、無電解銅めつき反応の触媒を
含有する接着剤層付き絶縁板を用い、導体配線と
なる部分以外にめつきレジスト形成し、導体配線
と接着剤層付き絶縁板との接着力を付与するため
に接着剤層表面を粗化した後、無電解銅めつきで
導体配線を形成する方法がある。 （発明が解決しようとする問題点） この方法は、めつきレジストの溝部分にめつき
で導体を形成するのでめつきレジストの解像度ま
で導体寸法精度をあげられること、無電解銅めつ
きは電気めつきに比べてめつきのつきまわり性が
優れているので小径スルーホール壁ににも均一な
めつき膜厚が得られること、この２の特長のため
めつきレジストを形成した後無電解銅めつきによ
つて導体を形成する方法はプリント配線板の配線
の高密度化に適している。 しかし、無電解銅めつきは非配線部分（レジス
ト上）にもめつきが析出する場合があり、この不
良発生が高密度配線めつきをする上での問題であ
つた。 本発明は非配線部分（レジスト上）へ銅析出不
良が発生しない無電解銅めつき法を提供するもの
である。 （問題点を解決するための手段） 本発明は絶縁性基板表面の導体配線となる部分
以外にめつきレジストを形成した後、無電解銅め
つきで導体配線を形成する方法に於て、使用する
無電解銅めつき液が銅イオン、銅イオンの錯化
剤、還元剤、PH調整剤、水、αα′−ジピリジルお
よび一般式R1O（―CH2CH2O）―nR2（R1、R2は水
素原子、炭素素１〜18のアルキル基、アルケニル
基である。但しR1、R2の両方が水素原子の場合
は含まない。）で表わされるポリオキシエチレン
エーテルを含有する無電解銅めつき液であるこ
と、無電解銅めつき工程を２工程に分けること、
第１工程の無電解銅めつき液の銅イオン、PH調整
剤および還元剤の内少くとも還元剤濃度を第２工
程の無電解銅めつき液の濃度よりも低濃度にする
ことによつてめつき活性を下げること、第１工程
の無電解銅めつき液への浸漬時間が５時間以下で
あることを特徴とする無電解銅めつき法である。 本発明で用いるプリント配線基板は、例えばめ
つき皮膜との接着力が付与できる接着剤層付絶縁
板であり、その接着剤層にはPdなどの無電解銅
めつき反応を開始させるめつき触媒を含有させた
ものが好ましい。めつきレジストは紫外線硬化型
のドライフイルム、紫外線硬化型インク、熱硬化
型インクなどが用いられる。 無電解銅めつき液は銅イオン、銅イオンの錯化
剤、還元剤、PH調整剤、水、αα′−ジピリジルお
よび一般式R1O（―CH2CH2O）―nR2（R1、R2は水
素原子、炭素素１〜18のアルキル基、アルケニル
基である。但しR1、R2の両方が水素原子の場合
は含まない。）で表わされるポリオキシエチレン
エーテルを含有する無電解銅めつき液であり、一
般のプリント配線板の導体厚さである30μｍ以上
までめつきが可能であり、またプリント配線板の
導体としての信頼性を有するものである。 従来、無電解銅めつきは一工程でおこなつてい
たが、本発明では２工程に分ける。第２工程のめ
つき液組成は、従来おこなつているめつき液組成
と同じであり、第１工程、第２工程のめつきで得
られるめつき膜厚の７割以上をこの工程でめつき
する。 第１工程のめつき液組成は、銅イオン、PH調整
剤および還元剤濃度の内少くとも還元剤を第２工
程の無電解銅めつき液の濃度よりも低濃度にする
ことによつてめつき活性を下げる。その濃度は第
２めつき工程のめつき析出速度の７割以下に第１
めつき工程のめつき析出速度が下るようにする。
第１工程のめつき時間は５時間以下である。５時
間を越えると、めつきの不析出個所が発生したり
めつき皮膜の特性が低下したりする。また短いと
非配線部分へのめつき析出の抑制効果が低下す
る。したがつて、30分から５時間の間で選ばれ
る。 （作用） レジスト上へのめつき析出は種々の検討の結
果、接着剤層付絶縁板にめつきレジストを形成し
た後、めつき導体と基板との接着力を付与するた
めにおこなつた接着剤層の粗化工程でPdなどの
めつき触媒を含有している粗化脆弱層が作られこ
の脆弱層からはがれた粒子がレジスト上に付着
し、この粒子に含まれるめつき触媒をもとにして
めつきが析出するものと推定された。本発明で第
１工程のめつき特性を下げることによつてレジス
ト上へのめつき析出が無くなつた。第１工程の低
活性めつき液では脆弱層からできた粒子に含まれ
るめつき触媒ではめつきが析出しないこと、第１
工程のめつき液への浸漬時間中にレジスト上に付
着した脆弱層からできた粒子が脱落するものと思
われる。次に第２工程のめつき液に浸漬し、所望
のめつき厚さまでめつきをおこなう。この方法に
よつてめつきレジスト上にめつき析出のないプリ
ント配線板の製造が可能となる。 本発明は、このように特定の組成を用いること
と、めつき工程を２段に分けることによつて、初
めて初期の目的である非配線部分へ銅析出不良が
発生しないようにできることの知見を得た結果、
なされたものである。 実施例 接着剤層付絶縁板（日立化成製、商品名ACL
−Ｅ−168）に紫外線硬化型ドライフイルム（日
立化成製、商品名SR−3000）を用いてめつきレ
ジストを形成した。次にクロム酸、硫酸を含む化
学粗化液に浸漬しめつきレジストで覆われていな
い接着剤層の表面を粗化した。次に温度が70±20
である組成(A)の第１工程のめつき液に３時間浸漬
した。次に温度が70±２℃である組成(B)の第２工
程のめつき液に12時間浸漬した。めつきレジスト
上への銅析出不良発生は見られなかつた。
造する方法として、無電解銅めつき反応の触媒を
含有する接着剤層付き絶縁板を用い、導体配線と
なる部分以外にめつきレジスト形成し、導体配線
と接着剤層付き絶縁板との接着力を付与するため
に接着剤層表面を粗化した後、無電解銅めつきで
導体配線を形成する方法がある。 （発明が解決しようとする問題点） この方法は、めつきレジストの溝部分にめつき
で導体を形成するのでめつきレジストの解像度ま
で導体寸法精度をあげられること、無電解銅めつ
きは電気めつきに比べてめつきのつきまわり性が
優れているので小径スルーホール壁ににも均一な
めつき膜厚が得られること、この２の特長のため
めつきレジストを形成した後無電解銅めつきによ
つて導体を形成する方法はプリント配線板の配線
の高密度化に適している。 しかし、無電解銅めつきは非配線部分（レジス
ト上）にもめつきが析出する場合があり、この不
良発生が高密度配線めつきをする上での問題であ
つた。 本発明は非配線部分（レジスト上）へ銅析出不
良が発生しない無電解銅めつき法を提供するもの
である。 （問題点を解決するための手段） 本発明は絶縁性基板表面の導体配線となる部分
以外にめつきレジストを形成した後、無電解銅め
つきで導体配線を形成する方法に於て、使用する
無電解銅めつき液が銅イオン、銅イオンの錯化
剤、還元剤、PH調整剤、水、αα′−ジピリジルお
よび一般式R1O（―CH2CH2O）―nR2（R1、R2は水
素原子、炭素素１〜18のアルキル基、アルケニル
基である。但しR1、R2の両方が水素原子の場合
は含まない。）で表わされるポリオキシエチレン
エーテルを含有する無電解銅めつき液であるこ
と、無電解銅めつき工程を２工程に分けること、
第１工程の無電解銅めつき液の銅イオン、PH調整
剤および還元剤の内少くとも還元剤濃度を第２工
程の無電解銅めつき液の濃度よりも低濃度にする
ことによつてめつき活性を下げること、第１工程
の無電解銅めつき液への浸漬時間が５時間以下で
あることを特徴とする無電解銅めつき法である。 本発明で用いるプリント配線基板は、例えばめ
つき皮膜との接着力が付与できる接着剤層付絶縁
板であり、その接着剤層にはPdなどの無電解銅
めつき反応を開始させるめつき触媒を含有させた
ものが好ましい。めつきレジストは紫外線硬化型
のドライフイルム、紫外線硬化型インク、熱硬化
型インクなどが用いられる。 無電解銅めつき液は銅イオン、銅イオンの錯化
剤、還元剤、PH調整剤、水、αα′−ジピリジルお
よび一般式R1O（―CH2CH2O）―nR2（R1、R2は水
素原子、炭素素１〜18のアルキル基、アルケニル
基である。但しR1、R2の両方が水素原子の場合
は含まない。）で表わされるポリオキシエチレン
エーテルを含有する無電解銅めつき液であり、一
般のプリント配線板の導体厚さである30μｍ以上
までめつきが可能であり、またプリント配線板の
導体としての信頼性を有するものである。 従来、無電解銅めつきは一工程でおこなつてい
たが、本発明では２工程に分ける。第２工程のめ
つき液組成は、従来おこなつているめつき液組成
と同じであり、第１工程、第２工程のめつきで得
られるめつき膜厚の７割以上をこの工程でめつき
する。 第１工程のめつき液組成は、銅イオン、PH調整
剤および還元剤濃度の内少くとも還元剤を第２工
程の無電解銅めつき液の濃度よりも低濃度にする
ことによつてめつき活性を下げる。その濃度は第
２めつき工程のめつき析出速度の７割以下に第１
めつき工程のめつき析出速度が下るようにする。
第１工程のめつき時間は５時間以下である。５時
間を越えると、めつきの不析出個所が発生したり
めつき皮膜の特性が低下したりする。また短いと
非配線部分へのめつき析出の抑制効果が低下す
る。したがつて、30分から５時間の間で選ばれ
る。 （作用） レジスト上へのめつき析出は種々の検討の結
果、接着剤層付絶縁板にめつきレジストを形成し
た後、めつき導体と基板との接着力を付与するた
めにおこなつた接着剤層の粗化工程でPdなどの
めつき触媒を含有している粗化脆弱層が作られこ
の脆弱層からはがれた粒子がレジスト上に付着
し、この粒子に含まれるめつき触媒をもとにして
めつきが析出するものと推定された。本発明で第
１工程のめつき特性を下げることによつてレジス
ト上へのめつき析出が無くなつた。第１工程の低
活性めつき液では脆弱層からできた粒子に含まれ
るめつき触媒ではめつきが析出しないこと、第１
工程のめつき液への浸漬時間中にレジスト上に付
着した脆弱層からできた粒子が脱落するものと思
われる。次に第２工程のめつき液に浸漬し、所望
のめつき厚さまでめつきをおこなう。この方法に
よつてめつきレジスト上にめつき析出のないプリ
ント配線板の製造が可能となる。 本発明は、このように特定の組成を用いること
と、めつき工程を２段に分けることによつて、初
めて初期の目的である非配線部分へ銅析出不良が
発生しないようにできることの知見を得た結果、
なされたものである。 実施例 接着剤層付絶縁板（日立化成製、商品名ACL
−Ｅ−168）に紫外線硬化型ドライフイルム（日
立化成製、商品名SR−3000）を用いてめつきレ
ジストを形成した。次にクロム酸、硫酸を含む化
学粗化液に浸漬しめつきレジストで覆われていな
い接着剤層の表面を粗化した。次に温度が70±20
である組成(A)の第１工程のめつき液に３時間浸漬
した。次に温度が70±２℃である組成(B)の第２工
程のめつき液に12時間浸漬した。めつきレジスト
上への銅析出不良発生は見られなかつた。
【表】
【表】
になる量
めつき析出速度 (μm／h) 1.6 2.5
比較例 実施例と同様の材料、工程で粗化までおこない
次に実施例の組成(B)の条件のめつき液に14時間浸
漬してめつきをおこなつた。 めつきレジスト上への銅析出不良発生率は30％
であつた。（発生率はプリント配線板50枚製造し
析出不良が発生したものの百分率である） （発明の効果） 本発明においてはめつきレジスト上への銅析出
不良がなくなり、高密度プリント配線板の製造が
可能になる。
めつき析出速度 (μm／h) 1.6 2.5
比較例 実施例と同様の材料、工程で粗化までおこない
次に実施例の組成(B)の条件のめつき液に14時間浸
漬してめつきをおこなつた。 めつきレジスト上への銅析出不良発生率は30％
であつた。（発生率はプリント配線板50枚製造し
析出不良が発生したものの百分率である） （発明の効果） 本発明においてはめつきレジスト上への銅析出
不良がなくなり、高密度プリント配線板の製造が
可能になる。
Claims (1)
- １ 絶縁性基板表面の導体配線となる部分以外に
めつきレジストを形成した後、無電解銅めつきで
導体配線を形成する無電解銅めつき法に於て使用
する無電解銅めつき液が銅イオン、銅イオンの錯
化剤、還元剤、PH調整剤、水、αα′−ジピリジル
および一般式R1O（―CH2CH2O）―nR2（R1、R2は
水素原子、炭素素１〜18のアルキル基、アルケニ
ル基である。但しR1、R2の両方が水素原子の場
合は含まない。）で表わされるポリオキシエチレ
ンエーテルを含有する無電解銅めつき液であるこ
と、無電解銅めつき工程を２工程に分けること、
第１工程の無電解銅めつき液の銅イオン、PH調整
剤および還元剤の内少くとも還元剤濃度を第２工
程の無電解銅めつき液の濃度よりも低濃度にする
ことによつてめつき活性を下げること、第１工程
の無電解銅めつき液への浸漬時間が５時間以下で
あることを特徴とする無電解銅めつき法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341186A JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341186A JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311678A JPS6311678A (ja) | 1988-01-19 |
| JPH0434625B2 true JPH0434625B2 (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=15561902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15341186A Granted JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311678A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1340994C (en) | 1989-09-21 | 2000-05-16 | Rudolf Edgar Dr. Falk | Treatment of conditions and disease |
| US6136793A (en) * | 1992-02-20 | 2000-10-24 | Hyal Pharmaceutical Corporation | Formulations containing hyaluronic acid |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178744A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Hitachi Ltd | Mudenkaidometsukieki |
| JPS58133365A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15341186A patent/JPS6311678A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178744A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Hitachi Ltd | Mudenkaidometsukieki |
| JPS58133365A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311678A (ja) | 1988-01-19 |
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