JP4446977B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、中空型樹脂パッケージの内部底面部に固着した半導体素子主面や中空パッケージ内部端子と半導体素子上の電極端子とを電気的に接続する導体や中空パッケージ内部端子を除く領域を低吸湿樹脂で覆った半導体装置の製造方法であり、高透湿度樹脂中に乾燥剤を混ぜた低吸湿性樹脂は中空内の湿気を強力に吸収し、材質は硬化後も低応力のシリコーンであるため、半導体素子への硬化収縮応力も極めて小さい等の特性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention provides a low moisture absorption area excluding a semiconductor element main surface fixed to an inner bottom surface of a hollow resin package, a conductor electrically connecting a hollow package internal terminal and an electrode terminal on the semiconductor element, and a hollow package internal terminal. a semiconductor equipment manufacturing method of covering with a resin, a low moisture absorbing resin mixed with desiccant in high humidity the resin was strongly absorb moisture in the hollow, the material is a silicone low stress after curing Therefore, the present invention relates to manufacturing method of a semiconductor device characterized by having characteristics such as curing shrinkage stress in the semiconductor element is extremely small.
以下、従来の撮像機能を有する半導体素子7を搭載した半導体装置14の構造を図19、図20を用いて説明を行い、その製造方法を図21(a)から図21(f)を用いて説明する。撮像機能を有する半導体素子7を搭載した従来の半導体装置14の斜視図と、そのA−A部断面図を図19および図20にそれぞれ示す。
Hereinafter, the structure of the
まず、従来の半導体装置14の構造はシリカゲルやモレキュラーシーブズ等の乾燥剤とシリカの混合微粒を混合した充填剤等を所定比で混合したエポキシ樹脂で形成される外囲器、その外囲器の中空底部に設けられたパッケージ底面2、パッケージ底面2より上方周囲に設けた内部端子3、外囲器最上部の封着面4、外囲器の外部側壁から延在し所定の形状に成形された外部端子5とを備えた中空型樹脂パッケージ1と、パッケージ底面2に熱硬化型樹脂からなる固着物6で取り付けられた撮像機能を有する半導体素子7と、半導体素子7の主面上周辺に設けられている電極端子9と、中空型樹脂パッケージ1の内部端子3と電極端子9を接続する導体10と、封着面4に熱或いは紫外線もしくは両者の性能を有する封着物11で封着されるガラス板12で構成される。
First, the structure of the
つぎに、従来の半導体装置14の製造方法を図21の断面フローチャート(a)から(f)を用いて説明する。
Next, a conventional method for manufacturing the
図21(a)は上記半導体装置14の説明に用いたパッケージ底面2、内部端子3、封着面4、外部端子5とを備えた中空型樹脂パッケージ1の断面を示す。
FIG. 21A shows a cross section of the
図21(b)はパッケージ底面2に適量の熱硬化型で導電性もしくは非導電性のペースト状固着物6を塗布した断面を示す。塗布の手段はディスペンサーに装着されたマルチノズルからパッケージ底面2の半導体素子7搭載部への塗出や、スタンパーに装着された転写部の転写面に付着させた固着物6をパッケージ底面2の半導体素子7搭載部へ転写により行う。
FIG. 21B shows a cross section in which an appropriate amount of a thermosetting type conductive or non-conductive paste-like fixed
図21(c)はパッケージ底面2に塗布された固着物6の上から半導体素子7を貼りつけた断面を示す。半導体素子7のパッケージ底面2への固着手段は中空型樹脂パッケージ1の所定の部分を基準にして、X方向、Y方向の2次元的位置および半導体素子7主面の基準面からの高さや傾斜を規定された範囲内に精度良く貼りつける。半導体素子7を精度良くパッケージ底面2に貼りつけた後150℃から180℃の温度条件で1時間から1.5時間加熱硬化することで半導体素子7をパッケージ底面2に固着を行う。
FIG. 21 (c) shows a cross section in which the
図21(d)は半導体素子7の主面8上周辺の電極端子9と中空型樹脂パッケージ1内部の内部端子3を導体10で接続した断面を示す。導体10の接続手段は10μmから35μm径の金線を用いて熱圧着と超音波接合を併用した合金化接合により行う。金線は先端部を放電により溶融して球状にし、これを電極端子9の上から120℃から180℃の温度と押圧加重10gfから20gf、超音波振動を加えて接続する。
FIG. 21 (d) shows a cross section in which the
図21(e)は封着面4に熱硬化型または紫外線硬化型もしくは両性能を備えたペースト状の有機封着物11を塗布した際の断面を示す。塗布の手段はディスペンサーに装着されたノズルから封着面4への描画塗布や、スタンパーに装着された転写部の転写面に付着させた封着物11を封着面4に溢れ出すことの無い適量を転写する。
FIG. 21 (e) shows a cross-section when the sealing
図21(f)は封着面4に塗布された封着物11の上から所定の厚みの透明ガラス板12を貼りつけた断面を示す。このガラス板12の表面はパッケージ基準面と平行を維持するように貼りあわせて仮固定し、その後ガラス板12を通して紫外線照射を行ったり、加熱することで封着物11を硬化して封着面4にガラス板12をしっかりと固定する。
FIG. 21 (f) shows a cross section in which a
上記の工程処理のようにして撮像機能を有する従来の半導体装置14が実現されていた。
The
しかしながら、従来の構成では乾燥剤を充填剤として含有する樹脂は、エポキシ系樹脂で構成されており、樹脂パッケージの中空部に拡散により進入したり、ガラス板を封着する際に取り込まれた湿気が乾燥剤に吸収されるにはエポキシ樹脂自身が拡散係数の小さい材料であるため時間を要し、従って高温多湿の雰囲気で使用されてパッケージ内に取り込まれた湿気が外部環境と平衡に達した状態で常温で使用するとガラス内面に結露する。そのために、一旦長時間(1時間以上)常温で保管し、過剰湿気が乾燥剤に吸収されるまで待機する必要があった。加えて長時間過剰湿気中に半導体素子がさらされるために、電極端子(ボンディングパッド)の腐食につながるという課題を有していた。 However, in the conventional configuration, the resin containing a desiccant as a filler is composed of an epoxy resin, and moisture that has been taken in when the glass plate is sealed by being diffused or entering the hollow portion of the resin package. As the epoxy resin itself is a material with a small diffusion coefficient, it takes time to be absorbed by the desiccant, so the moisture contained in the package used in a hot and humid atmosphere has reached equilibrium with the external environment. Condensation on the inner surface of glass when used at room temperature. For this purpose, it was necessary to store at room temperature for a long time (1 hour or longer) and wait until the excess moisture is absorbed by the desiccant. In addition, since the semiconductor element is exposed to excessive humidity for a long time, there is a problem that it leads to corrosion of the electrode terminal (bonding pad).
従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、中空型樹脂パッケージにおいて、前記パッケージの内部に半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子と前記パッケージの内部に有する内部配線とを電気的に接続する工程と、前記パッケージの内部であり前記半導体素子が載置された領域以外に隔壁を形成する工程と、前記パッケージを構成する樹脂材料よりも透湿性の高い吸湿性樹脂を、前記隔壁により隔てられて前記吸湿性樹脂が前記半導体素子に付着しない領域に塗布する工程とを有する。
本製造方法によって、半導体素子に機械的歪みの影響を与えず、パッケージ内部に存在する湿気は迅速にシリコーンゲル中の乾燥剤に吸収され、またその粘着性から塵埃を捕獲できる良好な半導体装置が実現することができる。
In order to solve the conventional problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of placing a semiconductor element inside the package in a hollow resin package, and an inside of the semiconductor element and the package. A step of electrically connecting wiring, a step of forming a partition outside the region inside the package where the semiconductor element is mounted, and a hygroscopic property having higher moisture permeability than a resin material constituting the package And applying a resin to a region separated by the partition and not adhering the hygroscopic resin to the semiconductor element.
By this manufacturing method, there is no influence of mechanical distortion on the semiconductor element, moisture existing inside the package is quickly absorbed by the desiccant in the silicone gel, and a good semiconductor device that can capture dust from its adhesiveness is obtained. Can be realized.
本発明によれば中空型樹脂パッケージの内部に存在する湿気が外部温度変化により、ガラス板内面に結露する問題が解決され、ゲル状吸湿性樹脂の表面が粘着性であることから撮像素子の大敵である塵埃の捕獲ができて、さらに半導体素子には機械的歪みの影響を及ぼさない等の高信頼性半導体装置が実現できる。 According to the present invention, the problem that moisture existing inside the hollow resin package is condensed on the inner surface of the glass plate due to a change in the external temperature is solved, and the surface of the gel-like hygroscopic resin is sticky, so the enemy of the imaging device. It is possible to realize a highly reliable semiconductor device that can capture the dust and that the semiconductor element is not affected by mechanical distortion.
本発明の実施の形態について図1から図18、図22、図23を用いて順次説明を行う。本発明の第1の実施の形態における半導体装置14の構造を図1および図2を用いて説明する。本発明の中空型樹脂パッケージ1構成材料はエポキシ樹脂、シリカの充填剤等を所定比で混合した熱硬化性封止樹脂15とFe−Ni合金リードフレームの各材質で形成される。中空型樹脂パッケージ1は外囲器と外囲器に形成された中空部と中空部周囲の封着面4と内部端子3とパッケージ底面2と外部端子5で構成される。各構成物の位置関係は中空型樹脂パッケージ1外囲器上面に中空部が設けられており、外囲器上面はガラス板12を貼りつける封着面4と中空部の開口を、中空内部は中間周辺面に撮像機能を有する半導体素子7主面上の電極端子9と接続するための内部端子3と下面に半導体素子7を搭載するためのパッケージ底面2を、外囲器外部側面は内部端子3と外部回路を接続するための外部端子5をそれぞれ備えている。また内部端子3と外部端子5の表面はAuでメッキされている。
Embodiments of the present invention will be described sequentially with reference to FIGS. 1 to 18, 22, and 23. The structure of the
このような構造の中空型樹脂パッケージ1のパッケージ底面2上にAgとエポキシ樹脂を主成分とする固着物6で半導体素子7が固着されており、半導体素子7主面周辺に配置されている前記電極端子9と中空型樹脂パッケージ1の内部端子3がAu細線から成る導体10で電気的に接続される。この形態の中空型樹脂パッケージ1中空部内の半導体素子7主面を除いたパッケージ底面2と内部端子3を覆うようにシリコーン樹脂にシリカゲルの微粉末充填剤と暗色顔料を混ぜた本発明のゲル状吸湿性樹脂13が滴下塗布され液面が平坦になってから加熱硬化され、中空型樹脂パッケージ1が傾斜した際に流動が生じない構造としている。この中空部を外部の多湿環境と遮断するために中空型樹脂パッケージ1外囲器封着面4上にエポキシ樹脂を主成分とする封着物11でガラス板12が貼りつけられ、最後に外部端子5が所望する形状に金型で切断成形される。
The
以下にシリコーン系ゲル状吸湿性樹脂13と従来の樹脂のヤング率、指触性、透湿度、熱伝導率における特性比較を示すが、それぞれの項目で本発明の半導体装置14に適用されるシリコーン系ゲル状吸湿性樹脂13は本発明の目的に対して従来のエポキシ系樹脂と同等もしくは優れた性能である。即ち中空型樹脂パッケージ1や半導体素子7に対する応力は低ヤング率、低応力化が図れ、進入した水分も高透湿度のためゲル状吸湿性樹脂13に混ぜた粉末乾燥剤(シリカゲルやモレキュラーシーブズ)に早く吸収され内部結露が防止でき、封着後中空部中に屑が残存する場合は樹脂が硬化後も高指触性であるため屑を捕獲できる等の優れた機能を実現出来る。
The following is a comparison of the characteristics of the silicone gel
ゲル状シリコーン樹脂 従来(エポキシ)樹脂
ヤング率(Kgf/mm2) 4×10-2 2.4×103
透湿度(g/cm2)、24h 1.1 0.06
指触性(相対比較) 大 無し
熱伝導率(W/m.K) 0.18 0.20
本発明の第2の実施の形態における半導体装置14の構造を図3から図6を用いて説明する。本発明の中空型樹脂パッケージ1構成材料は実施形態1に記載の各材質と同様のもので形成される。本発明と実施形態1の相異は実施形態1の中空型樹脂パッケージ1を構成する外囲器と外囲器に形成された中空部と中空部周囲の封着面4と内部端子3とパッケージ底面2と外部端子5とパッケージ底面2の半導体素子7固着領域を包囲するように形成された隔壁19を備える点である。
Gel-like silicone resin Conventional (epoxy) resin Young's modulus (Kgf / mm 2 ) 4 × 10 -2 2.4 × 10 3
Moisture permeability (g / cm 2 ), 24h 1.1 0.06
Finger touch (relative comparison) Large None Thermal conductivity (W / m.K) 0.18 0.20
The structure of the
各構成物の位置関係は中空型樹脂パッケージ1外囲器の上面周辺にガラス板12を貼りつける封着面4と封着面内側に中空部の開口を配置し、外囲器中空内部の周辺段差面に外部端子5と一体の内部端子3と、下面に半導体を搭載するためのパッケージ底面2およびパッケージ底面2の半導体素子7搭載領域を包囲するように設けられる隔壁19を配置し、外囲器外部側面に内部端子3と外部回路を接続するための外部端子5を配置する。
The positional relationship of each component is as follows: a
隔壁19の高さは外囲器封着面との間に導体10を配置可能にする高さ以下で形成され、外囲器内壁と隔壁19間のパッケージ底面2と内部端子3上を覆うようにシリコーン樹脂と乾燥剤、暗色顔料を混ぜたゲル状吸湿性樹脂13を滴下塗布後加熱硬化して得られる。
The height of the
このような構造にすることで、ガラス封着後に中空型樹脂パッケージ1の中空内に残存もしくは進入してきた水分は透水性の高いシリコーン樹脂中にすばやく進入し、シリコーン樹脂中に混ぜられている粉末乾燥剤(シリカゲルもしくはモレキュラーシーブズ)に吸収される。その結果中空内は常時乾燥状態に保たれて中空内外間の温度差によるガラス板内面の結露が防止でき、加えてシリコーン樹脂の半導体素子7主面への塗れあがりを防止出来る信頼性の高い半導体装置14が実現できる。また、中空型樹脂パッケージ1への応力や、中空型樹脂パッケージ1中の屑の捕獲も実施形態1と同様の効果が実現出来るものである。
By adopting such a structure, the moisture remaining or entering the hollow of the
本発明の第3の実施形態における半導体装置14の構造を図7から図12を用いて説明する。
The structure of the
本発明の中空型樹脂パッケージ1構成材料は実施形態1に記載の各材質と同様のもので形成される。本発明と実施形態1の相異は実施形態1の中空型樹脂パッケージ1を構成する外囲器と外囲器に形成された中空部と中空部周囲の封着面4と内部端子3とパッケージ底面2と外部端子5に加えて半導体素子7固着領域を包囲するように形成された隔壁19と内部端子3が形成されている段差との間のパッケージ底面2に溝16を設け、溝16の中にゲル状吸湿性樹脂13と共に乾燥剤の塊17を埋設する点である。
The constituent material of the
各構成物の位置関係は中空型樹脂パッケージ1外囲器の上面周辺にガラス板12を貼りつける封着面4と封着面4内側に中空部の開口を配置し、外囲器中空内部の周辺段差面に外部端子5と一体の内部端子3を配置し、下面に半導体素子7搭載領域と領域の周囲に設ける溝16を配置する。溝にはゲル状吸湿性樹脂13と共にシリカゲル乾燥剤の塊17を埋設し、塊17は環状もしくは分割して用いる。
The positional relationship of each component is as follows: the sealing
このような構造を実現することで、ガラス封着後に中空型樹脂パッケージ1の中空内に残存もしくは進入してきた水分は透水性の高いシリコーン樹脂中にすばやく進入し、シリコーン樹脂中に混ぜられている粉末乾燥剤(シリカゲルもしくはモレキュラーシーブズ)に吸収される。その結果中空内は常時乾燥状態に保たれて中空内外間の温度差によるガラス板12内面の結露が防止でき加えて中空内の飽和吸水量が高くなり、外部温度変化による中空型樹脂パッケージ1内での結露が一層防止できる信頼性の高い半導体装置14が実現できる。
By realizing such a structure, moisture remaining or entering the hollow of the
また、中空型樹脂パッケージ1への応力や、中空型樹脂パッケージ中の屑の捕獲も第1の実施の形態や第2の実施の形態と同様の効果が実現できるものである。
Further, the stress on the
以上に第1の実施の形態から第3の実施の形態までの内容を説明したが、各実施の形態をそれぞれ組み合わせて用いることで一層の効果が得られるものである。その実施の形態の断面を図13から図16、図22、図23に示した。図13は第1の実施の形態と第2の実施の形態と第3の実施の形態の組み合わせで、図14は第1の実施の形態と第2の実施の形態の組み合わせで、図15は第1の実施の形態と第2の実施の形態と第3の実施の形態に加えて半導体素子固着面にリードフレームの構成部品であるダイパッド18を組み合わせ、図16は第1の実施の形態のパッケージ底面2に溝16を形成したもので、図22は図16のゲル状吸湿性樹脂の量を増やして、吸湿性を強化したものである。
Although the contents from the first embodiment to the third embodiment have been described above, further effects can be obtained by using each embodiment in combination. Cross sections of the embodiment are shown in FIGS. 13 to 16, 22 and 23. FIG. 13 is a combination of the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment, FIG. 14 is a combination of the first embodiment and the second embodiment, and FIG. In addition to the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment, a
以上の各実施の形態の構造を実現するためにリードフレーム材料のCu系の使用、固着物6にAlペーストや半硬化状のシート剤の使用、導体10にCuやAl細線の使用、乾燥剤にモレキュラーシーブズの使用、封着物11にスクリーン印刷法で形成される紫外線硬化型や熱硬化型の使用、リードフレーム表面のメッキにPdの使用を行っても何ら問題はない。
In order to realize the structure of each of the embodiments described above, the use of Cu-based lead frame material, the use of Al paste or semi-cured sheet agent for the fixed
さらに中空型樹脂パッケージがレンズ一体型の場合はガラス板12および封着物11を使用せずにレンズユニットで直接封着しても何ら問題は無い。さらにパッケージ底面2にリードフレームで構成されるダイパッドを有していても何ら問題は無い。
Further, when the hollow resin package is a lens-integrated type, there is no problem even if the lens unit is directly sealed without using the
つぎに本発明の半導体装置14を実現するための第1の実施の形態による製造方法を図17と図18(a)から図18(h)を用いて説明する。
Next, a manufacturing method according to the first embodiment for realizing the
図18(a)は第1の実施の形態で述べた半導体装置14の構造における説明に用いたパッケージ底面2、内部端子3、パッケージ枠部上の封着面4、外部端子5とを備えた中空型樹脂パッケージ1の断面を示す。
18A includes the package
図18(b)は中空型樹脂パッケージ1の表面を酸素プラズマやアルゴンスパッターで処理して樹脂表面の改質と同時に、内部端子3や外部端子5表面上の薄い樹脂被膜を除去して清浄化を行う。
FIG. 18B shows the surface of the
図18(c)はパッケージ底面2に適量の熱硬化型で導電性もしくは非導電性のペースト状固着物6を塗布した断面を示すが、シート状であっても問題は無い。塗布の手段はディスペンサーに装着されたマルチノズルからパッケージ底面2の半導体素子7搭載部への塗出や、スタンパーに装着された転写部の転写面に付着させた固着物6をパッケージ底面2の半導体素子7搭載部へ転写により行う。
FIG. 18C shows a cross section in which an appropriate amount of a thermosetting type conductive or non-conductive paste-like
図18(d)はパッケージ底面2に塗布された固着物6の上から半導体素子7を貼りつけた断面を示す。半導体素子7のパッケージ底面2への固着手段は中空型樹脂パッケージ1の所定の部分を基準にして、X方向、Y方向の2次元的位置および半導体素子7主面の基準面からの高さや傾斜を規定された範囲内の精度に貼りつける。半導体素子7を精度良くパッケージ底面2に固着物6で貼りつけた後150℃から180℃の温度条件で1時間から1.5時間加熱硬化することで半導体素子7をパッケージ底面2に固着を行う。
FIG. 18 (d) shows a cross section in which the
図18(e)は半導体素子7の主面上周辺の電極端子9と中空型樹脂パッケージ1内部の内部端子3を導体10で接続した断面を示す。導体10の接続手段は15μmから30μm径の金線を用いて熱圧着と超音波接合を併用した合金化接合により行う。金線は先端部を放電により溶融して球状にし、これを電極端子9の上から120℃から180℃の温度と40gfから80gfの押圧加重および超音波振動を加えて接続し、導体10の内部端子3への接続は120gfから180gfの押圧加重および超音波振動を加えて接続する。
FIG. 18 (e) shows a cross section in which the
図18(f)はパッケージ底面2上にゲル状吸湿性樹脂13を滴下しそして硬化した状態の断面を示す。低応力吸湿性樹脂13の配合、塗布、硬化の手段は1μmから200μm径のシリカゲルやモレキュラーシーブズ等の乾燥剤微粉充填剤と暗色顔料を練り込んだ主剤のゲル状シリコーン樹脂と硬化剤を重量比10:1(材料の種類により異なる)で混ぜた低応力吸湿性樹脂13をディスペンサーを用いてパッケージ底面2に半導体素子7の主面と内部端子3を設けた段差面を除き滴下塗布する。塗布量はパッケージ寸法と搭載される半導体素子7の組合わせにより異なる。そして120℃から150℃の温度で1時間から1.5時間の加熱硬化を行う。
FIG. 18F shows a cross section in a state where the gel-like
図18(g)はパッケージ枠部上面4に熱硬化型または紫外線硬化型もしくは両性能を備えたペースト状の有機封着物11を塗布した際の断面を示す。塗布の手段はディスペンサーに装着されたノズルからパッケージ枠部上面4への描画塗布や、スタンパーに装着された転写部の転写面に付着させた封着物11をパッケージ枠部上面4に溢れ出すことの無い適量を転写する。
FIG. 18 (g) shows a cross section when a paste-like
図18(h)はパッケージ枠部上面4に塗布された封着物11の上から所定の厚みの透明ガラス板12を貼りつけた断面を示す。このガラス板12の表面はパッケージ基準面と平行を維持するように貼りあわせて仮固定し、その後ガラス板12を通して紫外線照射を行ったり、加熱することで封着物11を硬化してパッケージ枠部上の封着面4にガラス板12をしっかりと固定する。
FIG. 18 (h) shows a cross section in which a
このような製造方法を実施することで中空部内の湿気や塵埃が捕獲出来て半導体素子7に対して応力が小さい本発明の実施形態1の撮像機能を有する半導体装置14が達成される。また、第2の実施の形態では中空型樹脂パッケージのパッケージ底面2に隔壁19を備え、第3の実施の形態ではゲル状吸湿性樹脂の塗布領域に溝16を形成しそこにゲル状吸湿性樹脂13と共に乾燥剤の塊17を埋設する点以外は同じ製造方法を使用するものである。
By implementing such a manufacturing method, the
1 中空型樹脂パッケージ
2 パッケージ底面
3 内部端子
4 封着面(外囲器中空部上面)
5 外部端子
6 固着物(DB剤)
7 半導体素子
8 主面
9 電極端子(ボンディングパッド)
10 導体(金属細線)
11 封着物
12 ガラス板
13 ゲル状吸湿性樹脂
14 半導体装置
16 溝
17 塊(乾燥剤)
18 導電性固着台
19 隔壁
1
5
10 Conductor (fine metal wire)
DESCRIPTION OF
18 Conductive fixing table 19 Bulkhead
Claims (8)
前記パッケージの内部に半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子と前記パッケージの内部に有する内部配線とを電気的に接続する工程と、
前記パッケージの内部であり前記半導体素子が載置された領域以外に隔壁を形成する工程と、
前記パッケージを構成する樹脂材料よりも透湿性の高い吸湿性樹脂を、前記隔壁により隔てられて前記吸湿性樹脂が前記半導体素子に付着しない領域に塗布する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 In hollow resin package,
Placing a semiconductor element inside the package;
Electrically connecting the semiconductor element and an internal wiring inside the package;
Forming a partition wall in a region other than the region where the semiconductor element is placed inside the package;
Applying a hygroscopic resin having a moisture permeability higher than that of the resin material constituting the package to a region separated by the partition and not adhering to the semiconductor element. Manufacturing method.
さらに、前記吸湿性樹脂を塗布する領域に乾燥剤を配置する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
Furthermore, the manufacturing method of the semiconductor device characterized by having the process of arrange | positioning a desiccant in the area | region which applies the said hygroscopic resin.
さらに、前記パッケージの内部に、シリカゲルかモレキュラーシーブズを配置する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
The method further includes the step of disposing silica gel or molecular sieves inside the package.
前記シリカゲルかモレキュラーシーブズの粒径が1〜200μmである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 3 ,
A method for producing a semiconductor device, wherein the silica gel or molecular sieves has a particle size of 1 to 200 μm.
前記吸湿性樹脂を塗布する工程よりも前に、暗色顔料を混合した前記吸湿性樹脂を準備する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of preparing the hygroscopic resin mixed with a dark pigment prior to the step of applying the hygroscopic resin.
さらに、前記パッケージの内部に半導体素子を載置する工程よりも前に前記吸湿性樹脂が塗布される領域の表面改質を行なう工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
The method for manufacturing a semiconductor device further includes a step of modifying the surface of the region to which the hygroscopic resin is applied before the step of placing the semiconductor element inside the package .
さらに、前記パッケージの内部に半導体素子を載置する工程よりも前に前記吸湿性樹脂が塗布される領域を、プラズマやスパッターによって表面処理を行なう工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
The method further includes the step of performing a surface treatment by plasma or sputtering on the region to which the hygroscopic resin is applied prior to the step of placing the semiconductor element inside the package. .
前記吸湿性樹脂を塗布する工程では、前記内部配線も塗布する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
In the step of applying the hygroscopic resin, the internal wiring is also applied.
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