JPH04343457A - Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device - Google Patents

Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device

Info

Publication number
JPH04343457A
JPH04343457A JP3116344A JP11634491A JPH04343457A JP H04343457 A JPH04343457 A JP H04343457A JP 3116344 A JP3116344 A JP 3116344A JP 11634491 A JP11634491 A JP 11634491A JP H04343457 A JPH04343457 A JP H04343457A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
package
state image
solid
moisture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3116344A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Shoji
庄司 浩士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3116344A priority Critical patent/JPH04343457A/en
Publication of JPH04343457A publication Critical patent/JPH04343457A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To improve moisture resistance without almost increasing thickness of a thermosetting resin package of a solid state image pickup device. CONSTITUTION:A package body 1 of thermosetting resin of a solid state image pickup device is so mounted at a jig as to expose only a bottom, and a moisture permeation preventive layer 7 is provided in the bottom of the exposed body 1 by a coating method, a sputtering method, a vapor-depositing method, etc. A laminated ceramic package or a CERDIP package having the same shape and size and equivalent moisture resistance are obtained. Then, productivity can be improved without reducing reliability and its cost can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子パッケ
ージの耐湿性の向上方法および高耐湿固体撮像装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for improving the moisture resistance of a solid-state imaging device package and a highly moisture-resistant solid-state imaging device.

【0002】0002

【従来の技術】近年、固体撮像装置(以降、CCDと略
称する。)は各種のビデオカメラ、ムービーと呼ばれて
いるカメラ一体型VTRあるいは電子スチルカメラ(ス
チルビデオカメラ)などに多数使用されるようになって
きており、特にムービーの普及率の高まりとともにCC
Dに対する小型化、低価格化の要求は厳しくなってきて
いる。
[Background Art] In recent years, solid-state imaging devices (hereinafter abbreviated as CCD) have been widely used in various video cameras, camera-integrated VTRs called movie cameras, and electronic still cameras (still video cameras). In particular, as the popularity of movies increases, CC
Demand for D to be smaller and lower in price is becoming stricter.

【0003】現在、ムービーに使用されている1/2イ
ンチCCDあるいは1/3インチCCDのパッケージは
、積層セラミックパッケージあるいはサーディップパッ
ケージが使用されているが、生産性およびコストダウン
の面から熱硬化性樹脂を成形したプラスチックモールド
パッケージが注目されてきている。
Currently, the 1/2 inch CCD or 1/3 inch CCD packages used in movies are laminated ceramic packages or cerdip packages, but from the viewpoint of productivity and cost reduction, thermosetting is used. Plastic mold packages made of synthetic resin are attracting attention.

【0004】しかしながら、熱硬化性樹脂プラスチック
モールドパッケージ(以降、熱硬化性樹脂パッケージと
略称する。)の場合、従来より使用されている積層セラ
ミックパッケージあるいはサーディップパッケージに比
べて耐湿性に問題がある。
However, in the case of thermosetting resin plastic mold packages (hereinafter abbreviated as thermosetting resin packages), there is a problem in moisture resistance compared to the conventionally used laminated ceramic packages or cerdip packages. .

【0005】熱硬化性樹脂は熱可塑性樹脂に比べて水の
拡散係数が大きく、水分の浸入はバルク中を拡散してく
る分が最も多くなる。熱硬化性樹脂パッケージの場合、
水分浸入経路はバルクの中でもパッケージの底面からの
浸入が支配的であることが判明した。
[0005] Thermosetting resins have a larger water diffusion coefficient than thermoplastic resins, and the largest amount of moisture infiltrates through the bulk. For thermoset resin packages,
It was found that the predominant route for moisture infiltration is from the bottom of the package, even in the bulk.

【0006】したがって、熱硬化性樹脂パッケージで耐
湿性を向上させるためには底面からの水分浸入を防止す
ればよい。そのためにはパッケージの底面の厚さを増加
させてやればよく、底面の厚さを従来の積層セラミック
パッケージあるいはサーディップパッケージ並みの1m
mから1.7mmに増加させることにより、121℃相
対湿度100%の条件のプレッシャークッカーテスト(
PCT2)での平均結露寿命が約2倍に延長されること
が確認された。
[0006] Therefore, in order to improve the moisture resistance of a thermosetting resin package, it is sufficient to prevent moisture from entering from the bottom surface. To achieve this, it is sufficient to increase the thickness of the bottom surface of the package.
By increasing the thickness from m to 1.7 mm, the pressure cooker test at 121°C and 100% relative humidity (
It was confirmed that the average condensation life in PCT2) was extended by about twice.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにパッケージの底面の厚さを増加させて耐湿性の向上
をはかった場合、たとえ0.7mmであってもパッケー
ジの設計変更になるばかりでなく、近年、小型化への進
展がいちじるしいムービー用のCCDには好ましくない
[Problem to be Solved by the Invention] However, if the thickness of the bottom of the package is increased in this way to improve moisture resistance, even if it is 0.7 mm, not only will the design of the package be changed. This is not desirable for CCDs for movies, which have seen significant progress toward miniaturization in recent years.

【0008】したがって、生産性がよく低価格な熱硬化
性樹脂を使用して、現状の厚さを維持しながら1/2イ
ンチCCDあるいは1/3インチCCD用の高耐湿パッ
ケージを作成することは困難である。その上、今後のC
CDの方向としては、ムービーの小型化にともなってま
すますサイズが小型化されていくことが予測され、パッ
ケージの底面の厚さはますます薄くする必要があり、底
面の厚さを増加させてパッケージの耐湿効果を高めるこ
とは不可能となる。
Therefore, it is impossible to create a highly moisture-resistant package for 1/2 inch CCD or 1/3 inch CCD while maintaining the current thickness using a highly productive and low-cost thermosetting resin. Have difficulty. Moreover, future C
In terms of the direction of CDs, it is predicted that the size will become smaller and smaller as movies become smaller, and the bottom of the package will need to be thinner and thinner. It becomes impossible to increase the moisture resistance effect of the package.

【0009】この発明の目的は、パッケージの底面の厚
さをほとんど増加することなく、耐湿効果を高めたパッ
ケージを提供することである。
An object of the present invention is to provide a package with improved moisture resistance without substantially increasing the thickness of the bottom surface of the package.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】先に述べたような課題を
解決するために、この発明は、固体撮像素子用パッケー
ジの底面に水分透過防止層を形成する固体撮像素子パッ
ケージの耐湿性向上方法、およびこの方法により水分透
過防止層を形成した高耐湿CCDを提案する。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for improving the moisture resistance of a solid-state image sensor package by forming a moisture permeation prevention layer on the bottom surface of the solid-state image sensor package. , and a highly moisture-resistant CCD in which a moisture permeation prevention layer is formed using this method.

【0011】[0011]

【作用】この発明では、固体撮像素子用パッケージの底
面に水分透過防止層を形成する固体撮像素子パッケージ
の耐湿性向上方法を採用することにより、この耐湿性向
上方法により水分透過防止層を形成した高耐湿CCDは
、熱硬化性樹脂パッケージを採用していながら、積層セ
ラミックパッケージあるいはサーディップパッケージと
同じ形状、大きさで積層セラミックパッケージあるいは
サーディップパッケージと同等の耐湿性を得ることがが
できる。
[Operation] In this invention, by adopting a method for improving moisture resistance of a solid-state image sensor package in which a moisture permeation prevention layer is formed on the bottom surface of a solid-state image sensor package, the moisture permeation prevention layer is formed by this moisture resistance improvement method. Although a high humidity resistant CCD employs a thermosetting resin package, it can have the same shape and size as a multilayer ceramic package or a cerdip package, and can obtain moisture resistance equivalent to that of a multilayer ceramic package or a cerdip package.

【0012】0012

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】図1はこの発明の水分透過防止層形成方法
にて耐湿性を向上したCCDの断面図、図2および図3
はCCDの底面のみに水分透過防止層を形成させるため
の治具の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a CCD with improved moisture resistance using the method of forming a moisture permeation prevention layer of the present invention, and FIGS. 2 and 3
1 is a sectional view of a jig for forming a moisture permeation prevention layer only on the bottom surface of a CCD.

【0014】図1において、1は熱硬化性樹脂を成形し
て作成したパッケージ本体、2はパッケージ本体1の中
央に設けられた凹部ににマウントされたCCDチップ、
3はリードフレームで、リードフレーム3のインナーリ
ードとCCDチップ2の電極間をボンディングワイヤ4
で結線し、パッケージ本体1の上部の窪みにシールガラ
ス5をシール樹脂6でシールし、最後にリードフレーム
3のアウターリード部分が図1に示すように曲げ加工さ
れて熱硬化性樹脂パッケージのCCDは完成する。
In FIG. 1, 1 is a package body made by molding a thermosetting resin, 2 is a CCD chip mounted in a recess provided in the center of the package body 1,
3 is a lead frame, and a bonding wire 4 is connected between the inner lead of the lead frame 3 and the electrode of the CCD chip 2.
The sealing glass 5 is sealed in the recess at the top of the package body 1 with the sealing resin 6.Finally, the outer lead portion of the lead frame 3 is bent as shown in FIG. 1 to form a CCD in a thermosetting resin package. is completed.

【0015】この発明の高耐湿CCDは、図2あるいは
図3に示すように箱状あるいは板状の治具8に1/2イ
ンチCCDあるいは1/3インチCCDのパッケージ本
体1のサイズに合わせた穴9を設け、リードフレーム3
のアウターリード部分の曲げ加工がされる以前の、アウ
ターリード部分が直線状態を保っているパッケージ本体
1の底面のみを治具8から露出させるように穴9に複数
個装着し、水分透過防止層7を形成する部分をパッケー
ジ本体1の底面に限定する方法で作成する。
As shown in FIG. 2 or 3, the highly moisture-resistant CCD of the present invention has a box-shaped or plate-shaped jig 8 fitted with a jig 8 that matches the size of the package body 1 of the 1/2 inch CCD or 1/3 inch CCD. Hole 9 is provided and lead frame 3
A plurality of pieces are installed in the holes 9 so that only the bottom surface of the package body 1, where the outer lead parts are kept in a straight state before the outer lead parts are bent, is exposed from the jig 8. The package body 1 is made by limiting the portion forming the package body 1 to the bottom surface of the package body 1.

【0016】パッケージ本体1の底面に水分透過防止層
7を形成する方法は、以下に説明するような4種類の方
法がある。
There are four methods for forming the moisture permeation prevention layer 7 on the bottom surface of the package body 1, as described below.

【0017】第1の方法は、図2に示す治具8の治具本
体8aの穴9にパッケージ本体1の底面を上にして装着
し、治具蓋8bを閉めることにより治具蓋8bに接着さ
れたクッション材10によりパッケージ本体1の受光面
が保持されて穴9に密着させられる。そして、パッケー
ジ本体1の底面に有機シリカ系のコーティング材料を、
ディッピング、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方
法でコーティングすることにより、パッケージ本体1の
底面のみににコーティングが行なわれる。そして、コー
ティングが行われたパッケージ本体1を紫外線照射およ
びまたは加熱することにより、パッケージ本体1の底面
に無機物の水分透過防止層7を形成する。この形成方法
を採用し、コーティング材料としてNHC.AT−70
7あるいはNHC.AT−720A(日産化学工業社製
)をパッケージ本体1の底面にディッピング処理したの
ち、紫外線照射およびまたは加熱したパッケージ本体1
の耐湿性は、PCT2での平均結露寿命が約1.4倍か
ら2倍に向上した。
The first method is to attach the package body 1 to the hole 9 of the jig body 8a of the jig 8 shown in FIG. The light-receiving surface of the package body 1 is held by the bonded cushioning material 10 and brought into close contact with the hole 9. Then, an organic silica-based coating material is applied to the bottom of the package body 1.
By coating by dipping, screen printing, gravure printing, or the like, only the bottom surface of the package body 1 is coated. Then, the coated package body 1 is irradiated with ultraviolet rays and/or heated to form an inorganic moisture permeation prevention layer 7 on the bottom surface of the package body 1. This formation method was adopted, and NHC. AT-70
7 or NHC. After dipping AT-720A (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) on the bottom of the package body 1, the package body 1 was irradiated with ultraviolet rays and/or heated.
The moisture resistance of PCT2 was improved from about 1.4 times to 2 times the average dew condensation life.

【0018】第2の方法も、やはり図2に示す治具8に
底面を下に装着されたパッケージ本体1にテフロン系の
はっ水性の樹脂をディッピングすることにより、パッケ
ージ本体1の底面のみにコーティングを行い、樹脂に含
まれている溶剤を高温あるいは室温にて蒸発させること
により、パッケージ本体1の底面に有機膜の水分透過防
止層7を形成する。この形成方法を採用し、非晶質テフ
ロン系のTEFLON.AF樹脂(Du  Pont社
製)をコーティング処理したのち、溶剤を蒸発させたパ
ッケージ本体1の耐湿性は、PCT2での平均結露寿命
が約2.3倍から3倍に向上した。
The second method also involves dipping Teflon-based water-repellent resin onto the package body 1, which is attached to the jig 8 with its bottom face down, as shown in FIG. A moisture permeation prevention layer 7 of an organic film is formed on the bottom surface of the package body 1 by coating and evaporating the solvent contained in the resin at high temperature or room temperature. By adopting this formation method, amorphous Teflon-based TEFLON. The moisture resistance of the package body 1, which was coated with AF resin (manufactured by Du Pont) and the solvent was evaporated, was improved from about 2.3 times to 3 times the average dew condensation life in PCT2.

【0019】第3の方法は、図3に示す治具8に底面を
下に装着されたパッケージ本体1に金属単体、2種以上
の金属あるいは合金、金属の酸化物あるいは複合酸化物
、金属の炭化物、金属のちっ化物、金属のほう化物、金
属のふっ化物などをパッケージ本体1の底面のみにスパ
ッタして水分透過防止層7を形成する。
In the third method, a single metal, two or more metals or alloys, an oxide or composite oxide of a metal, a metal oxide or a composite oxide, or a metal A moisture permeation prevention layer 7 is formed by sputtering carbide, metal nitride, metal boride, metal fluoride, etc. only on the bottom surface of the package body 1.

【0020】第4の方法は、図3に示す治具8に装着さ
れたCCDに金属単体、2種以上の金属あるいは合金、
金属の酸化物あるいは複合酸化物、金属の炭化物、金属
のちっ化物、金属のほう化物、金属のふっ化物などをパ
ッケージ本体1の底面のみに烝着して水分透過防止層7
を形成する。
A fourth method is to use a single metal, two or more metals or alloys, or a CCD mounted on a jig 8 shown in FIG.
A moisture permeation prevention layer 7 is formed by depositing a metal oxide or composite oxide, metal carbide, metal nitride, metal boride, metal fluoride, etc. only on the bottom surface of the package body 1.
form.

【0021】第3の方法あるいは第4の方法による水分
透過防止層7は以下に説明する物質で形成される。
The moisture permeation prevention layer 7 according to the third method or the fourth method is formed of the material described below.

【0022】Cr、Al、Au、Ag、Mo、Mn、F
e、Zn、Cu、W、Ti、V、Si、Geなどの金属
単体および2種以上の金属あるいは合金。SiO2 、
SiO、SiON、SnO2 、In2 O3 、Al
2 O3 、MgO、ITO、ZnO、TiO2 、T
a2 O5 などの金属の酸化物あるいは複合酸化物。 SiC、TiC、B4 C、BC、WC、Al4 Si
C5 、Al8 B4 C7 などの金属の炭化物。S
i3 N4 、AlN、BNなどの金属のちっ化物。T
iB2 、LaB6 などの金属のほう化物。B6 S
i、FeSi、CrSiなどの金属のけい化物(シリサ
イド)。MgF2 などの金属のふっ化物。またはこの
中の複数の物質の組み合わせおよび複合化合物も使用で
きる。
Cr, Al, Au, Ag, Mo, Mn, F
Single metals such as e, Zn, Cu, W, Ti, V, Si, Ge, and two or more metals or alloys. SiO2,
SiO, SiON, SnO2, In2O3, Al
2O3, MgO, ITO, ZnO, TiO2, T
Metal oxides or composite oxides such as a2 O5. SiC, TiC, B4C, BC, WC, Al4Si
Metal carbides such as C5, Al8 B4 C7. S
i3 Nitride of metals such as N4, AlN, and BN. T
Metal borides such as iB2 and LaB6. B6S
i, silicides of metals such as FeSi and CrSi. Metal fluorides such as MgF2. Alternatively, combinations and composite compounds of a plurality of these substances can also be used.

【0023】以上説明してきた4種類の方法により水分
透過防止層7を形成された高耐湿CCDは底面のみに水
分透過防止層7が形成され、他の部分、特にリードフレ
ーム3のアウターリード部分にははんだ接合時に、はん
だ接合性を悪化させる皮膜の形成を避けることができる
。そしてリードフレーム3のアウターリード部分が曲げ
加工がされて図1に示すような高耐湿CCDが完成する
。水分透過防止層7の膜厚としては0.1μmから10
0μmの範囲が有効である。
In the highly moisture-resistant CCD in which the moisture permeation prevention layer 7 is formed by the four methods described above, the moisture permeation prevention layer 7 is formed only on the bottom surface, and the moisture permeation prevention layer 7 is formed on other parts, especially the outer lead part of the lead frame 3. During soldering, it is possible to avoid the formation of a film that deteriorates solder bonding properties. The outer lead portion of the lead frame 3 is then bent to complete a highly moisture resistant CCD as shown in FIG. The thickness of the moisture permeation prevention layer 7 is from 0.1 μm to 10 μm.
A range of 0 μm is valid.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、固体
撮像素子用パッケージの底面に水分透過防止層を形成し
た固体撮像素子パッケージの耐湿性向上方法、およびこ
の方法により水分透過防止層を形成した高耐湿CCDを
採用することにより、熱硬化製樹脂パッケージの底面の
厚さの増加は100μm以下に抑えられ、CCDのパッ
ケージは設計変更とはならない状態を維持することが可
能となる。それ故、積層セラミックパッケージあるいは
サーディップパッケージと同じ形状、大きさの熱硬化製
樹脂パッケージで積層セラミックパッケージあるいはサ
ーディップパッケージと同等の耐湿性を得ることががで
き、信頼性を落とすことなく高耐湿CCDの生産性の向
上およびコストダウンの効果を得ることができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a method for improving the moisture resistance of a solid-state image sensor package in which a moisture permeation prevention layer is formed on the bottom surface of the solid-state image sensor package, and a moisture permeation prevention layer formed by this method. By employing the formed highly moisture-resistant CCD, the increase in the thickness of the bottom surface of the thermosetting resin package can be suppressed to 100 μm or less, making it possible to maintain the CCD package without requiring any design changes. Therefore, it is possible to obtain moisture resistance equivalent to that of a multilayer ceramic package or a cerdip package using a thermosetting resin package that has the same shape and size as a multilayer ceramic package or a cerdip package. It is possible to improve CCD productivity and reduce costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】この発明の水分透過防止層形成方法にて耐湿性
を向上したCCDの断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a CCD with improved moisture resistance using the method of forming a moisture permeation prevention layer of the present invention.

【図2】この発明の水分透過防止層形成方法に使用する
治具の第一の実施例の断面図。
FIG. 2 is a sectional view of a first embodiment of a jig used in the method of forming a moisture permeation prevention layer of the present invention.

【図3】この発明の水分透過防止層形成方法に使用する
治具の第二の実施例の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of a jig used in the method of forming a moisture permeation prevention layer of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    パッケージ本体 2    CCDチップ 3    リードフレーム 4    ボンディングワイヤ 5    シールガラス 6    シール樹脂 7    水分透過防止層 8    治具 8a    治具本体 8b    治具蓋 9    穴 10    クッション材 1 Package body 2 CCD chip 3 Lead frame 4 Bonding wire 5 Seal glass 6 Seal resin 7 Moisture permeation prevention layer 8 Jig 8a Jig body 8b Jig lid 9 holes 10 Cushion material

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】固体撮像素子用パッケージの底面に、有機
シリカ系コーティング材料をコーティングしたのち、前
記有機シリカ系コーティング材料に紫外線照射およびま
たは加熱により無機物の水分透過防止層を形成したこと
を特徴とする固体撮像素子パッケージの耐湿性向上方法
1. A bottom surface of a package for a solid-state image sensor is coated with an organic silica coating material, and then an inorganic moisture permeation prevention layer is formed on the organic silica coating material by irradiating ultraviolet rays and/or heating. A method for improving the moisture resistance of solid-state image sensor packages.
【請求項2】固体撮像素子用パッケージの底面に、テフ
ロン系のはっ水性樹脂をコーティングすることにより有
機膜の水分透過防止層を形成したことを特徴とする固体
撮像素子パッケージの耐湿性向上方法。
2. A method for improving moisture resistance of a solid-state imaging device package, comprising forming a moisture permeation prevention layer of an organic film on the bottom surface of the solid-state imaging device package by coating a Teflon-based water-repellent resin. .
【請求項3】固体撮像素子用パッケージの底面に、スパ
ッタ法により金属単体、2種以上の金属あるいは合金、
金属の酸化物あるいは複合酸化物、金属の炭化物、金属
のちっ化物、金属のほう化物、金属のけい化物、金属の
ふっ化物などの水分透過防止層を形成したことを特徴と
する固体撮像素子パッケージの耐湿性向上方法。
3. Sputtering a single metal, two or more metals or an alloy on the bottom surface of a package for a solid-state image sensor;
A solid-state image sensor package characterized by forming a moisture permeation prevention layer of metal oxide or composite oxide, metal carbide, metal nitride, metal boride, metal silicide, metal fluoride, etc. How to improve moisture resistance.
【請求項4】固体撮像素子用パッケージの底面に、蒸着
法により金属単体、2種以上の金属あるいは合金、金属
の酸化物あるいは複合酸化物、金属の炭化物、金属のち
っ化物、金属のほう化物、金属のけい化物、金属のふっ
化物などの水分透過防止層を形成したことを特徴とする
固体撮像素子パッケージの耐湿性向上方法。
4. A single metal, two or more metals or alloys, metal oxides or composite oxides, metal carbides, metal nitrides, and metal borides are deposited on the bottom surface of the solid-state imaging device package by vapor deposition. A method for improving the moisture resistance of a solid-state image sensor package, characterized in that a moisture permeation prevention layer of metal silicide, metal fluoride, or the like is formed.
【請求項5】請求項1〜4記載の方法により水分透過防
止層を形成したことを特徴とする高耐湿固体撮像装置。
5. A highly moisture-resistant solid-state imaging device, characterized in that a moisture permeation prevention layer is formed by the method according to claim 1.
JP3116344A 1991-05-21 1991-05-21 Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device Pending JPH04343457A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3116344A JPH04343457A (en) 1991-05-21 1991-05-21 Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3116344A JPH04343457A (en) 1991-05-21 1991-05-21 Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04343457A true JPH04343457A (en) 1992-11-30

Family

ID=14684626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3116344A Pending JPH04343457A (en) 1991-05-21 1991-05-21 Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04343457A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120848A (en) * 2015-12-28 2017-07-06 株式会社ニコン Substrate, imaging unit, and imaging apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120848A (en) * 2015-12-28 2017-07-06 株式会社ニコン Substrate, imaging unit, and imaging apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7768122B2 (en) Semiconductor package
JPS5815241A (en) Substrate for semiconductor device
JPS58158950A (en) Semiconductor device
JP2008130768A (en) Semiconductor device, and its manufacturing method
JP3885670B2 (en) Semiconductor device
KR20110075451A (en) Manufacturing method for integrated semiconductor power module substrate
JPH04343457A (en) Improving method for moisture resistance of solid state image pickup element package and high moisture resistant solid state image pickup device
WO2021233114A1 (en) Photosensitive chip assembly, camera module, and terminal device
JP2006324543A (en) Solid-state imaging device
JP4446977B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4388209B2 (en) Optical semiconductor element storage package
KR100318113B1 (en) Patterning method of titanium oxide thin film by combining microcontact printing method and selective chemical vapor deposition
JP6884062B2 (en) Wiring board
US6914330B2 (en) Heat sink formed of diamond-containing composite material with a multilayer coating
JP2002359314A (en) Package for housing image pickup device
JPS6142429B2 (en)
KR20170104758A (en) Metal PCB having multilayer structure and Manufacturing Method thereof
US20100134675A1 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JPH0756886B2 (en) Method of manufacturing semiconductor package
JP3937860B2 (en) Chip-type semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH02303052A (en) Semiconductor package
JP2006332200A (en) Lid for imaging device and imaging device using the same
JP4280096B2 (en) Filter member and package for storing solid-state image sensor using the same
JPS62152146A (en) Hard-coat plastic package
CN116072645A (en) Semiconductor package assembly and method of manufacturing the same